Transistor BD111

BD111 Transistor. Conectado a: A otros componentes electrónicos. Fabricantes: Japón, China, Estados Unidos y otros países.

BD111. Es un transistor bipolar, compuesto por silicio.

Partes que lo componen

Consiste en una plaquita de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.

Características

• Polaridad (N-P-N)
• Amplificador de audio de potencia
• Corriente máxima de colector (Ic) 15 Ampere
• De colector a base (CBO) 100 Voltios
• De colector a emisor (CEO) 60 Voltios
• De emisor a base (EBO) 7 Voltios
• Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 45 Min
• Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 115 (Watts)
• Frecuencia MHz 3 Min

Transistores equivalentes

• BD112, BD113, BD116, BD118, BD121, BD130, BD145, BD181, BD182, BD183ELK.

Usos

• Amplificadores de audio.
• Fuentes estabilizadoras de Voltaje
• Otros

Fuentes

• NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
• Imagen de Wikipedia.