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	<title>EcuRed - Contribuciones del colaborador [es]</title>
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		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;== Sumario ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Estado de copyright: ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente: ==&lt;/div&gt;</summary>
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		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;                                   &lt;br /&gt;
{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
| nombre = Encapsulado TO247&lt;br /&gt;
| imagen = to247.png&lt;br /&gt;
| pie = [[Encapsulado componente electrónico.]].&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div  &lt;br /&gt;
align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' TO247'''. Encapsulado electrónico.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Función del encapsulado ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Dado que los [[chips]] de [[silicio]] y todos los componentes electrónicos son muy delicados, incluso una pequeña partícula de polvo o de gota de agua puede afectar su funcionamiento. La luz y el calor así como otros factores externos pueden causar mal funcionamiento. Para combatir y evitar estos problemas, los componentes se encuentran protegidos por una carcasa o [[encapsulado]].&lt;br /&gt;
El encapsulado cumple las siguientes funciones:&lt;br /&gt;
*Excluir las influencias ambientales: La humedad y el polvo en el aire son causas directas de defectos en los dispositivos semiconductores, además de las vibraciones y los golpes. La iluminación y los imanes también pueden causar mal funcionamiento. EL encapsulado evita estas influencias externas, y protege el chip de silicio.&lt;br /&gt;
*Permitir la conectividad eléctrica: Si los chips de silicio fueran simplemente encerrados dentro de un encapsulado no podrían intercambiar señales con el exterior. Los encapsulados permiten la fijación de conductores metálicos denominados pines o esferas de soldadura (BGA) permitiendo que las señales sean enviadas a y desde el dispositivo semiconductor.&lt;br /&gt;
*Disipar el calor: Los chips de silicio se calientan durante el funcionamiento. Si la temperatura del chip se eleva hasta valores demasiados alto, el chip funcionara mal, se desgastara o se destruirá dependiendo del valor de temperatura alcanzado. Los encapsulados pueden efectivamente liberar el calor generado. &lt;br /&gt;
*Mejorar el manejo y montaje: Debido a que los circuitos incorporados en chips de silicio y los chips de silicio en sí son tan pequeños y delicados, no pueden ser fácilmente manipulados, y realizar un montaje en esa pequeña escala sería difícil. Colocar el chip en una cápsula hace que sea más fácil manejar y de montar en placas de circuitos impresos.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Image:To247-1.png|thumb|right|200px|Dimensiones]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
*Transistores de alta potencia.&lt;br /&gt;
*Mosfet de potencia.&lt;br /&gt;
*Diodos de potencia.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
* Artículo [http://www.lcardaba.com/articles/cases.htm Imagen ]. Disponible en: &amp;quot;www.lcardaba.com&amp;quot;. Consultado: 20 de Octubre de 2011.&lt;br /&gt;
* Artículo [http://www.datasheetcatalog.net/es/datasheets_pdf/T/O/2/4/TO247.shtml Datasheets]. Disponible en: &amp;quot;www.datasheetcatalog.net&amp;quot;. Consultado: 20 de Octubre de 2011.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;                                   &lt;br /&gt;
{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
| nombre = Encapsulado TO247&lt;br /&gt;
| imagen = to247.png&lt;br /&gt;
| pie = [[Encapsulado componente electrónico.]].&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div  &lt;br /&gt;
align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' TO247'''. Encapsulado electrónico.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Función del encapsulado ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Dado que los [[chips]] de [[silicio]] y todos los componentes electrónicos son muy delicados, incluso una pequeña partícula de polvo o de gota de agua puede afectar su funcionamiento. La luz y el calor así como otros factores externos pueden causar mal funcionamiento. Para combatir y evitar estos problemas, los componentes se encuentran protegidos por una carcasa o [[encapsulado]].&lt;br /&gt;
El encapsulado cumple las siguientes funciones:&lt;br /&gt;
*Excluir las influencias ambientales: La humedad y el polvo en el aire son causas directas de defectos en los dispositivos semiconductores, además de las vibraciones y los golpes. La iluminación y los imanes también pueden causar mal funcionamiento. EL encapsulado evita estas influencias externas, y protege el chip de silicio.&lt;br /&gt;
*Permitir la conectividad eléctrica: Si los chips de silicio fueran simplemente encerrados dentro de un encapsulado no podrían intercambiar señales con el exterior. Los encapsulados permiten la fijación de conductores metálicos denominados pines o esferas de soldadura (BGA) permitiendo que las señales sean enviadas a y desde el dispositivo semiconductor.&lt;br /&gt;
*Disipar el calor: Los chips de silicio se calientan durante el funcionamiento. Si la temperatura del chip se eleva hasta valores demasiados alto, el chip funcionara mal, se desgastara o se destruirá dependiendo del valor de temperatura alcanzado. Los encapsulados pueden efectivamente liberar el calor generado. &lt;br /&gt;
*Mejorar el manejo y montaje: Debido a que los circuitos incorporados en chips de silicio y los chips de silicio en sí son tan pequeños y delicados, no pueden ser fácilmente manipulados, y realizar un montaje en esa pequeña escala sería difícil. Colocar el chip en una cápsula hace que sea más fácil manejar y de montar en placas de circuitos impresos.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Image:To247-1.png|thumb|right|400px|Dimensiones]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
*Transistores de alta potencia.&lt;br /&gt;
*Mosfet de potencia.&lt;br /&gt;
*Diodos de potencia.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
* Artículo [http://www.lcardaba.com/articles/cases.htm Imagen ]. Disponible en: &amp;quot;www.lcardaba.com&amp;quot;. Consultado: 20 de Octubre de 2011.&lt;br /&gt;
* Artículo [http://www.datasheetcatalog.net/es/datasheets_pdf/T/O/2/4/TO247.shtml Datasheets]. Disponible en: &amp;quot;www.datasheetcatalog.net&amp;quot;. Consultado: 20 de Octubre de 2011.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Página creada con '                                    {{Ficha Hardware | nombre = Encapsulado TO247 | imagen = to247.png | pie = Encapsulado componente electrónico.. }}&amp;lt;div   align=justify&amp;gt; ...'&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;                                   &lt;br /&gt;
{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
| nombre = Encapsulado TO247&lt;br /&gt;
| imagen = to247.png&lt;br /&gt;
| pie = [[Encapsulado componente electrónico.]].&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div  &lt;br /&gt;
align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' TO247'''. Encapsulado electrónico.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Función del encapsulado ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Dado que los [[chips]] de [[silicio]] y todos los componentes electrónicos son muy delicados, incluso una pequeña partícula de polvo o de gota de agua puede afectar su funcionamiento. La luz y el calor así como otros factores externos pueden causar mal funcionamiento. Para combatir y evitar estos problemas, los componentes se encuentran protegidos por una carcasa o [[encapsulado]].&lt;br /&gt;
El encapsulado cumple las siguientes funciones:&lt;br /&gt;
*Excluir las influencias ambientales: La humedad y el polvo en el aire son causas directas de defectos en los dispositivos semiconductores, además de las vibraciones y los golpes. La iluminación y los imanes también pueden causar mal funcionamiento. EL encapsulado evita estas influencias externas, y protege el chip de silicio.&lt;br /&gt;
*Permitir la conectividad eléctrica: Si los chips de silicio fueran simplemente encerrados dentro de un encapsulado no podrían intercambiar señales con el exterior. Los encapsulados permiten la fijación de conductores metálicos denominados pines o esferas de soldadura (BGA) permitiendo que las señales sean enviadas a y desde el dispositivo semiconductor.&lt;br /&gt;
*Disipar el calor: Los chips de silicio se calientan durante el funcionamiento. Si la temperatura del chip se eleva hasta valores demasiados alto, el chip funcionara mal, se desgastara o se destruirá dependiendo del valor de temperatura alcanzado. Los encapsulados pueden efectivamente liberar el calor generado. &lt;br /&gt;
*Mejorar el manejo y montaje: Debido a que los circuitos incorporados en chips de silicio y los chips de silicio en sí son tan pequeños y delicados, no pueden ser fácilmente manipulados, y realizar un montaje en esa pequeña escala sería difícil. Colocar el chip en una cápsula hace que sea más fácil manejar y de montar en placas de circuitos impresos.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Image:to247-1.png|thumb|right|200px|Dimensiones]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
*Transistores de alta potencia.&lt;br /&gt;
*Mosfet de potencia.&lt;br /&gt;
*Diodos de potencia.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
* Artículo [http://www.lcardaba.com/articles/cases.htm Imagen ]. Disponible en: &amp;quot;www.lcardaba.com&amp;quot;. Consultado: 20 de Octubre de 2011.&lt;br /&gt;
* Artículo [http://www.datasheetcatalog.net/es/datasheets_pdf/T/O/2/4/TO247.shtml Datasheets]. Disponible en: &amp;quot;www.datasheetcatalog.net&amp;quot;. Consultado: 20 de Octubre de 2011.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;== Sumario ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Estado de copyright: ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente: ==&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
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		<title>Tl494</title>
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		<updated>2011-10-20T14:29:15Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
| nombre = TL494&lt;br /&gt;
| imagen = tl494a.png&lt;br /&gt;
| pie = [[Modulador de ancho de pulso.]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div &lt;br /&gt;
align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' TL494'''. Circuito de Control con PWM, encapsulado DIP16.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
En el interior de este integrado se encuentra un oscilador RC que genera la frecuencia de control, un circuito para la modulación del ancho del impulso, un biestable y unas etapas de salida para generar dos ondas cuadradas con un ancho variable y en oposición de fase. El&lt;br /&gt;
ancho de estos impulsos es modificado por la tensión aplicada al amplificador de error.&lt;br /&gt;
[[Imagen:TL494c.JPG]]&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
Condiciones de operación recomendadas:&lt;br /&gt;
*VCC Voltaje de alimentación  7 a 40 V&lt;br /&gt;
*VI Amplifier input voltage – 0.3 V CC – 2 V&lt;br /&gt;
*VO Collector output voltage 40 V&lt;br /&gt;
*Collector output current (each transistor) 200 mA&lt;br /&gt;
*Current into feedback terminal 0.3 mA&lt;br /&gt;
*fOSC Oscillator frequency 1 300 kHz&lt;br /&gt;
*CT Timing capacitor 0.47 10000 nF&lt;br /&gt;
*RT Timing resistor 1.8 500 k Ω&lt;br /&gt;
*Operating free-air temperature  40 a 85 °C&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
*Fuentes [[SMPS]]&lt;br /&gt;
*[[Inversores]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
* Artículo [http://www.ea4nh.com/articulos/fuente/fuente.htm Fuente ATX ]. Disponible en: &amp;quot;www.ea4nh.com&amp;quot;. Consultado: 9 de septeimbre del 2011.&lt;br /&gt;
* Artículo [http://html.rincondelvago.com/fuentes-conmutadas.html SMPS]. Disponible en: &amp;quot;html.rincondelvago.com&amp;quot;. Consultado: 9 de septeimbre del 2011.&lt;br /&gt;
* Artículo [http://alanruyz.blogspot.com/2009/02/estructura-del-circuito-integrado.html Estructura]. Disponible en: &amp;quot;alanruyz.blogspot.com&amp;quot;. Consultado: 9 de septeimbre del 2011.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Boya_DWR-G&amp;diff=1015319</id>
		<title>Boya DWR-G</title>
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		<updated>2011-10-10T14:46:11Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: /* Véase también */&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Definición&lt;br /&gt;
|nombre=Boya DWR-G&lt;br /&gt;
|imagen=Boya_dwrg.png&lt;br /&gt;
|tamaño=&lt;br /&gt;
|concepto=Boya   de oleaje direccional con sensor de movimiento basado en GPS(Sistema   Global de Posicionamiento), apta  para olas en el rango de 1,6 a 100 s,   con una precisión del 0,5%&lt;br /&gt;
}}&lt;br /&gt;
&amp;lt;div align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
'''Boya  DWR-G''' Boya oceanográfica de medición de [[oleaje]]  direccional (de  sólo 40 cm) apta para medir olas  en el rango de 1,6 a  100 segundos con  una precisión de 1% en todas las  direcciones. Ideal  para fondeos de  oportunidad, obra marítima, [[boya]] de  sustitución o  incluso como  boya de oleaje a la deriva. Fondeo  extremadamente sencillo  por sus  dimensiones y peso. &lt;br /&gt;
El oleaje, como fenómeno [[estocástico]] que altera la superficie del [[mar]],  requiere una aproximación estadística o espectral. Existen diversas  técnicas para medir este proceso y todas requieren un cierto tiempo de  medida y un buen aparato matemático.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
La aproximación mediante radar consiste en lanzar una señal al mar,  esperar a recibir el rebote y analizarlo convenientemente. Esta  tecnología permite medir agitación de la superficie en un punto (dársena  portuaria, por ejemplo) con señales lanzadas verticalmente (WaveGuide  de Radac) o en todo un sector de la superficie hasta más allá del  horizonte (Wera de Helzel), mediante señales lanzadas horizontalmente.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
La DWR-G cuenta con un algoritmo patentado y adaptado   específicamente al receptor GPS, es  un reto para las boyas de  oleaje  convencionales basadas en [[sensores]] de tipo inercial tales como  [[acelerómetros]] y [[brújulas]] magnéticas.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
==Característica== &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
* Medidas de altura de ola y dirección. &lt;br /&gt;
* Periodos de oleaje mayores de 100 s. &lt;br /&gt;
*   Enlace de  radio de 50 km sobre el mar. Aumentando la potencia de   transmisión y usando una antena direccional se puede ampliar este   alcance. &lt;br /&gt;
* Luz  de navegación mediante LEDs integrada en la punta de la antena de la radio HF, aumentando la visibilidad de la boya. &lt;br /&gt;
* El   receptor GPS proporciona la posición de la boya, facilitando en su caso su recuperación. &lt;br /&gt;
* Amplia memoria basada en tecnología flash de última generación. &lt;br /&gt;
* Baterías de alta capacidad operativas en cualquier condición ambiental durante año y medio sin mantenimiento. &lt;br /&gt;
* Detallado control del consumo permitiendo estimar la autonomía remanente de las baterías. &lt;br /&gt;
* Disponible con cascos de 0,9, 0,7 y 0,4 m de diámetro. &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
==Usos más frecuentes==&lt;br /&gt;
* Estudios de dinámica de la [[zona de rompientes]].&lt;br /&gt;
* Estudios de [[zonas costeras]].&lt;br /&gt;
* Medidas de [[oleaje]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
==Véase también== &lt;br /&gt;
* [[Boya DWR-G4]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
==Fuente==&lt;br /&gt;
* Artículo:[http://www.oceanografialitoral.com/category/tags/oleaje/boyas  INNOVA Oceanografía Litoral]. Disponible en &amp;quot;www.oceanografialitoral.com&amp;quot;. Consultado: 28 de   septiembre del 2011.&lt;br /&gt;
* Artículo:[http://www.oceanografialitoral.com/category/tags/oleaje Oleaje]. Disponible en  &amp;quot;www.oceanografialitoral.com&amp;quot;. Consultado: 28 de septiembre del  2011.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Instrumentos_de_medición]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Archivo:Molex.jpg&amp;diff=903696</id>
		<title>Archivo:Molex.jpg</title>
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		<updated>2011-09-14T18:56:25Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: subió una nueva versión de «Archivo:Molex.jpg»&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;== Sumario ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Estado de copyright: ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente: ==&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
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		<updated>2011-09-14T16:09:11Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;== Sumario ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Estado de copyright: ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente: ==&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
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		<updated>2011-09-14T15:46:13Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;== Sumario ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Estado de copyright: ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente: ==&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<title>Tl494</title>
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		<updated>2011-09-09T20:00:49Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
| nombre = TL494&lt;br /&gt;
| imagen = TL494.jpg&lt;br /&gt;
| imagen = tl494a.png&lt;br /&gt;
| pie = [[Modulador de ancho de pulso.]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div &lt;br /&gt;
align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' TL494'''. Circuito de Control con PWM, encapsulado DIP16.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
En el interior de este integrado se encuentra un oscilador RC que genera la frecuencia de control, un circuito para la modulación del ancho del impulso, un biestable y unas etapas de salida para generar dos ondas cuadradas con un ancho variable y en oposición de fase. El&lt;br /&gt;
ancho de estos impulsos es modificado por la tensión aplicada al amplificador de error.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
Condiciones de operación recomendadas:&lt;br /&gt;
*VCC Voltaje de alimentación  7 a 40 V&lt;br /&gt;
*VI Amplifier input voltage – 0.3 V CC – 2 V&lt;br /&gt;
*VO Collector output voltage 40 V&lt;br /&gt;
*Collector output current (each transistor) 200 mA&lt;br /&gt;
*Current into feedback terminal 0.3 mA&lt;br /&gt;
*fOSC Oscillator frequency 1 300 kHz&lt;br /&gt;
*CT Timing capacitor 0.47 10000 nF&lt;br /&gt;
*RT Timing resistor 1.8 500 k Ω&lt;br /&gt;
*Operating free-air temperature  40 a 85 °C&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
*Fuentes [[SMPS]]&lt;br /&gt;
*[[Inversores]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
*[http://www.ea4nh.com/articulos/fuente/fuente.htm Fuente ATX ]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://html.rincondelvago.com/fuentes-conmutadas.html ]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://alanruyz.blogspot.com/2009/02/estructura-del-circuito-integrado.html Estructura]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<title>Tl494</title>
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		<updated>2011-09-09T19:58:06Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Página creada con '{{Ficha Hardware | nombre = TL494 | imagen = tl494.jpg | imagen = tl494a.png | pie = Modulador de ancho de pulso..  }}&amp;lt;div  align=justify&amp;gt;  ''' TL494'''. Circuito de Control...'&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
| nombre = TL494&lt;br /&gt;
| imagen = tl494.jpg&lt;br /&gt;
| imagen = tl494a.png&lt;br /&gt;
| pie = [[Modulador de ancho de pulso.]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div &lt;br /&gt;
align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' TL494'''. Circuito de Control con PWM, encapsulado DIP16.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
En el interior de este integrado se encuentra un oscilador RC que genera la frecuencia de control, un circuito para la modulación del ancho del impulso, un biestable y unas etapas de salida para generar dos ondas cuadradas con un ancho variable y en oposición de fase. El&lt;br /&gt;
ancho de estos impulsos es modificado por la tensión aplicada al amplificador de error.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
Condiciones de operación recomendadas:&lt;br /&gt;
*VCC Voltaje de alimentación  7 a 40 V&lt;br /&gt;
*VI Amplifier input voltage – 0.3 V CC – 2 V&lt;br /&gt;
*VO Collector output voltage 40 V&lt;br /&gt;
*Collector output current (each transistor) 200 mA&lt;br /&gt;
*Current into feedback terminal 0.3 mA&lt;br /&gt;
*fOSC Oscillator frequency 1 300 kHz&lt;br /&gt;
*CT Timing capacitor 0.47 10000 nF&lt;br /&gt;
*RT Timing resistor 1.8 500 k Ω&lt;br /&gt;
*Operating free-air temperature  40 a 85 °C&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
*Fuentes [[SMPS]]&lt;br /&gt;
*[[Inversores]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
*[http://www.ea4nh.com/articulos/fuente/fuente.htm Fuente ATX ]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://html.rincondelvago.com/fuentes-conmutadas.html ]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://alanruyz.blogspot.com/2009/02/estructura-del-circuito-integrado.html Estructura]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<updated>2011-09-09T19:56:34Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
| nombre = TL494&lt;br /&gt;
| imagen = TL494.jpg&lt;br /&gt;
| imagen = tl494a.png&lt;br /&gt;
| pie = [[Modulador de ancho de pulso.]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div &lt;br /&gt;
align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' TL494'''. Circuito de Control con PWM, encapsulado DIP16.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
En el interior de este integrado se encuentra un oscilador RC que genera la frecuencia de control, un circuito para la modulación del ancho del impulso, un biestable y unas etapas de salida para generar dos ondas cuadradas con un ancho variable y en oposición de fase. El&lt;br /&gt;
ancho de estos impulsos es modificado por la tensión aplicada al amplificador de error.&lt;br /&gt;
[[Imagen:TL494.JPG]]&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
Condiciones de operación recomendadas:&lt;br /&gt;
*VCC Voltaje de alimentación  7 a 40 V&lt;br /&gt;
*VI Amplifier input voltage – 0.3 V CC – 2 V&lt;br /&gt;
*VO Collector output voltage 40 V&lt;br /&gt;
*Collector output current (each transistor) 200 mA&lt;br /&gt;
*Current into feedback terminal 0.3 mA&lt;br /&gt;
*fOSC Oscillator frequency 1 300 kHz&lt;br /&gt;
*CT Timing capacitor 0.47 10000 nF&lt;br /&gt;
*RT Timing resistor 1.8 500 k Ω&lt;br /&gt;
*Operating free-air temperature  40 a 85 °C&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
