EcuRed - Contribuciones del colaborador [es]

Transistor F3NK80Z

2022-12-30T16:36:40Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre=MOSFET F3NK80Z
|imagen=F3NK80Z.jpg
|tamaño=150px
|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.
}}
<div align=justify>
'''MOSFET F3NK80Z '''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).
== Descripción ==
El Mosfet F3NK80Z es de canal N y alto voltaje e incorpora Zener de protección en su estructura interna. Es fabricado por la [[STMicroelectronics]], la cual utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja [[resistencia]]. Este beneficio, combinado con la [[velocidad]] de conmutación y su diseño solido de dispositivos de los [[Transistor MOSFET|MOSFET]] de potencia, ofrece al diseñador una extremadamente eficiencia y un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
Este consta de 3 pines Puerta o Compuerta, Drenador y Surtidor encontrarlo con diferentes encapsulados TO-220, TO220FP, IPAK y DPAK los cuales se muestran en la figura I.

[[Image:Distri.png|thumb|right|250px|Figura I.]]

== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDDS)
|800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|2,5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 4,5Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|70W en (DPAK, IPAK ,TO220) 25W en TO220FP
|}
=== Fabricantes ===

{| class="wikitable" border="1"
|-
! Fabricantes
! Logo
|-
|[[STMicroelectronics]]
|[[Image:STMICROELECTRONICS.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|}
<div align=left>

== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]
*Equipos de computo
*[[Modulación por amplitud de pulsos|Circuitos de modulación por amplitud de pulso(PWM)]]

== Enlaces externos ==
*[https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=10780 alltransistors.com]

== Fuentes ==
*[https://datasheetspdf.com/pdf/650129/STMicroelectronics/F3NK80Z/1 datasheetspdf.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Archivo:F3NK80Z.jpg

2022-12-30T16:36:27Z

Laerte04011:

== Información de copyright: ==
internet
== Fuente: ==
Internet

Transistor F3NK80Z

2022-12-30T16:33:21Z

Laerte04011: /* Descripción */

{{Objeto|nombre=MOSFET F3NK80Z
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|tamaño=150px
|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.
}}
<div align=justify>
'''MOSFET F3NK80Z '''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).
== Descripción ==
El Mosfet F3NK80Z es de canal N y alto voltaje e incorpora Zener de protección en su estructura interna. Es fabricado por la [[STMicroelectronics]], la cual utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja [[resistencia]]. Este beneficio, combinado con la [[velocidad]] de conmutación y su diseño solido de dispositivos de los [[Transistor MOSFET|MOSFET]] de potencia, ofrece al diseñador una extremadamente eficiencia y un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
Este consta de 3 pines Puerta o Compuerta, Drenador y Surtidor encontrarlo con diferentes encapsulados TO-220, TO220FP, IPAK y DPAK los cuales se muestran en la figura I.

[[Image:Distri.png|thumb|right|250px|Figura I.]]

== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDDS)
|800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|2,5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 4,5Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|70W en (DPAK, IPAK ,TO220) 25W en TO220FP
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=== Fabricantes ===

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|-
! Fabricantes
! Logo
|-
|[[STMicroelectronics]]
|[[Image:STMICROELECTRONICS.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|}
<div align=left>

== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]
*Equipos de computo
*[[Modulación por amplitud de pulsos|Circuitos de modulación por amplitud de pulso(PWM)]]

== Enlaces externos ==
*[https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=10780 alltransistors.com]

== Fuentes ==
*[https://datasheetspdf.com/pdf/650129/STMicroelectronics/F3NK80Z/1 datasheetspdf.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor F3NK80Z

2022-12-30T16:31:50Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre=MOSFET F3NK80Z
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|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.
}}
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'''MOSFET F3NK80Z '''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).
== Descripción ==
El Mosfet F3NK80Z es de canal N y alto voltaje e incorpora Zener de protección en su estructura interna. Es fabricado por la [[STMicroelectronics]], la cual utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja [[resistencia]]. Este beneficio, combinado con la [[velocidad]] de conmutación y su diseño solido de dispositivos de los [[Transistor MOSFET|MOSFET]] de potencia, ofrece al diseñador una extremadamente eficiencia y un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta, y podemos encontrarlo con diferentes encapsulados TO-220, TO220FP, IPAK y DPAK los cuales se muestran en la figura I.

[[Image:Distri.png|thumb|right|250px|Figura I.]]

== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDDS)
|800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|2,5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 4,5Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|70W en (DPAK, IPAK ,TO220) 25W en TO220FP
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=== Fabricantes ===

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|-
! Fabricantes
! Logo
|-
|[[STMicroelectronics]]
|[[Image:STMICROELECTRONICS.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|}
<div align=left>

== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]
*Equipos de computo
*[[Modulación por amplitud de pulsos|Circuitos de modulación por amplitud de pulso(PWM)]]

== Enlaces externos ==
*[https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=10780 alltransistors.com]

== Fuentes ==
*[https://datasheetspdf.com/pdf/650129/STMicroelectronics/F3NK80Z/1 datasheetspdf.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Archivo:Distri.png

2022-12-30T16:30:56Z

Laerte04011:

== Información de copyright: ==
internet
== Fuente: ==
Internet

Transistor F3NK80Z

2022-12-30T16:26:38Z

Laerte04011: /* Aplicaciones */

{{Objeto|nombre=MOSFET F3NK80Z
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|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.
}}
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'''MOSFET F3NK80Z '''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).
== Descripción ==
[[Image: |thumb|right|250px|Figura I.]]
El Mosfet F3NK80Z es de canal N y alto voltaje e incorpora Zener de protección en su estructura interna. Es fabricado por la [[STMicroelectronics]], la cual utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja [[resistencia]]. Este beneficio, combinado con la [[velocidad]] de conmutación y su diseño solido de dispositivos de los [[Transistor MOSFET|MOSFET]] de potencia, ofrece al diseñador una extremadamente eficiencia y un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta, y podemos encontrarlo con diferentes encapsulados TO-220, TO220FP, IPAK y DPAK los cuales se muestran en la figura I.
== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDDS)
|800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|2,5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 4,5Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|70W en (DPAK, IPAK ,TO220) 25W en TO220FP
|}
=== Fabricantes ===

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|-
! Fabricantes
! Logo
|-
|[[STMicroelectronics]]
|[[Image:STMICROELECTRONICS.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|}
<div align=left>

== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]
*Equipos de computo
*[[Modulación por amplitud de pulsos|Circuitos de modulación por amplitud de pulso(PWM)]]

== Enlaces externos ==
*[https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=10780 alltransistors.com]

== Fuentes ==
*[https://datasheetspdf.com/pdf/650129/STMicroelectronics/F3NK80Z/1 datasheetspdf.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor F3NK80Z

2022-12-30T16:24:16Z

Laerte04011: /* Aplicaciones */

{{Objeto|nombre=MOSFET F3NK80Z
|imagen=
|tamaño=150px
|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.
}}
<div align=justify>
'''MOSFET F3NK80Z '''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).
== Descripción ==
[[Image: |thumb|right|250px|Figura I.]]
El Mosfet F3NK80Z es de canal N y alto voltaje e incorpora Zener de protección en su estructura interna. Es fabricado por la [[STMicroelectronics]], la cual utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja [[resistencia]]. Este beneficio, combinado con la [[velocidad]] de conmutación y su diseño solido de dispositivos de los [[Transistor MOSFET|MOSFET]] de potencia, ofrece al diseñador una extremadamente eficiencia y un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta, y podemos encontrarlo con diferentes encapsulados TO-220, TO220FP, IPAK y DPAK los cuales se muestran en la figura I.
== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDDS)
|800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|2,5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 4,5Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|70W en (DPAK, IPAK ,TO220) 25W en TO220FP
|}
=== Fabricantes ===

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|-
! Fabricantes
! Logo
|-
|[[STMicroelectronics]]
|[[Image:STMICROELECTRONICS.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|}
<div align=left>

== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
*[[Inversor|Inversores]]
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]
*Equipos de computo
*[[Modulación por amplitud de pulsos|Circuitos de modulación por amplitud de pulso(PWM)]]

== Enlaces externos ==
*[https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=10780 alltransistors.com]

== Fuentes ==
*[https://datasheetspdf.com/pdf/650129/STMicroelectronics/F3NK80Z/1 datasheetspdf.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor F3NK80Z

2022-12-30T16:23:40Z

Laerte04011: /* Aplicaciones */

{{Objeto|nombre=MOSFET F3NK80Z
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|tamaño=150px
|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.
}}
<div align=justify>
'''MOSFET F3NK80Z '''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).
== Descripción ==
[[Image: |thumb|right|250px|Figura I.]]
El Mosfet F3NK80Z es de canal N y alto voltaje e incorpora Zener de protección en su estructura interna. Es fabricado por la [[STMicroelectronics]], la cual utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja [[resistencia]]. Este beneficio, combinado con la [[velocidad]] de conmutación y su diseño solido de dispositivos de los [[Transistor MOSFET|MOSFET]] de potencia, ofrece al diseñador una extremadamente eficiencia y un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta, y podemos encontrarlo con diferentes encapsulados TO-220, TO220FP, IPAK y DPAK los cuales se muestran en la figura I.
== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDDS)
|800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|2,5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 4,5Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|70W en (DPAK, IPAK ,TO220) 25W en TO220FP
|}
=== Fabricantes ===

