Heterounión - Historial de revisiones

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{{Objeto
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''' Heterounión '''. Una heterounión es una unión entre dos Semiconductores, cuya banda (banda prohibida) es diferente. Las heterouniones tienen una importancia considerable en la física de semiconductores y en óptica.
== Línea de sensores ópticos==
A heterounión es la interfaz que se produce entre dos capas o regiones de disímiles cristalino semiconductores. Estos materiales semiconductores tienen desigual lagunas de banda a diferencia de un homojunction. A menudo es ventajoso para las bandas de energía electrónica en muchas aplicaciones para dispositivos de estado sólido como transistores, células solares y láseres de semiconductor ("heterotransistors") para nombrar unos pocos. La combinación de múltiples heterojunctions juntos en un dispositivo se llama un heteroestructura Aunque los dos términos se utilizan indistintamente. El requisito de que cada material sea un semiconductor con boquetes banda desigual es un poco holgado especialmente en escalas de longitud pequeña donde las propiedades electrónicas dependen de propiedades espaciales. Una definición más moderna de heterounión es la interfaz entre cualquier dos materiales de estado sólidos, incluyendo estructuras cristalinas y amorfas de metálico, aislamiento, conductor iónico rápido y materiales semiconductores.
En el año 2000, la Premio Nobel en la física fue concedida conjuntamente a Herbert Kroemer (Universidad de California, Santa Bárbara, CaliforniaEstados Unidos) y Zhores I. Alferov (Instituto Ioffe, San PetersburgoRusia) para "desarrollar heteroestructuras de semiconductores utilizados en alta velocidad-opto-electrónica y"
Fabricación y aplicaciones
Fabricación de heterounión generalmente requiere el uso de epitaxia molecular (MBE)[1] o deposición de vapor químico Tecnologías (CVD) para precisamente controlar el espesor de la deposición y crear una interfaz abrupta del enrejado-emparejado limpiamente. MBE y CVD tienden a ser muy complejas y costosas en comparación con el tradicional silicio fabricación de dispositivo.[citación necesitada]
A pesar de su costo, heterojunctions han encontrado uso en una variedad de aplicaciones especializadas donde critican sus características únicas:
• Lasers: Uso de heterojunctions en lasers fue propuesto por primera vez[2] en 1963, cuando Herbert Kroemer, un prominente científico en este campo, sugirió que inversión de la población podría mejorarse considerablemente mediante heteroestructuras. Mediante la incorporación de un menor boquete de la venda directa material como GaAs entre dos capas de gap band más grandes como ¡Ay!, portadores puede limitarse por lo que lasing puede ocurrir en temperatura de la habitación con corrientes de umbral bajo. Tomó muchos años el ciencia de los materiales de heteroestructura fabricación hablar con ideas de Kroemer pero ahora es el estándar de la industria. Más tarde se descubrió que la brecha de banda puede controlarse mediante el aprovechamiento de los efectos del tamaño cuántico en pozo cuántico heteroestructuras. Además, heteroestructuras pueden ser utilizados como guías de onda para el paso de índice que ocurre en la interface, otra gran ventaja para su uso en láseres de semiconductor. Semiconductor láseres de diodo utilizado en CD y DVD los jugadores y fibra óptica transceptores se fabrican utilizando alternas capas de diversos III-V y II-VI semiconductores compuestos para formar heteroestructuras láser.
• Transistores bipolares:: Cuando se utiliza una heterounión como la ensambladura del emisor de base de un transistor de ensambladura bipolar, avance extremadamente alta ganancia y el resultado de baja ganancia inversa. Esto se traduce en un funcionamiento muy bueno alta frecuencia (valores en decenas o cientos de GHz) y baja corrientes de fuga. Este dispositivo se llama un transistor bipolar de heterounión (HBT).
• Transistores de efecto campo: Heterojunctions se utilizan en transistores de electrones alta movilidad (HEMT) que pueden funcionar en frecuencias significativamente más altas (más de 500 GHz). La adecuada dopaje Perfil y banda alineación da lugar a extremadamente alto movilidades electrón mediante la creación de un gas dos dimensiones del electrón dentro de un región libre dopante donde muy poco dispersión puede ocurrir.