*Fuentes [[SMPS]]&lt;br /&gt;
*[[Inversores]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
*[http://www.ea4nh.com/articulos/fuente/fuente.htm Fuente ATX ]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://html.rincondelvago.com/fuentes-conmutadas.html ]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://alanruyz.blogspot.com/2009/02/estructura-del-circuito-integrado.html Estructura]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<title>Tl494</title>
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		<updated>2011-09-09T19:54:51Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
| nombre = TL494&lt;br /&gt;
| imagen = TL494.jpg&lt;br /&gt;
| imagen = tl494a.png&lt;br /&gt;
| pie = [[Modulador de ancho de pulso.]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div &lt;br /&gt;
align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' TL494'''. Circuito de Control con PWM, encapsulado DIP16.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
En el interior de este integrado se encuentra un oscilador RC que genera la frecuencia de control, un circuito para la modulación del ancho del impulso, un biestable y unas etapas de salida para generar dos ondas cuadradas con un ancho variable y en oposición de fase. El&lt;br /&gt;
ancho de estos impulsos es modificado por la tensión aplicada al amplificador de error.&lt;br /&gt;
[[Archivo:TL494.JPG]]&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
Condiciones de operación recomendadas:&lt;br /&gt;
*VCC Voltaje de alimentación  7 a 40 V&lt;br /&gt;
*VI Amplifier input voltage – 0.3 V CC – 2 V&lt;br /&gt;
*VO Collector output voltage 40 V&lt;br /&gt;
*Collector output current (each transistor) 200 mA&lt;br /&gt;
*Current into feedback terminal 0.3 mA&lt;br /&gt;
*fOSC Oscillator frequency 1 300 kHz&lt;br /&gt;
*CT Timing capacitor 0.47 10000 nF&lt;br /&gt;
*RT Timing resistor 1.8 500 k Ω&lt;br /&gt;
*Operating free-air temperature  40 a 85 °C&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
*Fuentes [[SMPS]]&lt;br /&gt;
*[[Inversores]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
*[http://www.ea4nh.com/articulos/fuente/fuente.htm Fuente ATX ]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://html.rincondelvago.com/fuentes-conmutadas.html ]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://alanruyz.blogspot.com/2009/02/estructura-del-circuito-integrado.html Estructura]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Transistor_2SC1815&amp;diff=885726</id>
		<title>Transistor 2SC1815</title>
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		<updated>2011-09-09T19:18:13Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Página creada con '{{Ficha Hardware | nombre = Transistor C1815 | imagen = 2SC1815.JPG | pie = Transistor 2sc1815. | Explica = Transistor de Silicio propósito general. }}&amp;lt;div  align=j...'&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
| nombre = Transistor C1815&lt;br /&gt;
| imagen = 2SC1815.JPG&lt;br /&gt;
| pie = [[Transistor 2sc1815]].&lt;br /&gt;
| Explica = [[Transistor]] de [[Silicio]] propósito general.&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div &lt;br /&gt;
align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' 2SC1815'''.Es un transistor bipolar de Silicio de propósito general y pequeña señal.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
Este transistor de tipo NPN viene en encapsulado TO92, plastico y con tres pines. Está formado por dos uniones pn en contraposición.Físicamente, el transistor está consitutído por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y colector.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
*Material: Si&lt;br /&gt;
*La estructura de transistor: npn&lt;br /&gt;
*Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 400mW&lt;br /&gt;
*Limite el colector DC-base (Ucb): 60V&lt;br /&gt;
*Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 50V&lt;br /&gt;
*Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V&lt;br /&gt;
*Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 150mA&lt;br /&gt;
*Temperatura límite de unión pn (Tj): 175C&lt;br /&gt;
*Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 80MHz&lt;br /&gt;
*Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: 3.5&lt;br /&gt;
*Estática coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con emisor común (Hfe), min/max: 70/400&lt;br /&gt;
*Fabricante: TOSHIBA&lt;br /&gt;
*Caso 2SC1815: TO92&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
*Multipropósito&lt;br /&gt;
*Aplicaciones de baja potencia&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
*[http://www.monografias.com/trabajos71/transistor-bipolar/transistor-bipolar.shtml Transistor Bipolar]. Consultado: Septiembre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://www.tme.eu/es/katalog/?art=2SC1815#id_category%3D100180%26cleanParameters%3D1%26 Imagen]. Consultado: Septiembre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://www.unicrom.com/Tut_transistor_bipolar.asp Transistor Bipolar]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Archivo:2SC1815.JPG&amp;diff=885712</id>
		<title>Archivo:2SC1815.JPG</title>
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		<updated>2011-09-09T19:16:58Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;== Sumario ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Estado de copyright: ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente: ==&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Transistor_2SC1815&amp;diff=885744</id>
		<title>Transistor 2SC1815</title>
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		<updated>2011-09-09T19:11:45Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Smps trasladada a Transistor 2SC1815&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
| nombre = Transistor C1815&lt;br /&gt;
| imagen = 2SC1815.JPG&lt;br /&gt;
| pie = [[Transistor 2sc1815]].&lt;br /&gt;
| Explica = [[Transistor]] de [[Silicio]] propósito general.&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div &lt;br /&gt;
align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' 2SC1815'''.Es un transistor bipolar de Silicio de propósito general y pequeña señal.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
Este transistor de tipo NPN viene en encapsulado TO92, plastico y con tres pines. Está formado por dos uniones pn en contraposición.Físicamente, el transistor está consitutído por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y colector.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
*Material: Si&lt;br /&gt;
*La estructura de transistor: npn&lt;br /&gt;
*Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 400mW&lt;br /&gt;
*Limite el colector DC-base (Ucb): 60V&lt;br /&gt;
*Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 50V&lt;br /&gt;
*Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V&lt;br /&gt;
*Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 150mA&lt;br /&gt;
*Temperatura límite de unión pn (Tj): 175C&lt;br /&gt;
*Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 80MHz&lt;br /&gt;
*Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: 3.5&lt;br /&gt;
*Estática coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con emisor común (Hfe), min/max: 70/400&lt;br /&gt;
*Fabricante: TOSHIBA&lt;br /&gt;
*Caso 2SC1815: TO92&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
*Multipropósito&lt;br /&gt;
*Aplicaciones de baja potencia&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
*[http://www.monografias.com/trabajos71/transistor-bipolar/transistor-bipolar.shtml Transistor Bipolar]. Consultado: Septiembre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://www.tme.eu/es/katalog/?art=2SC1815#id_category%3D100180%26cleanParameters%3D1%26 Imagen]. Consultado: Septiembre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://www.unicrom.com/Tut_transistor_bipolar.asp Transistor Bipolar]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Transistor_sup85n10-10&amp;diff=885204</id>
		<title>Transistor sup85n10-10</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=Transistor_sup85n10-10&amp;diff=885204"/>
		<updated>2011-09-09T18:09:17Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: /* Especificaciones */&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| nombre = SUP85n10-10&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| imagen = TO220AB-03.jpg&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| pie = [[MOSFET]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' Sup85n10-10'''. Es un circuito integrado, compuesto por [[silicio]]dopado.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*Altura de producto 9.01mm&lt;br /&gt;
*Anchura de producto 4.7mm&lt;br /&gt;
*Categoría MOSFET de potencia&lt;br /&gt;
*Configuración Single&lt;br /&gt;
*Corriente de drenaje continua máxima 85A&lt;br /&gt;
*Disipación de potencia máxima 250000mW&lt;br /&gt;
*Encapsulado fabricante TO-220AB&lt;br /&gt;
*Longitud de producto 10.41mm&lt;br /&gt;
*Modo de canal Mejora&lt;br /&gt;
*Montaje Pasante&lt;br /&gt;
*Número de elementos por chip 1&lt;br /&gt;
*Resistencia de fuente de drenaje máxima 0.0105 ahoms&lt;br /&gt;
*Temperatura de funcionamiento máxima 175°C&lt;br /&gt;
*Temperatura de funcionamiento mínima -55°C&lt;br /&gt;
*Tensión de fuente de drenaje máxima 100V&lt;br /&gt;
*Tensión máxima puerta-fuente ±20V&lt;br /&gt;
*Tiempo de caída típica 130ns&lt;br /&gt;
*Tiempo de retardo de apagado típico 55ns&lt;br /&gt;
*Tiempo de retardo de encendido típico 12ns&lt;br /&gt;
*Tiempo de subida típica 90ns&lt;br /&gt;
*Tipo de canal N&lt;br /&gt;
*Numero de pines 3&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*[[Inversores]]&lt;br /&gt;
*[[Convertidores]] CD/CD&lt;br /&gt;
*Fuentes [[SMPS]]&lt;br /&gt;
*Equipos Informáticos&lt;br /&gt;
*[[Conmutación]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Circuito integrado]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs-img/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Imagen]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
*[http://es.scribd.com/doc/50331487/114/%C2%BFQue-es-un-MOSFET Publicacion]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://es.wikipedia.org/wiki/Estructura_MOS Mosfet]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Transistor_sup85n10-10&amp;diff=885074</id>
		<title>Transistor sup85n10-10</title>
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		<updated>2011-09-09T17:53:19Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: /* Especificaciones */&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| nombre = SUP85n10-10&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| imagen = TO220AB-03.jpg&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| pie = [[MOSFET]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' Sup85n10-10'''. Es un circuito integrado, compuesto por [[silicio]]dopado.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
{|&lt;br /&gt;
! Caracteristica&lt;br /&gt;
! valor&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
|Altura de producto|| 9.01mm|-&lt;br /&gt;
|Anchura de producto||4.7 mm|-&lt;br /&gt;
|Categoría||Mosfet de Potencia|-&lt;br /&gt;
|Configuración||Single|-&lt;br /&gt;
|Corriente de drenaje continua máxima||85A|-&lt;br /&gt;
|Disipación de potencia máxima||250000 mW|-&lt;br /&gt;
|Encapsulado fabricante ||TO-220AB|-&lt;br /&gt;
|Longitud de producto||10.41mm|-&lt;br /&gt;
|Modo de canal||Mejora|-&lt;br /&gt;
|Montaje||Pasante|-&lt;br /&gt;
|Número de elementos por chip||1|-&lt;br /&gt;
|Resistencia de fuente de drenaje máxima||0.0105|-&lt;br /&gt;
|Temperatura de funcionamiento máxima|| 175°C|-&lt;br /&gt;
|Temperatura de funcionamiento mínima|| -55°C|-&lt;br /&gt;
|Tensión de fuente de drenaje máxima ||100V|-&lt;br /&gt;
|Tensión máxima puerta-fuente|| ±20V|-&lt;br /&gt;
|Tiempo de caída típica|| 130ns|-&lt;br /&gt;
|Tiempo de retardo de apagado típico|| 55ns|-&lt;br /&gt;
|Tiempo de retardo de encendido típico|| 12ns|-&lt;br /&gt;
|Tiempo de subida típica|| 90ns|-&lt;br /&gt;
|Tipo de canal|| N|-&lt;br /&gt;
|Numero de pines ||3|-&lt;br /&gt;
|}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*[[Inversores]]&lt;br /&gt;
*[[Convertidores]] CD/CD&lt;br /&gt;
*Fuentes [[SMPS]]&lt;br /&gt;
*Equipos informáticos&lt;br /&gt;
*[[Conmutación]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Circuito integrado]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs-img/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Imagen]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
*[http://es.scribd.com/doc/50331487/114/%C2%BFQue-es-un-MOSFET Publicacion]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://es.wikipedia.org/wiki/Estructura_MOS Mosfet]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<title>Transistor sup85n10-10</title>
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		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: /* Aplicaciones */&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| nombre = SUP85n10-10&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| imagen = TO220AB-03.jpg&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| pie = [[MOSFET]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' Sup85n10-10'''. Es un circuito integrado, compuesto por [[silicio]]dopado.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
{|&lt;br /&gt;
! Caracteristica&lt;br /&gt;
! valor&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
|Altura de producto|| 9.01mm|-&lt;br /&gt;
|Anchura de producto||4.7 mm|-&lt;br /&gt;
|Categoría||Mosfet de Potencia|-&lt;br /&gt;
|Configuración||Single|-&lt;br /&gt;
|Corriente de drenaje continua máxima||85A|-&lt;br /&gt;
|Disipación de potencia máxima||250000 mW|-&lt;br /&gt;
|Encapsulado fabricante ||TO-220AB|-&lt;br /&gt;
|Longitud de producto||10.41mm|-&lt;br /&gt;
|Modo de canal||Mejora|-&lt;br /&gt;
|Montaje||Pasante|-&lt;br /&gt;
|Número de elementos por chip||1|-&lt;br /&gt;
|Resistencia de fuente de drenaje máxima||0.0105|-&lt;br /&gt;
|Temperatura de funcionamiento máxima|| 175°C|-&lt;br /&gt;
|Temperatura de funcionamiento mínima|| -55°C|-&lt;br /&gt;
|Tensión de fuente de drenaje máxima ||100V|-&lt;br /&gt;
|Tensión máxima puerta-fuente|| ±20V|-&lt;br /&gt;
|Tiempo de caída típica|| 130ns|-&lt;br /&gt;
|Tiempo de retardo de apagado típico|| 55ns|-&lt;br /&gt;
|Tiempo de retardo de encendido típico|| 12ns|-&lt;br /&gt;
|Tiempo de subida típica|| 90ns|-&lt;br /&gt;
|Tipo de canal|| N|-&lt;br /&gt;
|Numero de pines ||3|-&lt;br /&gt;
|}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*[[Inversores]]&lt;br /&gt;
*[[Convertidores]] CD/CD&lt;br /&gt;
*Fuentes [[SMPS]]&lt;br /&gt;
*Equipos Informáticos&lt;br /&gt;
*[[Conmutación]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Circuito integrado]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs-img/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Imagen]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
*[http://es.scribd.com/doc/50331487/114/%C2%BFQue-es-un-MOSFET Publicacion]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://es.wikipedia.org/wiki/Estructura_MOS Mosfet]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<title>Transistor sup85n10-10</title>
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		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Página creada con '{{Ficha Hardware  | nombre = SUP85n10-10  | imagen = TO220AB-03.jpg  | pie = MOSFET.  | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros...'&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| nombre = SUP85n10-10&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| imagen = TO220AB-03.jpg&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| pie = [[MOSFET]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' Sup85n10-10'''. Es un circuito integrado, compuesto por [[silicio]]dopado.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Altura de producto 9.01mm&lt;br /&gt;
Anchura de producto 4.7mm&lt;br /&gt;
Categoría MOSFET de potencia&lt;br /&gt;
Configuración Single&lt;br /&gt;
Corriente de drenaje continua máxima 85A&lt;br /&gt;
Disipación de potencia máxima 250000mW&lt;br /&gt;
Encapsulado fabricante TO-220AB&lt;br /&gt;
Longitud de producto 10.41mm&lt;br /&gt;
Modo de canal Mejora&lt;br /&gt;
Montaje Pasante&lt;br /&gt;
Número de elementos por chip 1&lt;br /&gt;
Resistencia de fuente de drenaje máxima 0.0105&lt;br /&gt;
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C&lt;br /&gt;
Temperatura de funcionamiento mínima -55°C&lt;br /&gt;
Tensión de fuente de drenaje máxima 100V&lt;br /&gt;
Tensión máxima puerta-fuente ±20V&lt;br /&gt;
Tiempo de caída típica 130ns&lt;br /&gt;
Tiempo de retardo de apagado típico 55ns&lt;br /&gt;
Tiempo de retardo de encendido típico 12ns&lt;br /&gt;
Tiempo de subida típica 90ns&lt;br /&gt;
Tipo de canal N&lt;br /&gt;
Numero de pines 3&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*Inversores&lt;br /&gt;
*Fuentes SMPS&lt;br /&gt;
*Equipos &lt;br /&gt;
informáticos&lt;br /&gt;
*Conmutación&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html &lt;br /&gt;
Circuito integrado]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs-img/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html &lt;br /&gt;
Imagen]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
*[http://es.scribd.com/doc/50331487/114/%C2%BFQue-es-un-MOSFET Publicacion]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://es.wikipedia.org/wiki/Estructura_MOS Mosfet]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: /* Aplicaciones */&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| nombre = SUP85n10-10&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| imagen = TO220AB-03.jpg&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| pie = [[MOSFET]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' Sup85n10-10'''. Es un circuito integrado, compuesto por [[silicio]]dopado.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Altura de producto 9.01mm&lt;br /&gt;
Anchura de producto 4.7mm&lt;br /&gt;
Categoría MOSFET de potencia&lt;br /&gt;
Configuración Single&lt;br /&gt;
Corriente de drenaje continua máxima 85A&lt;br /&gt;
Disipación de potencia máxima 250000mW&lt;br /&gt;
Encapsulado fabricante TO-220AB&lt;br /&gt;
Longitud de producto 10.41mm&lt;br /&gt;
Modo de canal Mejora&lt;br /&gt;
Montaje Pasante&lt;br /&gt;
Número de elementos por chip 1&lt;br /&gt;
Resistencia de fuente de drenaje máxima 0.0105&lt;br /&gt;
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C&lt;br /&gt;
Temperatura de funcionamiento mínima -55°C&lt;br /&gt;
Tensión de fuente de drenaje máxima 100V&lt;br /&gt;
Tensión máxima puerta-fuente ±20V&lt;br /&gt;
Tiempo de caída típica 130ns&lt;br /&gt;
Tiempo de retardo de apagado típico 55ns&lt;br /&gt;
Tiempo de retardo de encendido típico 12ns&lt;br /&gt;
Tiempo de subida típica 90ns&lt;br /&gt;
Tipo de canal N&lt;br /&gt;
Numero de pines 3&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*[[Inversores]]&lt;br /&gt;
*[[Convertidores]] CD/CD&lt;br /&gt;
*Fuentes [[SMPS]]&lt;br /&gt;
*Equipos informáticos&lt;br /&gt;
*[[Conmutación]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Circuito integrado]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs-img/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Imagen]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
*[http://es.scribd.com/doc/50331487/114/%C2%BFQue-es-un-MOSFET Publicacion]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://es.wikipedia.org/wiki/Estructura_MOS Mosfet]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<title>Transistor sup85n10-10</title>
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		<updated>2011-09-09T17:32:14Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| nombre = SUP85n10-10&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| imagen = TO220AB-03.jpg&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| pie = [[MOSFET]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' Sup85n10-10'''. Es un circuito integrado, compuesto por [[silicio]]dopado.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Altura de producto 9.01mm&lt;br /&gt;
Anchura de producto 4.7mm&lt;br /&gt;
Categoría MOSFET de potencia&lt;br /&gt;
Configuración Single&lt;br /&gt;
Corriente de drenaje continua máxima 85A&lt;br /&gt;
Disipación de potencia máxima 250000mW&lt;br /&gt;
Encapsulado fabricante TO-220AB&lt;br /&gt;
Longitud de producto 10.41mm&lt;br /&gt;
Modo de canal Mejora&lt;br /&gt;
Montaje Pasante&lt;br /&gt;
Número de elementos por chip 1&lt;br /&gt;
Resistencia de fuente de drenaje máxima 0.0105&lt;br /&gt;
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C&lt;br /&gt;
Temperatura de funcionamiento mínima -55°C&lt;br /&gt;
Tensión de fuente de drenaje máxima 100V&lt;br /&gt;
Tensión máxima puerta-fuente ±20V&lt;br /&gt;
Tiempo de caída típica 130ns&lt;br /&gt;
Tiempo de retardo de apagado típico 55ns&lt;br /&gt;
Tiempo de retardo de encendido típico 12ns&lt;br /&gt;
Tiempo de subida típica 90ns&lt;br /&gt;
Tipo de canal N&lt;br /&gt;
Numero de pines 3&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*Inversores&lt;br /&gt;
*Fuentes SMPS&lt;br /&gt;
*Equipos informáticos&lt;br /&gt;
*Conmutación&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Circuito integrado]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs-img/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Imagen]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
*[http://es.scribd.com/doc/50331487/114/%C2%BFQue-es-un-MOSFET Publicacion]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://es.wikipedia.org/wiki/Estructura_MOS Mosfet]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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		<title>Transistor sup85n10-10</title>
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		<updated>2011-09-09T17:31:04Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| nombre = SUP85n10-10&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| imagen = TO220AB-03.jpg&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| pie = [[MOSFET]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
''' Sup85n10-10'''. Es un circuito integrado, compuesto por [[silicio]]dopado.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Especificaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Altura de producto 9.01mm&lt;br /&gt;
Anchura de producto 4.7mm&lt;br /&gt;
Categoría MOSFET de potencia&lt;br /&gt;
Configuración Single&lt;br /&gt;
Corriente de drenaje continua máxima 85A&lt;br /&gt;
Disipación de potencia máxima 250000mW&lt;br /&gt;
Encapsulado fabricante TO-220AB&lt;br /&gt;
Longitud de producto 10.41mm&lt;br /&gt;
Modo de canal Mejora&lt;br /&gt;
Montaje Pasante&lt;br /&gt;
Número de elementos por chip 1&lt;br /&gt;
Resistencia de fuente de drenaje máxima 0.0105&lt;br /&gt;
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C&lt;br /&gt;
Temperatura de funcionamiento mínima -55°C&lt;br /&gt;
Tensión de fuente de drenaje máxima 100V&lt;br /&gt;
Tensión máxima puerta-fuente ±20V&lt;br /&gt;
Tiempo de caída típica 130ns&lt;br /&gt;
Tiempo de retardo de apagado típico 55ns&lt;br /&gt;
Tiempo de retardo de encendido típico 12ns&lt;br /&gt;
Tiempo de subida típica 90ns&lt;br /&gt;
Tipo de canal N&lt;br /&gt;