{| class="wikitable" border="1"
|-
! Fabricantes
! Logo
|-
|[[STMicroelectronics]]
|[[Image:STMICROELECTRONICS.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|}
<div align=left>

== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
*[[Inversor|Inversores]]
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]
*Equipos de computo
*[[Modulación por amplitud de pulsos|Circuitos de modulación por amplitud de pulso(PWM)]]
== Enlaces externos ==
*[https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=10780 alltransistors.com]

== Fuentes ==
*[https://datasheetspdf.com/pdf/650129/STMicroelectronics/F3NK80Z/1 datasheetspdf.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor F3NK80Z

2022-12-30T16:22:57Z

Laerte04011: /* Fabricantes */

{{Objeto|nombre=MOSFET F3NK80Z
|imagen=
|tamaño=150px
|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.
}}
<div align=justify>
'''MOSFET F3NK80Z '''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).
== Descripción ==
[[Image: |thumb|right|250px|Figura I.]]
El Mosfet F3NK80Z es de canal N y alto voltaje e incorpora Zener de protección en su estructura interna. Es fabricado por la [[STMicroelectronics]], la cual utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja [[resistencia]]. Este beneficio, combinado con la [[velocidad]] de conmutación y su diseño solido de dispositivos de los [[Transistor MOSFET|MOSFET]] de potencia, ofrece al diseñador una extremadamente eficiencia y un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta, y podemos encontrarlo con diferentes encapsulados TO-220, TO220FP, IPAK y DPAK los cuales se muestran en la figura I.
== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDDS)
|800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|2,5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 4,5Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|70W en (DPAK, IPAK ,TO220) 25W en TO220FP
|}
=== Fabricantes ===

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|-
! Fabricantes
! Logo
|-
|[[STMicroelectronics]]
|[[Image:STMICROELECTRONICS.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|}
<div align=left>

== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
*[[Inversor|Inversores]]
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]
*Equipos de computo
*[[Modulación por amplitud de pulsos|Circuitos de modulación por amplitud de pulso(PWM)]]
== Enlaces externos ==
*[ https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=10780 alltransistors.com]
== Fuentes ==
*[https://datasheetspdf.com/pdf/650129/STMicroelectronics/F3NK80Z/1 datasheetspdf.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor F3NK80Z

2022-12-30T16:21:44Z

Laerte04011: /* Fabricantes */

{{Objeto|nombre=MOSFET F3NK80Z
|imagen=
|tamaño=150px
|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.
}}
<div align=justify>
'''MOSFET F3NK80Z '''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).
== Descripción ==
[[Image: |thumb|right|250px|Figura I.]]
El Mosfet F3NK80Z es de canal N y alto voltaje e incorpora Zener de protección en su estructura interna. Es fabricado por la [[STMicroelectronics]], la cual utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja [[resistencia]]. Este beneficio, combinado con la [[velocidad]] de conmutación y su diseño solido de dispositivos de los [[Transistor MOSFET|MOSFET]] de potencia, ofrece al diseñador una extremadamente eficiencia y un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta, y podemos encontrarlo con diferentes encapsulados TO-220, TO220FP, IPAK y DPAK los cuales se muestran en la figura I.
== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDDS)
|800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|2,5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 4,5Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|70W en (DPAK, IPAK ,TO220) 25W en TO220FP
|}
=== Fabricantes ===

{| class="wikitable" border="1"
|-
! Fabricantes
! Logo
|-
|[[STMicroelectronics]]
|-
|[[STMICROELECTRONICS.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|}
<div align=left>

== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
*[[Inversor|Inversores]]
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]
*Equipos de computo
*[[Modulación por amplitud de pulsos|Circuitos de modulación por amplitud de pulso(PWM)]]
== Enlaces externos ==
*[ https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=10780 alltransistors.com]
== Fuentes ==
*[https://datasheetspdf.com/pdf/650129/STMicroelectronics/F3NK80Z/1 datasheetspdf.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor F3NK80Z

2022-12-30T16:20:34Z

Laerte04011: Página creada con «{{Objeto|nombre=MOSFET F3NK80Z |imagen= |tamaño=150px |descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación. }} <div align=justify> '''MOSFET F3NK80…»

{{Objeto|nombre=MOSFET F3NK80Z
|imagen=
|tamaño=150px
|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.
}}
<div align=justify>
'''MOSFET F3NK80Z '''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).
== Descripción ==
[[Image: |thumb|right|250px|Figura I.]]
El Mosfet F3NK80Z es de canal N y alto voltaje e incorpora Zener de protección en su estructura interna. Es fabricado por la [[STMicroelectronics]], la cual utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja [[resistencia]]. Este beneficio, combinado con la [[velocidad]] de conmutación y su diseño solido de dispositivos de los [[Transistor MOSFET|MOSFET]] de potencia, ofrece al diseñador una extremadamente eficiencia y un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta, y podemos encontrarlo con diferentes encapsulados TO-220, TO220FP, IPAK y DPAK los cuales se muestran en la figura I.
== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDDS)
|800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|2,5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 4,5Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|70W en (DPAK, IPAK ,TO220) 25W en TO220FP
|}
=== Fabricantes ===

{| class="wikitable" border="1"
|-
! Fabricantes
! Logo
|-
|[[STMicroelectronics]]
|[[STMICROELECTRONICS.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|}
<div align=left>
== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
*[[Inversor|Inversores]]
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]
*Equipos de computo
*[[Modulación por amplitud de pulsos|Circuitos de modulación por amplitud de pulso(PWM)]]
== Enlaces externos ==
*[ https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=10780 alltransistors.com]
== Fuentes ==
*[https://datasheetspdf.com/pdf/650129/STMicroelectronics/F3NK80Z/1 datasheetspdf.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Mosfet IRF840

2022-12-30T15:35:51Z

Laerte04011: /* Fabricantes */

{{Objeto|nombre=MOSFET IRF840
|imagen=IRF840.jpeg
|tamaño=150px
|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.
}}
<div align=justify>
'''MOSFET IRF840'''.Transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de alta tensión y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrónica.
== Descripción ==
[[Image:ExtIRF840.jpeg|thumb|Right|150px|Figura I.]]
Fabricado por la International Rectifier entre otros fabricantes que más adelante se detallarán, es de cana N de tipo enriquecimiento de silicio, diseñado para soportar un determinado nivel de energía en el modo de operación avalancha, alta velocidad de conmutación en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO-220AB y consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta los mismos también pueden encontrarse en otros tipos de encapsulados. En la siguiente figura I. se muestra su distribución de pines y estructura interna.

== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDDS)
|800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 0.850Ω
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|120W
|-
|Canal
|N
|}
=== Fabricantes ===
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Fabricantes
! Logo
|-
|[[Motorola,Inc]]
|[[Image:MOTOROLA.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|[[NXP Semiconductors]]
|[[Image:NXP.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|[[STMicroelectronics]]
|[[Image:STMICROELECTRONICS.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|[[Samsung semiconductor]]
|[[Image:SAMSUNG.GIF‎|thumb|center|150px]]
|-
|[[Fairchild Semiconductor]]
|[[Image:FAIRCHILD.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|[[International Rectifier]]
|[[Image:International_Rectifier.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|[[TRANSYS Electronics Limited]]
|[[Image:Transys Electronics Limited.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|[[Suntac Electronic Corp.]]
|[[Image:SUNTAC.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|[[Inchange Semiconductor Company Limited]]
|[[Image:ISC.GIF|thumb|center|150px]]
|}
<div align=left>

== Aplicaciones ==
*Reguladores conmutados
*Convertidores de conmutación
*Controladores de motor
*Conductores de relevo

== Enlace externo ==
*[http://hlev.info/mosfet/transistor.php?transistor=2572 mosfet]

== Fuente ==
*[http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/52972/FAIRCHILD/IRF840 alldatasheet.com]

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Archivo:STMICROELECTRONICS.GIF

2022-12-30T15:35:25Z

Laerte04011: Laerte04011 subió una nueva versión de Archivo:STMICROELECTRONICS.GIF

== Sumario ==

== Estado de copyright: ==
Restringido
== Fuente: ==
Internet

Usuario:Laerte04011

2022-12-30T14:29:14Z

Laerte04011:

{{Ficha_Usuario_(avanzada)
|imagen=Laerte.jpg
|apellidos=Fernández Ortega
|nombre=Laerte
|nivel=Universitario
|título=Ing. Eléctrico
|postgrado=
|temas=
|institución=[[Joven Club de Computación de Camagüey]]<br>{{Usuario:Laerte04011/Distinciones}}
|municipio=Minas
|provincia=Camagüey
|país=Cuba
|seguimiento=yes
|colaboradores=yes
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}}

Me llamo Laerte Fernández Ortega vivo en el municipio [[Minas]], provincia [[Camagüey]], trabajo en el [[Joven Club de Computación y Electrónica Minas I]].<br>En el año [[2002]] me incorporé a trabajar en el movimiento de los Joven Club de Computación y Electrónica, allí me desempeñe como técnico de hard hasta el año 2008, donde pase a ocupar el cargo de Especialista Principal y en el 2010 pase a Director Municipal hasta el 2017. Actualmente soy instructor en dicho centro. <br>Soy graduado de nivel superior en la especialidad de eléctrica desde el año [[2004]] en la [[Universidad de Camagüey]]. Al abrirse por primera vez para los trabajadores de Joven Club la maestría en cursos por encuentro me gradué como Master en Nuevas Tecnologías en el [[2007]]. Mi correo electrónico es laerte.fernandez@cmg.jovenclub.cu y mi dirección Calle 10 No 5 Rpto San Antonio, Minas, Camagüey.