Alineación de la banda de energía
Los tres tipos de semiconductores heterojunctions organizado por la alineación de la banda.
Diagrama de banda para las poblaciones transzonales boquete, n- n semiconductor heterounión en equilibrio.
El comportamiento de un cruce de semiconductores depende fundamentalmente de la alineación de la bandas de energía en la interfaz. Interfaces de semiconductores pueden ser organizadas en tres tipos de heterojunctions: las poblaciones transzonales boquete (tipo I), tambaleó gap (tipo II) o roto brecha (tipo III) como se ve en la figura. [Citación necesitada] Lejos del cruce, la banda de flexión puede ser computada según el procedimiento habitual de resolver Ecuación de Poisson.
Existen varios modelos para predecir la alineación de la banda.
• Es el modelo más simple (y menos preciso) Regla de Anderson, que predice la alineación de la banda basada en las propiedades del vacío-semiconductor interfaces (en particular el vacío afinidad del electrón). La principal limitación es su abandono de la vinculación química.
• A regla común del anión se propuso que adivina que desde la banda de Valencia está relacionada con estados aniónicos, materiales con los aniones mismos deben tener Valencia muy pequeña banda compensaciones. Esto sin embargo no explicó los datos sino que se relaciona con la tendencia que dos materiales con diferentes aniones tienden a tener mayor banda de Valencia compensaciones que banda de conducción compensaciones.
• Tersoff[3] propuso un estado de vacío modelo basado en la más familiar uniones de metal-semiconductor donde el desplazamiento de la banda de conducción está dada por la diferencia de Barrera Schottky altura. Este modelo incluye un dipolo capa en la interface entre los dos semiconductores que surge de túnel de electrones de la banda de conducción de un material en la ranura de la otra (análogo a brecha metal inducida por Estados). Este modelo está de acuerdo con sistemas donde ambos materiales están estrechamente emparejado enrejado [4] tales como GaAs/AlGaAs.
• La regla de 60: 40 es una heurística para el caso específico de cruces entre el semiconductor GaAs y el semiconductor de aleación AlxGa1-xComo. Como el x en el AlxGa1-x Como secundarios es variada desde 0 a 1, la relación tiende a mantener el valor 60/40. Para comparación, prevé que la regla de Anderson para un (cruce de GaAs/AlAsx= 1).[5][6]
El método típico para la medición de las compensaciones de banda es mediante el cálculo de los de medición excitón energías en la luminiscencia Espectros.[6]
Desajuste masa efectiva en heterojunctions
Cuando una heterounión está formada por dos diferentes semiconductores, un pozo cuántico se puede fabricar debido a la diferencia en estructura de banda. Para calcular la estática niveles de energía dentro del bien logrado cuántico, variación de comprensión o desajuste de la masa efectiva a través de la heterounión llega a ser sustancial. El quantum definido en el heterounión puede ser tratado como un potencial bien finito con la anchura de además de eso, en 1966, Con ley et al [7] y Ben Daniel y Duque [8] registrados condición de frontera para el función envolvente en pozo cuántico, conocido como condición de límite Ben Daniel- Duque. Según ellos, la función envolvente en cuántica fabricado debe satisfacer bien condición de límite que establece Ambos son continuos en las regiones de interfaz.
==Fuentes==
http://diccionario.raing.es/es/lema/heterouni%C3%B3n
http://seneca.fis.ucm.es/expint/html/dc/dc06/Ejercicio06.html
https://copro.com.ar/Heterounion.html

[[Category:Electrónica]][[Category:Elementos de circuitos]]

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 ''' Heterounión '''. Una heterounión es una unión entre dos Semiconductores, cuya banda (banda prohibida) es diferente. Las heterouniones tienen una importancia considerable en la física de semiconductores y en óptica.