Numero de pines 3&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Aplicaciones ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*Inversores&lt;br /&gt;
*Fuentes SMPS&lt;br /&gt;
*Equipos informáticos&lt;br /&gt;
*Conmutación&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html &lt;br /&gt;
Circuito integrado]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://spanish.alibaba.com/product-gs-img/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html &lt;br /&gt;
Imagen]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
*[http://es.scribd.com/doc/50331487/114/%C2%BFQue-es-un-MOSFET Publicacion]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011&lt;br /&gt;
*[http://es.wikipedia.org/wiki/Estructura_MOS Mosfet]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Archivo:TO220AB-03.jpg&amp;diff=884812</id>
		<title>Archivo:TO220AB-03.jpg</title>
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		<updated>2011-09-09T17:12:46Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;== Sumario ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Estado de copyright: ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuente: ==&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Diodo_tunel&amp;diff=650340</id>
		<title>Diodo tunel</title>
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		<updated>2011-06-09T16:47:09Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Página creada con ' {{Ficha de componente electrónico |componente         = Diodo Tunel |foto               = diodo tunel.jpg |foto_comentario    = Diodo tunel. |tipo              = [[Semiconduct...'&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;&lt;br /&gt;
{{Ficha de componente electrónico&lt;br /&gt;
|componente         = Diodo Tunel&lt;br /&gt;
|foto               = diodo tunel.jpg&lt;br /&gt;
|foto_comentario    = Diodo tunel.&lt;br /&gt;
|tipo              = [[Semiconductor]]&lt;br /&gt;
|principio_de_funcionamiento = &lt;br /&gt;
|invencion          =&lt;br /&gt;
|primera_produccion =&lt;br /&gt;
|simbolo            =[[Archivo:d-tunel.jpg|140px]]&lt;br /&gt;
|terminales         = Dos:Anodo y katodo&lt;br /&gt;
}}&lt;br /&gt;
DIODO TUNEL&lt;br /&gt;
== General ==&lt;br /&gt;
El '''Diodo túnel''' es un [[diodo]] [[semiconductor]] que tiene una [[Unión PN|unión ''pn'']], en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una [[conductancia eléctrica|conductancia]] diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica [[Intensidad de corriente eléctrica|corriente]]-[[voltaje|tensión]].&lt;br /&gt;
La presencia del tramo de [[resistencia eléctrica|resistencia]] negativa permite su utilización como componente activo ([[amplificador]]/[[oscilador]]).&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
También se conocen como '''diodos Esaki''', en honor del hombre que descubrió que una fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unión. Una característica importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Funcionamiento ==&lt;br /&gt;
El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va aumentando una [tensión] aplicada en sentido directo.&lt;br /&gt;
- Cuando se aplica una pequeña tensión, el diodo tunnel empieza a conducir (la [corriente] empieza a fluir).&lt;br /&gt;
- Si se sigue aumentando esta tensión la corriente aumentará hasta llegar un punto después del cual la corriente disminuye.&lt;br /&gt;
- La corriente continuará disminuyendo hasta llegar al punto mínimo de un &amp;quot;valle&amp;quot; y ....&lt;br /&gt;
- Después volverá a incrementarse. En esta ocasión la corriente continuará aumentando conforme aumenta la tensión.&lt;br /&gt;
== Aplicación ==&lt;br /&gt;
Estos diodos sólo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos [osciladores] de alta frecuencia.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Desventajas ==&lt;br /&gt;
Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando están polarizados en reversa.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Referencias ==&lt;br /&gt;
*http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_t%C3%BAnel&lt;br /&gt;
*http://www.unicrom.com/Tut_diodo_tunnel.asp&lt;br /&gt;
*http://www.monografias.com/trabajos65/tipos-diodos/tipos-diodos.shtml&lt;br /&gt;
*http://es.scribd.com/doc/27085434/diodo-zener-varicap-y-Tunel&lt;br /&gt;
&amp;lt;references/&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Termistor&amp;diff=650256</id>
		<title>Termistor</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=Termistor&amp;diff=650256"/>
		<updated>2011-06-09T16:30:28Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: /* Termistor NTC */&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha de componente electrónico&lt;br /&gt;
|componente         = Termistor&lt;br /&gt;
|foto               = termistor.jpg&lt;br /&gt;
|foto_comentario    = Termistor.&lt;br /&gt;
|tipo              = [[Semiconductor]]&lt;br /&gt;
|principio_de_funcionamiento = &lt;br /&gt;
|invencion          =&lt;br /&gt;
|primera_produccion =&lt;br /&gt;
|simbolo            =[[Archivo:termistor.jpg|140px]]&lt;br /&gt;
|terminales         = Dos: &lt;br /&gt;
}}&lt;br /&gt;
TERMISTOR&lt;br /&gt;
== General ==&lt;br /&gt;
Un termistor es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento se basa en la variación de la resistividad que presenta un semiconductor con la temperatura. El término termistor proviene de Thermally Sensitive Resistor. Existen dos tipos de termistor:&lt;br /&gt;
NTC (Negative      Temperature Coefficient) – coeficiente de temperatura negativo&lt;br /&gt;
PTC (Positive      Temperature Coefficient) – coeficiente de temperatura positivo&lt;br /&gt;
Su funcionamiento se basa en la variación de la resistencia de un semiconductor con la temperatura, debido a la variación de la concentración de portadores. Para los termistores NTC, al aumentar la temperatura, aumentará también la concentración de portadores, por lo que la resistencia será menor, de ahí que el coeficiente sea negativo. Para los termistores PTC, en el caso de un semiconductor con un dopado muy intenso, éste adquirirá propiedades metálicas, tomando un coeficiente positivo en un margen de temperatura limitado. Usualmente, los termistores se fabrican a partir de óxidos semiconductores, tales como el óxido férrico, el óxido de níquel, o el óxido de cobalto.&lt;br /&gt;
Los termistores tienes una gran importancia, en el campo científico-tecnológico.&lt;br /&gt;
== Tipos de Termistor ==&lt;br /&gt;
=== Termistores PTC ===&lt;br /&gt;
Termistores PTC (Positive Temperature Coefficient) son dispositivos que varían su resistencia en función de la temperatura de forma alineal. Son utilizados para circuitos sensores de temperatura. Su característica principal  es que no puedo sobrepasar la temperatura de Curie, ya que al hacerlo este se comportaría como una NTC.&lt;br /&gt;
Un termistor PTC (Positive Temperature Coefficient) es una resistencia variable cuyo valor se ve aumentado a medida que aumenta la temperatura. &lt;br /&gt;
Los termistores PTC se utilizan en una gran variedad de aplicaciones: limitación de corriente, sensor de temperatura, desmagnetización y para la protección contra el recalentamiento de equipos tales como motores eléctricos. También se utilizan en indicadores de nivel, para provocar retardos en circuitos, como termostatos, y como resistores de compensación. &lt;br /&gt;
El termistor PTC pierde sus propiedades y puede comportarse eventualmente de una forma similar al termistor NTC si la temperatura llega a ser demasiado alta.&lt;br /&gt;
Las diferencias con las NTC &lt;br /&gt;
1. El coeficiente de temperatura de un termistor PTC  es único entre unos determinados márgenes de temperaturas. Fuera de estos márgenes, el coeficiente de temperatura es cero o negativo. &lt;br /&gt;
2. El valor absoluto del coeficiente de temperatura de los termistores PTC es mucho más alto que el de los termistores NTC.APLICACIONESLas aplicaciones de un termistor PTC están, por lo tanto, restringidas a un determinado margen de temperaturas.    1. Dependencia de la resistencia con la temperatura· Medida de la Temperatura.· Cambio de medio (líquido-aire)· Medida de nivel de líquido.   2. Inercia térmica del PTC· Retardo en el accionamiento de relés.· Protección contra sobre-impulsos de corriente.3. Coeficiente de temperatura positivo· Compensación de coeficientes de temperatura negativosLos termistores PTC se utilizan en una gran variedad de aplicaciones, incluyendo limitación de corrientes, como sensor de temperatura, para desmagnetización y para la protección contra el recalentamiento de equipos tales como motores eléctricos. También se utilizan en indicadores de nivel, para provocar retardo en circuitos, termostatos, y como resistores de compensación.&lt;br /&gt;
Los PTC son usados como limitadores de corriente y como protecciones de sobrecarga.&lt;br /&gt;
=== Termistor NTC ===&lt;br /&gt;
Son resistores no lineales cuya resistencia  disminuye fuertemente con la temperatura. El coeficiente de temperatura es negativo y elevado.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Existen termistores NTC de tipo disco y cilindricos.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Aplicaciones para NTC :Modelos de Trenes. Acción retardada del reles. El tren se para al llegar al tramo interrumpido del riel de alimentación. Al calentarse la resistencia NTC el modelo arranca de nuevo gradualmente. Debido a la inercia térmica del NTC el relé se tarda en activarse. &lt;br /&gt;
Cortocircuitando el NTC con un par de contactos, permite el enfriamiento de termistor y la reactivación del ciclo.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Desventajas de los Termistores ==&lt;br /&gt;
Para obtener una buena estabilidad en los termistores es necesario envejecerlos adecuadamente. Pero el principal inconveniente del termistor es su falta de linealidad.&lt;br /&gt;
== Referencias ==&lt;br /&gt;
*http:// es.wikipedia.org/wiki/Termistor&lt;br /&gt;
*http://es.scribd.com/doc/20497857/TERMISTOR&lt;br /&gt;
* http://www.webelectronica.com.ar/montajes2/nota24.htm&lt;br /&gt;
&amp;lt;references/&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Termistor&amp;diff=650245</id>
		<title>Termistor</title>
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		<updated>2011-06-09T16:27:00Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha de componente electrónico&lt;br /&gt;
|componente         = Termistor&lt;br /&gt;
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}}&lt;br /&gt;
TERMISTOR&lt;br /&gt;
== General ==&lt;br /&gt;
Un termistor es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento se basa en la variación de la resistividad que presenta un semiconductor con la temperatura. El término termistor proviene de Thermally Sensitive Resistor. Existen dos tipos de termistor:&lt;br /&gt;
NTC (Negative      Temperature Coefficient) – coeficiente de temperatura negativo&lt;br /&gt;
PTC (Positive      Temperature Coefficient) – coeficiente de temperatura positivo&lt;br /&gt;
Su funcionamiento se basa en la variación de la resistencia de un semiconductor con la temperatura, debido a la variación de la concentración de portadores. Para los termistores NTC, al aumentar la temperatura, aumentará también la concentración de portadores, por lo que la resistencia será menor, de ahí que el coeficiente sea negativo. Para los termistores PTC, en el caso de un semiconductor con un dopado muy intenso, éste adquirirá propiedades metálicas, tomando un coeficiente positivo en un margen de temperatura limitado. Usualmente, los termistores se fabrican a partir de óxidos semiconductores, tales como el óxido férrico, el óxido de níquel, o el óxido de cobalto.&lt;br /&gt;
Los termistores tienes una gran importancia, en el campo científico-tecnológico.&lt;br /&gt;
== Tipos de Termistor ==&lt;br /&gt;
=== Termistores PTC ===&lt;br /&gt;
Termistores PTC (Positive Temperature Coefficient) son dispositivos que varían su resistencia en función de la temperatura de forma alineal. Son utilizados para circuitos sensores de temperatura. Su característica principal  es que no puedo sobrepasar la temperatura de Curie, ya que al hacerlo este se comportaría como una NTC.&lt;br /&gt;
Un termistor PTC (Positive Temperature Coefficient) es una resistencia variable cuyo valor se ve aumentado a medida que aumenta la temperatura. &lt;br /&gt;
Los termistores PTC se utilizan en una gran variedad de aplicaciones: limitación de corriente, sensor de temperatura, desmagnetización y para la protección contra el recalentamiento de equipos tales como motores eléctricos. También se utilizan en indicadores de nivel, para provocar retardos en circuitos, como termostatos, y como resistores de compensación. &lt;br /&gt;
El termistor PTC pierde sus propiedades y puede comportarse eventualmente de una forma similar al termistor NTC si la temperatura llega a ser demasiado alta.&lt;br /&gt;
Las diferencias con las NTC &lt;br /&gt;
1. El coeficiente de temperatura de un termistor PTC  es único entre unos determinados márgenes de temperaturas. Fuera de estos márgenes, el coeficiente de temperatura es cero o negativo. &lt;br /&gt;
2. El valor absoluto del coeficiente de temperatura de los termistores PTC es mucho más alto que el de los termistores NTC.APLICACIONESLas aplicaciones de un termistor PTC están, por lo tanto, restringidas a un determinado margen de temperaturas.    1. Dependencia de la resistencia con la temperatura· Medida de la Temperatura.· Cambio de medio (líquido-aire)· Medida de nivel de líquido.   2. Inercia térmica del PTC· Retardo en el accionamiento de relés.· Protección contra sobre-impulsos de corriente.3. Coeficiente de temperatura positivo· Compensación de coeficientes de temperatura negativosLos termistores PTC se utilizan en una gran variedad de aplicaciones, incluyendo limitación de corrientes, como sensor de temperatura, para desmagnetización y para la protección contra el recalentamiento de equipos tales como motores eléctricos. También se utilizan en indicadores de nivel, para provocar retardo en circuitos, termostatos, y como resistores de compensación.&lt;br /&gt;
Los PTC son usados como limitadores de corriente y como protecciones de sobrecarga.&lt;br /&gt;
=== Termistor NTC ===&lt;br /&gt;
Son resistores no lineales cuya resistencia  disminuye fuertemente con la temperatura. El coeficiente de temperatura es negativo y elevado.&lt;br /&gt;
Existen termistores NTC de tipo disco y cilindricos.&lt;br /&gt;
Aplicaciones para NTC :Modelos de Trenes. Acción retardada del relesEl tren se para al llegar al tramo interrumpido del riel de alimentación. Al calentarse la resistencia NTC el modelo arranca de nuevo gradualmente. Debido a la inercia térmica del NTC el relé se tarda en activarse. Cortocircuitando el NTC con un par de contactos, permite el enfriamiento de termistor y la reactivación del ciclo.&lt;br /&gt;
== Desventajas de los Termistores ==&lt;br /&gt;
Para obtener una buena estabilidad en los termistores es necesario envejecerlos adecuadamente. Pero el principal inconveniente del termistor es su falta de linealidad.&lt;br /&gt;
== Referencias ==&lt;br /&gt;
*http:// es.wikipedia.org/wiki/Termistor&lt;br /&gt;
*http://es.scribd.com/doc/20497857/TERMISTOR&lt;br /&gt;
* http://www.webelectronica.com.ar/montajes2/nota24.htm&lt;br /&gt;
&amp;lt;references/&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Termistor&amp;diff=650219</id>
		<title>Termistor</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=Termistor&amp;diff=650219"/>
		<updated>2011-06-09T16:22:15Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Página creada con ' {{Ficha de componente electrónico |componente         = Termistor |foto               = termistor.jpg |foto_comentario    = Termistor. |tipo              = Semiconductor |...'&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;&lt;br /&gt;
{{Ficha de componente electrónico&lt;br /&gt;
|componente         = Termistor&lt;br /&gt;
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}}&lt;br /&gt;
TERMISTOR&lt;br /&gt;
== General ==&lt;br /&gt;
Un termistor es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento se basa en la variación de la resistividad que presenta un semiconductor con la temperatura. El término termistor proviene de Thermally Sensitive Resistor. Existen dos tipos de termistor:&lt;br /&gt;
NTC (Negative      Temperature Coefficient) – coeficiente de temperatura negativo&lt;br /&gt;
PTC (Positive      Temperature Coefficient) – coeficiente de temperatura positivo&lt;br /&gt;
Su funcionamiento se basa en la variación de la resistencia de un semiconductor con la temperatura, debido a la variación de la concentración de portadores. Para los termistores NTC, al aumentar la temperatura, aumentará también la concentración de portadores, por lo que la resistencia será menor, de ahí que el coeficiente sea negativo. Para los termistores PTC, en el caso de un semiconductor con un dopado muy intenso, éste adquirirá propiedades metálicas, tomando un coeficiente positivo en un margen de temperatura limitado. Usualmente, los termistores se fabrican a partir de óxidos semiconductores, tales como el óxido férrico, el óxido de níquel, o el óxido de cobalto.&lt;br /&gt;
Los termistores tienes una gran importancia, en el campo científico-tecnológico.&lt;br /&gt;
== Tipos de Termistor ===== Termistores PTC ===Termistores PTC (Positive Temperature Coefficient) son dispositivos que varían su resistencia en función de la temperatura de forma alineal. Son utilizados para circuitos sensores de temperatura. Su característica principal  es que no puedo sobrepasar la temperatura de Curie, ya que al hacerlo este se comportaría como una NTC.Un termistor PTC (Positive Temperature Coefficient) es una resistencia variable cuyo valor se ve aumentado a medida que aumenta la temperatura. Los termistores PTC se utilizan en una gran variedad de aplicaciones: limitación de corriente, sensor de temperatura, desmagnetización y para la protección contra el recalentamiento de equipos tales como motores eléctricos. También se utilizan en indicadores de nivel, para provocar retardos en circuitos, como termostatos, y como resistores de compensación. El termistor PTC pierde sus propiedades y puede comportarse eventualmente de una forma similar al termistor NTC si la temperatura llega a ser demasiado alta.Las diferencias con las NTC    1. El coeficiente de temperatura de un termistor PTC  es único entre unos determinados márgenes de temperaturas. Fuera de estos márgenes, el coeficiente de temperatura es cero o negativo.    2. El valor absoluto del coeficiente de temperatura de los termistores PTC es mucho más alto que el de los termistores NTC.APLICACIONESLas aplicaciones de un termistor PTC están, por lo tanto, restringidas a un determinado margen de temperaturas.    1. Dependencia de la resistencia con la temperatura· Medida de la Temperatura.· Cambio de medio (líquido-aire)· Medida de nivel de líquido.   2. Inercia térmica del PTC· Retardo en el accionamiento de relés.· Protección contra sobre-impulsos de corriente.3. Coeficiente de temperatura positivo· Compensación de coeficientes de temperatura negativosLos termistores PTC se utilizan en una gran variedad de aplicaciones, incluyendo limitación de corrientes, como sensor de temperatura, para desma&lt;br /&gt;
gnetización y para la protección contra el recalentamiento de equipos tales como motores eléctricos. También se utilizan en indicadores de nivel, para provocar retardo en circuitos, termostatos, y como resistores de compensación.Los PTC son usados como limitadores de corriente y como protecciones de sobrecarga.=== Termistor NTC ===Son rresistores no lineales cuya resistencia  disminuye fuertemente con la temperatura. El coeficiente de temperatura es negativo y elevado.Existen termistores NTC de tipo disco y cilindricos.Aplicaciones para NTC :Modelos de Trenes. Acción retardada del relesEl tren se para al llegar al tramo interrumpido del riel de alimentación. Al calentarse la resistencia NTC el modelo arranca de nuevo gradualmente. Debido a la inercia térmica del NTC el relé se tarda en activarse. Cortocircuitando el NTC con un par de contactos, permite el enfriamiento de termistor y la reactivación del ciclo.== Desventajas de los Termistores ==Para obtener una buena estabilidad en los termistores es necesario envejecerlos adecuadamente. Pero el principal inconveniente del termistor es su falta de linealidad.&lt;br /&gt;
== Referencias ==&lt;br /&gt;
*http:// es.wikipedia.org/wiki/Termistor&lt;br /&gt;
*http://es.scribd.com/doc/20497857/TERMISTOR&lt;br /&gt;
* http://www.webelectronica.com.ar/montajes2/nota24.htm&lt;br /&gt;
&amp;lt;references/&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Diodo_varicap&amp;diff=650109</id>
		<title>Diodo varicap</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=Diodo_varicap&amp;diff=650109"/>
		<updated>2011-06-09T15:55:35Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: /* Curva característica y simbología del [diodo] Varicap. */&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;&lt;br /&gt;
{{Ficha de componente electrónico&lt;br /&gt;
|componente         = Mosfet&lt;br /&gt;
|foto               = varicap.jpg&lt;br /&gt;
|foto_comentario    = [diodo] varicap.&lt;br /&gt;
|tipo              = [[Semiconductor]]&lt;br /&gt;
|principio_de_funcionamiento = &lt;br /&gt;
|invencion          =&lt;br /&gt;
|primera_produccion =&lt;br /&gt;
|simbolo            =[[Archivo:varicap.jpg|140px]]&lt;br /&gt;
|terminales         = Dos: &lt;br /&gt;
}}&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Funcionamiento ==&lt;br /&gt;
El [diodo] de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de [diodo] que basa su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unión PN varíe en función de la [tensión] inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha [tensión], aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la capacidad del [diodo]. De este modo se obtiene un [condensador] variable controlado por [tensión]. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1  a 500 pF.   La [tensión] inversa mínima tiene que ser de 1 V. &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
La capacidad formada en extremos de la unión PN puede resultar de suma utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los [diodo]s de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual está situado el [diodo].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Al polarizar un [diodo] de forma directa se observa que, además de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor óhmico, lo que conforma un [condensador] de elevadas pérdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el [diodo] se pueda comportar como un [condensador] con muy bajas pérdidas.&lt;br /&gt;
Si aumentamos la [tensión] de polarización inversa las capas de carga del [diodo] se espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminución de la capacidad del hipotético [condensador] (similar al efecto producido al distanciar las   placas de un [condensador] estándar).&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
La capacitancia es función de la [tensión] aplicada al [diodo].   Si la [tensión] aplicada al [diodo] aumenta la capacitancia disminuye, Si la [tensión] disminuye la capacitancia aumenta.&lt;br /&gt;
