Diodos de potencia - Historial de revisiones

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 |descripcion=Componente  electrónico utilizado en diferentes aplicaciones de alta potencia en la rama de la  [[Electrónica industrial]].
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 '''Diodos de potencia'''. Componente electrónico ampliamente utilizado en la [[electrónica]] de [[potencia]]. A diferencia de los diodos de baja potencia estos se  caracterizan por ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de [[tensión]] en estado de conducción y en sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.
 == Tipos de diodos de potencia ==

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 == Tipos de diodos de potencia ==
 === Diodos rectificadores para baja [[frecuencia]] ===
-[[Image:Rectificador.jpg|right|150px|Figura II. Diodos para baja frecuencia]]
+[[Image:Rectificador.jpg|thumb|rith|150px|Figura II. Diodos para baja frecuencia]]
 '''Características'''
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 *Baja frecuencia (50Hz).
 === Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast) ===
-[[Image:Ultrafast.jpg|right|150px|Figura III.Diodos de conmutación rápida(Fast y Ultrafast]]
+[[Image:Ultrafast.jpg|thumb|rith|150px|Figura III. Diodos de conmutación rápida (Fast y Ultrafast]]
 '''Características'''
@@ Línea 42: / Línea 42: @@
 *Accionamiento de motores CA.
 === Diodos Schotkky ===
-[[Image:Schottky.jpg|right|150px|Figura IV. Diodos Schottky]]
+[[Image:Schottky.jpg|thumb|rith|150px|Figura IV. Diodos Schottky]]
 '''Características'''
@@ Línea 60: / Línea 60: @@
 *Cargadores de baterías.
 === Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión) ===
-[[Image:Altatensión.jpg|right|200px|Figura V. Diodos de alta tensión]]
+[[Image:Altatensión.jpg|thumb|rith|200px|Figura V. Diodos de alta tensión]]
 '''Características'''
@@ Línea 75: / Línea 75: @@
 Aplicaciones de alta tensión.
 === Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente) ===
-[[Image:Altacorriente.jpg|right|200px|Figura VI.Diodos de alta corriente]]
+[[Image:Altacorriente.jpg|thumb|rith|200px|Figura VI.Diodos de alta corriente]]
 '''Características'''
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 *Tiempo de recuperación directo.
-'''Tiempo de recuperación inverso:'''El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa  instantáneamente. Si un el diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciedo el exceso de portadores.
+'''Tiempo de recuperación inverso:'''El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa  instantáneamente. Si un el diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.
 *ta(tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
 *tb(tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta     que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
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 *Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa.
-Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida.
+Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar [[diodo]]s de recuperación rápida.
 Factores de los que depende trr :
 *A mayor IRRM menor trr.
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 === Características térmicas ===
 '''Temperatura de la unión (Tjmáx'''):Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción.
-En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mínimo y otro máximo.
+En ocasiones, en lugar de la [[temperatura]] de la unión se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mínimo y otro máximo.
 '''Temperatura de almacenamiento (Tstg)''':Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.
-==Véase también==
 ==Fuentes==
 *  MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
 * [http://www.uv.es/marinjl/electro/diodo.html#1 Diodos]
 * [http://ccpot.galeon.com/enlaces1737083.html ccpot.galeon.com]
-[[Category:Ciencias_Aplicadas_y_Tecnologías]]
 [[Category:Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

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 * [http://ccpot.galeon.com/enlaces1737083.html ccpot.galeon.com]
 [[Category:Ciencias_Aplicadas_y_Tecnologías]]
-[[Category:Electrónica]]
+[[Category:Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

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 Aplicaciones de alta tensión.
 === Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente) ===
-[[Image:Altacorriente.jpg|right|200px|thumb|Figura VI.Diodos de alta corriente]]
+[[Image:Altacorriente.jpg|right|200px|Figura VI.Diodos de alta corriente]]
 '''Características'''

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 *Cargadores de baterías.
 === Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión) ===
-[[Image:Altatensión.jpg|right|150px|Figura V. Diodos de alta tensión]]
+[[Image:Altatensión.jpg|right|200px|Figura V. Diodos de alta tensión]]
 '''Características'''
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 Aplicaciones de alta tensión.
 === Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente) ===
-[[Image:Altacorriente.jpg|right|150px|Figura VI.Diodos de alta corriente]]
+[[Image:Altacorriente.jpg|right|200px|thumb|Figura VI.Diodos de alta corriente]]
 '''Características'''