== Sumario ==

== Estado de copyright: ==

== Fuente: ==

Usuario:Carlos02025 jc.hlg/Artículos

2012-03-25T20:01:20Z

Carlos02025 jc.hlg:

Torre de computadora

2012-03-25T19:58:33Z

Carlos02025 jc.hlg: Página creada con ' {{Definición|Torre computadora| |nombre= Torre Computadora |imagen=TorrePC.jpeg‎| }} '''Torre:''' Este termino se utiliza dentro de la [...'

{{Definición|Torre computadora|
|nombre= Torre Computadora
|imagen=TorrePC.jpeg‎|
}}
'''Torre:''' Este termino se utiliza dentro de la [[Informática]] para describir la caja donde se montan y conectan todos los dispositivos que componen la unidad central de la [[computadora]] personal.

==Historia==

Los primeros modelos eran grandes, en ellos había que situar la caja de los IBM Personal Computer/AT en soportes de ruedas para liberar el espacio en las mesas de trabajo.

Las primeras versiones conocidas mostraban dos bahías de 5,25¨ en vertical incluyendo una bahía de 3,5 en horizontal. La aparición de un formato de sobremesa compacto, dió lugar al surgimiento de los dos formatos más extendidos por entonces, el formato gran torre AT (6 o más bahías de 5,25 y 2 o más de 3,5) y el formato minitorre AT (dos de 5,25 y 2 de 3,5). estos mostraban gran comodidad para situar los componentes dentro de la caja.

Estos primeros modelos están compuestos de [[acero]], siendo tan sólidos podian soportar hasta 200 libras de peso encima de ellos, sin problemas.

Luego comienza a generalizarse en la gama baja los modelos de chapa, mientras que los de marca seguirán con el acero incluso tras del paso a ATX. El abaratamiento de costes hace también migrar la mayoría de fabricantes de cajas a [[Asia]]. Los frontales en cambio pasan con rapidez al [[plástico]] por la facilidad para cambiarlos y personalizarlos para los ensambladores. Es curioso que mientras que tornillos, cables, ranuras de fijación, hasta los protectores de la ranuras, se van estandarizando, no se alcanza un estándar en los protectores de las bahías vacías u ocupadas por [[unidades internas]], siendo la única parte que no se pude intercambiar entre los diferentes fabricantes.

En el año [[1995]] aparece en el mercado la [[ATX]] que muestra un cambio total en las cajas de pc. pues las minitorres se hacen más profundas debido a que la necesidad de sistemas de ventilación forzada, también ganan una bahía de altura, que no pierden hasta que aparezca MicroATX.

Entretanto se introducen otros materiales como el [[metacrilato]] o el [[aluminio]], bien en cajas completas, normalmente por entusiastas del modding, bien por marcas como Apple Inc.

==Diseños==

Los diseños de las torres a cambiado mucho en los ultimos años, recordando que las primeras torres en el mercado eran de forma paralelepípeda y color blanco o crema. Los nuevos diseñadores comienzan a fabricar los frontales intercambiables en colores, el color negro comienza a ser el imperante y la popularización del modding trae los laterales con ventana y los componentes con LEDs y tubos de luz. Se comienza a cubrir la unidades de disquete primero y luego las [[unidades ópticas]] con tapas que dejan un acabado liso. Comienzan a pasarse los conectores al frontal o lateral de la torre o a incluirlos en las bahías de 5,25 que no se usan, incluyendo controles adicionales.

Las minitorres suelen ser las elecciones más abundantes como base para los moddings. Por ejemplo, en el concurso realizado en el Euskal Encounter se utilizaron sendas minitorres para dos de los diseños ganadores, una cabeza de Reina Alien y al año siguiente un Predator.

==Importancia y selección==

Al seleccionar una caja para armar un PC, debemos tener en cuenta algunos aspectos, no solo la presencia de la caja muestra si será eficiente o no, Al configurar el equipo, probamos su resistencia y duresa.

También es importante revizar los bordes interiores de la caja, ya que en ocaciones presentan filos cortantes que afectan los diferentes [[dispositivos]] así como el riesgo de trabajar en el interior de la caja.

Otro aspecto importante es verificar que se pueda trabajar dentro de la caja, una caja muy reducida y con deficiencias podría dañar el montaje de las piezas en la caja.

De suma importancia es contar con ranuras de ventilación en la caja, esto facilitará la entrada y salida de aire, así como el correcto funcionamiento de los ventiladores situados dentro del chasis.

Las vibraciones, además de ser una fuente de ruido, son una de las principales causas de averías en [[discos duros]] y unidades ópticas (no olvidemos que un disco duro gira a 7200rpm y una unidad de [[DVD]] puede alcanzar las 9600rpm), con el inconveniente añadido de una tasa de vibración mucho más alta que la de un disco duro). Todos los ventiladores son también una fuente de vibraciones, que una buena caja debe absorber sin mayores problemas, no siendo una fuente de ruidos.

==Materiales empleados en su construcción==

Son varios los tipos de materiales que se usan para construir una caja para PC, esta puede ser de[[aluminio]], [[carbono]] o alguna [[aleación de metales]] y además de otros materiales, desde [[plástico]] hasta [[fibra de vidrio]] para darles el acabado.

==Fuente==

*Artículo [http://compupractica.galeon.com/Perifericos.html Torres] Disponible en: ´ compupractica.galeon.com/Perifericos ´. Consultado: 24 de marzo de 2012.

*Artículo [http://www.configurarequipos.com/doc870.html Configuración] Disponible en: ´ www.configurarequipos.com ´. Consultado: 23 de marzo de 2012.

*Artículo [http://www.configurarequipos.com/doc870.html Torres configuración] Disponible en: ´ www.configurarequipos.com/doc870.html ´. Consultado: 24 de marzo de 2012.

[[Category: Hardware]]

2012-02-10T14:20:32Z

Carlos02025 jc.hlg:

{{Normalizar|motivo=Motivo de la normalización}}
{{Ficha Persona
|nombre = William Morton
|nombre completo = William Thomas Green Morton
|otros nombres =
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|tamaño =
|descripción = Dentista
|fecha de nacimiento = [[9 de agosto]] de [[1819]]
[[Charlton]], [[Massachusetts]]
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|fecha de fallecimiento = [[15 de julio]] de [[1868]]
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|nacionalidad = Estadounidense.
}} <div align="justify">

'''William Morton.''' Fue el primero en realizar una [[cirugía]] con anestesia local, utilizando [[éter]] Inhalado, esta operación se realizó por primera vez en el [[Hospital]] General de [[Boston]], [[Massachussets]] el [[16 de octubre]] de [[1846]].

== Síntesis Biográfica ==

William Thomas Morton, nació el [[9 de agosto]] [[1819]], hijo de James y Rebecca Morton. Su padre era alfarero. Morton nunca se interesó por las labores de su padre, siempre se inclinó por la medicina, pero su padre no podía pagarle los estudios, a pesar de esto William consiguió graduarse en la Universidad de [[Baltimore]] en Cirugía Dental en en año [[1840]], a la edad de 21 años.