=== Aplicación ===&lt;br /&gt;
La utilización más solicitada para este tipo de [diodo]s suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecánicos de [condensador] variable en etapas de sintonía en todo tipo de equipos de emisión y recepción. &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Por poner un ejemplo, cuando actuamos en la sintonía de un viejo receptor de radio estamos variando (mecánicamente) el eje del [condensador] variable que&lt;br /&gt;
Incorpora éste en su etapa de sintonía; pero si, por el contrario, actuamos sobre la&lt;br /&gt;
Ruedecilla o, más comúnmente, sobre el botón (pulsador) de sintonía de nuestro moderno receptor de TV color lo que estamos haciendo es variar la [tensión] de polarización inversa de un [diodo] varicap contenido en el módulo sintonizador del equipo.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Curva característica y simbología del diodo Varicap. ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Su modo de operación depende de la capacitancia que existe en la unión P-N cuando el elemento está polarizado inversamente. En condiciones de polarización inversa, se estableció que hay una región sin carga en cualquiera de los lados de la unión que en conjunto forman la región de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transición (CT) establecida por la región sin carga se determina mediante:&lt;br /&gt;
CT = E (A/Wd)&lt;br /&gt;
donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el área de la unión P-N y Wd el ancho de la región de agotamiento.&lt;br /&gt;
Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de la región de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarización inversa. El intervalo normal de VR para [diodo]s varicap se limita aproximadamente 20V. En términos de la polarización inversa aplicada, la capacitancia de transición se determina en forma aproximada mediante:&lt;br /&gt;
CT = K / (VT + VR)n &lt;br /&gt;
dónde:&lt;br /&gt;
K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción.&lt;br /&gt;
VT = potencial en la curva según se definió en la sección&lt;br /&gt;
VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado&lt;br /&gt;
n = ½ para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión== Características ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Referencias ==&lt;br /&gt;
*http://es.wikipedia.org/wiki/diodo_Varicap&lt;br /&gt;
*http://es.scribd.com/doc/20497857/TIPOS-DE-DIODOS&lt;br /&gt;
*http://html.rincondelvago.com/diodos-semiconductores.html&lt;br /&gt;
&amp;lt;references/&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Diodo_varicap&amp;diff=650104</id>
		<title>Diodo varicap</title>
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		<updated>2011-06-09T15:54:59Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: /* General */&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;&lt;br /&gt;
{{Ficha de componente electrónico&lt;br /&gt;
|componente         = Mosfet&lt;br /&gt;
|foto               = varicap.jpg&lt;br /&gt;
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}}&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Funcionamiento ==&lt;br /&gt;
El [diodo] de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de [diodo] que basa su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unión PN varíe en función de la [tensión] inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha [tensión], aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la capacidad del [diodo]. De este modo se obtiene un [condensador] variable controlado por [tensión]. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1  a 500 pF.   La [tensión] inversa mínima tiene que ser de 1 V. &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
La capacidad formada en extremos de la unión PN puede resultar de suma utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los [diodo]s de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual está situado el [diodo].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Al polarizar un [diodo] de forma directa se observa que, además de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor óhmico, lo que conforma un [condensador] de elevadas pérdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el [diodo] se pueda comportar como un [condensador] con muy bajas pérdidas.&lt;br /&gt;
Si aumentamos la [tensión] de polarización inversa las capas de carga del [diodo] se espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminución de la capacidad del hipotético [condensador] (similar al efecto producido al distanciar las   placas de un [condensador] estándar).&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
La capacitancia es función de la [tensión] aplicada al [diodo].   Si la [tensión] aplicada al [diodo] aumenta la capacitancia disminuye, Si la [tensión] disminuye la capacitancia aumenta.&lt;br /&gt;
=== Aplicación ===&lt;br /&gt;
La utilización más solicitada para este tipo de [diodo]s suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecánicos de [condensador] variable en etapas de sintonía en todo tipo de equipos de emisión y recepción. &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Por poner un ejemplo, cuando actuamos en la sintonía de un viejo receptor de radio estamos variando (mecánicamente) el eje del [condensador] variable que&lt;br /&gt;
Incorpora éste en su etapa de sintonía; pero si, por el contrario, actuamos sobre la&lt;br /&gt;
Ruedecilla o, más comúnmente, sobre el botón (pulsador) de sintonía de nuestro moderno receptor de TV color lo que estamos haciendo es variar la [tensión] de polarización inversa de un [diodo] varicap contenido en el módulo sintonizador del equipo.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Curva característica y simbología del [diodo] Varicap. ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Su modo de operación depende de la capacitancia que existe en la unión P-N cuando el elemento está polarizado inversamente. En condiciones de polarización inversa, se estableció que hay una región sin carga en cualquiera de los lados de la unión que en conjunto forman la región de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transición (CT) establecida por la región sin carga se determina mediante:&lt;br /&gt;
CT = E (A/Wd)&lt;br /&gt;
donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el área de la unión P-N y Wd el ancho de la región de agotamiento.&lt;br /&gt;
Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de la región de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarización inversa. El intervalo normal de VR para [diodo]s varicap se limita aproximadamente 20V. En términos de la polarización inversa aplicada, la capacitancia de transición se determina en forma aproximada mediante:&lt;br /&gt;
CT = K / (VT + VR)n &lt;br /&gt;
dónde:&lt;br /&gt;
K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción.&lt;br /&gt;
VT = potencial en la curva según se definió en la sección&lt;br /&gt;
VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado&lt;br /&gt;
n = ½ para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión== Características ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Referencias ==&lt;br /&gt;
*http://es.wikipedia.org/wiki/diodo_Varicap&lt;br /&gt;
*http://es.scribd.com/doc/20497857/TIPOS-DE-DIODOS&lt;br /&gt;
*http://html.rincondelvago.com/diodos-semiconductores.html&lt;br /&gt;
&amp;lt;references/&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Diodo_varicap&amp;diff=650098</id>
		<title>Diodo varicap</title>
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		<updated>2011-06-09T15:53:56Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: /* Referencias */&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;&lt;br /&gt;
{{Ficha de componente electrónico&lt;br /&gt;
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}}&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
=== General ===&lt;br /&gt;
== Funcionamiento ==&lt;br /&gt;
El [diodo] de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de [diodo] que basa su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unión PN varíe en función de la [tensión] inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha [tensión], aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la capacidad del [diodo]. De este modo se obtiene un [condensador] variable controlado por [tensión]. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1  a 500 pF.   La [tensión] inversa mínima tiene que ser de 1 V. &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
La capacidad formada en extremos de la unión PN puede resultar de suma utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los [diodo]s de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual está situado el [diodo].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Al polarizar un [diodo] de forma directa se observa que, además de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor óhmico, lo que conforma un [condensador] de elevadas pérdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el [diodo] se pueda comportar como un [condensador] con muy bajas pérdidas.&lt;br /&gt;
Si aumentamos la [tensión] de polarización inversa las capas de carga del [diodo] se espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminución de la capacidad del hipotético [condensador] (similar al efecto producido al distanciar las   placas de un [condensador] estándar).&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
La capacitancia es función de la [tensión] aplicada al [diodo].   Si la [tensión] aplicada al [diodo] aumenta la capacitancia disminuye, Si la [tensión] disminuye la capacitancia aumenta.&lt;br /&gt;
=== Aplicación ===&lt;br /&gt;
La utilización más solicitada para este tipo de [diodo]s suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecánicos de [condensador] variable en etapas de sintonía en todo tipo de equipos de emisión y recepción. &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Por poner un ejemplo, cuando actuamos en la sintonía de un viejo receptor de radio estamos variando (mecánicamente) el eje del [condensador] variable que&lt;br /&gt;
Incorpora éste en su etapa de sintonía; pero si, por el contrario, actuamos sobre la&lt;br /&gt;
Ruedecilla o, más comúnmente, sobre el botón (pulsador) de sintonía de nuestro moderno receptor de TV color lo que estamos haciendo es variar la [tensión] de polarización inversa de un [diodo] varicap contenido en el módulo sintonizador del equipo.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Curva característica y simbología del [diodo] Varicap. ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Su modo de operación depende de la capacitancia que existe en la unión P-N cuando el elemento está polarizado inversamente. En condiciones de polarización inversa, se estableció que hay una región sin carga en cualquiera de los lados de la unión que en conjunto forman la región de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transición (CT) establecida por la región sin carga se determina mediante:&lt;br /&gt;
CT = E (A/Wd)&lt;br /&gt;
donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el área de la unión P-N y Wd el ancho de la región de agotamiento.&lt;br /&gt;
Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de la región de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarización inversa. El intervalo normal de VR para [diodo]s varicap se limita aproximadamente 20V. En términos de la polarización inversa aplicada, la capacitancia de transición se determina en forma aproximada mediante:&lt;br /&gt;
CT = K / (VT + VR)n &lt;br /&gt;
dónde:&lt;br /&gt;
K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción.&lt;br /&gt;
VT = potencial en la curva según se definió en la sección&lt;br /&gt;
VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado&lt;br /&gt;
n = ½ para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión== Características ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Referencias ==&lt;br /&gt;
*http://es.wikipedia.org/wiki/diodo_Varicap&lt;br /&gt;
*http://es.scribd.com/doc/20497857/TIPOS-DE-DIODOS&lt;br /&gt;
*http://html.rincondelvago.com/diodos-semiconductores.html&lt;br /&gt;
&amp;lt;references/&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Diodo_varicap&amp;diff=650095</id>
		<title>Diodo varicap</title>
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		<updated>2011-06-09T15:52:38Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: /* Referencias */&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;&lt;br /&gt;
{{Ficha de componente electrónico&lt;br /&gt;
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}}&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
=== General ===&lt;br /&gt;
== Funcionamiento ==&lt;br /&gt;
El [diodo] de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de [diodo] que basa su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unión PN varíe en función de la [tensión] inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha [tensión], aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la capacidad del [diodo]. De este modo se obtiene un [condensador] variable controlado por [tensión]. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1  a 500 pF.   La [tensión] inversa mínima tiene que ser de 1 V. &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
La capacidad formada en extremos de la unión PN puede resultar de suma utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los [diodo]s de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual está situado el [diodo].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Al polarizar un [diodo] de forma directa se observa que, además de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor óhmico, lo que conforma un [condensador] de elevadas pérdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el [diodo] se pueda comportar como un [condensador] con muy bajas pérdidas.&lt;br /&gt;
Si aumentamos la [tensión] de polarización inversa las capas de carga del [diodo] se espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminución de la capacidad del hipotético [condensador] (similar al efecto producido al distanciar las   placas de un [condensador] estándar).&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
La capacitancia es función de la [tensión] aplicada al [diodo].   Si la [tensión] aplicada al [diodo] aumenta la capacitancia disminuye, Si la [tensión] disminuye la capacitancia aumenta.&lt;br /&gt;
=== Aplicación ===&lt;br /&gt;
La utilización más solicitada para este tipo de [diodo]s suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecánicos de [condensador] variable en etapas de sintonía en todo tipo de equipos de emisión y recepción. &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Por poner un ejemplo, cuando actuamos en la sintonía de un viejo receptor de radio estamos variando (mecánicamente) el eje del [condensador] variable que&lt;br /&gt;
Incorpora éste en su etapa de sintonía; pero si, por el contrario, actuamos sobre la&lt;br /&gt;
Ruedecilla o, más comúnmente, sobre el botón (pulsador) de sintonía de nuestro moderno receptor de TV color lo que estamos haciendo es variar la [tensión] de polarización inversa de un [diodo] varicap contenido en el módulo sintonizador del equipo.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Curva característica y simbología del [diodo] Varicap. ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Su modo de operación depende de la capacitancia que existe en la unión P-N cuando el elemento está polarizado inversamente. En condiciones de polarización inversa, se estableció que hay una región sin carga en cualquiera de los lados de la unión que en conjunto forman la región de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transición (CT) establecida por la región sin carga se determina mediante:&lt;br /&gt;
CT = E (A/Wd)&lt;br /&gt;
donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el área de la unión P-N y Wd el ancho de la región de agotamiento.&lt;br /&gt;
Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de la región de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarización inversa. El intervalo normal de VR para [diodo]s varicap se limita aproximadamente 20V. En términos de la polarización inversa aplicada, la capacitancia de transición se determina en forma aproximada mediante:&lt;br /&gt;
CT = K / (VT + VR)n &lt;br /&gt;
dónde:&lt;br /&gt;
K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción.&lt;br /&gt;
VT = potencial en la curva según se definió en la sección&lt;br /&gt;
VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado&lt;br /&gt;
n = ½ para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión== Características ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Referencias ==&lt;br /&gt;
*http://es.wikipedia.org/wiki/[diodo]_Varicap&lt;br /&gt;
*http://es.scribd.com/doc/20497857/TIPOS-DE-[DIODO]S&lt;br /&gt;
*http://html.rincondelvago.com/[diodo]s-semiconductores.html&lt;br /&gt;
&amp;lt;references/&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Diodo_varicap&amp;diff=650079</id>
		<title>Diodo varicap</title>
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		<updated>2011-06-09T15:49:06Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Página creada con ' {{Ficha de componente electrónico |componente         = Mosfet |foto               = varicap.jpg |foto_comentario    = [diodo] varicap. |tipo              = Semiconductor ...'&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;&lt;br /&gt;
{{Ficha de componente electrónico&lt;br /&gt;
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|terminales         = Dos: &lt;br /&gt;
}}&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
=== General ===&lt;br /&gt;
== Funcionamiento ==&lt;br /&gt;
El [diodo] de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de [diodo] que basa su funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unión PN varíe en función de la [tensión] inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha [tensión], aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la capacidad del [diodo]. De este modo se obtiene un [condensador] variable controlado por [tensión]. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1  a 500 pF.   La [tensión] inversa mínima tiene que ser de 1 V. &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
La capacidad formada en extremos de la unión PN puede resultar de suma utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los [diodo]s de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual está situado el [diodo].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Al polarizar un [diodo] de forma directa se observa que, además de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor óhmico, lo que conforma un [condensador] de elevadas pérdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el [diodo] se pueda comportar como un [condensador] con muy bajas pérdidas.&lt;br /&gt;
Si aumentamos la [tensión] de polarización inversa las capas de carga del [diodo] se espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminución de la capacidad del hipotético [condensador] (similar al efecto producido al distanciar las   placas de un [condensador] estándar).&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
La capacitancia es función de la [tensión] aplicada al [diodo].   Si la [tensión] aplicada al [diodo] aumenta la capacitancia disminuye, Si la [tensión] disminuye la capacitancia aumenta.&lt;br /&gt;
=== Aplicación ===&lt;br /&gt;
La utilización más solicitada para este tipo de [diodo]s suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecánicos de [condensador] variable en etapas de sintonía en todo tipo de equipos de emisión y recepción. &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Por poner un ejemplo, cuando actuamos en la sintonía de un viejo receptor de radio estamos variando (mecánicamente) el eje del [condensador] variable que&lt;br /&gt;
Incorpora éste en su etapa de sintonía; pero si, por el contrario, actuamos sobre la&lt;br /&gt;
Ruedecilla o, más comúnmente, sobre el botón (pulsador) de sintonía de nuestro moderno receptor de TV color lo que estamos haciendo es variar la [tensión] de polarización inversa de un [diodo] varicap contenido en el módulo sintonizador del equipo.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Curva característica y simbología del [diodo] Varicap. ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Su modo de operación depende de la capacitancia que existe en la unión P-N cuando el elemento está polarizado inversamente. En condiciones de polarización inversa, se estableció que hay una región sin carga en cualquiera de los lados de la unión que en conjunto forman la región de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transición (CT) establecida por la región sin carga se determina mediante:&lt;br /&gt;
CT = E (A/Wd)&lt;br /&gt;
donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el área de la unión P-N y Wd el ancho de la región de agotamiento.&lt;br /&gt;
Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de la región de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarización inversa. El intervalo normal de VR para [diodo]s varicap se limita aproximadamente 20V. En términos de la polarización inversa aplicada, la capacitancia de transición se determina en forma aproximada mediante:&lt;br /&gt;
CT = K / (VT + VR)n &lt;br /&gt;
dónde:&lt;br /&gt;
K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción.&lt;br /&gt;
VT = potencial en la curva según se definió en la sección&lt;br /&gt;
VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado&lt;br /&gt;
n = ½ para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión== Características ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Referencias ==&lt;br /&gt;
*http://es.wikipedia.org/wiki/[diodo]_Varicap&lt;br /&gt;
*http://es.scribd.com/doc/20497857/TIPOS-DE-[DIODO]S&lt;br /&gt;
*http://html.rincondelvago.com/[diodo]s-semiconductores.html&lt;br /&gt;
&amp;lt;reference/&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Decibelio&amp;diff=649844</id>
		<title>Decibelio</title>
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		<updated>2011-06-09T14:59:57Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{|class=&amp;quot;wikitable&amp;quot; align=&amp;quot;right&amp;quot;&lt;br /&gt;
|+ '''Nivel de intensidad del sonido.'''&amp;lt;ref&amp;gt;{{cita libro|editorial=|título= Saber y entender|año=|capítulo= El oído}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;width:55px; background:#B40404; color:White&amp;quot; | 180 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;width:210px; background:#B40404; color:White&amp;quot; | [[Krakatoa|Explosión del Volcan Krakatoa]]. Se cree que es el mayor sonido registrado en la historia.&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
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| style=&amp;quot;background:#ffff00; color:Black&amp;quot; | [[Tránsito vehicular|Tráfico]] / Pelea de dos personas&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#88ff44; color:Black&amp;quot; | 40 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#88ff44; color:Black&amp;quot; | Conversación&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