<div style="float:right; width:36%">
{{Sistema:Cuadro|amarillo
|título=Etiquetas
|enlace=
|logo=Heckert GNU.png
|px=19
|leyenda=
|altura=200
|contenido=
{{Usuario:Etiquetas/JCCE}}
{{Usuario:Etiquetas/Mozilla}}
{{Usuario:Etiquetas/Barcelona}}
{{Usuario:Etiquetas/Años|[[24 de septiembre]]}}
{{Usuario:Ruslan_unhicch/Contador|día=18|mes=03|año=2011}}
}}
</div>

== Artículos Publicados ==
===Personalidades===
#[[Daniellys Betancourt León]]
===Electrónica===
#[[Relé|Relé]]
#[[Amplificador Operacional]]
#[[Resistor]]
#[[Electrónica de potencia]]
#[[Cicloconversores]]
#[[Rectificadores]]
#[[Transistor IGBT]]
#[[Transistor de inducción estática]]
#[[Diodos de potencia]]
#[[Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR)]]
#[[Tiristor desactivado por compuerta (GTO)]]
#[[Fototransistor]]
#[[Circuitos recortadores de ondas]]
#[[Tiristor controlado por MOS]]
#[[Transistor 2N3054]]
#[[Transistor 2N2222]]
#[[Transistor 2N2907]]
#[[Transistor 2N3904]]
#[[MOSFET IRFZ44N]]
#[[Mosfet IRF840]]
#[[Compuerta AND]]
#[[Tiristor de inducción estática]]
#[[Tiristor de conducción inversa]]
#[[Sensor hall]]
#[[Transistor MJE13007]]
#[[Transistor STW13009]]
#[[IRFZ10]]
#[[TRIAC BTA06]]
#[[Tiristor BT151-500]]
#[[Transistor TIP122]]
#[[Diodo BY255]]
#[[Transistor KT829]]
#[[Transistor KT872]]
#[[Transistor 2SC5386]]
#[[Transistor NTE2353]]
#[[Transistor 2SD1275]]
#[[Transistor 2SD2061]]
#[[Transistor 2SC4686]]
#[[Transistor 2SC1173]]
#[[Transistor 2SD2091]]
#[[Transistor 2SD1351]]
#[[Transistor 2SD2131]]
#[[Transistor 2SC5027]]
#[[Transistor 2SA1568]]
#[[Transistor IGBT IKW30N60T]]
#[[IRFBC40]]
#[[IRF9540]]
#[[Transistor TIP140]]
#[[Transistor KT815]]
#[[Transistor KT814]]
#[[Transistor 2SA733]]
#[[Transistor BU508]]
#[[Modulador de ancho de pulso SD4841]]
#[[Modulador de ancho de pulso FSDH321]]
#[[MOSFET 2SK2485]]
#[[Transistor DTC114EM]]
#[[Transistor 2SC3998]]
#[[Transistor IGBT FGH40N60]]
#[[2SK1317]][[Image:Nuevo!_gif.gif]]
#[[F3NK80Z]][[Image:Nuevo!_gif.gif]]
===Deportistas===
#[[Fernando Tejeda González]]
#[[Marta Mangué González]]<br />
#[[Carlos Coloma Nicolás]]
#[[Cecilia Tait]]
#[[Thomas Röhler ]]
#[[Shaquille O´Neal]]
#[[Aliyá Mustáfina]]
#[[Daniel Caverzaschi]]
#[[Lara González Oteiza]]
#[[Carlos Alonso González]]
#[[Enrique Castro González]]

Transistor 2SK1317

2022-12-26T19:39:04Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre=MOSFET 2SK1317
|imagen=2sk1317.jpg ‎
|tamaño=150px
|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de rápida conmutación.
}}
<div align="justify">
'''MOSFET 2SK1317'''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de rápida conmutación.
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por la [[Renesas]], [[HITACHI Semiconductor]] entre otros, proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, alto voltaje, y costo-efectividad. Adecuado para regulador de conmutación, convertidor CD-CD y controlador de motor.

Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta y su encapsulado TO-3P es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía. La baja [[conductividad térmica]], resistencia y bajo costo del encapsulado contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.

== Principales características ==
<div align="center">
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDSS)
|1500V
|-
| [[Voltaje]] Compuerta Surtidor (VDSS)
|20V
|-

|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|2,5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 12Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación (PD)
|100W
|}

=== Fabricantes ===

{| class="wikitable" border="1"
|-
! Fabricantes
! Logo

|-
|[[ Renesas]]
|[[Image:Renesas.jpg|thumb|center|150px]]
|-
|[[ HITACHI Semiconductor]]
|[[Image:Hitachi_semiconductor.jpg|thumb|center|150px]]
|-
|}

<div align="left">

== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:

*[[Convertidores de CD-CD]]
*[[Controladores de Motor]]
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]

== Enlaces externos ==
*[https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=14885 alltransistors.com]

== Fuentes ==
*[http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/2/S/K/1/2SK1317.shtml datasheetcatalog.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]]
[[Category:Componentes electrónicos]]

Archivo:2sk1317.jpg

2022-12-26T19:38:33Z

Laerte04011:

== Información de copyright: ==
internet
== Fuente: ==
Internet

Transistor 2SK1317

2022-12-26T19:36:34Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre=MOSFET 2SK1317
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|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de rápida conmutación.
}}
<div align="justify">
'''MOSFET 2SK1317'''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de rápida conmutación.
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por la [[Renesas]], [[HITACHI Semiconductor]] entre otros, proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, alto voltaje, y costo-efectividad. Adecuado para regulador de conmutación, convertidor CD-CD y controlador de motor.

Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta y su encapsulado TO-3P es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía. La baja [[conductividad térmica]], resistencia y bajo costo del encapsulado contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.

== Principales características ==
<div align="center">
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDSS)
|1500V
|-
| [[Voltaje]] Compuerta Surtidor (VDSS)
|20V
|-

|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|2,5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 12Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación (PD)
|100W
|}

=== Fabricantes ===

{| class="wikitable" border="1"
|-
! Fabricantes
! Logo

|-
|[[ Renesas]]
|[[Image:Renesas.jpg|thumb|center|150px]]
|-
|[[ HITACHI Semiconductor]]
|[[Image:Hitachi_semiconductor.jpg|thumb|center|150px]]
|-
|}

<div align="left">

== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:

*[[Convertidores de CD-CD]]
*[[Controladores de Motor]]
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]

== Enlaces externos ==
*[https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=14885 alltransistors.com]

== Fuentes ==
*[http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/2/S/K/1/2SK1317.shtml datasheetcatalog.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]]
[[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor 2SK1317

2022-12-26T19:36:00Z

Laerte04011: /* Principales características */

Transistor 2SK1317

2022-12-26T19:33:28Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre=MOSFET 2SK1317
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}}
<div align="justify">
'''MOSFET 2SK1317'''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de rápida conmutación.
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por la [[Renesas]], [[HITACHI Semiconductor]] entre otros, proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, alto voltaje, y costo-efectividad. Adecuado para regulador de conmutación, convertidor CD-CD y controlador de motor.

Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta y su encapsulado TO-3P es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía. La baja [[conductividad térmica]], resistencia y bajo costo del encapsulado contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.

== Principales características ==
<div align="center">
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDSS)
|1500V
|-
| [[Voltaje]] Compuerta Surtidor (VDSS)
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|-

|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
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|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 12Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación (PD)
|100W
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=== Fabricantes ===

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|-
! Fabricantes
! Logo

|-
|[[ Renesas]]
|<nowiki>[[Image:Renesas.jpg|thumb|center|150px]] </nowiki>
|-
|[[ HITACHI Semiconductor]]
|<nowiki>[[Image:Hitachi_semiconductor.jpg|thumb|center|150px]]</nowiki>
|-
|}

<div align="left">
== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:

*[[Convertidores de CD-CD]]
*[[Controladores de Motor]]
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]

== Enlaces externos ==
*[https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=14885 alltransistors.com]

== Fuentes ==
*[http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/2/S/K/1/2SK1317.shtml datasheetcatalog.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]]
[[Category:Componentes electrónicos]]

Archivo:Renesas.jpg

2022-12-26T19:33:10Z

Laerte04011:

== Información de copyright: ==
internet
== Fuente: ==
datasheetcatalog.com

Archivo:Hitachi semiconductor.jpg

2022-12-26T19:30:57Z

Laerte04011:

== Información de copyright: ==
internet
== Fuente: ==
datasheetcatalog.com

Transistor 2SK1317

2022-12-26T19:29:26Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre=MOSFET 2SK1317
|imagen=
|tamaño=150px
|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de rápida conmutación.
}}
<div align="justify">
'''MOSFET 2SK1317'''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de rápida conmutación.
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por la [[Renesas]], [[HITACHI Semiconductor]] entre otros, proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, alto voltaje, y costo-efectividad. Adecuado para regulador de conmutación, convertidor CD-CD y controlador de motor.

Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta y su encapsulado TO-3P es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía. La baja [[conductividad térmica]], resistencia y bajo costo del encapsulado contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.

== Principales características ==
<div align="center">
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDSS)
|1500V
|-
| [[Voltaje]] Compuerta Surtidor (VDSS)
|20V
|-

|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|2,5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 12Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación (PD)
|100W
|}

=== Fabricantes ===

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|-
! Fabricantes
! Logo

|-
|[[ Renesas]]
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|-
|[[ HITACHI Semiconductor]]
|<nowiki>[[Image: |thumb|center|150px]]</nowiki>
|-
|}

<div align="left">
== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:

*[[Convertidores de CD-CD]]
*[[Controladores de Motor]]
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]

== Enlaces externos ==
*[https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=14885 alltransistors.com]

== Fuentes ==
*[http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/2/S/K/1/2SK1317.shtml datasheetcatalog.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]]
[[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor 2SK1317

2022-12-26T19:27:50Z

Laerte04011: /* Descripción */

{{Objeto|nombre=MOSFET 2SK1317
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|tamaño=150px
|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de rápida conmutación.
}}
<div align="justify">
'''MOSFET 2SK1317'''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de rápida conmutación.
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por la [[Renesas]], [[HITACHI Semiconductor]] entre otros, proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, alto voltaje, y costo-efectividad. Adecuado para regulador de conmutación, convertidor CD-CD y controlador de motor.

Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta y su encapsulado TO-3P es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía. La baja [[conductividad térmica]], resistencia y bajo costo del encapsulado contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.

== Principales características ==
<div align="center">
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDSS)
|1500V
|-
| [[Voltaje]] Compuerta Surtidor (VDSS)
|20V
|-

|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
|2,5A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
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|-
|[[Potencia]] Total de Disipación (PD)
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=== Fabricantes ===

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|-
! Fabricantes
! Logo

|-
|[[ Renesas]]
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|-
|[[ HITACHI Semiconductor]]
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|-
|}

<div align="left">
== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:

*[[Convertidores de CD-CD]]
*[[Controladores de Motor]]
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]

== Enlaces externos ==
*[https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=14885]

== Fuentes ==
*[http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/2/S/K/1/2SK1317.shtml]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]]
[[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor 2SK1317

2022-12-26T19:25:09Z

Laerte04011: Página creada con «{{Objeto|nombre=MOSFET 2SK1317 |imagen= |tamaño=150px |descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de rápida conmutación. }} <div align=justify> '''MOSFE…»

{{Objeto|nombre=MOSFET 2SK1317
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<div align=justify>
'''MOSFET 2SK1317'''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de rápida conmutación.
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por la [[Renesas]], [[HITACHI Semiconductor]] entre otros, proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, alto voltaje, y costo-efectividad. Adecuado para regulador de conmutación, convertidor CD-CD y controlador de motor.
Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta y su encapsulado TO-3P es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía. La baja [[conductividad térmica]], resistencia y bajo costo del encapsulado contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.

== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDSS)
|1500V
|-
| [[Voltaje]] Compuerta Surtidor (VDSS)
|20V
|-

|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
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|-
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|-
|[[Potencia]] Total de Disipación (PD)
|100W
|}

=== Fabricantes ===

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|-
! Fabricantes
! Logo

|-
|[[ Renesas]]
|[[Image: |thumb|center|150px]]
|-
|[[ HITACHI Semiconductor]]
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|-
|}

<div align=left>
== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:

*[[Convertidores de CD-CD]]
*[[Controladores de Motor]]
*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]

== Enlaces externos ==
*[https://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=14885]

== Fuentes ==
*[http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/2/S/K/1/2SK1317.shtml]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Usuario:Laerte04011

2022-12-26T19:01:38Z

Laerte04011: /* Electrónica */

{{Ficha_Usuario_(avanzada)
|imagen=Laerte.jpg
|apellidos=Fernández Ortega
|nombre=Laerte
|nivel=Universitario
|título=Ing. Eléctrico
|postgrado=
|temas=
|institución=[[Joven Club de Computación de Camagüey]]<br>{{Usuario:Laerte04011/Distinciones}}
|municipio=Minas
|provincia=Camagüey
|país=Cuba
|seguimiento=yes
|colaboradores=yes
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}}

Me llamo Laerte Fernández Ortega vivo en el municipio [[Minas]], provincia [[Camagüey]], trabajo en el [[Joven Club de Computación y Electrónica Minas I]].<br>En el año [[2002]] me incorporé a trabajar en el movimiento de los Joven Club de Computación y Electrónica, allí me desempeñe como técnico de hard hasta el año 2008, donde pase a ocupar el cargo de Especialista Principal y en el 2010 pase a Director Municipal hasta el 2017. Actualmente soy instructor en dicho centro. <br>Soy graduado de nivel superior en la especialidad de eléctrica desde el año [[2004]] en la [[Universidad de Camagüey]]. Al abrirse por primera vez para los trabajadores de Joven Club la maestría en cursos por encuentro me gradué como Master en Nuevas Tecnologías en el [[2007]]. Mi correo electrónico es laerte.fernandez@cmg.jovenclub.cu y mi dirección Calle 10 No 5 Rpto San Antonio, Minas, Camagüey.

<div style="float:right; width:36%">
{{Sistema:Cuadro|amarillo
|título=Etiquetas
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|logo=Heckert GNU.png
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{{Usuario:Etiquetas/JCCE}}
{{Usuario:Etiquetas/Mozilla}}
{{Usuario:Etiquetas/Barcelona}}
{{Usuario:Etiquetas/Años|[[24 de septiembre]]}}
{{Usuario:Ruslan_unhicch/Contador|día=18|mes=03|año=2011}}
}}
</div>

== Artículos Publicados ==
===Personalidades===
#[[Daniellys Betancourt León]]
===Electrónica===
#[[Relé|Relé]]
#[[Amplificador Operacional]]
#[[Resistor]]
#[[Electrónica de potencia]]
#[[Cicloconversores]]
#[[Rectificadores]]
#[[Transistor IGBT]]
#[[Transistor de inducción estática]]
#[[Diodos de potencia]]
#[[Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR)]]
#[[Tiristor desactivado por compuerta (GTO)]]
#[[Fototransistor]]
#[[Circuitos recortadores de ondas]]
#[[Tiristor controlado por MOS]]
#[[Transistor 2N3054]]
#[[Transistor 2N2222]]
#[[Transistor 2N2907]]
#[[Transistor 2N3904]]
#[[MOSFET IRFZ44N]]
#[[Mosfet IRF840]]
#[[Compuerta AND]]
#[[Tiristor de inducción estática]]
#[[Tiristor de conducción inversa]]
#[[Sensor hall]]
#[[Transistor MJE13007]]
#[[Transistor STW13009]]
#[[IRFZ10]]
#[[TRIAC BTA06]]
#[[Tiristor BT151-500]]
#[[Transistor TIP122]]
#[[Diodo BY255]]
#[[Transistor KT829]]
#[[Transistor KT872]]
#[[Transistor 2SC5386]]
#[[Transistor NTE2353]]
#[[Transistor 2SD1275]]
#[[Transistor 2SD2061]]
#[[Transistor 2SC4686]]
#[[Transistor 2SC1173]]
#[[Transistor 2SD2091]]
#[[Transistor 2SD1351]]
#[[Transistor 2SD2131]]
#[[Transistor 2SC5027]]
#[[Transistor 2SA1568]]
#[[Transistor IGBT IKW30N60T]]
#[[IRFBC40]]
#[[IRF9540]]
#[[Transistor TIP140]]
#[[Transistor KT815]]
#[[Transistor KT814]]
#[[Transistor 2SA733]]
#[[Transistor BU508]]
#[[Modulador de ancho de pulso SD4841]]
#[[Modulador de ancho de pulso FSDH321]]
#[[MOSFET 2SK2485]]
#[[Transistor DTC114EM]]
#[[Transistor 2SC3998]]
#[[Transistor IGBT FGH40N60]]
#[[2SK1317]][[Image:Nuevo!_gif.gif]]

===Deportistas===
#[[Fernando Tejeda González]]
#[[Marta Mangué González]]<br />
#[[Carlos Coloma Nicolás]]
#[[Cecilia Tait]]
#[[Thomas Röhler ]]
#[[Shaquille O´Neal]]
#[[Aliyá Mustáfina]]
#[[Daniel Caverzaschi]]
#[[Lara González Oteiza]]
#[[Carlos Alonso González]]
#[[Enrique Castro González]]

Transistor IGBT FGH40N60

2021-05-14T21:23:40Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre= Transistor IGBT FGH40N60
|imagen= Transistor_IGBT_FGH40N60.jpg
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}}
<div align=justify>
''' FGH40N60'''. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor [[MOSFET]].