A partir de este momento comienza a practicar la [[odontología]], en el año [[1844]] contrae matrimonio con Elizabeth Whitman, de esta feliz unión nacieron cinco hijos.

Comienza a estudiar con [[Horace Wells]] en [[Hartford]], [[Connecticut]], abandonó la [[odontología]] y estudió medicina en la [[Universidad]] de [[Harvard]] y fue alumno privado de [[Charles T. Jackson]] Por su interes y dedicasión Jackson invitó a Morton a vivir en su propia casa.

Morton comienza a trabajar en la busqueda de una forma de aliviar el dolor al realizar operaciones dentales, estudió y utilizó el [[Éter]] como [[anestesia]] por primera vez en una operación realizada por el mismo. De esta forma quedo en la historia como el primero en usar Éter como anestesia.

Sus estudios sobre los [[gases]] continuó en [[Estados Unidos]], donde se trasladó luego de su primer descubrimiento, Morton sabía que existian algunos gases que eliminaban la sencibilidad al dolor en el [[cuerpo humano]], por esta razón descubrió nuevas [[sustancias]], entre ellas, el [[óxido nitroso]] (gas hilarante). En una conferencia que ofrecía William Morton, dió una de estas sustancias a un prestigioso profesor que era parte de la audiencia, la reacción al inhalar el Éter fue muy clara, el profesor se tambaleaba como en un estado de embriaguez.

Fueron muchos los que dudaron del efecto sedante de estas sustancias, no fue hasta noviembre de [[1846]], que el doctor [[Wendell Holmes]], define el uso de estas sustancias con el nombre de [[¨anestesia¨]]

== Logros Alcanzados ==

En este mismo año [[1846]], Morton y su amigo [[Horace Wells]] trabajaban juntos en la investigación sobre las sustancias. El propio Wells se brindó para que Morton le extrajera uno de sus dientes, utilizando [[óxido nitroso]], el resultado fue el esperado, Wells no sintió ningún dolor.

En un esperimento realizado en [[Boston]], frente a un grupo de estudiantes de medicina, Wells extrajo una pieza dental a un voluntario, pero la bolsa con el [[óxido nitroso]] fue retirada antes de tiempo y el paciente se quejó de mucho dolor, esto terminó con la carrera de Wells, quien terminó suicidandose en la cárcel en enero de 1848.

Después de estos sucesos Wlliam Morton, decidió no repetir los errores de su amigo Wells, consultó con uno de sus profesores , [[Charles T. Jackson]], quien le sujirió que utilizara [[Sulfuricether]], ([[éter sulfúrico]]), Morton estudió la posibilidad y disfrazó el olor del éter sulfúrico mezclando productos químicos aromáticos al compuesto obtenido finalmente Morton le llamó, ¨[[Letheon]]¨ , este compuesto funcionó de manera exitosa.

La fama de Morton comenzó a crecer a partir de este momento, un diario de [[Boston]], escribió de su éxito al día siguiente.

Un mes más tarde de el éxito, el [[16 de octubre]] del mismo año, Morton aplica otro experimento con el paciente [[Gilbert Abad]], utilizando el [[éter]], William Morton le extirpa un [[tumor]] de la mándibula, el paciente refirió tras la operación, no haber sentido ningún dolor.

Despues de estos triunfos Morton comete un grave error no permitiendo que otros doctores utilizaran su [[anestesia]] de éter, esto lo expuso a fuertes criticas y enfrentó una batalla legal con [[Charles Jackson]], sobre quien era realmente el descubridor de las propiedades anestesicas del Éter.

== Reconocimientos ==

Según los escritos Morton advirtió que su descubrimiento sería muy lucrativo, a partir de este momento comienza una carrera en la que se unió a Jackson en un contrato de ventas, este contrato dejaba fuera a Wells quien había experimentado y ayudado a Morton en sus trabajos con el [[óxido nitroso]].

Morton se trazó un plan ambicioso, su estrategía fue dividir a los [[Estados Unidos]] en jurisdicciones, cada una tendría un representante del propio Morton quien recaudaría el dinero, fijo la cantidad de anestesias papra cada jurisdicción, según la cantidad de avitantes de cada una.

Morton, sufrió grandes criticas, siempre afirmó que era el único conocedor de la fórmula de la anestesia, pero en poco tiempo quedó claro que era solo éter, disfrazado con la mezcla de otras sustancias.

Esto derrumbó el imperio que Morton pretendía construir, patentando su fórmula, al saberse que solo era éter cualquiera que quisiera utilizar la anestesia solo tenía que comprar Éter en cualquier droguería.

A pesar de todo Morton no se dió por vencido, continuó en su empeño de obtener un beneficio monetario de la anestesia, fue propuesto varias veces al Congreso de Estados Unidos, para un cuantioso premio por su aporte a la humanidad.

Finalmente Morton después de 20 años intentando hacer suyo el mérito del descubrimiento de la anestesia, pierde todos sus ahorros, en pleitos y demandas, en abogados y funcionarios de los que se rodeaba, tuvo que enfrentar varios rivales como el propio Jackson, el doctor [[Crawford W. Long]], ambos le disputaban a Morton el descubrimiento del éter como anestesia.

== Contribuciones a la ciencia ==

El descubrimiento de Morton, la primera [[anestesia]] quirúrgica, es uno de los grandes hitos de la historia de la medicina y significó un cambio radical de la [[cirugía]].

== Ultimos años ==

Finalmente vencido, Morton queda en la pobreza total y cae en la locura, a los 49 años de edad muere solitario en la ciudad de [[Nueva York]] el día [[15 de julio]] de [[1868]], sin ser reconocida su labor y su importante descubrimiento y entrega.

== Fuentes ==

*Artículo [http://revistaplatensedeanestesia.blogspot.com/2009/02/el-gran-momento-vida-de-william-thomas.html Tomas Morton] Disponible en ¨revistaplatensedeanestesia.blogspot.com¨ Consultado: el [[8 de febrero]] de [[2012]].

*Artículo [http://www.mcnbiografias.com/app-bio/do/show?key=morton-william-thomas-green William T. Morton] Disponible en ¨www.mcnbiografias.com¨ Consultado: el [[8 de febrero]] de [[2012]].

[[Categoría: Médico]]

Usuario:Carlos02025 jc.hlg/Artículos

2012-02-10T02:46:07Z

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2012-02-10T02:44:59Z

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2012-02-10T02:44:02Z

Carlos02025 jc.hlg:

William Thomas Morton

2012-02-10T02:40:27Z

Carlos02025 jc.hlg:

{{Ficha Persona
|nombre = William Morton
|nombre completo = William Thomas Green Morton
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|tamaño =
|descripción = Dentista
|fecha de nacimiento = [[9 de agosto ]] de [[1819 ]]
Charlton, Massachusetts
|lugar de nacimiento = [[Charlton]], [[Worchester]], [[Massachusetts]]
|fecha de fallecimiento = [[15 de julio]] de [[1868 ]]
|lugar de fallecimiento = [[Nueva York]], [[Estados Unidos ]]
|nacionalidad = Esatodunidense
}}
<div align="justify">

'''William Morton''', fue el primero en realizar una [[cirugía]] con anestesia local, utilizando [[Éter]] Inhalado, esta operación se realizó por primera vez en el [[Hospital]] General de [[Boston]], [[Massachussets]] el [[16 de octubre]] de [[1846]].