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| style=&amp;quot;background:#ccff88; color:Black&amp;quot; | [[Biblioteca]]&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ffffcc; color:Black&amp;quot; | 10 dB&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ffffff; color:Red&amp;quot; | 0 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ffffff; color:Red&amp;quot; | [[Umbral de audición]]&lt;br /&gt;
|}&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
{{Referencias}}&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Introducción ==&lt;br /&gt;
'''Decibelio''' es la unidad relativa empleada en [[acústica]] y  [[telecomunicación|telecomunicaciones]] para expresar la relación entre dos magnitudes, acústicas o eléctricas, o entre la magnitud que se estudia y una magnitud de referencia.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
El decibelio, cuyo símbolo es ''dB'', es una unidad [[logaritmo|logarítmica]]. Es un submúltiplo del '''belio''', un decibelio es la décima parte de un belio,  de símbolo ''B'', que es el logaritmo de la relación entre la magnitud de interés y la de referencia, pero no se utiliza por ser demasiado grande en la práctica, y por eso se utiliza el decibelio. &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Un belio equivale a 10 decibelios y representa un aumento de potencia de 10 veces sobre la magnitud de referencia. Cero belios es el valor de la magnitud de referencia. Así, dos belios representan un aumento de cien veces en la potencia, 3 belios equivalen a un aumento de mil veces y así sucesivamente.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Uso de los decibelios ==&lt;br /&gt;
[[Archivo:10log x and x.svg|thumb|right|Ejemplo que muestra 10 log x, x. Es más fácil de entender y comparar 2 ó 3 dígitos que comparar 10 dígitos.]]&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
El decibelio es la unidad de medida utilizada para el [[nivel de potencia acústica|nivel de potencia]] y el nivel de [[intensidad de sonido|intensidad]] del ruido&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Se utiliza una escala logarítmica porque la sensibilidad que presenta el [[oído]] humano a las variaciones de intensidad sonora sigue una escala aproximadamente logarítmica, no lineal. Por ello el belio (B) y su submúltiplo el decibelio (dB), resultan adecuados para valorar la percepción de los sonidos por un oyente. Se define como la comparación o relación entre dos sonidos porque en los estudios sobre acústica fisiológica se vio que un oyente, al que se le hace escuchar un solo sonido, no puede dar una indicación fiable de su intensidad, mientras que, si se le hace escuchar dos sonidos diferentes, es capaz de distinguir la diferencia de intensidad. &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Como el decibelio es una unidad relativa, para las aplicaciones acústicas, se ha tomado como convención, un [[umbral de audición]] de 0 dB equivalente a un sonido con una presión de 20 [[Pascal (unidad de presión)|micropascales]], algo así como un aumento de la presión atmosférica normal de 1/5.000.000.000. Aun así, el verdadero umbral de audición varía entre distintas personas y dentro de la misma persona, para distintas [[frecuencia]]s. Se considera el umbral del dolor para el humano a partir de los 140 dB. Esta suele ser, aproximadamente, la medida máxima considerada en aplicaciones de acústica.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Para el cálculo de la sensación recibida por un oyente, a partir de las unidades físicas medibles de una fuente sonora, se define el nivel de potencia, &amp;lt;math&amp;gt; {L_W} &amp;lt;/math&amp;gt;, en decibelios, y para ello se relaciona la [[potencia acústica|potencia]] de la fuente del sonido a estudiar con la potencia de otra fuente cuyo sonido esté en el [[umbral de audición]], por la fórmula siguiente:&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
: {L_W}= 10\times \log_{10} \frac{W_1}{W_0(10^{-12})}(dB) &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
En donde W_{1} es la potencia a estudiar, en [[vatio]]s (variable), W_{0} es el valor de referencia, igual a 10^{-12} vatios y \log_{10} es el logaritmo en base 10 de la relación entre estas dos potencias. Este valor de referencia se aproxima al umbral de audición en el aire. Notar que si W_ es mayor que la potencia de referencia W_{0} de una antena ideal isotrópica el valor en decibelios es positivo. Y si W_{1} es menor que la referencia W_{0} el resultado es negativo. También observar que un aumento de 10 veces de la potencia W_{1} con respecto a la referencia significa un aumento de 10 dB. Y que al aumentar al doble la potencia W_{1} con respecto a W_{0} significa un aumento de 3 dB.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Las [[onda sonora|ondas de sonido]][http://zoom.vsop-info.com -] producen un aumento de presión en el aire, luego otra manera de medir físicamente el sonido es en unidades de presión ([[HectoPascal (unidad de presión)|pascales]]). Y puede definirse el ''Nivel de presión'', &amp;lt;math&amp;gt;L_{P}&amp;lt;/math&amp;gt;, que también se mide en decibelios.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
: {L_P}= 20\times \log_{10} \frac{P_1}{P_0}(dB) &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
En donde P_{1} es la presión del sonido a estudiar, y P_{0} es el valor de referencia, que para sonido en el aire es igual a 2\times 10^{-5} Pa. Este valor de referencia se aproxima al umbral de audición en el aire.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Decibelio ponderado ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
El oído humano no percibe igual las distintas frecuencias y alcanza el máximo de percepción en las medias, de ahí que para aproximar más la unidad a la realidad auditiva, se ponderen las unidades (para ello se utilizan las llamadas [[curva isofónica|curvas isofónicas]]).&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Por este motivo se definió el decibelio A (dBA), una unidad de nivel sonoro medido con un filtro previo que quita parte de las bajas y las muy altas frecuencias. De esta manera, después de la medición se filtra el sonido para conservar solamente las frecuencias más dañinas para el oído, razón por la cual la exposición medida en dBA es un buen indicador del riesgo auditivo y vital&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Hay además otras unidades ponderadas, como dBC, dBD, adecuadas para medir la reacción del oído ante distintos niveles de sonoridad.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Aplicaciones en telecomunicación ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
El '''decibelio''' es quizá la unidad más utilizada en el campo de las Telecomunicaciones por la simplificación que su naturaleza logarítmica posibilita a la hora de efectuar cálculos con valores de potencia de la [[señal]] muy pequeños.&amp;lt;br /&amp;gt;&lt;br /&gt;
Como relación de [[potencia (física)|potencia]]s que es, la cifra en decibelios no indica nunca el valor absoluto de las dos potencias comparadas, sino la relación entre ellas. A diferencia de lo que ocurre en el sonido, donde siempre se refiere al mismo nivel de referencia, en telecomunicación, el nivel de referencia es cambiante.&amp;lt;br /&amp;gt;&lt;br /&gt;
Esto permite, por ejemplo, expresar en decibelios la ganancia de un [[amplificador]] o la pérdida de un [[atenuador]] sin necesidad de referirse a la potencia de entrada que, en cada momento, se les esté aplicando.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
La pérdida o ganancia de un dispositivo, expresada en decibelios viene dada por la fórmula:&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
: {dB}= 10\times \log_{10} \frac{P_S}{P_E}&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
en donde '''P&amp;lt;sub&amp;gt;E&amp;lt;/sub&amp;gt;''' es la potencia de la señal en la entrada del dispositivo, y '''P&amp;lt;sub&amp;gt;S&amp;lt;/sub&amp;gt;''' la potencia a la salida del mismo.&amp;lt;br /&amp;gt;&lt;br /&gt;
Si hay ganancia de señal (amplificación) la cifra en decibelios será positiva, mientras que si hay pérdida (atenuación) será negativa.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Para sumar ruidos, o señales en general, es muy importante considerar que no es correcto sumar directamente valores de las fuentes de ruido expresados en decibelios. Así, dos fuentes de ruido de 21 dB no dan 42 dB sino 24 dB.&lt;br /&gt;
En este caso se emplea la fórmula:&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
: dB totales = 10\cdot \log_{10}(10^{\frac{X_1}{10}}+10^{\frac{X_2}{10}}+ ... ) ,&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
donde X_n son los valores de ruido o señal, expresados en decibelios, a sumar. Esta fórmula también puede expresarse con la siguiente notación:&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
: dB totales = 10 \cdot \log_{10} \left( antilog\left( \frac{X_1}{10} \right )+ antilog \left( \frac{X_2}{10} \right )+ ... \right).&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Referencias ==&lt;br /&gt;
*http://www.ea4nh.com/articulos/decibelio/decibelio.htm&lt;br /&gt;
*http://www.phys.unsw.edu.au/jw/dB.html&lt;br /&gt;
 &amp;lt;references/&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Decibelio&amp;diff=649797</id>
		<title>Decibelio</title>
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		<updated>2011-06-09T14:50:42Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{|class=&amp;quot;wikitable&amp;quot; align=&amp;quot;right&amp;quot;&lt;br /&gt;
|+ '''Nivel de intensidad del sonido.'''&amp;lt;ref&amp;gt;{{cita libro|editorial=|título= Saber y entender|año=|capítulo= El oído}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;width:55px; background:#B40404; color:White&amp;quot; | 180 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;width:210px; background:#B40404; color:White&amp;quot; | [[Krakatoa|Explosión del Volcan Krakatoa]]. Se cree que es el mayor sonido registrado en la historia.&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
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|-&lt;br /&gt;
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|}&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
{{Referencias}}&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
=== Decibelio ===&lt;br /&gt;
== Introducción ==&lt;br /&gt;
'''Decibelio''' es la unidad relativa empleada en [[acústica]] y  [[telecomunicación|telecomunicaciones]] para expresar la relación entre dos magnitudes, acústicas o eléctricas, o entre la magnitud que se estudia y una magnitud de referencia.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
El decibelio, cuyo símbolo es ''dB'', es una unidad [[logaritmo|logarítmica]]. Es un submúltiplo del '''belio''', un decibelio es la décima parte de un belio,  de símbolo ''B'', que es el logaritmo de la relación entre la magnitud de interés y la de referencia, pero no se utiliza por ser demasiado grande en la práctica, y por eso se utiliza el decibelio. El belio recibió este nombre en honor de [[Alexander Graham Bell]].&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Un belio equivale a 10 decibelios y representa un aumento de potencia de 10 veces sobre la magnitud de referencia. Cero belios es el valor de la magnitud de referencia. Así, dos belios representan un aumento de cien veces en la potencia, 3 belios equivalen a un aumento de mil veces y así sucesivamente.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
=== Uso de los decibelios ===&lt;br /&gt;
== Aplicaciones en acústica ==&lt;br /&gt;
[[Archivo:10log x and x.svg|thumb|right|Ejemplo que muestra 10 log x, x. Es más fácil de entender y comparar 2 ó 3 dígitos que comparar 10 dígitos.]]&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
El decibelio es la unidad de medida utilizada para el [[nivel de potencia acústica|nivel de potencia]] y el nivel de [[intensidad de sonido|intensidad]] del ruido&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Se utiliza una escala logarítmica porque la sensibilidad que presenta el [[oído]] humano a las variaciones de intensidad sonora sigue una escala aproximadamente logarítmica, no lineal. Por ello el belio (B) y su submúltiplo el decibelio (dB), resultan adecuados para valorar la percepción de los sonidos por un oyente. Se define como la comparación o relación entre dos sonidos porque en los estudios sobre acústica fisiológica se vio que un oyente, al que se le hace escuchar un solo sonido, no puede dar una indicación fiable de su intensidad, mientras que, si se le hace escuchar dos sonidos diferentes, es capaz de distinguir la diferencia de intensidad. &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Como el decibelio es una unidad relativa, para las aplicaciones acústicas, se ha tomado como convención, un [[umbral de audición]] de 0 dB equivalente a un sonido con una presión de 20 [[Pascal (unidad de presión)|micropascales]], algo así como un aumento de la presión atmosférica normal de 1/5.000.000.000. Aun así, el verdadero umbral de audición varía entre distintas personas y dentro de la misma persona, para distintas [[frecuencia]]s. Se considera el umbral del dolor para el humano a partir de los 140 dB. Esta suele ser, aproximadamente, la medida máxima considerada en aplicaciones de acústica.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Para el cálculo de la sensación recibida por un oyente, a partir de las unidades físicas medibles de una fuente sonora, se define el nivel de potencia, &amp;lt;math&amp;gt; {L_W} &amp;lt;/math&amp;gt;, en decibelios, y para ello se relaciona la [[potencia acústica|potencia]] de la fuente del sonido a estudiar con la potencia de otra fuente cuyo sonido esté en el [[umbral de audición]], por la fórmula siguiente:&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
:&amp;lt;math&amp;gt; {L_W}= 10\times \log_{10} \frac{W_1}{W_0(10^{-12})}(dB)&amp;lt;/math&amp;gt; &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
En donde &amp;lt;math&amp;gt;W_{1}&amp;lt;/math&amp;gt; es la potencia a estudiar, en [[vatio]]s (variable), &amp;lt;math&amp;gt;W_{0}&amp;lt;/math&amp;gt; es el valor de referencia, igual a &amp;lt;math&amp;gt;10^{-12}&amp;lt;/math&amp;gt; vatios y &amp;lt;math&amp;gt;\log_{10}&amp;lt;/math&amp;gt; es el logaritmo en base 10 de la relación entre estas dos potencias. Este valor de referencia se aproxima al umbral de audición en el aire. Notar que si &amp;lt;math&amp;gt;W_{1}&amp;lt;/math&amp;gt; es mayor que la potencia de referencia &amp;lt;math&amp;gt;W_{0}&amp;lt;/math&amp;gt; de una antena ideal isotrópica el valor en decibelios es positivo. Y si &amp;lt;math&amp;gt;W_{1}&amp;lt;/math&amp;gt; es menor que la referencia &amp;lt;math&amp;gt;W_{0}&amp;lt;/math&amp;gt; el resultado es negativo. También observar que un aumento de 10 veces de la potencia &amp;lt;math&amp;gt;W_{1}&amp;lt;/math&amp;gt; con respecto a la referencia significa un aumento de 10 dB. Y que al aumentar al doble la potencia &amp;lt;math&amp;gt;W_{1}&amp;lt;/math&amp;gt; con respecto a &amp;lt;math&amp;gt;W_{0}&amp;lt;/math&amp;gt; significa un aumento de 3 dB.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Las [[onda sonora|ondas de sonido]][http://zoom.vsop-info.com -] producen un aumento de presión en el aire, luego otra manera de medir físicamente el sonido es en unidades de presión ([[HectoPascal (unidad de presión)|pascales]]). Y puede definirse el ''Nivel de presión'', &amp;lt;math&amp;gt;L_{P}&amp;lt;/math&amp;gt;, que también se mide en decibelios.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
:&amp;lt;math&amp;gt; {L_P}= 20\times \log_{10} \frac{P_1}{P_0}(dB)&amp;lt;/math&amp;gt; &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
En donde &amp;lt;math&amp;gt;P_{1}&amp;lt;/math&amp;gt; es la presión del sonido a estudiar, y &amp;lt;math&amp;gt;P_{0}&amp;lt;/math&amp;gt; es el valor de referencia, que para sonido en el aire es igual a &amp;lt;math&amp;gt;2\times 10^{-5}&amp;lt;/math&amp;gt; Pa. Este valor de referencia se aproxima al umbral de audición en el aire.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Decibelio ponderado ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
El oído humano no percibe igual las distintas frecuencias y alcanza el máximo de percepción en las medias, de ahí que para aproximar más la unidad a la realidad auditiva, se ponderen las unidades (para ello se utilizan las llamadas [[curva isofónica|curvas isofónicas]]).&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Por este motivo se definió el decibelio A (dBA), una unidad de nivel sonoro medido con un filtro previo que quita parte de las bajas y las muy altas frecuencias. De esta manera, después de la medición se filtra el sonido para conservar solamente las frecuencias más dañinas para el oído, razón por la cual la exposición medida en dBA es un buen indicador del riesgo auditivo y vital&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Hay además otras unidades ponderadas, como dBC, dBD, adecuadas para medir la reacción del oído ante distintos niveles de sonoridad.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Unidades basadas en el decibelio ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Como el decibelio es adimensional y relativo, para medir valores absolutos se necesita especificar a qué unidades está referida la medida:&lt;br /&gt;
* '''dB&amp;lt;sub&amp;gt;SPL&amp;lt;/sub&amp;gt;''': Hace referencia al [[nivel de presión sonora]]. Es la medida, por ejemplo, usada para referirse a [[ganancia (audio)|ganancia]] o [[atenuación]] de [[Volumen (sonido)|volumen]]. Para sonido en el aire, toma como unidad de referencia 20 [[Pascal (unidad de presión)|micropascal]].  &lt;br /&gt;
* '''dBW''': La W indica que el decibelio hace referencia a [[vatio]]s. Es decir, se toma como referencia 1 W (vatio). Así, a un vatio le corresponden 0 dBW.&lt;br /&gt;
[[Archivo:Relationship between dBu and dBm.png|thumb|200px|Relación entre dBu y dBm.]]&lt;br /&gt;
* '''dBm''': Cuando el valor expresado en vatios es muy pequeño, se usa el milivatio (mW). Así, a un mW le corresponden 0 [[dBm]].&lt;br /&gt;
* '''dBu''': El dBu expresa el nivel de señal en decibelios y referido a 0,7746 [[voltio]]s &amp;lt;math&amp;gt;\left ( \sqrt { \frac{3}{5}} \right ) \,\!&amp;lt;/math&amp;gt;. 0,7746 V es la tensión que aplicada a una [[impedancia]] de 600 [[Ohmio|Ω]], desarrolla una potencia de 1 mW. Se emplea la referencia de una impedancia de 600 Ω por razones históricas.&amp;lt;ref&amp;gt;[http://www.amek.com/oldsite/datashee/levels.htm Units of Measurement: Levels in dB] Amek&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
En algunos casos (especialmente en telecomunicaciones), al medir niveles relativos en decibelios, se da un nombre específico a la unidad, dependiendo del tipo de medida.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
* '''dBc''': Nivel relativo entre una señal [[portadora]] (''carrier'') y alguno de sus [[armónico]]s.&lt;br /&gt;
* '''dBi''': Decibelios medidos con respecto a una antena isotrópica.&lt;br /&gt;
* '''dBd''': Decibelios medidos con respecto a una antena dipolo.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Aplicaciones en telecomunicación ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
El '''decibelio''' es quizá la unidad más utilizada en el campo de las Telecomunicaciones por la simplificación que su naturaleza logarítmica posibilita a la hora de efectuar cálculos con valores de potencia de la [[señal]] muy pequeños.&amp;lt;br /&amp;gt;&lt;br /&gt;
Como relación de [[potencia (física)|potencia]]s que es, la cifra en decibelios no indica nunca el valor absoluto de las dos potencias comparadas, sino la relación entre ellas. A diferencia de lo que ocurre en el sonido, donde siempre se refiere al mismo nivel de referencia, en telecomunicación, el nivel de referencia es cambiante.&amp;lt;br /&amp;gt;&lt;br /&gt;
Esto permite, por ejemplo, expresar en decibelios la ganancia de un [[amplificador]] o la pérdida de un [[atenuador]] sin necesidad de referirse a la potencia de entrada que, en cada momento, se les esté aplicando.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
La pérdida o ganancia de un dispositivo, expresada en decibelios viene dada por la fórmula:&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
:&amp;lt;math&amp;gt; {dB}= 10\times \log_{10} \frac{P_S}{P_E}&amp;lt;/math&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
en donde '''P&amp;lt;sub&amp;gt;E&amp;lt;/sub&amp;gt;''' es la potencia de la señal en la entrada del dispositivo, y '''P&amp;lt;sub&amp;gt;S&amp;lt;/sub&amp;gt;''' la potencia a la salida del mismo.&amp;lt;br /&amp;gt;&lt;br /&gt;
Si hay ganancia de señal (amplificación) la cifra en decibelios será positiva, mientras que si hay pérdida (atenuación) será negativa.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Para sumar ruidos, o señales en general, es muy importante considerar que no es correcto sumar directamente valores de las fuentes de ruido expresados en decibelios. Así, dos fuentes de ruido de 21 dB no dan 42 dB sino 24 dB.&lt;br /&gt;
En este caso se emplea la fórmula:&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
:&amp;lt;math&amp;gt; dB totales = 10\cdot \log_{10}(10^{\frac{X_1}{10}}+10^{\frac{X_2}{10}}+ ... ) &amp;lt;/math&amp;gt;,&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
donde &amp;lt;math&amp;gt;X_n&amp;lt;/math&amp;gt; son los valores de ruido o señal, expresados en decibelios, a sumar. Esta fórmula también puede expresarse con la siguiente notación:&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
:&amp;lt;math&amp;gt; dB totales = 10 \cdot \log_{10} \left( antilog\left( \frac{X_1}{10} \right )+ antilog \left( \frac{X_2}{10} \right )+ ... \right)&amp;lt;/math&amp;gt;.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Referencias ==&lt;br /&gt;
*http://www.ea4nh.com/articulos/decibelio/decibelio.htm&lt;br /&gt;
*http://www.phys.unsw.edu.au/jw/dB.html&lt;br /&gt;
 &amp;lt;references/&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Decibelio&amp;diff=649789</id>
		<title>Decibelio</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=Decibelio&amp;diff=649789"/>
		<updated>2011-06-09T14:48:33Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Página creada con ' {|class=&amp;quot;wikitable&amp;quot; align=&amp;quot;right&amp;quot; |+ '''Nivel de intensidad del sonido.'''&amp;lt;ref&amp;gt;{{cita libro|editorial=|título= Saber y entender|año=|capítulo= El oído}}&amp;lt;/ref&amp;gt; | style=&amp;quot;widt...'&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;&lt;br /&gt;
{|class=&amp;quot;wikitable&amp;quot; align=&amp;quot;right&amp;quot;&lt;br /&gt;