== Descripción ==
Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es fabricado por la empresa [[Fairchild Semicondutor]]. Se fabrican con el encapsulado JEDEC TO-247 con una distribución de pines compuerta, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y su simbología se muestra en la (Ver Figura.II). Dentro de sus principales características se encuentra su alto [[voltaje]], [[corriente]], [[impedancia]] de entrada y [[velocidad]] de [[conmutación]], asiéndolo un [[transistor]] muy robusto y confiable.

<div align=left>
<gallery>
Dist._Pines.jpg|Figura I.
Simbología_IGBT.jpg|Figura II.
</gallery>

== Principales características ==
<div align=left>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Colector-Emisor (Vce0)
| 600V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Colector (IC)
| 40 A
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|290 W
|-
|}

== Aplicaciones ==
Utilizando la novedosa tecnología IGBT el FGH40N60 de [[Fairchild]] ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones de [[inversores solares]], [[UPS]], [[soldadores]], [[hornos microondas]], [[telecomunicaciones]], [[ESS]] y [[PFC]], donde las pérdidas de conmutación y conducción bajas son esenciales.

== Fuentes ==
*[https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=FGH40N60&mo www.alldatasheet.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor IGBT FGH40N60

2021-05-14T21:21:41Z

Laerte04011: /* Descripción */

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}}
<div align=justify>
''' FGH40N60'''. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.

== Descripción ==
Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es fabricado por la empresa Fairchild Semicondutor. Se fabrican con el encapsulado JEDEC TO-247 con una distribución de pines compuerta, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y su simbología se muestra en la (Ver Figura.II). Dentro de sus principales características se encuentra su alto voltaje, corriente, impedancia de entrada y velocidad de conmutación, asiéndolo un transistor muy robusto y confiable.

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Dist._Pines.jpg|Figura I.
Simbología_IGBT.jpg|Figura II.
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== Principales características ==
<div align=left>
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|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Colector-Emisor (Vce0)
| 600V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Colector (IC)
| 40 A
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|290 W
|-
|}

== Aplicaciones ==
Utilizando la novedosa tecnología IGBT el FGH40N60 de [[Fairchild]] ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones de [[inversores solares]], [[UPS]], [[soldadores]], [[hornos microondas]], [[telecomunicaciones]], [[ESS]] y [[PFC]], donde las pérdidas de conmutación y conducción bajas son esenciales.

== Fuentes ==
*[https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=FGH40N60&mo www.alldatasheet.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor IGBT FGH40N60

2021-05-14T21:21:06Z

Laerte04011:

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}}
<div align=justify>
''' FGH40N60'''. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.

== Descripción ==
Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es fabricado por la empresa Fairchild Semicondutor. Se fabrican con el encapsulado JEDEC TO-247 con una distribución de pines compuerta, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y su simbología se muestra en la (Ver Figura.II). Dentro de sus principales características se encuentra su alto voltaje, corriente, impedancia de entrada y velocidad de conmutación, asiéndolo un transistor muy robusto y confiable.

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Dist._Pines.jpg|Figura I.
Simbología_IGBT.jpg|Figura II.
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[[Image: Dist._Pines.jpg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />

<div align=right>
[[Image: Simbología_IGBT.jpg|thumb|left|250px|Figura II.]]<br />

== Principales características ==
<div align=left>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Colector-Emisor (Vce0)
| 600V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Colector (IC)
| 40 A
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|290 W
|-
|}

== Aplicaciones ==
Utilizando la novedosa tecnología IGBT el FGH40N60 de [[Fairchild]] ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones de [[inversores solares]], [[UPS]], [[soldadores]], [[hornos microondas]], [[telecomunicaciones]], [[ESS]] y [[PFC]], donde las pérdidas de conmutación y conducción bajas son esenciales.

== Fuentes ==
*[https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=FGH40N60&mo www.alldatasheet.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor IGBT FGH40N60

2021-05-14T21:19:04Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre= Transistor IGBT FGH40N60
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}}
<div align=justify>
''' FGH40N60'''. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.

== Descripción ==
Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es fabricado por la empresa Fairchild Semicondutor. Se fabrican con el encapsulado JEDEC TO-247 con una distribución de pines compuerta, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y su simbología se muestra en la (Ver Figura.II). Dentro de sus principales características se encuentra su alto voltaje, corriente, impedancia de entrada y velocidad de conmutación, asiéndolo un transistor muy robusto y confiable.

<div align=left>
[[Image: Dist._Pines.jpg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />

<div align=right>
[[Image: Simbología_IGBT.jpg|thumb|left|250px|Figura II.]]<br />

== Principales características ==
<div align=left>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Colector-Emisor (Vce0)
| 600V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Colector (IC)
| 40 A
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|290 W
|-
|}

== Aplicaciones ==
Utilizando la novedosa tecnología IGBT el FGH40N60 de [[Fairchild]] ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones de [[inversores solares]], [[UPS]], [[soldadores]], [[hornos microondas]], [[telecomunicaciones]], [[ESS]] y [[PFC]], donde las pérdidas de conmutación y conducción bajas son esenciales.

== Fuentes ==
*[https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=FGH40N60&mo www.alldatasheet.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor IGBT FGH40N60

2021-05-14T21:17:37Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre= Transistor IGBT FGH40N60
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}}
<div align=justify>
''' FGH40N60'''. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.

== Descripción ==
Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es fabricado por la empresa Fairchild Semicondutor. Se fabrican con el encapsulado JEDEC TO-247 con una distribución de pines compuerta, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y su simbología se muestra en la (Ver Figura.II). Dentro de sus principales características se encuentra su alto voltaje, corriente, impedancia de entrada y velocidad de conmutación, asiéndolo un transistor muy robusto y confiable.

<div align=left>
[[Image: Dist._Pines.jpg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />
[[Image: Simbología_IGBT.jpg|thumb|left|250px|Figura II.]]<br />

== Principales características ==
<div align=left>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Colector-Emisor (Vce0)
| 600V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Colector (IC)
| 40 A
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|290 W
|-
|}

== Aplicaciones ==
Utilizando la novedosa tecnología IGBT el FGH40N60 de [[Fairchild]] ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones de [[inversores solares]], [[UPS]], [[soldadores]], [[hornos microondas]], [[telecomunicaciones]], [[ESS]] y [[PFC]], donde las pérdidas de conmutación y conducción bajas son esenciales.

== Fuentes ==
*[https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=FGH40N60&mo www.alldatasheet.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor IGBT FGH40N60

2021-05-14T21:15:42Z

Laerte04011: /* Fuentes */

{{Objeto|nombre= Transistor IGBT FGH40N60
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}}
<div align=justify>
''' FGH40N60'''. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.

== Descripción ==
Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es fabricado por la empresa Fairchild Semicondutor. Se fabrican con el encapsulado JEDEC TO-247 con una distribución de pines compuerta, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y su simbología se muestra en la (Ver Figura.II). Dentro de sus principales características se encuentra su alto voltaje, corriente, impedancia de entrada y velocidad de conmutación, asiéndolo un transistor muy robusto y confiable.

<div align=left>
[[Image: Dist._Pines.jpg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />
[[Image: Simbología_IGBT.jpg|thumb|left|250px|Figura II.]]<br />

== Principales características ==
<div align=left>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Colector-Emisor (Vce0)
| 600V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Colector (IC)
| 40 A
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|290 W
|-
|}

== Aplicaciones ==
Utilizando la novedosa tecnología IGBT el FGH40N60 de [[Fairchild]] ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones de [[inversores solares]], [[UPS]], [[soldadores]], [[hornos microondas]], [[telecomunicaciones]], [[ESS]] y [[PFC]], donde las pérdidas de conmutación y conducción bajas son esenciales.

== Fuentes ==
*[ https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=FGH40N60&mo www.alldatasheet.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor IGBT FGH40N60

2021-05-14T21:15:06Z

Laerte04011: Página creada con «{{Objeto|nombre= Transistor IGBT FGH40N60 |imagen= Transistor_IGBT_FGH40N60.jpg |tamaño=150px |descripcion= }} <div align=justify> ''' FGH40N60'''. Componente electróni…»

{{Objeto|nombre= Transistor IGBT FGH40N60
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|tamaño=150px
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}}
<div align=justify>
''' FGH40N60'''. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.

== Descripción ==
Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es fabricado por la empresa Fairchild Semicondutor. Se fabrican con el encapsulado JEDEC TO-247 con una distribución de pines compuerta, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y su simbología se muestra en la (Ver Figura.II). Dentro de sus principales características se encuentra su alto voltaje, corriente, impedancia de entrada y velocidad de conmutación, asiéndolo un transistor muy robusto y confiable.