== Síntesis Biográfica ==

William Thomas Morton, nació el [[9 de agosto]] [[1819]], hijo de James y Rebecca Morton. Su padre era alfarero. Morton nunca se interesó por las labores de su padre, siempre se inclinó por la medicina, pero su padre no podía pagarle los estudios, a pesar de esto William consiguió graduarse en la [[Universidad de Baltimore]] en [[Cirugía Dental]] en en año [[1840]], a la edad de 21 años.

A partir de este momento comienza a practicar la [[odontología]], en el año [[1844]] contrae matrimonio con Elizabeth Whitman, de esta feliz unión nacieron cinco hijos.

Comienza a estudiar con [[Horace Wells]] en [[Hartford]], [[Connecticut]], aboandonó la [[odontología]] y estudió medicina en la [[Universidad]] de [[Harvard]] y fue alumno privado de [[Charles T. Jackson]] Por su interes y dedicasión Jackson invitó a Morton a vivir en su propia casa.

Morton comienza a trabajar en la busqueda de una forma de aliviar el dolor al realizar operaciones dentales, estudió y utilizó el [[Éter]] como [[anestesia]] por primera vez en una operación realizada por el mismo. De esta forma quedo en la historia como el primero en usar Éter como anestesia.

Sus estudios sobre los [[gases]] continuó en [[Estados Unidos]], donde se trasladó luego de su primer descubrimiento, Morton sabía que existian algunos gases que eliminaban la sencibilidad al dolor en el [[cuerpo humano]], por esta razón descubrió nuevas [[sustancias]], entre ellas, el [[óxido nitroso]] (gas hilarante). En una conferencia que ofrecía William Morton, dió una de estas sustancias a un prestigioso profesor que era parte de la audiencia, la reacción al inhalar el Éter fue muy clara, el profesor se tambaleaba como en un estado de embriaguez.

Fueron muchos los que dudaron del efecto sedante de estas sustancias, no fue hasta noviembre de [[1846]], que el doctor [[Wendell Holmes]], define el uso de estas sustancias con el nombre de [[¨anestesia¨]]

== Logros Alcanzados ==

En este mismo año [[1846]], Morton y su amigo [[Horace Wells]] trabajaban juntos en la investigación sobre las sustancias. El propio Wells se brindó para que Morton le extrajera uno de sus dientes, utilizando [[óxido nitroso]], el resultado fue el esperado, Wells no sintió ningún dolor.

En un esperimento realizado en [[Boston]], frente a un grupo de estudiantes de medicina, Wells extrajo una pieza dental a un voluntario, pero la bolsa con el [[óxido nitroso]] fue retirada antes de tiempo y el paciente se quejó de mucho dolor, esto terminó con la carrera de Wells, quien terminó suicidandose en la cárcel en enero de 1848.

Después de estos sucesos Wlliam Morton, decidió no repetir los errores de su amigo Wells, consultó con uno de sus profesores , [[Charles T. Jackson]], quien le sujirió que utilizara [[Sulfuricether]], ([[éter sulfúrico]]), Morton estudió la posibilidad y disfrazó el olor del éter sulfúrico mezclando productos químicos aromáticos al compuesto obtenido finalmente Morton le llamó, ¨[[Letheon]]¨ , este compuesto funcionó de manera exitosa.

La fama de Morton comenzó a crecer a partir de este momento, un diario de [[Boston]], escribió de su éxito al día siguiente.

Un mes más tarde de el éxito, el [[16 de octubre]] del mismo año, Morton aplica otro experimento con el paciente [[Gilbert Abad]], utilizando el [[éter]], William Morton le extirpa un [[tumor]] de la [[mandibula]], el paciente se refirió tras su recuperación de no haber sentido nada en la operación.

Despues de estos triunfos Morton comete un grave error no permitiendo que otros doctores utilizaran su [[anestesia]] de éter, esto lo expuso a fuertes criticas y enfrentó una batalla legal con [[Charles Jackson]], sobre quien era realmente el descubridor de las propiedades anestesicas del Éter.

== Reconocimientos ==

Según los escritos Morton advirtió que su descubrimiento sería muy lucrativo, a partir de este momento comienza una carrera en la que se unió a Jackson en un contrato de ventas, este contrato dejaba fuera a Wells quien había experimentado y ayudado a Morton en sus trabajos con el [[óxido nitroso]].

Morton se trazó un plan ambicioso, su estrategía fue dividir a los [[Estados Unidos]] en [[jurisdicciones]], cada una tendría un representante del propio Morton quien recaudaría el dinero, fijo la cantidad de anestesias papra cada jurisdicción, según la cantidad de avitantes de cada una.

Morton, sufrió grandes criticas, siempre afirmó que era el único conocedor de la [[fórmula]] de la anestesia, pero en poco tiempo quedó claro que era solo éter, disfrazado con la mezcla de otras sustancias.

Esto derrumbó el imperio que Morton pretendía construir, patentando su fórmula, al saberse que solo era éter cualquiera que quisiera utilizar la anestesia solo tenía que comprar [[Éter]] en cualquier [[droguería]].

A pesar de todo Morton no se dió por vencido, continuó en su empeño de obtener un beneficio monetario de la anestesia, fue propuesto varias veces al [[Congreso]] de [[Estados Unidos]], para un cuantioso premio por su aporte a la [[humanidad]].

Finalmente Morton después de 20 años intentando hacer suyo el mérito del descubrimiento de la anestesia, pierde todos sus ahorros, en pleitos y demandas, en abogados y funcionarios de los que se rodeaba, tuvo que enfrentar varios rivales como el propio Jackson, el doctor [[Crawford W. Long]], ambos le disputaban a Morton el descubrimiento del éter como anestesia.

== Contribuciones a la ciencia ==

El descubrimiento de Morton, la primera [[anestesia quirúrgica]], es uno de los grandes hitos de la historia de la medicina y significó un cambio radical de la [[cirugía]].

== Ultimos años ==

Finalmente vencido, Morton queda en la pobreza total y cae en la locura, a los 49 años de edad muere solitario en la ciudad de [[Nueva York]] el día [[15 de julio]] de [[1868]], sin ser reconocida su labor y su importante descubrimiento y entrega.

== Fuentes ==

*Artículo [http://revistaplatensedeanestesia.blogspot.com/2009/02/el-gran-momento-vida-de-william-thomas.html Tomas Morton] Disponible en ¨revistaplatensedeanestesia.blogspot.com¨ Consultado: el [[8 de febrero]] de [[2012]].

*Artículo [http://www.mcnbiografias.com/app-bio/do/show?key=morton-william-thomas-green William T. Morton] Disponible en ¨www.mcnbiografias.com¨ Consultado: el [[8 de febrero]] de [[2012]].

