Celda de memoria - Historial de revisiones

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'''Celda de memoria'''. Las unidades de memoria son módulos conformados por un conjunto de cerrojos o condensadores agrupados de tal forma que almacenan varias palabras binarias de n bits. Cada una de ellas tienen la capacidad de almacenar un bit de información (1 o 0), y se conocen con el nombre de '''celdas de memoria'''. Las celdas o bits de memoria se ubican mediante la fila y la columna en la que se encuentra.

==Descripción==
Un bit de memoria. En la memoria RAM dinámica, una celda está compuesta por un [[transistor]] y un [[condensador]]. En la [[memoria RAM]] estática, una celda está compuesta por alrededor de cinco transistores.

===Para memoria RAM estática===
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Archivo:100201.gif|Estructura de una celda de memoria SRAM
Archivo:100202.gif|Arreglo básico de una SRAM
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Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores MOSFET, aunque también existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares.

la celda se activa mediante un nivel activo a la entrada superior y los datos se cargan o se leen a través de las líneas laterales.

Las celdas de memoria se agrupan en filas y columnas para conformar el arreglo básico de la memoria. La disposición de las celdas de memoria en una SRAM, cada una de las filas se habilita de forma simultánea para recibir o cargar los datos del bus de entrada/salida.

===Para memoria RAM dinámica===
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Archivo:100203.gif|Composición interna de una de estas celdas
Archivo:100204.gif|Sistema lectura, escritura y recarga de una celda DRAM
</gallery></center>
Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dinamic Random Access Memory), a diferencia de la memoria estática se compone de celdas de memoria construidas con condensadores.

Las celdas de memoria son de fabricación más sencillas en comparación a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias de gran capacidad.

La operación de la celda es similar a la de un interruptor, cuando el estado en la fila se encuentra en alto, el transistor entra en saturación y el dato presente en el bus interno de la memoria (columna) se almacena en el condensador, durante una operación de escritura y se extrae en una operación de lectura. El inconveniente que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que recargar la información almacenada en las celdas, por lo cual estas celdas requieren de circuitería adicional para cumplir esta función.
</div>
==Fuentes==

* Diccionario Informático: [http://www.glosarium.com/term/234,14,xhtml Celda de Memoria]. Disponible en: "www.glosarium.com". Cosnultado: 11 de febrero de 2012.
* Artículo: [http://es.answers.yahoo.com/question/index?qid=20080805133239AAzw3hi ¿Que se almacena en una celda de memoria?]. Disponible en: "es.answers.yahoo.com". Cosnultado: 11 de febrero de 2012.
* Universidad Nacional de Colombia. Electrónica Digiutal I. Capítulo 10: [http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2000477/lecciones/100201.htm Memorias de acceso aleatorio]. Disponible en: "www.virtual.unal.edu.co". Cosnultado: 11 de febrero de 2012.

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 Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dinamic Random Access Memory), a diferencia de la memoria estática se compone de celdas de memoria construidas con condensadores.

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 * Universidad Nacional de Colombia. Electrónica Digiutal I. Capítulo 10: [http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2000477/lecciones/100201.htm Memorias de acceso aleatorio]. Disponible en: "www.virtual.unal.edu.co". Cosnultado: 11 de febrero de 2012.
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