Transistor C1972 - Historial de revisiones

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‎Características

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‎Usos

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{{Ficha Hardware
| nombre = C1972
| imagen =
| pie = [[Transistor]].
| conn1 = A otros componentes electrónicos.
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}} y otros países.
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''' C1972'''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[silicio]].
== Partes que lo componen ==
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
== Características ==
*Polaridad (N-P-N)
*Salida de potencia de RF
*Corriente máxima de colector (Ic) 3.5 [[Ampere]]
*De [[colector]] a [[base]] (CBO) 35 Voltios
*De colector a [[emisor]] (CEO) 17 Voltios
*De emisor a base (EBO) 4 Voltios
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 50 Min
*Máxima [[disipación]] de potencia en colector (Pd) 25* (Watts)
*Frecuencia MHz
== Usos ==
*Equipos de medicina
*La radio
== Fuente ==
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
* Imagen de Wikipedia.
[[Category: Electrónica]]

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 *La [[radio]]
-== Fuente ==
+== Fuentes ==
 * NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
 * Imagen de Wikipedia.
-[[Category: Electrónica]]
+[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

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 *Salida de potencia de RF
 *Corriente máxima de colector (Ic) 3.5  [[Ampere]]
-*De [[colector]] a [[base]] (CBO) 35 Voltios
+*De colector a base (CBO) 35 Voltios
-*De colector a [[emisor]] (CEO) 17 Voltios
+*De colector a emisor (CEO) 17 Voltios
 *De emisor a base (EBO) 4 Voltios
 *[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 50  Min
-*Máxima [[disipación]] de potencia en colector (Pd) 25* (Watts)
+*Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 25* (Watts)
 *Frecuencia MHz
 == Usos ==
 *Equipos de [[medicina]]

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 {{Ficha Hardware
 | nombre = C1972
-| imagen =
+| imagen = C1972.jpeg‎
 | pie = [[Transistor]].
 | conn1 = A otros componentes electrónicos.
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 ''' C1972'''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[silicio]].
 == Partes que lo componen ==
-Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. Este es muy difundido en las industrias por el amplio uso al que es sometido en diversos aparatos electrónicos.
+Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
 En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran  las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
 == Características ==