[[Categoría: Médico]]

2012-01-25T20:53:06Z

Carlos02025 jc.hlg:

Erving Goffman

2012-01-25T20:10:23Z

Carlos02025 jc.hlg: Página creada con '{{Ficha Persona |nombre = Erving Goffman |nombre completo = |otros nombres = |imagen = Erving Goffman.jpg |tamaño = |descripción = Sociólogo y Escritor. |fecha de nacimie...'

{{Ficha Persona
|nombre = Erving Goffman
|nombre completo =
|otros nombres =
|imagen = Erving Goffman.jpg
|tamaño =
|descripción = Sociólogo y Escritor.
|fecha de nacimiento = [[11 de junio ]] de [[1922]]
|lugar de nacimiento = [[Mannville]], [[Alberta]], [[Canadá]]
|fecha de fallecimiento = [[19 de noviembre ]] de [[1982]]
|lugar de fallecimiento = [[Filadelfia]], [[Pensilvania]], [[Estados Unidos]]
|nacionalidad = Canadiense.
}}
<div align="justify">
'''Erving Goffman'''. Fue uno de los sociólogos más importanes del [[siglo XX]], también se desempeñó como escritor, es considerado el padre de la [[microsociología]]. Siempre realizo sus estudios basándose en grupos reducidos de interacción entre las personas, diferenciándose así del resto de los estudios sociológicos que se habían hecho hasta el momento, que siempre eran a gran escala.
== Biografía ==
Goffman, nació en [[Alberta]], [[Canadá]], en [[1922]], hijo de inmigrantes [[judíos]] de Rusos, [[Max Goffman]] y [[Anne Goffman]], su hermana menor era la actriz [[Frances Goffman Bay]], contrajo matrimonio con [[Angelica Choate]] en [[1952]] con la que tuvo un hijo llamado [[Tom Goffman]][. Angelica se suicidó en el año [[1964]], la muerte de su esposa, dejó desconsolado a Goffman, pasó varios años es soledad, no fue sino hasta [1981]] que encuentra el amor nuevamente y se casa con con la lingüusta canadiense [[Gillian Sankoff]], de esta unión nació otra hija, [[Alice Goffman]].
No se encuentran muchos datos sobre su infancia, de adolescente asistió a la Universidad de [[Toronto]], donde alcanza la licenciatura en [[1945]]. Luego realiza estudios de posgrado en la Universidad de [[Chicago]], alcanzó el grado de Doctor en Sociología en el año [[1953]].
Se destacó como profesor en la Universidad de Chicago entre los años [[1952]] a [[1954]], Luego fue propuesto para ocupar el cargo de científico visitante en el Instituto Nacional
de Salud Mental en Bethesda, Maryland, donde trabajó hasta [[1957]].
Se incorpora como profesor en la Universidad de California, [[Berkeley]] entre los años [[1958]] a [[1968]], por su destacada labor pasó de profesor asistente a profesor de tiempo completo.
En el mismo año [[1968]], es propuesto para desempeñar el cargo de profesor de [[Antropología]] y Sociología en la Universidad de [[Pensilvania]], donde permaneció hasta su muerte en [[1982]].
== Formación académica ==
La fromación académica de Goffman fue muy amplia.
* Universidad de Chicago, [[1949]]-[[1953]],Doctorado
* Universidad de Toronto, [[1944]]-[[1945]], Bachiller
* Universidad de Manitoba, [[1939]]- Química
* Instituto Técnico St. John's, alrededor de [[1937]]
* Universidad de Chicago, [[1945]]-[[1949]], Licenciatura
== Premios recibidos ==
Este científico recibió a lo largo de su carrera numerosos premios, incluyendo una nominación para el National Book Critics Circle Award.
* Premio Mead-Cooley en psicología social
* In Medias Res, Premio Internacional de la Comunicación, [[1978]]
* Doctor en Leyes (LL.D.), Universidad de Manitoba, [[1976]]
* Becas Guggenheim, [[1977]]-[[1978]]
* Doctor en Literatura y Letras Hebreas (D.H.L.), Universidad de Chicago, [[1979]]
Su libro Formas de Hablar fue nominado para el Premio Nacional de Críticos Literarios, en [[1981]].
== Trabajos realizados ==
* [[1959]]: La presentación de la persona en la vida cotidiana", Amorrortu, Buenos Aires, [[1993]].)
* [[1961]]: Ensayos sobre la situación social de los enfermos mentales,Amorrortu, Buenos Aires, [[1994]].)
* [[1961]]: Encounters: Two Studies in the Sociology of Interaction - Fun in Games & Role Distance. Indianapolis, Bobbs-Merrill.
* [[1963]]: Behavior in public places: Notes on the social Organization of Gatherings. New York, Macmillan Publishing Co., Inc.
* [[1963]]: Estigma La identidad deteriorada, Amorrortu, Buenos Aires, [[2003]].)
* [[1967]]: Interaction Ritual: Essays on Face-to-Face Behavior. Anchor Books.
* [[1969]]: Strategic interactions
* [[1974]]: Frame analysis: los marcos de la experiencia, Centro de Investigaciones Sociológicas, Madrid, [[2006]])
* [[1981]]: Forms of Talk. Philadelphia: University of Pennsylvania Press.
En su obra La Presentación de la persona en la vida cotidiana, Goffman utiliza la metáfora teatral, para denominar el comportamiento de las personas en una realidad determinada. Ve a las personas con un enfoque de actores dramaturgos, y definir así las actuaciones de los individuos en sus interacciones, como si de una obra de teatro se tratase. Crea así una distinción básica en la interacción de cada individuo, entre la escena y la trasescena en el escenario existen todas las interacciones que la gente hace delante de los demás, mientras que la parte trasera domina toda las que se mantienen ocultas o se guardan.

En Estigma, Goffman trabaja a partir de las interacciones en un grupo en el que se encuentra un sujeto "estigmatizado" (social o históricamente). El peligro de ruptura de la interacción es mitigado, o incluso eliminado, mediante una serie de recursos e informaciones.

== Fuente ==
*Artículo [http://www.biografiasyvidas.com/biografia/g/goffman.htm/ Biografía]. Disponible en www.biografiasyvidas.com Consultado: el [[25 de enero]] de [[2012]].

[[Categoría: Personalidades]]

2012-01-23T21:20:15Z

Carlos02025 jc.hlg:

Celda fotoeléctrica

2012-01-23T16:04:08Z

Carlos02025 jc.hlg:

<div align="justify">
{{Objeto
|nombre=Celda fotoeléctrica
|imagen=FotoCelda.jpg
|tamaño=(220 × 219 píxeles)
|descripcion=Dispositivo a través del cual la energía luminosa es transformada en energía eléctrica.
}}'''Celda fotoeléctrica.''' Dispositivo electrónico que permite transformar la energía luminosa (fotones) en energía eléctrica (electrones) mediante el efecto fotovoltaico. Es también llamada fotocelda o celda fotovoltaica,

==Composición==
Están compuestas de un material que presenta efecto fotoeléctrico: absorben fotones de luz y emiten electrones. Cuando estos electrones libres son capturados, el resultado es una corriente eléctrica que puede ser utilizada como electricidad.

