<?xml version="1.0"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xml:lang="es">
	<id>https://www.ecured.cu/index.php?action=history&amp;feed=atom&amp;title=BD215</id>
	<title>BD215 - Historial de revisiones</title>
	<link rel="self" type="application/atom+xml" href="https://www.ecured.cu/index.php?action=history&amp;feed=atom&amp;title=BD215"/>
	<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=BD215&amp;action=history"/>
	<updated>2026-04-21T03:10:09Z</updated>
	<subtitle>Historial de revisiones para esta página en el wiki</subtitle>
	<generator>MediaWiki 1.31.16</generator>
	<entry>
		<id>https://www.ecured.cu/index.php?title=BD215&amp;diff=2201364&amp;oldid=prev</id>
		<title>Ledermisjccmg: Página creada con '{{Ficha Hardware | nombre = BD215 | imagen = BD215.jpg‎ | pie = Transistor. | conn1 = A otros componentes electrónicos.  | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}...'</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://www.ecured.cu/index.php?title=BD215&amp;diff=2201364&amp;oldid=prev"/>
		<updated>2014-04-08T15:44:01Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;Página creada con &amp;#039;{{Ficha Hardware | nombre = BD215 | imagen = BD215.jpg‎ | pie = &lt;a href=&quot;/Transistor&quot; title=&quot;Transistor&quot;&gt;Transistor&lt;/a&gt;. | conn1 = A otros componentes electrónicos.  | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}...&amp;#039;&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;Página nueva&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;{{Ficha Hardware&lt;br /&gt;
| nombre = BD215&lt;br /&gt;
| imagen = BD215.jpg‎&lt;br /&gt;
| pie = [[Transistor]].&lt;br /&gt;
| conn1 = A otros componentes electrónicos. &lt;br /&gt;
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}} y otros países. &lt;br /&gt;
}}&amp;lt;div align=justify&amp;gt;&lt;br /&gt;
'''BD215'''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[silicio]]. &lt;br /&gt;
== Partes que lo componen ==&lt;br /&gt;
Es un transistor de unión bipolar, diseñado para las etapas de salida de potencia para la televisión, la radio, el fonógrafo, audio y otras aplicaciones de productos de consumo. 0,5 amperio transistores de energía, construido con semiconductor [[silicio]] en Empaquetado TO3, TO220. &lt;br /&gt;
== Características ==&lt;br /&gt;
*Polaridad (N-P-N)&lt;br /&gt;
*Amplificador de audio de alta potencia, alto voltaje&lt;br /&gt;
*Corriente máxima de colector (Ic) 0.5 [[Ampere]] &lt;br /&gt;
*De colector a base (CBO) 500 Voltios &lt;br /&gt;
*De colector a [[emisor]] (CEO) 300 Voltios&lt;br /&gt;
*De emisor a base (EBO) 6 Voltios&lt;br /&gt;
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 40 Min &lt;br /&gt;
*Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 21* (Watts)&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Transistores equivalentes ==&lt;br /&gt;
*BD216, BD232 BD158.&lt;br /&gt;
 &lt;br /&gt;
== Usos ==&lt;br /&gt;
*La radio&lt;br /&gt;
*Equipos de medicina&lt;br /&gt;
*Amplificadores de audio&lt;br /&gt;
== Fuente ==&lt;br /&gt;
* NTE http://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=24845.&lt;br /&gt;
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>Ledermisjccmg</name></author>
		
	</entry>
</feed>