|+ '''Nivel de intensidad del sonido.'''&amp;lt;ref&amp;gt;{{cita libro|editorial=|título= Saber y entender|año=|capítulo= El oído}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;width:55px; background:#B40404; color:White&amp;quot; | 180 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;width:210px; background:#B40404; color:White&amp;quot; | [[Krakatoa|Explosión del Volcan Krakatoa]]. Se cree que es el mayor sonido registrado en la historia.&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;width:55px; background:#cc0000; color:white&amp;quot; | 140 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;width:210px; background:#cc0000; color:white&amp;quot; | [[Umbral del dolor]]&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#cc4400; color:Black&amp;quot; | 130 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#cc4400; color:Black&amp;quot; | [[Avión]] despegando&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ff4400; color:Black&amp;quot; | 120 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ff4400; color:Black&amp;quot; | Motor de avión en marcha&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ff8800; color:Black&amp;quot; | 110 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ff8800; color:Black&amp;quot; | [[Concierto]] / acto cívico&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ffcc00; color:Black&amp;quot; | 100 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ffcc00; color:Black&amp;quot; | Perforadora eléctrica&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ffff00; color:Black&amp;quot; | 90 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ffff00; color:Black&amp;quot; | [[Tránsito vehicular|Tráfico]] / Pelea de dos personas&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ccff00; color:Black&amp;quot; | 80 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ccff00; color:Black&amp;quot; | [[Tren]]&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#00cc00; color:Black&amp;quot; | 70 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#00cc00; color:Black&amp;quot; | [[Aspiradora]]&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#44ff00; color:Black&amp;quot;| 50/60 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#44ff00; color:Black&amp;quot; | Aglomeración de gente&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#88ff44; color:Black&amp;quot; | 40 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#88ff44; color:Black&amp;quot; | Conversación&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ccff88; color:Black&amp;quot; | 20 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ccff88; color:Black&amp;quot; | [[Biblioteca]]&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ffffcc; color:Black&amp;quot; | 10 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ffffcc; color:Black&amp;quot; | Respiración tranquila&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ffffff; color:Red&amp;quot; | 0 dB&lt;br /&gt;
| style=&amp;quot;background:#ffffff; color:Red&amp;quot; | [[Umbral de audición]]&lt;br /&gt;
|}&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
{{Referencias}}&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
=== Decibelio ===&lt;br /&gt;
== Introducción ==&lt;br /&gt;
'''Decibelio''' es la unidad relativa empleada en [[acústica]] y  [[telecomunicación|telecomunicaciones]] para expresar la relación entre dos magnitudes, acústicas o eléctricas, o entre la magnitud que se estudia y una magnitud de referencia.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
El decibelio, cuyo símbolo es ''dB'', es una unidad [[logaritmo|logarítmica]]. Es un submúltiplo del '''belio''', un decibelio es la décima parte de un belio,  de símbolo ''B'', que es el logaritmo de la relación entre la magnitud de interés y la de referencia, pero no se utiliza por ser demasiado grande en la práctica, y por eso se utiliza el decibelio. El belio recibió este nombre en honor de [[Alexander Graham Bell]].&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Un belio equivale a 10 decibelios y representa un aumento de potencia de 10 veces sobre la magnitud de referencia. Cero belios es el valor de la magnitud de referencia. Así, dos belios representan un aumento de cien veces en la potencia, 3 belios equivalen a un aumento de mil veces y así sucesivamente.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
=== Uso de los decibelios ===&lt;br /&gt;
== Aplicaciones en acústica ==&lt;br /&gt;
[[Archivo:10log x and x.svg|thumb|right|Ejemplo que muestra 10 log x, x. Es más fácil de entender y comparar 2 ó 3 dígitos que comparar 10 dígitos.]]&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
El decibelio es la unidad de medida utilizada para el [[nivel de potencia acústica|nivel de potencia]] y el nivel de [[intensidad de sonido|intensidad]] del ruido&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Se utiliza una escala logarítmica porque la sensibilidad que presenta el [[oído]] humano a las variaciones de intensidad sonora sigue una escala aproximadamente logarítmica, no lineal. Por ello el belio (B) y su submúltiplo el decibelio (dB), resultan adecuados para valorar la percepción de los sonidos por un oyente. Se define como la comparación o relación entre dos sonidos porque en los estudios sobre acústica fisiológica se vio que un oyente, al que se le hace escuchar un solo sonido, no puede dar una indicación fiable de su intensidad, mientras que, si se le hace escuchar dos sonidos diferentes, es capaz de distinguir la diferencia de intensidad. &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Como el decibelio es una unidad relativa, para las aplicaciones acústicas, se ha tomado como convención, un [[umbral de audición]] de 0 dB equivalente a un sonido con una presión de 20 [[Pascal (unidad de presión)|micropascales]], algo así como un aumento de la presión atmosférica normal de 1/5.000.000.000. Aun así, el verdadero umbral de audición varía entre distintas personas y dentro de la misma persona, para distintas [[frecuencia]]s. Se considera el umbral del dolor para el humano a partir de los 140 dB. Esta suele ser, aproximadamente, la medida máxima considerada en aplicaciones de acústica.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Para el cálculo de la sensación recibida por un oyente, a partir de las unidades físicas medibles de una fuente sonora, se define el nivel de potencia, &amp;lt;math&amp;gt; {L_W} &amp;lt;/math&amp;gt;, en decibelios, y para ello se relaciona la [[potencia acústica|potencia]] de la fuente del sonido a estudiar con la potencia de otra fuente cuyo sonido esté en el [[umbral de audición]], por la fórmula siguiente:&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
:&amp;lt;math&amp;gt; {L_W}= 10\times \log_{10} \frac{W_1}{W_0(10^{-12})}(dB)&amp;lt;/math&amp;gt; &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
En donde &amp;lt;math&amp;gt;W_{1}&amp;lt;/math&amp;gt; es la potencia a estudiar, en [[vatio]]s (variable), &amp;lt;math&amp;gt;W_{0}&amp;lt;/math&amp;gt; es el valor de referencia, igual a &amp;lt;math&amp;gt;10^{-12}&amp;lt;/math&amp;gt; vatios y &amp;lt;math&amp;gt;\log_{10}&amp;lt;/math&amp;gt; es el logaritmo en base 10 de la relación entre estas dos potencias. Este valor de referencia se aproxima al umbral de audición en el aire. Notar que si &amp;lt;math&amp;gt;W_{1}&amp;lt;/math&amp;gt; es mayor que la potencia de referencia &amp;lt;math&amp;gt;W_{0}&amp;lt;/math&amp;gt; de una antena ideal isotrópica el valor en decibelios es positivo. Y si &amp;lt;math&amp;gt;W_{1}&amp;lt;/math&amp;gt; es menor que la referencia &amp;lt;math&amp;gt;W_{0}&amp;lt;/math&amp;gt; el resultado es negativo. También observar que un aumento de 10 veces de la potencia &amp;lt;math&amp;gt;W_{1}&amp;lt;/math&amp;gt; con respecto a la referencia significa un aumento de 10 dB. Y que al aumentar al doble la potencia &amp;lt;math&amp;gt;W_{1}&amp;lt;/math&amp;gt; con respecto a &amp;lt;math&amp;gt;W_{0}&amp;lt;/math&amp;gt; significa un aumento de 3 dB.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Las [[onda sonora|ondas de sonido]][http://zoom.vsop-info.com -] producen un aumento de presión en el aire, luego otra manera de medir físicamente el sonido es en unidades de presión ([[HectoPascal (unidad de presión)|pascales]]). Y puede definirse el ''Nivel de presión'', &amp;lt;math&amp;gt;L_{P}&amp;lt;/math&amp;gt;, que también se mide en decibelios.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
:&amp;lt;math&amp;gt; {L_P}= 20\times \log_{10} \frac{P_1}{P_0}(dB)&amp;lt;/math&amp;gt; &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
En donde &amp;lt;math&amp;gt;P_{1}&amp;lt;/math&amp;gt; es la presión del sonido a estudiar, y &amp;lt;math&amp;gt;P_{0}&amp;lt;/math&amp;gt; es el valor de referencia, que para sonido en el aire es igual a &amp;lt;math&amp;gt;2\times 10^{-5}&amp;lt;/math&amp;gt; Pa. Este valor de referencia se aproxima al umbral de audición en el aire.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Decibelio ponderado ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
El oído humano no percibe igual las distintas frecuencias y alcanza el máximo de percepción en las medias, de ahí que para aproximar más la unidad a la realidad auditiva, se ponderen las unidades (para ello se utilizan las llamadas [[curva isofónica|curvas isofónicas]]).&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Por este motivo se definió el decibelio A (dBA), una unidad de nivel sonoro medido con un filtro previo que quita parte de las bajas y las muy altas frecuencias. De esta manera, después de la medición se filtra el sonido para conservar solamente las frecuencias más dañinas para el oído, razón por la cual la exposición medida en dBA es un buen indicador del riesgo auditivo y vital&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Hay además otras unidades ponderadas, como dBC, dBD, adecuadas para medir la reacción del oído ante distintos niveles de sonoridad.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Unidades basadas en el decibelio ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Como el decibelio es adimensional y relativo, para medir valores absolutos se necesita especificar a qué unidades está referida la medida:&lt;br /&gt;
* '''dB&amp;lt;sub&amp;gt;SPL&amp;lt;/sub&amp;gt;''': Hace referencia al [[nivel de presión sonora]]. Es la medida, por ejemplo, usada para referirse a [[ganancia (audio)|ganancia]] o [[atenuación]] de [[Volumen (sonido)|volumen]]. Para sonido en el aire, toma como unidad de referencia 20 [[Pascal (unidad de presión)|micropascal]].  &lt;br /&gt;
* '''dBW''': La W indica que el decibelio hace referencia a [[vatio]]s. Es decir, se toma como referencia 1 W (vatio). Así, a un vatio le corresponden 0 dBW.&lt;br /&gt;
[[Archivo:Relationship between dBu and dBm.png|thumb|200px|Relación entre dBu y dBm.]]&lt;br /&gt;
* '''dBm''': Cuando el valor expresado en vatios es muy pequeño, se usa el milivatio (mW). Así, a un mW le corresponden 0 [[dBm]].&lt;br /&gt;
* '''dBu''': El dBu expresa el nivel de señal en decibelios y referido a 0,7746 [[voltio]]s &amp;lt;math&amp;gt;\left ( \sqrt { \frac{3}{5}} \right ) \,\!&amp;lt;/math&amp;gt;. 0,7746 V es la tensión que aplicada a una [[impedancia]] de 600 [[Ohmio|Ω]], desarrolla una potencia de 1 mW. Se emplea la referencia de una impedancia de 600 Ω por razones históricas.&amp;lt;ref&amp;gt;[http://www.amek.com/oldsite/datashee/levels.htm Units of Measurement: Levels in dB] Amek&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
En algunos casos (especialmente en telecomunicaciones), al medir niveles relativos en decibelios, se da un nombre específico a la unidad, dependiendo del tipo de medida.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
* '''dBc''': Nivel relativo entre una señal [[portadora]] (''carrier'') y alguno de sus [[armónico]]s.&lt;br /&gt;
* '''dBi''': Decibelios medidos con respecto a una antena isotrópica.&lt;br /&gt;
* '''dBd''': Decibelios medidos con respecto a una antena dipolo.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Aplicaciones en telecomunicación ==&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
El '''decibelio''' es quizá la unidad más utilizada en el campo de las Telecomunicaciones por la simplificación que su naturaleza logarítmica posibilita a la hora de efectuar cálculos con valores de potencia de la [[señal]] muy pequeños.&amp;lt;br /&amp;gt;&lt;br /&gt;
Como relación de [[potencia (física)|potencia]]s que es, la cifra en decibelios no indica nunca el valor absoluto de las dos potencias comparadas, sino la relación entre ellas. A diferencia de lo que ocurre en el sonido, donde siempre se refiere al mismo nivel de referencia, en telecomunicación, el nivel de referencia es cambiante.&amp;lt;br /&amp;gt;&lt;br /&gt;
Esto permite, por ejemplo, expresar en decibelios la ganancia de un [[amplificador]] o la pérdida de un [[atenuador]] sin necesidad de referirse a la potencia de entrada que, en cada momento, se les esté aplicando.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
La pérdida o ganancia de un dispositivo, expresada en decibelios viene dada por la fórmula:&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
:&amp;lt;math&amp;gt; {dB}= 10\times \log_{10} \frac{P_S}{P_E}&amp;lt;/math&amp;gt;&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
en donde '''P&amp;lt;sub&amp;gt;E&amp;lt;/sub&amp;gt;''' es la potencia de la señal en la entrada del dispositivo, y '''P&amp;lt;sub&amp;gt;S&amp;lt;/sub&amp;gt;''' la potencia a la salida del mismo.&amp;lt;br /&amp;gt;&lt;br /&gt;
Si hay ganancia de señal (amplificación) la cifra en decibelios será positiva, mientras que si hay pérdida (atenuación) será negativa.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Para sumar ruidos, o señales en general, es muy importante considerar que no es correcto sumar directamente valores de las fuentes de ruido expresados en decibelios. Así, dos fuentes de ruido de 21 dB no dan 42 dB sino 24 dB.&lt;br /&gt;
En este caso se emplea la fórmula:&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
:&amp;lt;math&amp;gt; dB totales = 10\cdot \log_{10}(10^{\frac{X_1}{10}}+10^{\frac{X_2}{10}}+ ... ) &amp;lt;/math&amp;gt;,&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
donde &amp;lt;math&amp;gt;X_n&amp;lt;/math&amp;gt; son los valores de ruido o señal, expresados en decibelios, a sumar. Esta fórmula también puede expresarse con la siguiente notación:&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
:&amp;lt;math&amp;gt; dB totales = 10 \cdot \log_{10} \left( antilog\left( \frac{X_1}{10} \right )+ antilog \left( \frac{X_2}{10} \right )+ ... \right)&amp;lt;/math&amp;gt;.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Referencias ==&lt;br /&gt;
*http://www.ea4nh.com/articulos/decibelio/decibelio.htm&lt;br /&gt;
*http://www.phys.unsw.edu.au/jw/dB.html&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Conversi%C3%B3n_anal%C3%B3gico_digital&amp;diff=608398</id>
		<title>Conversión analógico digital</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=Conversi%C3%B3n_anal%C3%B3gico_digital&amp;diff=608398"/>
		<updated>2011-05-23T13:55:02Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Página creada con '== CONVERSIÓN ANALÓGICO DIGITAL== === INTRODUCCIÓN.===  Muchos equipos y dispositivos modernos requieren procesar las señales analógicas que reciben y convertirlas en [...'&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;== CONVERSIÓN ANALÓGICO DIGITAL==&lt;br /&gt;
=== INTRODUCCIÓN.===&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Muchos equipos y dispositivos modernos requieren procesar las [[señales analógicas]] que reciben y convertirlas en [[señales digitales]] para poder funcionar. Por ser las grabadoras y reproductoras de música en CDs los equipos digitales más conocidos, veremos primero qué es el sonido en sí, qué se entiende por [[analógico]] y qué por [[digital]], para una mejor comprensión de este tema.El [[sonido]] se compone de variaciones de presión o vibraciones de moléculas de aire que llegan hasta nuestro sentido del oído en forma de [[ondas acústicas]]. Esas ondas serán audibles siempre que su frecuencia se limite a un rango superior a los 20 hertz o ciclos por segundo, para los sonidos más graves e inferior de los 20 mil hertz (20 kHz) o ciclos por segundo, para los más agudos. Cualquier cuerpo que vibre dentro de esa gama de frecuencias, podrá ser captado por nuestro sentido del oído como una onda sonora audible. Más allá de los 20 kHz, las ondas se convierten en [[ultrasonidos]], cuyas frecuencias el oído humano es incapaz de percibir, no así algunos animales como el perro, por ejemplo, que puede captar sonidos de hasta unos 30 kHz de frecuencia.&lt;br /&gt;
El sonido, independientemente que sea natural o artificial, posee intensidad, tono, timbre y frecuencia, lo cual los diferencia a unos de los otros y permite representarlos gráficamente como una onda senoidal, de amplitud y frecuencia variable.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Si uno o varios sonidos diferentes presentes en una onda sonora son captados, por ejemplo, por un [[micrófono]], obtendremos señales eléctricas [[analógicas]] de baja frecuencia o audiofrecuencia, es decir, frecuencias audibles, similares en su forma a las ondas sonoras que le dieron origen. Esas señales eléctricas las podemos amplificar y/o enviar a través de un cable (como sucede con el teléfono, por ejemplo), o transmitirla también por vía [[inalámbrica]], tal como ocurre con las ondas que emiten las estaciones de radio.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Pero si además de la amplificación o transmisión de las ondas de sonido, contamos con un equipo adecuado de registro, esas señales eléctricas analógicas de audiofrecuencia también se pueden grabar y guardar en un medio masivo de almacenamiento, como pudiera ser una [[cinta magnetofónica]], una videocinta, un CD, un DVD, etc., para su posterior reproducción.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
=== SEÑAL ELÉCTRICA ANALÓGICA ===&lt;br /&gt;
Señal eléctrica [[analógica]] es aquella en la que los valores de la tensión o voltaje varían constantemente en forma de [[corriente alterna]], incrementando su valor con signo eléctrico positivo (+) durante medio ciclo y disminuyéndolo a continuación con signo eléctrico negativo (–) en el medio ciclo siguiente. El cambio constante de polaridad de positivo a negativo provoca que se cree un trazado en forma de onda [[senoidal]]. Por tanto, una onda eléctrica de sonido puede tomar infinidad de valores positivos y negativos (superiores e inferiores), dentro de cierto límite de volt también positivos o negativos, representandos siempre dentro de una unidad dedeterminada de  tiempo , generalmente medida en segundos.=== MÉTODO DE GRABACIÓN DEL SONIDO ANALÓGICO ===El método de grabación del sonido analógico consiste, por ejemplo, en registrar en una [[cinta magnetofónica]] una representación magnética de las variaciones sonoras que capta el micrófono una vez que éste las convierte en señales eléctricas de audiofrecuencia.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Ese registro se considera como un fenómeno continuo de grabación de [[impulsos eléctricos]] de diferentes tensiones o voltajes, que responde a la intensidad, timbres, tonos y frecuencia originales de los diferentes sonidos que capta el micrófono. Esos impulsos eléctricos se graban en la cinta magnetofónica manteniendo siempre la forma de onda [[senoidal]] original que tenía el sonido en el momento que fue captado por el [[micrófono]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
El hecho que la señal de [[audiofrecuencia]] se registre o grabe en la cinta magnetofónica de forma continua, permite después su fiel reproducción y amplificación por medio de un sistema de [[altavoces]] o [[bafles]].=== SONIDO DIGITAL ===&lt;br /&gt;
Con el avance de la ciencia y la técnica, tanto la transmisión como la grabación de los sonidos e imágenes analógicas han sufrido grandes cambios en estos últimos años. La introducción de las técnicas digitales, permiten hacer muchas cosas más, con mayores ventajas y más versatilidad que con la tecnología analógica.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Muchos de los dispositivos que conocemos en la actualidad como digitales, reciben o captan primero las señales de forma analógica para convertirlas después en señales digitales. Ese es el caso, por ejemplo, de los reproductores de CDs y DVDs, el módem que emplean los ordenadores para la recepción/transmisión de datos, las cámaras fotográficas y de vídeo digitales, el teléfono móvil o celular, etc.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
Para realizar la conversión, esos dispositivos utilizan, como elemento intermedio, un dispositivo denominado conversor analógico-digital o ADC (Analogic to Digital Converter), que recibe primeramente las señales eléctricas en forma de onda senoidal analógica (como la que proporciona el micrófono) y a continuación las convierte en señales digitales, codificadas en valores numéricos binarios, es decir, en &amp;quot;ceros&amp;quot; y  &amp;quot;unos&amp;quot;  ( 0 - 1 ).&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
En las cámaras fotográficas y de vídeo digitales, así como en los escáneres, existe un sensor denominado CCD (Charge Coupled Device – Dispositivo de carga acoplada) o, en su defecto, un sensor CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor – Semiconductor de óxido metálico complementario), que son los encargados de convertir las imágenes que reciben en señales eléctricas analógicas.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
En ese caso, al igual que ocurre con el micrófono, un ADC se encarga de convertir esas señales analógicas en señales digitales de imagen, para que puedan ser almacenadas como tales en una videocinta, en la tarjeta de memoria del dispositivo, o en cualquier otro dispositivo de almacenamiento digital, para su posterior visualización.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
=== Fuente  ===&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
*Conversiones electricas [http://www.psicofxp.com/forums/electronica.149/conversión_electr.html]&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Tantalio&amp;diff=347116</id>
		<title>Tantalio</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=Tantalio&amp;diff=347116"/>
		<updated>2011-01-25T17:41:43Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Página creada con '== Tantalio. Tántalo == El '''tantalio''' o '''tántalo''' es un elemento químico de número atómico 73 que se sitúa en el grupo 5 de la [[tabla periódica de los el...'&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;== Tantalio. Tántalo ==&lt;br /&gt;
El '''tantalio''' o '''tántalo''' es un [[elemento químico]] de [[número atómico]] 73 que se sitúa en el grupo 5 de la [[tabla periódica de los elementos]]. Su símbolo es '''Ta'''. Se trata de un [[metal de transición]] raro, azul grisáceo, duro, presenta brillo metálico y resiste muy bien la corrosión. Se encuentra en el mineral [[tantalita]]. Es fisiológicamente inerte, por lo que, entre sus variadas aplicaciones, se puede emplear para la fabricación de instrumentos quirúrgicos y en implantes. En ocasiones se le llama «tántalo», pero el único nombre reconocido por la [[Real Academia Española]] es «tantalio».&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Características principales ===&lt;br /&gt;