La eficiencia de conversión media obtenida por las células disponibles comercialmente (producidas a partir de silicio monocristalino) está alrededor del 11-12%, pero según la tecnología utilizada varía desde el 6% de las células de silicio amorfo hasta el 14-19% de las células de silicio monocristalino.

También existen Las células multicapa, normalmente de [[Arseniuro de galio]], que alcanzan eficiencias del 30%. En laboratorio se ha superado el 42% con nuevos paneles experimentales.[cita requerida]
La vida útil media a máximo rendimiento se sitúa en torno a los 25 años, período a partir del cual la potencia entregada disminuye.

==Principio de funcionamiento de la fotocelda eléctrica==
En un semiconductor expuesto a la luz, un [[fotón]] de energía arranca un [[electrón]], creando al pasar un «hueco». Normalmente, el electrón encuentra rápidamente un hueco para volver a llenarlo, y la energía proporcionada por el fotón, pues, se disipa.

El principio de una célula fotovoltaica es obligar a los electrones y a los huecos a avanzar hacia el lado opuesto del material en lugar de simplemente recombinarse en él: así, se producirá una [[diferencia de potencia]]l y por lo tanto tensión entre las dos partes del material, como ocurre en una [[pila]].
Para ello, se crea un [[campo eléctrico permanente]], a través de una unión pn, entre dos capas dopadas respectivamente, p y n:
*La capa superior de la celda se compone de silicio dopado de tipo n.

En esta capa, hay un número de electrones libres mayor que una capa de silicio puro, de ahí el nombre del dopaje n, como carga negativa (electrones). El material permanece eléctricamente neutro: es la red cristalina quien tiene globalmente una carga negativa.

*La capa inferior de la celda se compone de silicio dopado de tipo p. Esta capa tiene por lo tanto una cantidad media de electrones libres menor que una capa de silicio puro, los electrones están ligados a la red cristalina que, en consecuencia, está cargada positivamente. La [[conducción eléctrica]] está asegurada por los huecos, positivos (p).

==Usos==
Las células fotovoltaicas o fotoeléctricas se utilizan a veces solas (iluminación de jardín, calculadoras, ...) o agrupadas en paneles solares fotovoltaicos.
Se utilizan para reemplazar a las baterías (cuya energía es con mucho la más cara para el usuario), las células han invadido las calculadoras, relojes, aparatos, etc.

Es posible aumentar su rango de utilización almacenándola mediante un ( condensador o pilas). Cuando se utiliza con un dispositivo para almacenar energía, es necesario colocar un diodo en serie para evitar la descarga del sistema durante la noche.
Se utilizan para producir electricidad para muchas aplicaciones (satélites, parquímetros, ...), y para la alimentación de los hogares o en una red pública en el caso de una central solar fotovoltaica.

===Zona de Carga de Espacio===
En el momento de la creación de la unión pn, los electrones libres de la capa n entran en la capa p y se recombinan con los huecos en la región p.

Existirá así durante toda la vida de la unión, una carga positiva en la región n a lo largo de la unión (porque faltan electrones) y una carga negativa en la región en p a lo largo de la unión (porque los huecos han desaparecido); el conjunto forma la “Zona de Carga de Espacio” (ZCE) y existe un campo eléctrico entre las dos, de n hacia p.

Este [[campo eléctrico]] hace de la ZCE un [[diodo]], que solo permite el flujo de corriente en una dirección: los electrones pueden moverse de la región p a la n, pero no en la dirección opuesta y por el contrario los huecos no pasan más que de n hacia p.

En funcionamiento, cuando un fotón arranca un electrón a la matriz, creando un electrón libre y un hueco, bajo el efecto de este campo eléctrico cada uno va en dirección opuesta: los electrones se acumulan en la región n (para convertirse en polo negativo), mientras que los huecos se acumulan en la región dopada p (que se convierte en el polo positivo).

Este fenómeno es más eficaz en la (ZCE), donde casi no hay portadores de carga (electrones o huecos), ya que son anulados, o en la cercanía inmediata a la (ZCE): cuando un fotón crea un par electrón-hueco, se separaron y es improbable que encuentren a su opuesto, pero si la creación tiene lugar en un sitio más alejado de la unión, el electrón (convertido en hueco) mantiene una gran oportunidad para recombinarse antes de llegar a la zona n (resp. la zona p). Pero la ZCE es necesariamente muy delgada, así que no es útil dar un gran espesor a la célula.

En suma, una célula fotovoltaica es el equivalente de un [[Generador de Energía]] a la que hemos añadido un [[diodo]].
Es preciso añadir contactos eléctricos (que permitan pasar la luz: en la práctica, mediante un contacto de rejilla, una capa antireflectante para garantizar la correcta absorción de fotones, etc.

Para que la célula funcione, y produzca la potencia máxima de corriente se le añade la [[banda prohibida]] de los [[semiconductores]] a nivel de energía de los fotones. Es posible aumentar las uniones a fin de explotar al máximo el espectro de energía de los fotones, lo que produce las células multijuntas.

==Generaciones de células fotoeléctricas==

Las células fotoeléctricas se clasifican en tres generaciones que indican el orden de importancia y relevancia que han tenido históricamente. En el presente hay investigación en las tres generaciones mientras que las tecnologías de la primera generación son las que más están representadas en la producción comercial con el 89.6% de producción en 2007.
===Primera Generación===
Las células de la primera generación tienen gran superficie, alta calidad y se pueden unir fácilmente. Las tecnologías de la primera generación no permiten ya avances significativos en la reducción de los costes de producción. Los dispositivos formados por la unión de células de silicio se están acercando al límite de eficacia teórica que es del 31%[14] y tienen un periodo de amortización de 5-7 años.[15]

===La Segunda Generación===
Los materiales de la segunda generación han sido desarrollados para satisfacer las necesidades de suministro de energía y el mantenimiento de los costes de producción de las células solares.

Las técnicas de fabricación alternativas, como la deposición química de vapor, y la galvanoplastia tiene más ventajas,[16] ya que reducen la temperatura del proceso de forma significativa.
Uno de los materiales con más éxito en la segunda generación han sido las películas finas de teluro de cadmio (CdTe), CIGS, de silicio amorfo y de silicio microamorfo.

Estos materiales se aplican en una película fina en un sustrato de apoyo tal como el vidrio o la cerámica, la reducción de material y por lo tanto de los costos es significativa. Estas tecnologías prometen hacer mayores las eficiencias de conversión, en particular, el CIGS-CIS, el DSC y el CdTe que son los que ofrecen los costes de producción significativamente más baratos. Estas tecnologías pueden tener eficiencias de conversión más altas combinadas con costos de producción más baratos.