 == Características==

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 Cuando una heterounión está formada por dos diferentes semiconductores, un pozo cuántico se puede fabricar debido a la diferencia en estructura de banda. Para calcular la estática niveles de energía dentro del bien logrado cuántico, variación de comprensión o desajuste de la masa efectiva a través de la heterounión llega a ser sustancial. El quantum definido en el heterounión puede ser tratado como un potencial bien finito con la anchura de además de eso, en 1966, Con ley et al [7] y Ben Daniel y Duque [8] registrados condición de frontera para el función envolvente en pozo cuántico, conocido como condición de límite Ben Daniel- Duque. Según ellos, la función envolvente en cuántica fabricado debe satisfacer bien condición de límite que establece  Ambos son continuos en las regiones de interfaz.
 ==Fuentes==
-http://diccionario.raing.es/es/lema/heterouni%C3%B3n
+*http://diccionario.raing.es/es/lema/heterouni%C3%B3n
-http://seneca.fis.ucm.es/expint/html/dc/dc06/Ejercicio06.html
+*http://seneca.fis.ucm.es/expint/html/dc/dc06/Ejercicio06.html
-https://copro.com.ar/Heterounion.html
+*https://copro.com.ar/Heterounion.html
 [[Category:Electrónica]][[Category:Elementos de circuitos]]

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 ''' Heterounión '''. Una heterounión es una unión entre dos Semiconductores, cuya banda (banda prohibida) es diferente. Las heterouniones tienen una importancia considerable en la física de semiconductores y en óptica.
-== Línea de sensores ópticos==
+== Características==
 A heterounión es la interfaz que se produce entre dos capas o regiones de disímiles cristalino semiconductores. Estos materiales semiconductores tienen desigual lagunas de banda a diferencia de un homojunction. A menudo es ventajoso para las bandas de energía electrónica en muchas aplicaciones para dispositivos de estado sólido como transistores, células solares y láseres de semiconductor ("heterotransistors") para nombrar unos pocos. La combinación de múltiples heterojunctions juntos en un dispositivo se llama un heteroestructura Aunque los dos términos se utilizan indistintamente. El requisito de que cada material sea un semiconductor con boquetes banda desigual es un poco holgado especialmente en escalas de longitud pequeña donde las propiedades electrónicas dependen de propiedades espaciales. Una definición más moderna de heterounión es la interfaz entre cualquier dos materiales de estado sólidos, incluyendo estructuras cristalinas y amorfas de metálico, aislamiento, conductor iónico rápido y materiales semiconductores.
 En el año 2000, la Premio Nobel en la física fue concedida conjuntamente a Herbert Kroemer (Universidad de California, Santa Bárbara, CaliforniaEstados Unidos) y Zhores I. Alferov (Instituto Ioffe, San PetersburgoRusia) para "desarrollar heteroestructuras de semiconductores utilizados en alta velocidad-opto-electrónica y"
-Fabricación y aplicaciones
+==Fabricación y aplicaciones==
 Fabricación de heterounión generalmente requiere el uso de epitaxia molecular (MBE)[1] o deposición de vapor químico Tecnologías (CVD) para precisamente controlar el espesor de la deposición y crear una interfaz abrupta del enrejado-emparejado limpiamente. MBE y CVD tienden a ser muy complejas y costosas en comparación con el tradicional silicio fabricación de dispositivo.[citación necesitada]
 A pesar de su costo, heterojunctions han encontrado uso en una variedad de aplicaciones especializadas donde critican sus características únicas:
-•	Lasers: Uso de heterojunctions en lasers fue propuesto por primera vez[2] en 1963, cuando Herbert Kroemer, un prominente científico en este campo, sugirió que inversión de la población podría mejorarse considerablemente mediante heteroestructuras. Mediante la incorporación de un menor boquete de la venda directa material como GaAs entre dos capas de gap band más grandes como ¡Ay!, portadores puede limitarse por lo que lasing puede ocurrir en temperatura de la habitación con corrientes de umbral bajo. Tomó muchos años el ciencia de los materiales de heteroestructura fabricación hablar con ideas de Kroemer pero ahora es el estándar de la industria. Más tarde se descubrió que la brecha de banda puede controlarse mediante el aprovechamiento de los efectos del tamaño cuántico en pozo cuántico heteroestructuras. Además, heteroestructuras pueden ser utilizados como guías de onda para el paso de índice que ocurre en la interface, otra gran ventaja para su uso en láseres de semiconductor. Semiconductor láseres de diodo utilizado en CD y DVD los jugadores y fibra óptica transceptores se fabrican utilizando alternas capas de diversos III-V y II-VI semiconductores compuestos para formar heteroestructuras láser.