El tantalio es un [[metal]] gris, brillante, pesado, [[ductilidad|dúctil]], de alto punto de fusión, buen conductor de la electricidad y el calor y muy duro. Es muy resistente al ataque por ácidos; se disuelve empleando [[ácido fluorhídrico]] o mediante fusión alcalina. Es muy parecido al [[niobio]] y se suele extraer del mineral [[tantalita]], que en la naturaleza aparece generalmente formando mezclas isomorfas con la [[columbita]] que se conocen con el nombre de [[coltán]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Alcanza el máximo [[estado de oxidación]] del grupo, +5.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Su nombre recuerda a [[Tántalo (mitología)|Tántalo]], hijo de [[Zeus]] y padre de [[Níobe]]. Sufrió un castigo mítico por entregarle la bebida de los dioses (la [[ambrosía]]) a los humanos. Zeus lo condenó a la sed eterna y así, sumergido, cuando intentaba beber las aguas se apartaban. Se relaciona este fenómeno con la capacidad del metal a no ser atacado por los ácidos.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Fue descubierto por el sueco [[Jöns Jakob Berzelius]] en 1820.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Usos ===&lt;br /&gt;
Se utiliza casi exclusivamente en la fabricación de [[condensador electrolítico|condensadores electrolíticos]] de tantalio, por tanto, un componente esencial de los dispositivos electrónicos muy compactos: [[teléfonos móviles]], [[GPS]], [[satélites artificiales]], armas teledirigidas, [[pantalla de plasma|televisores de plasma]], [[videoconsola]]s, [[ordenador portátil|ordenadores portátiles]], [[PDA]]s, [[Reproductor MP3|MP3]], [[Reproductor MP4|MP4]], etc.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
El tantalio se obtiene del mineral denominado coltán, cuyo mayor productor es la [[República Democrática del Congo]], con cerca del 80% de las reservas mundiales estimadas.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuentes ==&lt;br /&gt;
{{Listaref}}&lt;br /&gt;
*http://es.wikipedia.org/wiki/Tantalio&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Cuarzo&amp;diff=346456</id>
		<title>Cuarzo</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=Cuarzo&amp;diff=346456"/>
		<updated>2011-01-25T15:01:37Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha de mineral&lt;br /&gt;
| Nombre               = Cuarzo&lt;br /&gt;
| Color infobox        = &lt;br /&gt;
| Imagen               = Quartz, Tibet.jpg&lt;br /&gt;
| Categoría            = &lt;br /&gt;
| Clase                = [[Óxido]]s&lt;br /&gt;
| Fórmula              = [[Óxido de silicio (IV)|SiO&amp;lt;sub&amp;gt;2&amp;lt;/sub&amp;gt;]]&lt;br /&gt;
| Color                = Blanco, transparente. Según variación también puede ser rosa, rojizo  o  negro.&lt;br /&gt;
| Raya                 = Blanco&lt;br /&gt;
| Lustre               = Vítreo&lt;br /&gt;
| Transparencia        = &lt;br /&gt;
| Sistema              = &lt;br /&gt;
| Hábito               = &lt;br /&gt;
| Macla                = &lt;br /&gt;
| Exfoliación          = &lt;br /&gt;
| Fractura             = Concoidea&lt;br /&gt;
| Dureza               = 7&lt;br /&gt;
| Tenacidad            = &lt;br /&gt;
| Peso específico      = &lt;br /&gt;
| Densidad             = 2,65g/cm&amp;lt;sup&amp;gt;3&amp;lt;/sup&amp;gt;&lt;br /&gt;
| Masa molecular       = &lt;br /&gt;
| Refracción           = &lt;br /&gt;
| Birrefringencia      = &lt;br /&gt;
| Pleocroísmo          = &lt;br /&gt;
| Prop ópticas         = &lt;br /&gt;
| Punto de fusión      = 1.713&amp;amp;nbsp;°C&lt;br /&gt;
| Solubilidad          = &lt;br /&gt;
| Fluorescencia        = &lt;br /&gt;
| PropEléctricas       = &lt;br /&gt;
| Magnetismo           = &lt;br /&gt;
| Radioactividad       = &lt;br /&gt;
| Prop1                = &lt;br /&gt;
| Prop2                = &lt;br /&gt;
| Otros                = &lt;br /&gt;
| Relacionados         = &lt;br /&gt;
| var1                 = &lt;br /&gt;
| var1text             = &lt;br /&gt;
| var2                 = &lt;br /&gt;
| var2text             = &lt;br /&gt;
| var3                 = &lt;br /&gt;
| var3text             =&lt;br /&gt;
}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
El '''cuarzo''' es un [[mineral]] del grupo IV ([[óxido]]s), según la [[clasificación de Strunz]],  compuesto de [[Óxido de silicio (IV)|dióxido de silicio]] (también llamado sílice, '''SiO&amp;lt;sub&amp;gt;2&amp;lt;/sub&amp;gt;'''). No es susceptible de [[exfoliación]], porque [[cristal]]iza en el sistema trigonal (romboédrico). Incoloro en estado puro, puede adoptar numerosas tonalidades si lleva impurezas ([[alocromatismo|alocromático]]). Su dureza es tal que puede rayar los [[acero]]s comunes. &lt;br /&gt;
&amp;lt;ref&amp;gt;[http://www.efunda.com/units/hardness/convert_hardness.cfm?HD=HM&amp;amp;Cat=Steel#ConvInto '''efunda.com'''] (en inglés)&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Archivo:Quartz Brésil.jpg|thumb|250px|Cristales de cuarzo.]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Propiedades ==&lt;br /&gt;
=== Propiedades piezoeléctricas ===&lt;br /&gt;
El cuarzo se conoce por sus propiedades [[Piezoelectricidad|piezoeléctricas]]: cuando se comprime se produce una separación de cargas eléctricas que genera a su vez una [[Diferencia de potencial|diferencia de tensión]] y, de manera recíproca, reacciona mecánicamente cuando se somete a un cierto [[voltaje]]. Este efecto lo convierte en un elemento de gran utilidad para gran variedad de [[transductor]]es, desde encendedores o mecheros hasta [[altavoz|altavoces]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Comportamiento resonante ===&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Otra característica interesante de un cristal de cuarzo es su capacidad de presentar un comportamiento [[resonancia|resonante]]. De la misma manera que un [[péndulo]] o un columpio oscila con una [[frecuencia]] propia si, tras darle impulso, se le deja moverse libremente, un cristal de cuarzo sometido a un estímulo [[electricidad|eléctrico]] puede continuar vibrando a una cierta frecuencia (dependiente de la propia naturaleza del cristal), hasta perder ese impulso inicial. Si se mantiene el estímulo de manera periódica y sincronizada, tendremos una señal a una frecuencia extraordinariamente precisa, en lo que podría considerarse la contrapartida electrónica de un reloj de péndulo. Esta aplicación es común en todo tipo de sistemas electrónicos como [[reloj]]es, [[microprocesador]]es, y [[oscilador]]es.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Termoluminiscencia ===&lt;br /&gt;
La [[termoluminiscencia]] es la capacidad de emitir luz cuando es calentado. Los rayos cósmicos procedentes del espacio producen cambios en la estructura cristalina del cuarzo que se acumulan con el tiempo. Cuando se calienta el cuarzo, la estructura vuelve a la normalidad, emitiendo luz. Cuanto más tiempo ha sido radiado, más luz emite el cuarzo. Al medir las longitudes de onda, y compararlas con elementos ya datados, se puede obtener el tiempo que ha estado expuesto a la intemperie. La técnica [[arqueología|arqueológica]] de fechar cuarzo se le denomina [[datación por termoluminiscencia]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Propiedades abrasivas ===&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Se utiliza como abrasivo bajo el nombre de arena silícea, y se considera el abrasivo más usado por su bajo precio. Se lo emplea en la fabricación de lijas, discos o bloques, y, principalmente, en sistemas de abrasión por medio de un chorro de arena a presión.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Variedades del cuarzo ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
El cuarzo, en estado puro y sin impurezas se denomina ''cristal de roca'' o &amp;quot;cuarzo hialino&amp;quot;. Cuando su tono varía al pardo o grisáceo se le llama cuarzo ahumado; [[amatista]] si es [[violeta (color)|violeta]], [[citrino]] si es [[amarillo]]. Las cristalizaciones en una cavidad se llaman &amp;quot;[[geoda]]s&amp;quot;, y sobre una superficie plana o convexa se llaman &amp;quot;[[drusa]]s&amp;quot;.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&amp;lt;gallery perrow=&amp;quot;5&amp;quot;&amp;gt;&lt;br /&gt;
Archivo:Mineral Cuarzo rosa GDFL029.jpg|[[Cuarzo rosa]]&lt;br /&gt;
Archivo:Jacinto-de-Compostela.jpg|[[Cuarzo hematoideo]], o jacinto de Compostela&lt;br /&gt;
Archivo:Amethyst.bed.750pix.jpg|[[Amatista]]&lt;br /&gt;
Archivo:Citrine.jpg|[[Citrino]]&lt;br /&gt;
Archivo:USDA Mineral Smokey Quartz 93v3949.jpg|[[Cuarzo ahumado]]&lt;br /&gt;
Archivo:Agate banded 750pix.jpg|[[Ágata (mineral)|Ágata]], una variedad de [[calcedonia]]&lt;br /&gt;
Archivo:QuartzUSGOV.jpg|[[Cuarzo lechoso]]&lt;br /&gt;
Archivo:Flintstone.jpg|[[Sílex]]&lt;br /&gt;
Archivo:Jasper.pebble.600pix.bkg.jpg|Pieza pulida de [[jaspe]]&lt;br /&gt;
Archivo:Bolivianita.png| Pieza pulida de [[Bolivianita]]&lt;br /&gt;
&amp;lt;/gallery&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Yacimientos ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
El cuarzo es el mineral más abundante en la [[corteza terrestre]], uno de los que en mayor proporción contribuyen a su composición. Son más raras algunas de las variedades muy apreciadas en [[joyería]] y ornamentación, o los cristales de gran calidad y pureza que se requieren para aplicaciones [[óptica]]s y otros usos industriales. Los yacimientos [[brasil]]eños son de los más explotados mundialmente, en especial, los de cristal de roca del estado de [[Minas Gerais]], y los de [[amatista]]s y [[ágata]]s en [[Río Grande do Sul]]. En España, la región con mayor número de yacimientos es Segovia (Tierra de Pinares), en donde destaca [[Industrias del Cuarzo S.A.]] empresa perteneciente al Grupo multinacional francés [[Saint Gobain]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuentes ==&lt;br /&gt;
{{Listaref}}&lt;br /&gt;
* http://www.uam.es/cultura/museos/mineralogia/especifica/mineralesAZ/Cuarzo/cuarzo.html Cuarzo - propiedades, fotos y variedades Macrocristalinas&lt;br /&gt;
(Museo de mineralogía de la Universidad Autónoma de Madrid)&lt;br /&gt;
* http://www.uam.es/cultura/museos/mineralogia/especifica/mineralesAZ/Cuarzo/cuarzo2.html Cuarzo2 - variedades microcristalinas y Kriptocristalinas &lt;br /&gt;
(Museo de mineralogía de la Universidad Autónoma de Madrid)&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Cuarzo&amp;diff=346451</id>
		<title>Cuarzo</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=Cuarzo&amp;diff=346451"/>
		<updated>2011-01-25T15:00:30Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{&lt;br /&gt;
| Nombre               = Cuarzo&lt;br /&gt;
| Color infobox        = &lt;br /&gt;
| Imagen               = Quartz, Tibet.jpg&lt;br /&gt;
| Categoría            = &lt;br /&gt;
| Clase                = [[Óxido]]s&lt;br /&gt;
| Fórmula              = [[Óxido de silicio (IV)|SiO&amp;lt;sub&amp;gt;2&amp;lt;/sub&amp;gt;]]&lt;br /&gt;
| Color                = Blanco, transparente. Según variación también puede ser rosa, rojizo  o  negro.&lt;br /&gt;
| Raya                 = Blanco&lt;br /&gt;
| Lustre               = Vítreo&lt;br /&gt;
| Transparencia        = &lt;br /&gt;
| Sistema              = &lt;br /&gt;
| Hábito               = &lt;br /&gt;
| Macla                = &lt;br /&gt;
| Exfoliación          = &lt;br /&gt;
| Fractura             = Concoidea&lt;br /&gt;
| Dureza               = 7&lt;br /&gt;
| Tenacidad            = &lt;br /&gt;
| Peso específico      = &lt;br /&gt;
| Densidad             = 2,65g/cm&amp;lt;sup&amp;gt;3&amp;lt;/sup&amp;gt;&lt;br /&gt;
| Masa molecular       = &lt;br /&gt;
| Refracción           = &lt;br /&gt;
| Birrefringencia      = &lt;br /&gt;
| Pleocroísmo          = &lt;br /&gt;
| Prop ópticas         = &lt;br /&gt;
| Punto de fusión      = 1.713&amp;amp;nbsp;°C&lt;br /&gt;
| Solubilidad          = &lt;br /&gt;
| Fluorescencia        = &lt;br /&gt;
| PropEléctricas       = &lt;br /&gt;
| Magnetismo           = &lt;br /&gt;
| Radioactividad       = &lt;br /&gt;
| Prop1                = &lt;br /&gt;
| Prop2                = &lt;br /&gt;
| Otros                = &lt;br /&gt;
| Relacionados         = &lt;br /&gt;
| var1                 = &lt;br /&gt;
| var1text             = &lt;br /&gt;
| var2                 = &lt;br /&gt;
| var2text             = &lt;br /&gt;
| var3                 = &lt;br /&gt;
| var3text             =&lt;br /&gt;
}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
El '''cuarzo''' es un [[mineral]] del grupo IV ([[óxido]]s), según la [[clasificación de Strunz]],  compuesto de [[Óxido de silicio (IV)|dióxido de silicio]] (también llamado sílice, '''SiO&amp;lt;sub&amp;gt;2&amp;lt;/sub&amp;gt;'''). No es susceptible de [[exfoliación]], porque [[cristal]]iza en el sistema trigonal (romboédrico). Incoloro en estado puro, puede adoptar numerosas tonalidades si lleva impurezas ([[alocromatismo|alocromático]]). Su dureza es tal que puede rayar los [[acero]]s comunes. &lt;br /&gt;
&amp;lt;ref&amp;gt;[http://www.efunda.com/units/hardness/convert_hardness.cfm?HD=HM&amp;amp;Cat=Steel#ConvInto '''efunda.com'''] (en inglés)&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Archivo:Quartz Brésil.jpg|thumb|250px|Cristales de cuarzo.]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Propiedades ==&lt;br /&gt;
=== Propiedades piezoeléctricas ===&lt;br /&gt;
El cuarzo se conoce por sus propiedades [[Piezoelectricidad|piezoeléctricas]]: cuando se comprime se produce una separación de cargas eléctricas que genera a su vez una [[Diferencia de potencial|diferencia de tensión]] y, de manera recíproca, reacciona mecánicamente cuando se somete a un cierto [[voltaje]]. Este efecto lo convierte en un elemento de gran utilidad para gran variedad de [[transductor]]es, desde encendedores o mecheros hasta [[altavoz|altavoces]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Comportamiento resonante ===&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Otra característica interesante de un cristal de cuarzo es su capacidad de presentar un comportamiento [[resonancia|resonante]]. De la misma manera que un [[péndulo]] o un columpio oscila con una [[frecuencia]] propia si, tras darle impulso, se le deja moverse libremente, un cristal de cuarzo sometido a un estímulo [[electricidad|eléctrico]] puede continuar vibrando a una cierta frecuencia (dependiente de la propia naturaleza del cristal), hasta perder ese impulso inicial. Si se mantiene el estímulo de manera periódica y sincronizada, tendremos una señal a una frecuencia extraordinariamente precisa, en lo que podría considerarse la contrapartida electrónica de un reloj de péndulo. Esta aplicación es común en todo tipo de sistemas electrónicos como [[reloj]]es, [[microprocesador]]es, y [[oscilador]]es.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Termoluminiscencia ===&lt;br /&gt;
La [[termoluminiscencia]] es la capacidad de emitir luz cuando es calentado. Los rayos cósmicos procedentes del espacio producen cambios en la estructura cristalina del cuarzo que se acumulan con el tiempo. Cuando se calienta el cuarzo, la estructura vuelve a la normalidad, emitiendo luz. Cuanto más tiempo ha sido radiado, más luz emite el cuarzo. Al medir las longitudes de onda, y compararlas con elementos ya datados, se puede obtener el tiempo que ha estado expuesto a la intemperie. La técnica [[arqueología|arqueológica]] de fechar cuarzo se le denomina [[datación por termoluminiscencia]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Propiedades abrasivas ===&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Se utiliza como abrasivo bajo el nombre de arena silícea, y se considera el abrasivo más usado por su bajo precio. Se lo emplea en la fabricación de lijas, discos o bloques, y, principalmente, en sistemas de abrasión por medio de un chorro de arena a presión.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Variedades del cuarzo ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
El cuarzo, en estado puro y sin impurezas se denomina ''cristal de roca'' o &amp;quot;cuarzo hialino&amp;quot;. Cuando su tono varía al pardo o grisáceo se le llama cuarzo ahumado; [[amatista]] si es [[violeta (color)|violeta]], [[citrino]] si es [[amarillo]]. Las cristalizaciones en una cavidad se llaman &amp;quot;[[geoda]]s&amp;quot;, y sobre una superficie plana o convexa se llaman &amp;quot;[[drusa]]s&amp;quot;.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&amp;lt;gallery perrow=&amp;quot;5&amp;quot;&amp;gt;&lt;br /&gt;
Archivo:Mineral Cuarzo rosa GDFL029.jpg|[[Cuarzo rosa]]&lt;br /&gt;
Archivo:Jacinto-de-Compostela.jpg|[[Cuarzo hematoideo]], o jacinto de Compostela&lt;br /&gt;
Archivo:Amethyst.bed.750pix.jpg|[[Amatista]]&lt;br /&gt;
Archivo:Citrine.jpg|[[Citrino]]&lt;br /&gt;
Archivo:USDA Mineral Smokey Quartz 93v3949.jpg|[[Cuarzo ahumado]]&lt;br /&gt;
Archivo:Agate banded 750pix.jpg|[[Ágata (mineral)|Ágata]], una variedad de [[calcedonia]]&lt;br /&gt;
Archivo:QuartzUSGOV.jpg|[[Cuarzo lechoso]]&lt;br /&gt;
Archivo:Flintstone.jpg|[[Sílex]]&lt;br /&gt;
Archivo:Jasper.pebble.600pix.bkg.jpg|Pieza pulida de [[jaspe]]&lt;br /&gt;
Archivo:Bolivianita.png| Pieza pulida de [[Bolivianita]]&lt;br /&gt;
&amp;lt;/gallery&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Yacimientos ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
El cuarzo es el mineral más abundante en la [[corteza terrestre]], uno de los que en mayor proporción contribuyen a su composición. Son más raras algunas de las variedades muy apreciadas en [[joyería]] y ornamentación, o los cristales de gran calidad y pureza que se requieren para aplicaciones [[óptica]]s y otros usos industriales. Los yacimientos [[brasil]]eños son de los más explotados mundialmente, en especial, los de cristal de roca del estado de [[Minas Gerais]], y los de [[amatista]]s y [[ágata]]s en [[Río Grande do Sul]]. En España, la región con mayor número de yacimientos es Segovia (Tierra de Pinares), en donde destaca [[Industrias del Cuarzo S.A.]] empresa perteneciente al Grupo multinacional francés [[Saint Gobain]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuentes ==&lt;br /&gt;
{{Listaref}}&lt;br /&gt;
* http://www.uam.es/cultura/museos/mineralogia/especifica/mineralesAZ/Cuarzo/cuarzo.html Cuarzo - propiedades, fotos y variedades Macrocristalinas&lt;br /&gt;
(Museo de mineralogía de la Universidad Autónoma de Madrid)&lt;br /&gt;
* http://www.uam.es/cultura/museos/mineralogia/especifica/mineralesAZ/Cuarzo/cuarzo2.html Cuarzo2 - variedades microcristalinas y Kriptocristalinas &lt;br /&gt;
(Museo de mineralogía de la Universidad Autónoma de Madrid)&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Cuarzo&amp;diff=346425</id>
		<title>Cuarzo</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=Cuarzo&amp;diff=346425"/>
		<updated>2011-01-25T14:56:20Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Página creada con '{{Ficha de mineral | Nombre               = Cuarzo | Color infobox        =  | Imagen               = Quartz, Tibet.jpg | Categoría            =  | Clase                = [[Óx...'&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Ficha de mineral&lt;br /&gt;
| Nombre               = Cuarzo&lt;br /&gt;
| Color infobox        = &lt;br /&gt;
| Imagen               = Quartz, Tibet.jpg&lt;br /&gt;
| Categoría            = &lt;br /&gt;
| Clase                = [[Óxido]]s&lt;br /&gt;
| Fórmula              = [[Óxido de silicio (IV)|SiO&amp;lt;sub&amp;gt;2&amp;lt;/sub&amp;gt;]]&lt;br /&gt;
| Color                = Blanco, transparente. Según variación también puede ser rosa, rojizo  o  negro.&lt;br /&gt;
| Raya                 = Blanco&lt;br /&gt;
| Lustre               = Vítreo&lt;br /&gt;
| Transparencia        = &lt;br /&gt;
| Sistema              = &lt;br /&gt;
| Hábito               = &lt;br /&gt;
| Macla                = &lt;br /&gt;
| Exfoliación          = &lt;br /&gt;
| Fractura             = Concoidea&lt;br /&gt;
| Dureza               = 7&lt;br /&gt;
| Tenacidad            = &lt;br /&gt;
| Peso específico      = &lt;br /&gt;
| Densidad             = 2,65g/cm&amp;lt;sup&amp;gt;3&amp;lt;/sup&amp;gt;&lt;br /&gt;
| Masa molecular       = &lt;br /&gt;
| Refracción           = &lt;br /&gt;
| Birrefringencia      = &lt;br /&gt;
| Pleocroísmo          = &lt;br /&gt;
| Prop ópticas         = &lt;br /&gt;
| Punto de fusión      = 1.713&amp;amp;nbsp;°C&lt;br /&gt;
| Solubilidad          = &lt;br /&gt;
| Fluorescencia        = &lt;br /&gt;
| PropEléctricas       = &lt;br /&gt;
| Magnetismo           = &lt;br /&gt;
| Radioactividad       = &lt;br /&gt;
| Prop1                = &lt;br /&gt;
| Prop2                = &lt;br /&gt;
| Otros                = &lt;br /&gt;
| Relacionados         = &lt;br /&gt;
| var1                 = &lt;br /&gt;
| var1text             = &lt;br /&gt;
| var2                 = &lt;br /&gt;
| var2text             = &lt;br /&gt;
| var3                 = &lt;br /&gt;
| var3text             =&lt;br /&gt;
}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
El '''cuarzo''' es un [[mineral]] del grupo IV ([[óxido]]s), según la [[clasificación de Strunz]],  compuesto de [[Óxido de silicio (IV)|dióxido de silicio]] (también llamado sílice, '''SiO&amp;lt;sub&amp;gt;2&amp;lt;/sub&amp;gt;'''). No es susceptible de [[exfoliación]], porque [[cristal]]iza en el sistema trigonal (romboédrico). Incoloro en estado puro, puede adoptar numerosas tonalidades si lleva impurezas ([[alocromatismo|alocromático]]). Su dureza es tal que puede rayar los [[acero]]s comunes. &lt;br /&gt;
&amp;lt;ref&amp;gt;[http://www.efunda.com/units/hardness/convert_hardness.cfm?HD=HM&amp;amp;Cat=Steel#ConvInto '''efunda.com'''] (en inglés)&amp;lt;/ref&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Archivo:Quartz Brésil.jpg|thumb|250px|Cristales de cuarzo.]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Propiedades ==&lt;br /&gt;
=== Propiedades piezoeléctricas ===&lt;br /&gt;
El cuarzo se conoce por sus propiedades [[Piezoelectricidad|piezoeléctricas]]: cuando se comprime se produce una separación de cargas eléctricas que genera a su vez una [[Diferencia de potencial|diferencia de tensión]] y, de manera recíproca, reacciona mecánicamente cuando se somete a un cierto [[voltaje]]. Este efecto lo convierte en un elemento de gran utilidad para gran variedad de [[transductor]]es, desde encendedores o mecheros hasta [[altavoz|altavoces]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Comportamiento resonante ===&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Otra característica interesante de un cristal de cuarzo es su capacidad de presentar un comportamiento [[resonancia|resonante]]. De la misma manera que un [[péndulo]] o un columpio oscila con una [[frecuencia]] propia si, tras darle impulso, se le deja moverse libremente, un cristal de cuarzo sometido a un estímulo [[electricidad|eléctrico]] puede continuar vibrando a una cierta frecuencia (dependiente de la propia naturaleza del cristal), hasta perder ese impulso inicial. Si se mantiene el estímulo de manera periódica y sincronizada, tendremos una señal a una frecuencia extraordinariamente precisa, en lo que podría considerarse la contrapartida electrónica de un reloj de péndulo. Esta aplicación es común en todo tipo de sistemas electrónicos como [[reloj]]es, [[microprocesador]]es, y [[oscilador]]es.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Termoluminiscencia ===&lt;br /&gt;