Entre los fabricantes, existe una tendencia hacia las tecnologías de la segunda generación, pero la comercialización de estas tecnologías ha sido difícil. En [[2007]], First Solar produjo 200 MW de células fotoeléctricas de CdTe, el quinto fabricante más grande de células en [[2007]]. [[Wurth Solar]] comercializó su tecnología de CIGS en [[2007]] produciendo 15 MW.

[[Nanosolar]] comercializó su tecnología de CIGS en [[2007]] y con una capacidad de producción de 430 MW para 2008 en los EEUU y Alemania. [[Honda]], también comenzó a comercializar su base de paneles solares CIGS en [[2008]]. En [[2007]], la producción de CdTe representó 4.7% del mercado, el silicio de película fina el 5.2%, y el CIGS 0.5%.

===Tercera generación===

Se denominan células solares de tercera generación a aquellas que permiten eficiencias de conversión eléctrica teóricas mucho mayores que las actuales y a un precio de producción mucho menor. La investigación actual se dirige a la eficiencia de conversión del 30-60%, manteniendo los materiales y técnicas de fabricación a un bajo costo.

Se puede sobrepasar el límite teórico de eficiencia de conversión de [[energía solar]] para un solo material, que fue calculado en [[1961]] por [[William Bradford Shockley]] y Queisser en el 31% No utilizan [[turbinas]] ni [[generador]] si no la luz natural del sol.

Existen diversos métodos para lograr esta alta eficiencia incluido el uso de célula fotovoltaica con multiunión, la concentración del espectro incidente, el uso de la generación térmica por [[luz ultravioleta]] para aumentar la tensión, o el uso del [[espectro infrarrojo]] para la actividad nocturna

==Técnica de fabricación==
El silicio es actualmente el material más comúnmente usado para la fabricación de células fotovoltaicas. Se obtiene por reducción de la sílice, compuesto más abundante en la corteza de la [[Tierra]], en particular en la arena o el [[cuarzo]].

El primer paso es la producción de silicio metalúrgico, puro al 98%, obtenido de pedazos de piedras de cuarzo provenientes de un filón mineral (la técnica de producción industrial no parte de la arena).El silicio se purifica mediante procedimientos químicos (Lavado + Decapado) empleando con frecuencia destilaciones de compuestos clorados de Silicio, hasta que la concentración de impurezas es inferior al 0.2 partes por millón.

Así se obtiene el Silicio grado semiconductor con un grado de pureza superior al requerido para la generación de Energía Solar Fotovoltaica. Este ha constituido la base del abastecimiento de materia prima para aplicaciones solares hasta la fecha, representando en la actualidad casi las tres cuartas partes del aprovisionamiento de las industrias.

Sin embargo, para usos específicamente solares, son suficientes (dependiendo del tipo de impureza y de la [[técnica de cristalización]]), concentraciones de impurezas del orden de una parte por millón. Al material de esta concentración se le suele denominar [[Silicio de grado solar]].

Con el silicio fundido, se realiza un proceso de crecimiento cristalino que consiste en formar capas monomoleculares alrededor de un germen de cristalización o de un cristalito inicial. Nuevas moléculas se adhieren preferentemente en la cara donde su adhesión libera más energía. Las diferencias energéticas suelen ser pequeñas y pueden ser modificadas por la presencia de dichas impurezas o cambiando las condiciones de cristalización.

La semilla o gérmen de cristalización que provoca este fenómeno es extraída del silicio fundido, que va solidificando de forma cristalina, resultando, si el tiempo es suficiente, un monocristal y si es menor, un policristal. La temperatura a la que se realiza este proceso es superior a los 1500 °C.

El procedimiento más empleado en la actualidad es el [[Proceso Czochralsk]]i, pudiéndose emplear también [[técnicas de colado]]. El Silicio cristalino así obtenido tiene forma de lingotes.

Estos lingotes son luego cortados en láminas delgadas cuadradas (si es necesario) de 200 micrómetros de espesor, que se llaman «obleas». Después del tratamiento para la inyección del enriquecido con dopante (P, As, Sb o B) y obtener así los semiconductores de silicio tipo P o N.

Después del corte de las obleas, las mismas presentan irregularidades superficiales y defectos de corte, además de la posibilidad de que estén sucias de polvo o virutas del proceso de fabricación.

Esta situación puede disminuir considerablemente el rendimiento del [[panel fotovoltaico]] así que se realizan un conjunto de procesos para mejorar las condiciones superficiales de las obleas tales como un lavado preliminar, la eliminación de defectos por ultrasonidos, el decapado, el pulido o la limpieza con productos químicos.

Para las celdas con más calidad (monocristal) se realiza un tratado de texturizado para hacer que la oblea absorba con más eficiencia la [[radiación solar]] incidente.

Posteriormente, las obleas son «metalizadas», un proceso que consiste en la colocación de unas cintas de metal incrustadas en la superficie conectadas a contactos eléctricos que són las que absorben la [[energía elecrica]] que generan las uniones P/N a causa de la [[irradicación solar]] y la transmiten.

La producción de células fotovoltaicas requiere energía, y se estima que un [[módulo fotovoltaico]] debe trabajar alrededor de 2 a 3 años[4] según su tecnología para producir la energía que fue necesaria para su producción (módulo de retorno de energía).

==Materiales de fabricación==
Estos son objeto de programas de investigación ambiciosos para reducir el costo y el reciclado de las células fotovoltaicas. Las tecnologías de película delgada sobre sustratos sin marcar recibió la aceptación de la industria más moderna.

En [[2006]] y [[2007]], el crecimiento de la producción mundial de paneles solares se ha visto obstaculizado por la falta de células de silicio y los precios no han caído tanto como se esperaba. La industria busca reducir la cantidad de silicio utilizado.

Las células monocristalinas han pasado de 300 micras de espesor a 200 y se piensa que llegarán rápidamente a las 180 y 150 micras, reduciendo la cantidad de silicio y la energía requerida, así como también el precio.

==Vea también==
*[[Sistema fotovoltaico]]
*[[Energía solar]]
*[[Fotoresistencia]]
*[[Fotodiodo]]
*[[Técnica fotoeléctrica]]

==Fuentes==
*[http://www.quiminet.com Q/pr4/Celdas%2Bfotoel%E9ctricas.htm Quiminet]
*[http://www.cosmos.com.mx/i/bcsm.htm Cosmos]
*[http://www.energia-solar-fotovoltaica.info /4_Paneles_Fotovoltaicos/7_Conceptos_basicos_de_generacion_fotovolaica_Celdas_fotovoltaic Conceptos Básicos Energía Solar]
*[http://www.c-electronicos.com.ar/documentos/Celda%20CECF1.doc Componentes electrónicos]
*[http://www.youtube.com/watch?v=jVGfNcEnZDk]
*[http://www.energia-solar-fotovoltaica.info/2_Breve_Historia/index.html Historia Energía solar]
*[http://es.wikipedia.org/wiki/C%C3%A9lula_fotoel%C3%A9ctrica Wiki]
*[http://www.energia-solar-fotovoltaica.info/5_Tecnologia_Solar_Fotovoltaica/index.html Tecnología Energía solar]
[[Category:Electrónica]]