+*Lasers: Uso de heterojunctions en lasers fue propuesto por primera vez[2] en 1963, cuando Herbert Kroemer, un prominente científico en este campo, sugirió que inversión de la población podría mejorarse considerablemente mediante heteroestructuras. Mediante la incorporación de un menor boquete de la venda directa material como GaAs entre dos capas de gap band más grandes como ¡Ay!, portadores puede limitarse por lo que lasing puede ocurrir en temperatura de la habitación con corrientes de umbral bajo. Tomó muchos años el ciencia de los materiales de heteroestructura fabricación hablar con ideas de Kroemer pero ahora es el estándar de la industria. Más tarde se descubrió que la brecha de banda puede controlarse mediante el aprovechamiento de los efectos del tamaño cuántico en pozo cuántico heteroestructuras. Además, heteroestructuras pueden ser utilizados como guías de onda para el paso de índice que ocurre en la interface, otra gran ventaja para su uso en láseres de semiconductor. Semiconductor láseres de diodo utilizado en CD y DVD los jugadores y fibra óptica transceptores se fabrican utilizando alternas capas de diversos III-V y II-VI semiconductores compuestos para formar heteroestructuras láser.
-•	Transistores bipolares:: Cuando se utiliza una heterounión como la ensambladura del emisor de base de un transistor de ensambladura bipolar, avance extremadamente alta ganancia y el resultado de baja ganancia inversa. Esto se traduce en un funcionamiento muy bueno alta frecuencia (valores en decenas o cientos de GHz) y baja corrientes de fuga. Este dispositivo se llama un transistor bipolar de heterounión (HBT).
+*Transistores bipolares:: Cuando se utiliza una heterounión como la ensambladura del emisor de base de un transistor de ensambladura bipolar, avance extremadamente alta ganancia y el resultado de baja ganancia inversa. Esto se traduce en un funcionamiento muy bueno alta frecuencia (valores en decenas o cientos de GHz) y baja corrientes de fuga. Este dispositivo se llama un transistor bipolar de heterounión (HBT).
-•	Transistores de efecto campo: Heterojunctions se utilizan en transistores de electrones alta movilidad (HEMT) que pueden funcionar en frecuencias significativamente más altas (más de 500 GHz). La adecuada dopaje Perfil y banda alineación da lugar a extremadamente alto movilidades electrón mediante la creación de un gas dos dimensiones del electrón dentro de un región libre dopante donde muy poco dispersión puede ocurrir.
+*Transistores de efecto campo: Heterojunctions se utilizan en transistores de electrones alta movilidad (HEMT) que pueden funcionar en frecuencias significativamente más altas (más de 500 GHz). La adecuada dopaje Perfil y banda alineación da lugar a extremadamente alto movilidades electrón mediante la creación de un gas dos dimensiones del electrón dentro de un región libre dopante donde muy poco dispersión puede ocurrir.
-Alineación de la banda de energía
+==Alineación de la banda de energía==
 Los tres tipos de semiconductores heterojunctions organizado por la alineación de la banda.
 Diagrama de banda para las poblaciones transzonales boquete, n- n semiconductor heterounión en equilibrio.
 El comportamiento de un cruce de semiconductores depende fundamentalmente de la alineación de la bandas de energía en la interfaz. Interfaces de semiconductores pueden ser organizadas en tres tipos de heterojunctions: las poblaciones transzonales boquete (tipo I), tambaleó gap (tipo II) o roto brecha (tipo III) como se ve en la figura. [Citación necesitada] Lejos del cruce, la banda de flexión puede ser computada según el procedimiento habitual de resolver Ecuación de Poisson.
-Existen varios modelos para predecir la alineación de la banda.