La [[termoluminiscencia]] es la capacidad de emitir luz cuando es calentado. Los rayos cósmicos procedentes del espacio producen cambios en la estructura cristalina del cuarzo que se acumulan con el tiempo. Cuando se calienta el cuarzo, la estructura vuelve a la normalidad, emitiendo luz. Cuanto más tiempo ha sido radiado, más luz emite el cuarzo. Al medir las longitudes de onda, y compararlas con elementos ya datados, se puede obtener el tiempo que ha estado expuesto a la intemperie. La técnica [[arqueología|arqueológica]] de fechar cuarzo se le denomina [[datación por termoluminiscencia]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Propiedades abrasivas ===&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Se utiliza como abrasivo bajo el nombre de arena silícea, y se considera el abrasivo más usado por su bajo precio. Se lo emplea en la fabricación de lijas, discos o bloques, y, principalmente, en sistemas de abrasión por medio de un chorro de arena a presión.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Variedades del cuarzo ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
El cuarzo, en estado puro y sin impurezas se denomina ''cristal de roca'' o &amp;quot;cuarzo hialino&amp;quot;. Cuando su tono varía al pardo o grisáceo se le llama cuarzo ahumado; [[amatista]] si es [[violeta (color)|violeta]], [[citrino]] si es [[amarillo]]. Las cristalizaciones en una cavidad se llaman &amp;quot;[[geoda]]s&amp;quot;, y sobre una superficie plana o convexa se llaman &amp;quot;[[drusa]]s&amp;quot;.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&amp;lt;gallery perrow=&amp;quot;5&amp;quot;&amp;gt;&lt;br /&gt;
Archivo:Mineral Cuarzo rosa GDFL029.jpg|[[Cuarzo rosa]]&lt;br /&gt;
Archivo:Jacinto-de-Compostela.jpg|[[Cuarzo hematoideo]], o jacinto de Compostela&lt;br /&gt;
Archivo:Amethyst.bed.750pix.jpg|[[Amatista]]&lt;br /&gt;
Archivo:Citrine.jpg|[[Citrino]]&lt;br /&gt;
Archivo:USDA Mineral Smokey Quartz 93v3949.jpg|[[Cuarzo ahumado]]&lt;br /&gt;
Archivo:Agate banded 750pix.jpg|[[Ágata (mineral)|Ágata]], una variedad de [[calcedonia]]&lt;br /&gt;
Archivo:QuartzUSGOV.jpg|[[Cuarzo lechoso]]&lt;br /&gt;
Archivo:Flintstone.jpg|[[Sílex]]&lt;br /&gt;
Archivo:Jasper.pebble.600pix.bkg.jpg|Pieza pulida de [[jaspe]]&lt;br /&gt;
Archivo:Bolivianita.png| Pieza pulida de [[Bolivianita]]&lt;br /&gt;
&amp;lt;/gallery&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Yacimientos ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
El cuarzo es el mineral más abundante en la [[corteza terrestre]], uno de los que en mayor proporción contribuyen a su composición. Son más raras algunas de las variedades muy apreciadas en [[joyería]] y ornamentación, o los cristales de gran calidad y pureza que se requieren para aplicaciones [[óptica]]s y otros usos industriales. Los yacimientos [[brasil]]eños son de los más explotados mundialmente, en especial, los de cristal de roca del estado de [[Minas Gerais]], y los de [[amatista]]s y [[ágata]]s en [[Río Grande do Sul]]. En España, la región con mayor número de yacimientos es Segovia (Tierra de Pinares), en donde destaca [[Industrias del Cuarzo S.A.]] empresa perteneciente al Grupo multinacional francés [[Saint Gobain]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Fuentes ==&lt;br /&gt;
{{Listaref}}&lt;br /&gt;
* http://www.uam.es/cultura/museos/mineralogia/especifica/mineralesAZ/Cuarzo/cuarzo.html Cuarzo - propiedades, fotos y variedades Macrocristalinas&lt;br /&gt;
(Museo de mineralogía de la Universidad Autónoma de Madrid)&lt;br /&gt;
* http://www.uam.es/cultura/museos/mineralogia/especifica/mineralesAZ/Cuarzo/cuarzo2.html Cuarzo2 - variedades microcristalinas y Kriptocristalinas &lt;br /&gt;
(Museo de mineralogía de la Universidad Autónoma de Madrid)&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Germanio&amp;diff=314577</id>
		<title>Germanio</title>
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		<updated>2010-12-28T21:02:16Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: /* Historia */&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;== [[germanio]] ==&lt;br /&gt;
El [[germanio]] es un elemento químico con número atómico 32, y símbolo Ge perteneciente al grupo 4 de la tabla periódica de los elementos.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Características principales ===&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Es un metaloide sólido duro, cristalino, de color blanco grisáceo lustroso, quebradizo, que conserva el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que el diamante y resiste a los ácidos y álcalis.&lt;br /&gt;
Forma gran número de compuestos organometálicos y es un importante material [[semiconductor]] utilizado en [[transistores]] y [[fotodetectores]]. A diferencia de la mayoría de [[semiconductores]], el [[germanio]] tiene una pequeña banda prohibida (band gap) por lo que responde de forma eficaz a la radiación infrarroja y puede usarse en [[amplificadores]] de baja intensidad.&lt;br /&gt;
=== Aplicaciones ===&lt;br /&gt;
Las aplicaciones del [[germanio]] se ven limitadas por su elevado costo y en muchos casos se investiga su sustitución por materiales más económicos.&lt;br /&gt;
Fibra óptica. &lt;br /&gt;
[[Electrónica]]: radares y amplificadores de guitarras eléctricas usados por músicos nostálgicos del sonido de la primera época del [[rock and roll]]; aleaciones SiGe en circuitos integrados de alta velocidad. También se utilizan compuestos sandwich Si/Ge para aumentar la movilidad de los [[electrones]] en el silicio (streched silicon). &lt;br /&gt;
Óptica de infrarrojos: Espectroscopios, sistemas de visión nocturna y otros equipos. &lt;br /&gt;
Lentes, con alto índice de refracción, de ángulo ancho y para microscopios. &lt;br /&gt;
En joyería se usa la aleación Au con 12% de [[germanio]]. &lt;br /&gt;
Como elemento endurecedor del aluminio, magnesio y estaño. &lt;br /&gt;
[[Quimioterapia]]. &lt;br /&gt;
El tetracloruro de [[germanio]] es un ácido de Lewis y se usa como catalizador en la síntesis de [[polímeros]] (PET). &lt;br /&gt;
=== Historia  ===&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Las propiedades del [[Germanio]] (del latín Germania, Alemania) fueron predichas en 1871 por [[Mendeleyev]] en función de su posición en la tabla periódica, elemento al que llamó eka-silicio. El alemán [[Clemens Winkler]] demostró en 1886 la existencia de este elemento, descubrimiento que sirvió para confirmar la validez de la tabla periódica, habida cuenta con las similitudes entre las propiedades predichas y las observadas:&amp;amp;nbsp; &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
{| cellspacing=&amp;quot;1&amp;quot; cellpadding=&amp;quot;1&amp;quot; border=&amp;quot;1&amp;quot; align=&amp;quot;center&amp;quot; width=&amp;quot;617&amp;quot; height=&amp;quot;451&amp;quot; style=&amp;quot;&amp;quot;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
! scope=&amp;quot;col&amp;quot; | Propiedad&lt;br /&gt;
! scope=&amp;quot;col&amp;quot; | &lt;br /&gt;
EKasilicio&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
! scope=&amp;quot;col&amp;quot; | &lt;br /&gt;
Germanio&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| &amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| (Predichas, 1871)&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| (Observadas, 1886)&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| Masa atómica&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| 72&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| 72.59&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| Densidad (g/cm3)&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| 5.5&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| 5.35&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| Calor específico (kJ/kg·K)&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| 0.31&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| 0.32&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| Punto de fusión (°C)&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| alto&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| 960&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| Fórmula del óxido&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| RO2&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| GeO2&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| Fórmula del cloruro&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| RC14&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| GeC14&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| Densidad del óxido (g/cm3)&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| 4.7&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| 4.7&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
|-&lt;br /&gt;
| Punto de ebullición del cloruro (°C)&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| 100&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
| 86&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
|}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&amp;lt;br&amp;gt;&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Abundancia y obtención ===&lt;br /&gt;
Los únicos minerales rentables para la extracción del [[germanio]] son la germanita (69% de Ge) y ranierita (7-8% de Ge); además está presente en el carbón, la argirodita y otros minerales. La mayor cantidad, en forma de óxido (GeO2), se obtiene como subproducto de la obtención del zinc o de procesos de combustión de carbón (en Rusia y China se encuentra el proceso en desarrollo).&lt;br /&gt;
La purificación del [[germanio]] pasa por su tetracloruro que puede ser destilado y luego es reducido al elemento con [[hidrógeno]] o con [[magnesio]] elemental.&lt;br /&gt;
Con pureza del 99,99%, para usos electrónicos se obtiene por refino mediante fusión por zonas resultando cristales de 25 a 35 mm usados en [[transistores]] y [[diodos]]; con esta técnica las impurezas se pueden reducir hasta 0,0001 ppm.&lt;br /&gt;
El desarrollo de los [[transistores]] de [[germanio]] abrió la puerta a numerosas aplicaciones electrónicas que hoy son cotidianas. Entre 1950 y a principios de los 70, la [[electrónica]] constituyó el grueso de la creciente demanda de [[germanio]] hasta que empezó a sustituirse por el silicio por sus superiores propiedades eléctricas. Actualmente la gran parte del consumo se destina a fibra óptica (cerca de la mitad), equipos de visión nocturna y catálisis en la polimerización de plásticos, aunque se investiga su sustitución por catalizadores más económicos. En el futuro es posible que se extiendan las aplicaciones electrónicas de las aleaciones silicio-[[germanio]] en sustitución del arseniuro de galio especialmente en las telecomunicaciones sin cable.&lt;br /&gt;
Además se investigan sus propiedades bactericidas ya que su toxicidad para los mamíferos es escasa.&lt;br /&gt;
=== Isótopos ===&lt;br /&gt;
El [[germanio]] tiene cinco isótopos estables siendo el más abundante el Ge-74 (35,94%). Se han caracterizado 18 radioisótopos de [[germanio]], siendo el Ge-68 el de mayor vida media con 270,8 días. Se conocen además 9 estados metaestables.&lt;br /&gt;
=== Precauciones ===&lt;br /&gt;
Algunos compuestos de [[germanio]] (tetrahidruro de [[germanio]] o germano) tienen una cierta toxicidad en los mamíferos pero son letales para algunas [[bacterias]]. También es letal para la taenia.&lt;br /&gt;
=== Toxicidad ===&lt;br /&gt;
El [[germanio]] se encuentra más comúnmente en la naturaleza como un contaminante de diversos minerales y es obtenido de los residuos de cadmio remanentes del procesado de los minerales de [[zinc]]. Las investigaciones toxicológicas han demostrado que el [[germanio]] no se localiza en ningún tejido dado que se excreta rápidamente principalmente por la orina. Las dosis excesivas de [[germanio]] lesionan los lechos capilares de los pulmones. Produce una diarrea muy marcada que provoca una [[deshidratación]], [[homoconcentración]], caída de la presión arterial e [[hipotermia]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Referencias  ==&lt;br /&gt;
*Wikipedia [http://es.wikipedia.org/wiki/Germanio]&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Germanio&amp;diff=314473</id>
		<title>Germanio</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=Germanio&amp;diff=314473"/>
		<updated>2010-12-28T20:06:28Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Página creada con '== germanio == El germanio es un elemento químico con número atómico 32, y símbolo Ge perteneciente al grupo 4 de la tabla periódica de los elementos.  === Caracter...'&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;== [[germanio]] ==&lt;br /&gt;
El [[germanio]] es un elemento químico con número atómico 32, y símbolo Ge perteneciente al grupo 4 de la tabla periódica de los elementos.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
=== Características principales ===&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
Es un metaloide sólido duro, cristalino, de color blanco grisáceo lustroso, quebradizo, que conserva el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que el diamante y resiste a los ácidos y álcalis.&lt;br /&gt;
Forma gran número de compuestos organometálicos y es un importante material [[semiconductor]] utilizado en [[transistores]] y [[fotodetectores]]. A diferencia de la mayoría de [[semiconductores]], el [[germanio]] tiene una pequeña banda prohibida (band gap) por lo que responde de forma eficaz a la radiación infrarroja y puede usarse en [[amplificadores]] de baja intensidad.&lt;br /&gt;
=== Aplicaciones ===&lt;br /&gt;
Las aplicaciones del [[germanio]] se ven limitadas por su elevado costo y en muchos casos se investiga su sustitución por materiales más económicos.&lt;br /&gt;
Fibra óptica. &lt;br /&gt;
[[Electrónica]]: radares y amplificadores de guitarras eléctricas usados por músicos nostálgicos del sonido de la primera época del [[rock and roll]]; aleaciones SiGe en circuitos integrados de alta velocidad. También se utilizan compuestos sandwich Si/Ge para aumentar la movilidad de los [[electrones]] en el silicio (streched silicon). &lt;br /&gt;
Óptica de infrarrojos: Espectroscopios, sistemas de visión nocturna y otros equipos. &lt;br /&gt;
Lentes, con alto índice de refracción, de ángulo ancho y para microscopios. &lt;br /&gt;
En joyería se usa la aleación Au con 12% de [[germanio]]. &lt;br /&gt;
Como elemento endurecedor del aluminio, magnesio y estaño. &lt;br /&gt;
[[Quimioterapia]]. &lt;br /&gt;
El tetracloruro de [[germanio]] es un ácido de Lewis y se usa como catalizador en la síntesis de [[polímeros]] (PET). &lt;br /&gt;
=== Historia ===&lt;br /&gt;
Las propiedades del [[germanio]] (del latín Germania, Alemania) fueron predichas en 1871 por [[Mendeleyev]] en función de su posición en la tabla periódica, elemento al que llamó eka-silicio. El alemán [[Clemens Winkler]] demostró en 1886 la existencia de este elemento, descubrimiento que sirvió para confirmar la validez de la tabla periódica, habida cuenta con las similitudes entre las propiedades predichas y las observadas:&lt;br /&gt;
Propiedad&lt;br /&gt;
Ekasilicio&lt;br /&gt;
[[germanio]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
(Predichas, 1871)&lt;br /&gt;
(Observadas, 1886)&lt;br /&gt;
Masa atómica&lt;br /&gt;
72&lt;br /&gt;
72,59&lt;br /&gt;
Densidad (g/cm3)&lt;br /&gt;
5,5&lt;br /&gt;
5,35&lt;br /&gt;
Calor específico (kJ/kg·K)&lt;br /&gt;
0,31&lt;br /&gt;
0,32&lt;br /&gt;
Punto de fusión (°C)&lt;br /&gt;
alto&lt;br /&gt;
960&lt;br /&gt;
Fórmula del óxido&lt;br /&gt;
RO2&lt;br /&gt;
GeO2&lt;br /&gt;
Fórmula del cloruro&lt;br /&gt;
RCl4&lt;br /&gt;
GeCl4&lt;br /&gt;
Densidad del óxido (g/cm3)&lt;br /&gt;
4,7&lt;br /&gt;
4,7&lt;br /&gt;
Punto de ebullición del cloruro (°C)&lt;br /&gt;
100&lt;br /&gt;
86&lt;br /&gt;
Color&lt;br /&gt;
gris&lt;br /&gt;
gris&lt;br /&gt;
=== Abundancia y obtención ===&lt;br /&gt;
Los únicos minerales rentables para la extracción del [[germanio]] son la germanita (69% de Ge) y ranierita (7-8% de Ge); además está presente en el carbón, la argirodita y otros minerales. La mayor cantidad, en forma de óxido (GeO2), se obtiene como subproducto de la obtención del zinc o de procesos de combustión de carbón (en Rusia y China se encuentra el proceso en desarrollo).&lt;br /&gt;
La purificación del [[germanio]] pasa por su tetracloruro que puede ser destilado y luego es reducido al elemento con [[hidrógeno]] o con [[magnesio]] elemental.&lt;br /&gt;
Con pureza del 99,99%, para usos electrónicos se obtiene por refino mediante fusión por zonas resultando cristales de 25 a 35 mm usados en [[transistores]] y [[diodos]]; con esta técnica las impurezas se pueden reducir hasta 0,0001 ppm.&lt;br /&gt;
El desarrollo de los [[transistores]] de [[germanio]] abrió la puerta a numerosas aplicaciones electrónicas que hoy son cotidianas. Entre 1950 y a principios de los 70, la [[electrónica]] constituyó el grueso de la creciente demanda de [[germanio]] hasta que empezó a sustituirse por el silicio por sus superiores propiedades eléctricas. Actualmente la gran parte del consumo se destina a fibra óptica (cerca de la mitad), equipos de visión nocturna y catálisis en la polimerización de plásticos, aunque se investiga su sustitución por catalizadores más económicos. En el futuro es posible que se extiendan las aplicaciones electrónicas de las aleaciones silicio-[[germanio]] en sustitución del arseniuro de galio especialmente en las telecomunicaciones sin cable.&lt;br /&gt;
Además se investigan sus propiedades bactericidas ya que su toxicidad para los mamíferos es escasa.&lt;br /&gt;
=== Isótopos ===&lt;br /&gt;
El [[germanio]] tiene cinco isótopos estables siendo el más abundante el Ge-74 (35,94%). Se han caracterizado 18 radioisótopos de [[germanio]], siendo el Ge-68 el de mayor vida media con 270,8 días. Se conocen además 9 estados metaestables.&lt;br /&gt;
=== Precauciones ===&lt;br /&gt;
Algunos compuestos de [[germanio]] (tetrahidruro de [[germanio]] o germano) tienen una cierta toxicidad en los mamíferos pero son letales para algunas [[bacterias]]. También es letal para la taenia.&lt;br /&gt;
=== Toxicidad ===&lt;br /&gt;
El [[germanio]] se encuentra más comúnmente en la naturaleza como un contaminante de diversos minerales y es obtenido de los residuos de cadmio remanentes del procesado de los minerales de [[zinc]]. Las investigaciones toxicológicas han demostrado que el [[germanio]] no se localiza en ningún tejido dado que se excreta rápidamente principalmente por la orina. Las dosis excesivas de [[germanio]] lesionan los lechos capilares de los pulmones. Produce una diarrea muy marcada que provoca una [[deshidratación]], [[homoconcentración]], caída de la presión arterial e [[hipotermia]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== Referencias  ==&lt;br /&gt;
*Wikipedia [http://es.wikipedia.org/wiki/Germanio]&lt;br /&gt;
[[Category:Electrónica]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Jos%C3%A9_Manuel_Ricardo_Garc%C3%ADa&amp;diff=219520</id>
		<title>José Manuel Ricardo García</title>
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		<updated>2010-10-26T14:20:56Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: &lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Personaje_histórico|nombre=José Manuel Ricardo García |imagen=|descripción=|lugar_de_nacimiento=[[Banes]],  [[Holguín]], [[Cuba ]]|fecha_de_nacimiento=[[22 de septiembre]] de [[1932]]|fecha_de_fallecimiento=[[27 de diciembre]] de [[1958]]|lugar_de_fallecimiento=[[ Marcané]]}} &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&amp;lt;div align=&amp;quot;justify&amp;quot;&amp;gt;&lt;br /&gt;
'''José Manuel Ricardo García'''. Nació el [[22 de septiembre]] de [[1932]] en [[Cañadón]], [[Banes]]. &lt;br /&gt;
== Niñez  ==&lt;br /&gt;
Cursó sus primeros estudios en la [[Vega de Samá]] y a la edad de 12 años se trasladó a [[Santiago de Cuba]] donde terminó el Bachillerato. Como estudiante en el instituto comienza su lucha revolucionaria destacándose como hombre de acción, dirige una célula del [[M-26-7]].&lt;br /&gt;
== Adultez  ==&lt;br /&gt;
Administró el cine Rex en [[Santiago de Cuba]], convirtiéndolo en un punto de conspiración, participa en compra de armas que son enviadas a la [[Sierra]], viaja a la zona de [[Banes]], principalmente a [[Samá]] donde trae orientaciones y bonos para la venta. [[José Manuel]] es un elemento señalado y su vida corre peligro, trasladándose a [[Samá]] se incorpora a la [[Columna # 16]] del [[Ejército Rebelde]].&lt;br /&gt;
== Muerte  ==&lt;br /&gt;
A fines de [[1958]] la columna se traslada a la zona de [[Cueto]] con la misión de interceptar las tropas de [[Sosa Blanco]], le preparan una emboscada al ejército tiránico y [[José Manue]]l al lanzarse al ataque es alcanzado por la metralla. Fallece horas después en el hospital de [[Marcané]] el [[27 de diciembre]] de [[1958]]. &lt;br /&gt;
== Fuentes  ==&lt;br /&gt;
* Museo Histórico de Banes.&lt;br /&gt;
* CDIC Banes.&lt;br /&gt;
&amp;lt;/div&amp;gt; &lt;br /&gt;
[[Category:Mártir_revolucionario_cubano]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
	</entry>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=Jos%C3%A9_Manuel_Ricardo_Garc%C3%ADa&amp;diff=219493</id>
		<title>José Manuel Ricardo García</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=Jos%C3%A9_Manuel_Ricardo_Garc%C3%ADa&amp;diff=219493"/>
		<updated>2010-10-26T14:17:59Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Aldenis03044 jc.hlg: Página creada con '{{Personaje_histórico|nombre=José Manuel Ricardo García |lugar_de_nacimiento=Banes,  Holguín, Cuba |fecha_de_nacimiento=22 de septiembre de [[1932|fecha_de_f...'&lt;/p&gt;
&lt;hr /&gt;
&lt;div&gt;{{Personaje_histórico|nombre=José Manuel Ricardo García |lugar_de_nacimiento=[[Banes]],  [[Holguín]], [[Cuba ]]|fecha_de_nacimiento=[[22 de septiembre de [[1932]]|fecha_de_fallecimiento=[[27 de diciembre]] de [[1958]]|lugar_de_fallecimiento=[[ Marcané]]}} &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&amp;lt;div align=&amp;quot;justify&amp;quot;&amp;gt;&lt;br /&gt;
'''José Manuel Ricardo García'''. Nació el [[22 de septiembre]] de [[1932]] en [[Cañadón]], [[Banes]]. &lt;br /&gt;
== Niñez  ==&lt;br /&gt;
Cursó sus primeros estudios en la [[Vega de Samá]] y a la edad de 12 años se trasladó a [[Santiago de Cuba]] donde terminó el Bachillerato. Como estudiante en el instituto comienza su lucha revolucionaria destacándose como hombre de acción, dirige una célula del [[M-26-7]].&lt;br /&gt;
== Adultez  ==&lt;br /&gt;
Administró el cine Rex en [[Santiago de Cuba]], convirtiéndolo en un punto de conspiración, participa en compra de armas que son enviadas a la [[Sierra]], viaja a la zona de [[Banes]], principalmente a [[Samá]] donde trae orientaciones y bonos para la venta. [[José Manuel]] es un elemento señalado y su vida corre peligro, trasladándose a [[Samá]] se incorpora a la [[Columna # 16]] del [[Ejército Rebelde]].&lt;br /&gt;
== Muerte  ==&lt;br /&gt;
A fines de [[1958]] la columna se traslada a la zona de [[Cueto]] con la misión de interceptar las tropas de [[Sosa Blanco]], le preparan una emboscada al ejército tiránico y [[José Manue]]l al lanzarse al ataque es alcanzado por la metralla. Fallece horas después en el hospital de [[Marcané]] el [[27 de diciembre]] de [[1958]]. &lt;br /&gt;
== Fuentes  ==&lt;br /&gt;
* Museo Histórico de Banes.&lt;br /&gt;
* CDIC Banes.&lt;br /&gt;
&amp;lt;/div&amp;gt; &lt;br /&gt;
[[Category:Mártir_revolucionario_cubano]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Aldenis03044 jc.hlg</name></author>
		
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