Semiconductores

2012-01-23T15:37:51Z

Carlos02025 jc.hlg:

{{Normalizar|motivo=Completar los campos que requiere la plantilla.Estructurar las fuentes según las normas de la enciclopedia}}
{{Definición
|nombre= Semiconductores
|imagen= semiconductor.jpeg
|tamaño=

Los materiales semiconductores ocupan una posición intermedia en la escala de conductividades entre los conductores y los aislantes. Un material semiconductor es aquel que tiene una conductividad eléctrica intermedia, entre la de los metales y los aislantes; y otras propiedades físicas no usuales.
}}
<div align="justify">
'''[[Semiconductor]].''' Es un elemento que funciona como un [[conductor]] o como un [[aislante]] dependiendo de algunos factores, como el campo eléctrico o magnético, la [[radiación]], la presión o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

==Historia de los semiconductores==

La historia de los semiconductores comienza en su utilización con fines técnicos, se utilizaron como pequeños detectores [[diodos]] y se emplearon a principios del [[siglo XX]], en los [[radioreceptores]] de esa época.

En [[1940]] [[Russell Ohl]], investigador de los [[Laboratorios Bell]], realizó un descubrimiento que se basaba en que si a ciertos cristales se le añadía una pequeña cantidad de impurezas su [[conductividad eléctrica]] variaba cuando el material se exponía a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las [[celdas fotoeléctricas]] o solares.

En [[1947]] [[William Shockley]], investigador también de los Laboratorios Bell y [[Walter Houser Brattain]], junto a [[John Bardeen]], desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de [[germanio]] (Ge), al que denominaron “[[transistor]]” y que se convertiría en la base del desarrollo de la [[electrónica]] moderna.

Algunos semiconductores, como el [[silicio]] (Si), el [[germanio]] (Ge) y el [[selenio]] (Se), constituyen elementos que poseen características intermedias entre los cuerpos [[conductores]] y los [[aislantes]], por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulación de la [[corriente eléctrica]] en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esta propiedad se utiliza para rectificar [[corriente alterna]], detectar señales de radio, amplificar señales de corriente eléctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en [[Electrónica Digital]], entre otras.

La mayor o menor conductividad eléctrica que pueden presentar los materiales semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los [[metales]], a medida que la temperatura aumenta, la [[resistencia]] al paso de la corriente también aumenta, disminuyendo la [[conductividad]fila 1, celda 2]. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su fila 1, celda 2temperatura aumenta, la conductividad también aumenta.

Podemos decir que la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando diferentes métodos como:

Elevación de su temperatura
Introducción de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
Incrementando la iluminación.

==Tipos de semiconductores==

Se pueden clasificar en dos tipos:

'''Semiconductores intrínsecos''': son los que poseen una conductividad eléctrica fácilmente controlable y, al combinarlos de forma correcta, pueden actuar como interruptores, [[amplificadores]] o dispositivos de almacenamiento.

'''Semiconductores extrínsecos''': se forman al agregar a un semiconductor intrínseco sustancias dopantes o impurezas, su conductividad dependerá de la concentración de esos [[átomos]] dopantes.

Dependiendo de esas impurezas habrá dos tipos:

'''Semiconductores de tipo n''': En las redes de [[Si]] o [[Ge]] se introducen elementos del grupo 15 los cuales debido a que tienen un [[electrón]] mas en su capa de valencia que los elementos del grupo14 se comportan como impurezas donadoras de electrones o portadores negativos.

'''Semiconductores de tipo p''': En este caso se introducen elementos del grupo 13 que presentan un electrón menos en su capa de valencia, por lo que se comportan como aceptores o captadores de electrones.

==Elementos semiconductores==

{| class="wikitable" border="1"
|-
!Número atómico
!Nombre del elemento
!Pertenece a:
|-
| 48
| Cd ([[Cadmio]])
| [[Metales]]
|-
| 5
| B ([[Boro]])
| [[No metales]]
|-
| 13
| Al ([[Aluminio]])
| Metales
|-
| 31
| Ga ([[Galio]])
| Metales
|-
| 49
| In ([[Indio]])
| Metales
|-
| 14
| Si ([[Silicio]])
| Metaloides
|-
| 32
| Ge ([[Germanio]])
| [[Metaloides]]
|-
| 15
| P ([[Fósforo]])
| No metales
|-
| 33
| As ([[Arsénico]])
| Metaloides
|-
| 51
| Sb ([[Antimonio]])
| Metaloides
|-
| 16
| S ([[Azufre]])
| No metales
|-
| 34
| Se ([[Selenio]])
| No metales
|-
| 52
| Te ([[Telurio]])
| Metaloides
|-
|}

==Los semiconductores en la electrónica==

Los semiconductores poseen propiedades eléctricas, por lo que algunos de ellos son empleados dentro de esta industria. Los principales semiconductores dentro de la electrónica son:
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Tipos de semiconductores
! Ejemplos
|-
| Semiconductores simples
| Si, Ge
|-
| Semiconductores compuestos IV-IV
| SiC, SiGe
|-
| Semiconductores compuestos III-V
| GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP, InSb
|-
| Semiconductores compuestos II-VI
| ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe
|-
| Aleaciones
| AlxGa1–xAs, GaAs1–xPx, Hg1–xCdxTe, GaxIn1–xAs1–yPy
|}

==Aplicaciones de los semiconductores en dispositivos electrónicos==

Actualmente se han desarrollado muchos [[dispositivos electrónicos]], haciendo uso de sus propiedades de transporte, algunos de estos semiconductores son;

'''Termistores''': Su conductividad depende de la temperatura que alcance.

'''Transductores de presión''': Cuando aplicamos presión a este tipo de semiconductor, sus átomos se cierran, el gap de energía se estrecha y esto conlleva aque su conductividad aumente considerablemante.

'''Rectificadores''' (dispositivos de unión del tipo p-n): se producen uniendo los semiconductores del tipo n y p, formando una unión del tipo p-n, auándo ocurre esto los electrones se concentran en la unión del tipo n y los huecos en la unión p, este desquilibrio electrónico crea un voltaje mediante la unión.

'''Transistores de unión bipolar''': este transistor se utiliza como interruptor o amplificador, por lo general se utiliza en unidades de procesamiento central de las computadoras por la eficiencia en dar una respuesta rapida a la conmutación.

'''Transistores de efecto de campo''': son utilizados frecuentemente para almacenar información en la memoria de los [[ordenadores]]. El [[transistor]] de efecto de campo (FET), se comporta de forma algo distinta a los de unión [[bipolar]].

==Fuente==

*Artículo [http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor Semiconductores] Disponible en: ´ es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor ´. Consultado: 23 de noviembre de 2011.
*Artículo [http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_3.htm Semiconductores] Disponible en: ´ www.asifunciona.com ´. Consultado: 23 de noviembre de 2011.