+==Existen varios modelos para predecir la alineación de la banda==
-•	Es el modelo más simple (y menos preciso) Regla de Anderson, que predice la alineación de la banda basada en las propiedades del vacío-semiconductor interfaces (en particular el vacío afinidad del electrón). La principal limitación es su abandono de la vinculación química.
+*Es el modelo más simple (y menos preciso) Regla de Anderson, que predice la alineación de la banda basada en las propiedades del vacío-semiconductor interfaces (en particular el vacío afinidad del electrón). La principal limitación es su abandono de la vinculación química.
-•	A regla común del anión se propuso que adivina que desde la banda de Valencia está relacionada con estados aniónicos, materiales con los aniones mismos deben tener Valencia muy pequeña banda compensaciones. Esto sin embargo no explicó los datos sino que se relaciona con la tendencia que dos materiales con diferentes aniones tienden a tener mayor banda de Valencia compensaciones que banda de conducción compensaciones.
+*A regla común del anión se propuso que adivina que desde la banda de Valencia está relacionada con estados aniónicos, materiales con los aniones mismos deben tener Valencia muy pequeña banda compensaciones. Esto sin embargo no explicó los datos sino que se relaciona con la tendencia que dos materiales con diferentes aniones tienden a tener mayor banda de Valencia compensaciones que banda de conducción compensaciones.
-•	Tersoff[3] propuso un estado de vacío modelo basado en la más familiar uniones de metal-semiconductor donde el desplazamiento de la banda de conducción está dada por la diferencia de Barrera Schottky altura. Este modelo incluye un dipolo capa en la interface entre los dos semiconductores que surge de túnel de electrones de la banda de conducción de un material en la ranura de la otra (análogo a brecha metal inducida por Estados). Este modelo está de acuerdo con sistemas donde ambos materiales están estrechamente emparejado enrejado [4] tales como GaAs/AlGaAs.
+*Tersoff[3] propuso un estado de vacío modelo basado en la más familiar uniones de metal-semiconductor donde el desplazamiento de la banda de conducción está dada por la diferencia de Barrera Schottky altura. Este modelo incluye un dipolo capa en la interface entre los dos semiconductores que surge de túnel de electrones de la banda de conducción de un material en la ranura de la otra (análogo a brecha metal inducida por Estados). Este modelo está de acuerdo con sistemas donde ambos materiales están estrechamente emparejado enrejado [4] tales como GaAs/AlGaAs.
-•	La regla de 60: 40 es una heurística para el caso específico de cruces entre el semiconductor GaAs y el semiconductor de aleación AlxGa1-xComo. Como el x en el AlxGa1-x Como  secundarios es variada desde 0 a 1, la relación  tiende a mantener el valor 60/40. Para comparación, prevé que la regla de Anderson  para un (cruce de GaAs/AlAsx= 1).[5][6]
+*La regla de 60: 40 es una heurística para el caso específico de cruces entre el semiconductor GaAs y el semiconductor de aleación AlxGa1-xComo. Como el x en el AlxGa1-x Como  secundarios es variada desde 0 a 1, la relación  tiende a mantener el valor 60/40. Para comparación, prevé que la regla de Anderson  para un (cruce de GaAs/AlAsx= 1).[5][6]
 El método típico para la medición de las compensaciones de banda es mediante el cálculo de los de medición excitón energías en la luminiscencia Espectros.[6]
-Desajuste masa efectiva en heterojunctions
+==Desajuste masa efectiva en heterojunctions==
 Cuando una heterounión está formada por dos diferentes semiconductores, un pozo cuántico se puede fabricar debido a la diferencia en estructura de banda. Para calcular la estática niveles de energía dentro del bien logrado cuántico, variación de comprensión o desajuste de la masa efectiva a través de la heterounión llega a ser sustancial. El quantum definido en el heterounión puede ser tratado como un potencial bien finito con la anchura de además de eso, en 1966, Con ley et al [7] y Ben Daniel y Duque [8] registrados condición de frontera para el función envolvente en pozo cuántico, conocido como condición de límite Ben Daniel- Duque. Según ellos, la función envolvente en cuántica fabricado debe satisfacer bien condición de límite que establece  Ambos son continuos en las regiones de interfaz.
 ==Fuentes==