<div align=left>
[[Image: Dist._Pines.jpg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />
[[Image: Simbología_IGBT.jpg|thumb|left|250px|Figura II.]]<br />

== Principales características ==
<div align=left>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Colector-Emisor (Vce0)
| 600V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Colector (IC)
| 40 A
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|290 W
|-
|}

== Aplicaciones ==
Utilizando la novedosa tecnología IGBT el FGH40N60 de [[Fairchild]] ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones de [[inversores solares]], [[UPS]], [[soldadores]], [[hornos microondas]], [[telecomunicaciones]], [[ESS]] y [[PFC]], donde las pérdidas de conmutación y conducción bajas son esenciales.

== Fuentes ==
*[ https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=FGH40N60&mo www. alldatasheet.com]
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Usuario:Laerte04011

2021-05-14T21:14:10Z

Laerte04011: /* Artículos Publicados */

{{Ficha_Usuario_(avanzada)
|imagen=Laerte.jpg
|apellidos=Fernández Ortega
|nombre=Laerte
|nivel=Universitario
|título=Ing. Eléctrico
|postgrado=
|temas=
|institución=[[Joven Club de Computación de Camagüey]]<br>{{Usuario:Laerte04011/Distinciones}}
|municipio=Minas
|provincia=Camagüey
|país=Cuba
|seguimiento=yes
|colaboradores=yes
|patrol=
}}

Me llamo Laerte Fernández Ortega vivo en el municipio [[Minas]], provincia [[Camagüey]], trabajo en el [[Joven Club de Computación y Electrónica Minas I]].<br>En el año [[2002]] me incorporé a trabajar en el movimiento de los Joven Club de Computación y Electrónica, allí me desempeñe como técnico de hard hasta el año 2008, donde pase a ocupar el cargo de Especialista Principal y en el 2010 pase a Director Municipal hasta el 2017. Actualmente soy instructor en dicho centro. <br>Soy graduado de nivel superior en la especialidad de eléctrica desde el año [[2004]] en la [[Universidad de Camagüey]]. Al abrirse por primera vez para los trabajadores de Joven Club la maestría en cursos por encuentro me gradué como Master en Nuevas Tecnologías en el [[2007]]. Mi correo electrónico es laerte.fernandez@cmg.jovenclub.cu y mi dirección Calle 10 No 5 Rpto San Antonio, Minas, Camagüey.

<div style="float:right; width:36%">
{{Sistema:Cuadro|amarillo
|título=Etiquetas
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}}
</div>

== Artículos Publicados ==
===Personalidades===
#[[Daniellys Betancourt León]]
===Electrónica===
#[[Relé|Relé]]
#[[Amplificador Operacional]]
#[[Resistor]]
#[[Electrónica de potencia]]
#[[Cicloconversores]]
#[[Rectificadores]]
#[[Transistor IGBT]]
#[[Transistor de inducción estática]]
#[[Diodos de potencia]]
#[[Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR)]]
#[[Tiristor desactivado por compuerta (GTO)]]
#[[Fototransistor]]
#[[Circuitos recortadores de ondas]]
#[[Tiristor controlado por MOS]]
#[[Transistor 2N3054]]
#[[Transistor 2N2222]]
#[[Transistor 2N2907]]
#[[Transistor 2N3904]]
#[[MOSFET IRFZ44N]]
#[[Mosfet IRF840]]
#[[Compuerta AND]]
#[[Tiristor de inducción estática]]
#[[Tiristor de conducción inversa]]
#[[Sensor hall]]
#[[Transistor MJE13007]]
#[[Transistor STW13009]]
#[[IRFZ10]]
#[[TRIAC BTA06]]
#[[Tiristor BT151-500]]
#[[Transistor TIP122]]
#[[Diodo BY255]]
#[[Transistor KT829]]
#[[Transistor KT872]]
#[[Transistor 2SC5386]]
#[[Transistor NTE2353]]
#[[Transistor 2SD1275]]
#[[Transistor 2SD2061]]
#[[Transistor 2SC4686]]
#[[Transistor 2SC1173]]
#[[Transistor 2SD2091]]
#[[Transistor 2SD1351]]
#[[Transistor 2SD2131]]
#[[Transistor 2SC5027]]
#[[Transistor 2SA1568]]
#[[Transistor IGBT IKW30N60T]]
#[[IRFBC40]]
#[[IRF9540]]
#[[Transistor TIP140]]
#[[Transistor KT815]]
#[[Transistor KT814]]
#[[Transistor 2SA733]]
#[[Transistor BU508]]
#[[Modulador de ancho de pulso SD4841]]
#[[Modulador de ancho de pulso FSDH321]]
#[[MOSFET 2SK2485]]
#[[Transistor DTC114EM]]
#[[Transistor 2SC3998]][[Image:Nuevo!_gif.gif]]
#[[Transistor IGBT FGH40N60]][[Image:Nuevo!_gif.gif]]

===Deportistas===
#[[Fernando Tejeda González]]
#[[Marta Mangué González]]<br />
#[[Carlos Coloma Nicolás]]
#[[Cecilia Tait]]
#[[Thomas Röhler ]]
#[[Shaquille O´Neal]]
#[[Aliyá Mustáfina]]
#[[Daniel Caverzaschi]]
#[[Lara González Oteiza]]
#[[Carlos Alonso González]]
#[[Enrique Castro González]]

Archivo:Simbología IGBT.jpg

2021-05-14T21:11:05Z

Laerte04011:

== Información de copyright: ==

== Fuente: ==
Joven Club Minas

Archivo:Dist. Pines.jpg

2021-05-14T21:09:51Z

Laerte04011:

== Información de copyright: ==

== Fuente: ==
Joven Club Minas

Archivo:Transistor IGBT FGH40N60.jpg

2021-05-14T21:09:08Z

Laerte04011:

== Información de copyright: ==

== Fuente: ==

Transistor IGBT IKW30N60T

2021-05-14T21:00:07Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre= Transistor IGBT IKW30N60T
|imagen=K30T60.jpg
|tamaño=150px
|descripcion=
}}
<div align=justify>
''' IKW30N60T '''. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
== Descripción ==
Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es fabricado por la empresa Infineon technologies. Se fabrican con el encapsulado PG -TO247-3 con una distribución de pines compuerta, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y su simbología se muestra en la (Ver Figura.II) . Dentro de sus principales características se encuentra su alto voltaje y velocidad de conmutación, asiéndolo un transistor muy robusto y confiable.
<div align=left>
[[Image:Dist_K30T60.jpg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />
[[Image:Simb.jpg|thumb|left|250px|Figura II.]]<br />

== Principales características ==
<div align=left>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Colector-Emisor (Vce0)
| 600V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Colector (IC)
| 30 A
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|187W
|-
|}

== Aplicaciones ==
El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor, Electrodoméstico, Televisión, Domótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.
== Fuentes ==
*[https://www.datasheetspdf.com/pdf/842528/InfineonTechnologies/K30T60/1 www.datasheetspdf.com]
*[https://www.ecured.cu/Transistor_IGBT www.ecured.cu]

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor 2SC3998

2019-06-24T16:33:54Z

Laerte04011: /* Fuentes */

{{Objeto|nombre= Transistor 2SC3998
|imagen= 2SC3998.jpeg
|tamaño=150px
|descripcion= Transistor de [[Silicio]] NPN
}}
<div align=justify>
'''2SC3998'''. Es un Transistor bipolar de propósito general de alta potencia tipo NPN, utilizado en monitores TRC ([[tubo de rayos catódicos]])
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por diferentes fabricantes de componentes electrónicos dentro de los que se encuentran Sanyo Semiconductor, Inchange Semiconductor, entre otros. Se fabrican principalmente con el encapsulado TO-3PBL con una distribución de pines base, colector y emisor de derecha a izquierda respectivamente.
[[Image: Dist_2SC3998.jpeg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />
== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Colector-Base (Vcb0)
| 1500V
|-
| [[Voltaje]] Colector-Emisor (Vce0)
| 800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Colector (IC)
| 25A
|-
|[[Ganancia mínima]]
| 8
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|250W
|}
<div align=left>
== Aplicaciones ==
• Salida de deflexión horizontal de pantalla TRC de ultra alta definición.

• Circuitos de propósito general.

== Enlaces externos ==
*[https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/38925/SANYO/2SC3998.html pdf1.alldatasheet.com]
== Fuentes ==
*[https://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/413/2SC3998.php www.digchip.com]
*[https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=15615 alltransistors.com]

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor 2SC3998

2019-06-24T16:33:34Z

Laerte04011: /* Aplicaciones */

{{Objeto|nombre= Transistor 2SC3998
|imagen= 2SC3998.jpeg
|tamaño=150px
|descripcion= Transistor de [[Silicio]] NPN
}}
<div align=justify>
'''2SC3998'''. Es un Transistor bipolar de propósito general de alta potencia tipo NPN, utilizado en monitores TRC ([[tubo de rayos catódicos]])
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por diferentes fabricantes de componentes electrónicos dentro de los que se encuentran Sanyo Semiconductor, Inchange Semiconductor, entre otros. Se fabrican principalmente con el encapsulado TO-3PBL con una distribución de pines base, colector y emisor de derecha a izquierda respectivamente.
[[Image: Dist_2SC3998.jpeg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />
== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Colector-Base (Vcb0)
| 1500V
|-
| [[Voltaje]] Colector-Emisor (Vce0)
| 800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Colector (IC)
| 25A
|-
|[[Ganancia mínima]]
| 8
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|250W
|}
<div align=left>
== Aplicaciones ==
• Salida de deflexión horizontal de pantalla TRC de ultra alta definición.

• Circuitos de propósito general.

== Enlaces externos ==
*[https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/38925/SANYO/2SC3998.html pdf1.alldatasheet.com]
== Fuentes ==
*[ https://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/413/2SC3998.php www.digchip.com]
*[https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=15615 alltransistors.com]

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor 2SC3998

2019-06-24T16:33:10Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre= Transistor 2SC3998
|imagen= 2SC3998.jpeg
|tamaño=150px
|descripcion= Transistor de [[Silicio]] NPN
}}
<div align=justify>
'''2SC3998'''. Es un Transistor bipolar de propósito general de alta potencia tipo NPN, utilizado en monitores TRC ([[tubo de rayos catódicos]])
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por diferentes fabricantes de componentes electrónicos dentro de los que se encuentran Sanyo Semiconductor, Inchange Semiconductor, entre otros. Se fabrican principalmente con el encapsulado TO-3PBL con una distribución de pines base, colector y emisor de derecha a izquierda respectivamente.
[[Image: Dist_2SC3998.jpeg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />
== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Colector-Base (Vcb0)
| 1500V
|-
| [[Voltaje]] Colector-Emisor (Vce0)
| 800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Colector (IC)
| 25A
|-
|[[Ganancia mínima]]
| 8
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|250W
|}
<div align=left>
== Aplicaciones ==
• Salida de deflexión horizontal de pantalla TRC de ultra alta definición.
• Circuitos de propósito general.
== Enlaces externos ==
*[https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/38925/SANYO/2SC3998.html pdf1.alldatasheet.com]
== Fuentes ==
*[ https://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/413/2SC3998.php www.digchip.com]
*[https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=15615 alltransistors.com]

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor 2SC3998

2019-06-24T16:32:01Z

Laerte04011: Página creada con «{{Objeto|nombre= |imagen= 2SC3998.jpeg |tamaño=150px |descripcion= Transistor de Silicio NPN }} <div align=justify> '''2SC3998'''. Es un Transistor bipolar de propósi…»

{{Objeto|nombre=
|imagen= 2SC3998.jpeg
|tamaño=150px
|descripcion= Transistor de [[Silicio]] NPN
}}
<div align=justify>
'''2SC3998'''. Es un Transistor bipolar de propósito general de alta potencia tipo NPN, utilizado en monitores TRC ([[tubo de rayos catódicos]])
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por diferentes fabricantes de componentes electrónicos dentro de los que se encuentran Sanyo Semiconductor, Inchange Semiconductor, entre otros. Se fabrican principalmente con el encapsulado TO-3PBL con una distribución de pines base, colector y emisor de derecha a izquierda respectivamente.
[[Image: Dist_2SC3998.jpeg|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />
== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] Colector-Base (Vcb0)
| 1500V
|-
| [[Voltaje]] Colector-Emisor (Vce0)
| 800V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Colector (IC)
| 25A
|-
|[[Ganancia mínima]]
| 8
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|250W
|}
<div align=left>
== Aplicaciones ==
• Salida de deflexión horizontal de pantalla TRC de ultra alta definición.
• Circuitos de propósito general.
== Enlaces externos ==
*[https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/38925/SANYO/2SC3998.html pdf1.alldatasheet.com]
== Fuentes ==
*[ https://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/413/2SC3998.php www.digchip.com]
*[https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=15615 alltransistors.com]

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Archivo:Dist 2SC3998.jpeg

2019-06-24T16:29:14Z

Laerte04011:

== Información de copyright: ==

== Fuente: ==
Joven Club

Archivo:2SC3998.jpeg

2019-06-24T16:27:55Z

Laerte04011:

== Información de copyright: ==

== Fuente: ==
Internet

Usuario:Laerte04011

2019-06-24T16:03:20Z

Laerte04011: /* Artículos Publicados */

{{Ficha_Usuario_(avanzada)
|imagen=Laerte.jpg
|apellidos=Fernández Ortega
|nombre=Laerte
|nivel=Universitario
|título=Ing. Eléctrico
|postgrado=
|temas=
|institución=[[Joven Club de Computación de Camagüey]]<br>{{Usuario:Laerte04011/Distinciones}}
|municipio=Minas
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|país=Cuba
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}}

<div align="justify">
Me llamo Laerte Fernández Ortega vivo en el municipio [[Minas]], provincia [[Camagüey]], trabajo en el [[Joven Club de Computación y Electrónica Minas I]].<br>En el año [[2002]] me incorporé a trabajar en el movimiento de los Joven Club de Computación y Electrónica, allí me desempeñe como técnico de hard hasta el año 2008, donde pase a ocupar el cargo de Especialista Principal y en el 2010 pase a Director Municipal hasta el 2017. Actualmente soy instructor en dicho centro. <br>Soy graduado de nivel superior en la especialidad de eléctrica desde el año [[2004]] en la [[Universidad de Camagüey]]. Al abrirse por primera vez para los trabajadores de Joven Club la maestría en cursos por encuentro me gradué como Master en Nuevas Tecnologías en el [[2007]]. Mi correo electrónico es laerte.fernandez@cmg.jovenclub.cu y mi dirección Calle 10 No 5 Rpto San Antonio, Minas, Camagüey.

<div style="float:right; width:36%">
{{Sistema:Cuadro|amarillo
|título=Etiquetas
|enlace=
|logo=Heckert GNU.png
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{{Usuario:Ruslan_unhicch/Contador|día=18|mes=03|año=2011}}
}}
</div>

== Artículos Publicados ==
===Personalidades===
#[[Daniellys Betancourt León]]
===Electrónica===
#[[Relé|Relé]]
#[[Amplificador Operacional]]
#[[Resistor]]
#[[Electrónica de potencia]]
#[[Cicloconversores]]
#[[Rectificadores]]
#[[Transistor IGBT]]
#[[Transistor de inducción estática]]
#[[Diodos de potencia]]
#[[Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR)]]
#[[Tiristor desactivado por compuerta (GTO)]]
#[[Fototransistor]]
#[[Circuitos recortadores de ondas]]
#[[Tiristor controlado por MOS]]
#[[Transistor 2N3054]]
#[[Transistor 2N2222]]
#[[Transistor 2N2907]]
#[[Transistor 2N3904]]
#[[MOSFET IRFZ44N]]
#[[Mosfet IRF840]]
#[[Compuerta AND]]
#[[Tiristor de inducción estática]]
#[[Tiristor de conducción inversa]]
#[[Sensor hall]]
#[[Transistor MJE13007]]
#[[Transistor STW13009]]
#[[IRFZ10]]
#[[TRIAC BTA06]]
#[[Tiristor BT151-500]]
#[[Transistor TIP122]]
#[[Diodo BY255]]
#[[Transistor KT829]]
#[[Transistor KT872]]
#[[Transistor 2SC5386]]
#[[Transistor NTE2353]]
#[[Transistor 2SD1275]]
#[[Transistor 2SD2061]]
#[[Transistor 2SC4686]]
#[[Transistor 2SC1173]]
#[[Transistor 2SD2091]]
#[[Transistor 2SD1351]]
#[[Transistor 2SD2131]]
#[[Transistor 2SC5027]]
#[[Transistor 2SA1568]]
#[[Transistor IGBT IKW30N60T]]
#[[IRFBC40]]
#[[IRF9540]]
#[[Transistor TIP140]]
#[[Transistor KT815]]
#[[Transistor KT814]]
#[[Transistor 2SA733]]
#[[Transistor BU508]]
#[[Modulador de ancho de pulso SD4841]]
#[[Modulador de ancho de pulso FSDH321]]
#[[MOSFET 2SK2485]]
#[[Transistor DTC114EM]]
#[[Transistor 2SC3998]][[Image:Nuevo!_gif.gif]]
===Deportistas===
#[[Fernando Tejeda González]]
#[[Marta Mangué González]]<br />
#[[Carlos Coloma Nicolás]]
#[[Cecilia Tait]]
#[[Thomas Röhler ]]
#[[Shaquille O´Neal]]
#[[Aliyá Mustáfina]]
#[[Daniel Caverzaschi]]
#[[Lara González Oteiza]]
#[[Carlos Alonso González]]
#[[Enrique Castro González]]

Transistor DTC114EM

2019-05-17T12:31:58Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre= Transistor DTC114EM
|imagen= DTC114.jpeg
|tamaño=150px
|descripcion= Transistor digital con resistor incluido de polaridad NPN
}}
<div align=justify>
'''DTC114EM'''. Es un [[Transistor Digital]] de baja [[potencia]] de tipo NPN con [[resistor]] incluido, utilizado en diferentes aplicaciones.
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por diferentes productores de componentes electrónicos dentro de los que se encuentran Rohm Semiconductor, Weitron Technology, Taiwan Semiconductor, entre otros. Se fabrican principalmente con el encapsulado SC-70, SC-59 y SC-72 en este último con una distribución de pines tierra, salida y entrada (GND, OUT, INT) de derecha a izquierda el que se muestra en la figura I. Su circuito equivalente se muestra en la figura II, donde se puede observar sus resistores internos.