[[Category: Semiconductores]]

Mantenimiento eléctrico

2012-01-23T15:21:18Z

Carlos02025 jc.hlg:

<div align="justify">
{{Definición
|imagen= Mantenimiento_Eléctrico.jpeg‎
|nombre= Mantenimiento Eléctrico.
}}'''Mantenimiento Eléctrico''': Conjunto de acciones oportunas, continúas y permanentes dirigidas a prever y asegurar el funcionamiento normal, la eficiencia y la buena apariencia de equipos eléctricos.

==Tipos de mantenimientos eléctricos==

* '''Mantenimiento rutinario:''' Este sistema nace en [[Japón]] y fue desarrollado por primera vez en [[1969]] en la empresa japonesa DENSO del grupo [[Toyota]] la cual se extendió por Japón durante los [[años 70]], luego inicia su implementación fuera de Japón a partir de los [[años 80]] es una actividad diaria y consiste en una serie de tareas, tales como: toma de datos, inspecciones visuales, limpieza, lubricación y reapriete de tornillos en equipos,máquinas e instalaciones en servicio; como a si también el cuidado y limpieza de los espacios comunes y no comunes del área demantenimiento. El personal que lo práctica no requiere de mucha especialización técnica pero informa novedades de todo tipo.

* '''Mantenimiento correctivo:''' Es un mantenimiento simple, que consiste en reparar la avería producida y es aplicable a equipos que permiten la interrupción operativa en cualquier momento, sin importar el tiempo de interrupción y sin afectar la seguridad del personal o bienes.

* '''Mantenimiento programado:''' Este método se basa en tener un programa de acción por falla de fiabilidad ocasional para un equipo determinado y en la oportunidad de detención.

* '''Mantenimiento preventivo:'''Se realiza retirando la máquina o equipo del servicio operativo para realizar inspecciones y sustituir (o no) componentes de acuerdo a una programación planificada y organizada con antelación. este tipo de mantenimiento es muy ventajoso.

* '''Mantenimiento predictivo:'''Este tipo de mantenimiento, permite un adecuado contorol por la mayor
frecuencia de inspecciones estando la máquina o equipo en funcionamiento, que es la forma adecuada de obtener datos concretos para el fin determinado de solucionar fallas.

==Importancia==

Es de conocimiento general que hoy en día, el mantenimiento eléctrico es necesario para muchos aspectos en la vida diaria,de una forma u otra, ya sea en talleres, frabricas u oficinas etc. sus equipos necesitan de mantenimiento. Esto nos lleva a la conclusión de que el mantenimiento eléctrico debe ser continuo.

El Mantenimiento Eléctrico permite detectar fallas que comienzan a gestarse y que pueden producir en el futuro cercano o a mediano plazo una parada de una planta y/o un [[siniestro]] afectando personas e instalaciones. Esto permite la reducción de los tiempos de parada al minimizar la probabilidad de salidas de servicio imprevistas, no programadas, gracias a su aporte en cuanto a la planificación de las reparaciones y del mantenimiento. Los beneficios de reducción de costos incluyen ahorros de energía, protección de los equipos, velocidad de inspección y diagnóstico, verificación rápida y sencilla de la reparación.

La aplicación del mantenimiento se verá reflejada en:
* Los [[costos]] de la producción.
* La calidad de los diferentes servicios.
* La capacidad operacional.
* La capacidad de respuesta ante situaciones de cambio.
* El uso de los medios de [[protección fisíca]].

==Objetivos==

* Reducir las paradas imprevistas de los diferentes equipos.
* Lograr que los equipos funcionen ininterrumpidamente y con [[eficiencia]].
* Llevar a cabo una inspección sistemática de todas las instalaciones, con intervalos de control para detectar oportunamente cualquier desgaste o rotura.
* Mantener permanentemente los equipos e instalaciones, en su mejor estado para evitar los tiempos de parada que aumentan los costos.
* Efectuar las reparaciones de emergencia lo más pronto posible.
* Prolongar la vida útil de los equipos e instalaciones al máximo.
* Conservar los bienes productivos en condiciones seguras y preestablecidas de operación.
* Gestionar el mantenimiento para que incluya todos los aspectos relativos dirigidos al departamento de Mantenimiento Eléctrico.
* Definir políticas de mantenimiento de calidad y seguridad.
* Clasificar los equipos en función de su importancia y qué modelo de mantenimiento debe ser aplicable a cada equipo.

==Funciones del Mantenimiento Eléctrico==

'''FUNCIONES PRIMARIAS:'''

* Mantener, reparar y revisar los equipos.
* Modificar, instalar, remover equipos defectuosos.
* Desarrollar programas de mantenimiento preventivo y programado.
* Selección y entrenamiento del personal.

'''FUNCIONES SECUNDARIAS:'''

* Asesorar la compra de los nuevos equipos.
* Hacer pedidos de repuestos y herramientas.
* Mantener los equipos de seguridad y demás sistemas de protección.
* Llevar la contabilidad e inventario de los equipos.

==Etapas para la organización y ejecución del Mantenimiento Eléctrico==

Para poder garantizar la disponibilidad operacional de equipos eléctricos, el mantenimiento debe ser ejecutado de manera continua y permanente a través de planes y objetivos precisos y claramente definidos. Teniendo en cuenta los siguientes términos:

* Acciones: Las acciones más importantes de mantenimiento eléctrico son: [[planificación]], [[programación]], [[ejecución]], [[supervisión]] y [[control]].

'''Estas pueden ser''':

* Continúas: Que duran o se hacen sin interrupciones.
* Permanentes: Con una duración constante.
* Predecir:Conocer, deducir lo que ha de suceder.
* Asegurar: Establecer, fijar sólidamente, preservar de daños a las personas y equipos.
* Funcionamiento: velar por el buen funcionamiento de los equipos.

==Selección del personal==

El personal que labora en el departamento de mantenimiento eléctrico debe poseer los conocimientos nesesarios para desempeñar esta labor, además de ser un personal de confianza.
Un aspecto muy importante dentro del personal de mantenimiento eléctrico es la capacitación constante del personal, esta capacitación debe consistir en asegurar:

* Que el departamento de mantenimiento eléctrico disponga de una reserva suficiente de personal calificado para cada una de las actividades técnicas.
* Que cada empleado comprenda la finalidad de su cometido concreto.
* Que los jefes técnicos produzcan unos datos analíticos de precisión conocida que sean significativos y contribuyan al logro de los objetivos del departamento.
* Los trabajadores de mantenimiento eléctrico solo realizaran las actividades para las cuales están calificados.

==Fuentes==

*Artículo [http://dspace.ups.edu.ec/ Mantenimiento Eléctrico] Disponible en: ´dspace.ups.edu.ec´. Consultado: 10 de noviembre de 2011.
*Artículo [http://www.estrucplan.com.ar/producciones/entrega.asp?identrega=196 Mantenimiento Eléctrico] Disponible en:´www.estrucplan.com.ar´. Consultado: 10 de noviembre de 2011.

[[Categoría:Ingenierías_y_Tecnologías]]
[[Categoría:Electricidad]]

Archivo:TorrePC.jpeg

2012-01-15T20:09:17Z

Carlos02025 jc.hlg: