Transistor efecto campo K11-O(SGDC)
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Transistor efecto campo K11-O(SGDC). Es un transistor efecto campo, compuesto por CH.
Sumario
Función
Basa su funcionamiento en el control de la corriente. Se realiza mediante la variación de un campo eléctrico, o sea, en este dispositivo semiconductor el control de la corriente de trabajo no se efectúa por la corriente en el circuito de entrada (de la base), como en un transistor bipolar, sino por la acción sobre los portadores de corriente de un campo eléctrico. De aquí el nombre de transistor de "efecto-campo"
Partes
- Electrodos o plaquitas:
- Manantial o fuente.
- Vertedero o salida.
- Obturador o puerta.
Diferencias con el transistor bipolar
- Su operación depende solamente del flujo de portadores mayoritarios. Es un dispositivo unipolar, o sea, de un solo tipo de portador de carga eléctrica.
- Es de fácil construcción y ocupa mucho menor espacio de forma integrada.
- Posee una alta resistencia de entrada (Orden de MW).
- Es menos ruidoso.
- Mayor ganancia ancho de banda.
La principal aplicación del transistor FET es en circuitos integrados.
Características
- Polaridad (N)
- Amplificador de Sw de propósito general.
- Voltage gate to source Min (volts) BV GSS 30
- Cutoff voltage gate to source Max(OFF) (Volts) VGS 6
- Drain current Zero-Gate Min- Max (mA) Idss 2-6
- Drain current Max (OFF) (mA) Id 15
- Res drain to source Max(ON) (Ohms) rdss 400
- Cap input Max (PF) Clss 6
- Rev trans cap Max (pf) Crss 2
- Transcon – ductance Typ (umhos) gts 3500
- Power dissp Max (mW) Pd 300
Transistores equivalentes
- K11-R, K11-Y, K12
Usos
Fuentes
- NTE Electronics.inc.Previous Edition, 2005.