[[Image: Dist._DTC114.png|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />

[[Image: Circuito_Equivalente_DTC114.jpg|thumb|left|250px|Figura II.]]<br />

== Principales características ==
<div align=left>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] (Vcc)
| 50V
|-
| [[Voltaje]] de entrada (Vin)
| -10 a +40 V
|-

|[[Corriente]] salida (Iout)
| 50mA
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|150mW
|}

== Aplicaciones ==
• Inversor

• Interface

• Driver

== Enlaces externos ==
*[https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/116969/ROHM/DTC114EM.html pdf1.alldatasheet.com]
== Fuentes ==
*[https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=52414 alltransistors.com]
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor DTC114EM

2019-05-17T12:28:04Z

Laerte04011: /* Aplicaciones */

{{Objeto|nombre= Transistor DTC114EM
|imagen= DTC114.jpeg
|tamaño=150px
|descripcion= Transistor digital con resistor incluido de polaridad NPN
}}
<div align=justify>
'''DTC114EM'''. Es un [[Transistor Digital]] de baja potencia de tipo NPN con resistor incluido, utilizado en diferentes aplicaciones.
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por diferentes productores de componentes electrónicos dentro de los que se encuentran Rohm Semiconductor, Weitron Technology, Taiwan Semiconductor, entre otros. Se fabrican principalmente con el encapsulado SC-70, SC-59 y SC-72 en este último con una distribución de pines tierra, salida y entrada (GND, OUT, INT) de derecha a izquierda el que se muestra en la figura I. Su circuito equivalente se muestra en la figura II, donde se puede observar sus resistores internos.

[[Image: Dist._DTC114.png|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />

[[Image: Circuito_Equivalente_DTC114.jpg|thumb|left|250px|Figura II.]]<br />

== Principales características ==
<div align=left>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] (Vcc)
| 50V
|-
| [[Voltaje]] de entrada (Vin)
| -10 a +40 V
|-

|[[Corriente]] salida (Iout)
| 50mA
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|150mW
|}

== Aplicaciones ==
• Inversor

• Interface

• Driver

== Enlaces externos ==
*[https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/116969/ROHM/DTC114EM.html pdf1.alldatasheet.com]
== Fuentes ==
*[https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=52414 alltransistors.com]
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor DTC114EM

2019-05-17T12:27:51Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre= Transistor DTC114EM
|imagen= DTC114.jpeg
|tamaño=150px
|descripcion= Transistor digital con resistor incluido de polaridad NPN
}}
<div align=justify>
'''DTC114EM'''. Es un [[Transistor Digital]] de baja potencia de tipo NPN con resistor incluido, utilizado en diferentes aplicaciones.
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por diferentes productores de componentes electrónicos dentro de los que se encuentran Rohm Semiconductor, Weitron Technology, Taiwan Semiconductor, entre otros. Se fabrican principalmente con el encapsulado SC-70, SC-59 y SC-72 en este último con una distribución de pines tierra, salida y entrada (GND, OUT, INT) de derecha a izquierda el que se muestra en la figura I. Su circuito equivalente se muestra en la figura II, donde se puede observar sus resistores internos.

[[Image: Dist._DTC114.png|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />

[[Image: Circuito_Equivalente_DTC114.jpg|thumb|left|250px|Figura II.]]<br />

== Principales características ==
<div align=left>
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|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] (Vcc)
| 50V
|-
| [[Voltaje]] de entrada (Vin)
| -10 a +40 V
|-

|[[Corriente]] salida (Iout)
| 50mA
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|150mW
|}

== Aplicaciones ==
• Inversor
• Interface
• Driver
== Enlaces externos ==
*[https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/116969/ROHM/DTC114EM.html pdf1.alldatasheet.com]
== Fuentes ==
*[https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=52414 alltransistors.com]
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor DTC114EM

2019-05-17T12:27:08Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre= Transistor DTC114EM
|imagen= DTC114.jpeg
|tamaño=150px
|descripcion= Transistor digital con resistor incluido de polaridad NPN
}}
<div align=justify>
'''DTC114EM'''. Es un [[Transistor Digital]] de baja potencia de tipo NPN con resistor incluido, utilizado en diferentes aplicaciones.
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por diferentes productores de componentes electrónicos dentro de los que se encuentran Rohm Semiconductor, Weitron Technology, Taiwan Semiconductor, entre otros. Se fabrican principalmente con el encapsulado SC-70, SC-59 y SC-72 en este último con una distribución de pines tierra, salida y entrada (GND, OUT, INT) de derecha a izquierda el que se muestra en la figura I. Su circuito equivalente se muestra en la figura II, donde se puede observar sus resistores internos.
<div align=center>
[[Image: Dist._DTC114.png|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />
<div align=center>
[[Image: Circuito_Equivalente_DTC114.jpg|thumb|left|250px|Figura II.]]<br />

== Principales características ==
<div align=left>
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|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] (Vcc)
| 50V
|-
| [[Voltaje]] de entrada (Vin)
| -10 a +40 V
|-

|[[Corriente]] salida (Iout)
| 50mA
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|150mW
|}
<div align=left>
== Aplicaciones ==
• Inversor
• Interface
• Driver
== Enlaces externos ==
*[https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/116969/ROHM/DTC114EM.html pdf1.alldatasheet.com]
== Fuentes ==
*[https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=52414 alltransistors.com]
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor DTC114EM

2019-05-17T12:26:51Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre= Transistor DTC114EM
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|descripcion= Transistor digital con resistor incluido de polaridad NPN
}}
<div align=justify>
'''DTC114EM'''. Es un [[Transistor Digital]] de baja potencia de tipo NPN con resistor incluido, utilizado en diferentes aplicaciones.
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por diferentes productores de componentes electrónicos dentro de los que se encuentran Rohm Semiconductor, Weitron Technology, Taiwan Semiconductor, entre otros. Se fabrican principalmente con el encapsulado SC-70, SC-59 y SC-72 en este último con una distribución de pines tierra, salida y entrada (GND, OUT, INT) de derecha a izquierda el que se muestra en la figura I. Su circuito equivalente se muestra en la figura II, donde se puede observar sus resistores internos.
<div align=center>
[[Image: Dist._DTC114.png|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />
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[[Image: Circuito_Equivalente_DTC114.jpg|thumb|left|250px|Figura II.]]<br />

== Principales características ==
<div align=left>
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|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] (Vcc)
| 50V
|-
| [[Voltaje]] de entrada (Vin)
| -10 a +40 V
|-

|[[Corriente]] salida (Iout)
| 50mA
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|150mW
|}
<div align=left>
== Aplicaciones ==
• Inversor
• Interface
• Driver
== Enlaces externos ==
*[https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/116969/ROHM/DTC114EM.html pdf1.alldatasheet.com]
== Fuentes ==
*[https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=52414 alltransistors.com]
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

Transistor DTC114EM

2019-05-17T12:26:35Z

Laerte04011:

{{Objeto|nombre= Transistor DTC114EM
|imagen= DTC114.jpeg
|tamaño=150px
|descripcion= Transistor digital con resistor incluido de polaridad NPN
}}
<div align=justify>
'''DTC114EM'''. Es un [[Transistor Digital]] de baja potencia de tipo NPN con resistor incluido, utilizado en diferentes aplicaciones.
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por diferentes productores de componentes electrónicos dentro de los que se encuentran Rohm Semiconductor, Weitron Technology, Taiwan Semiconductor, entre otros. Se fabrican principalmente con el encapsulado SC-70, SC-59 y SC-72 en este último con una distribución de pines tierra, salida y entrada (GND, OUT, INT) de derecha a izquierda el que se muestra en la figura I. Su circuito equivalente se muestra en la figura II, donde se puede observar sus resistores internos.
<div align=center>
[[Image: Dist._DTC114.png|thumb|left|250px|Figura I.]]<br />
<div align=center>
[[Image: Circuito_Equivalente_DTC114.jpg|thumb|left|250px|Figura II.]]<br />

== Principales características ==
<div align=left>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor
|-
| [[Voltaje]] (Vcc)
| 50V
|-
| [[Voltaje]] de entrada (Vin)
| -10 a +40 V
|-

|[[Corriente]] salida (Iout)
| 50mA
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|150mW
|}
<div align=left>
== Aplicaciones ==
• Inversor
• Interface
• Driver
== Enlaces externos ==
*[https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/116969/ROHM/DTC114EM.html pdf1.alldatasheet.com]
== Fuentes ==
*[https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=52414 alltransistors.com]
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]