Transistor IRF830 - Historial de revisiones

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{{Objeto
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|descripcion= Transistor IRF830 del tipo Mosfet canal N
}}
IRF830. Es un transistor tipo [[MOSFET]] construido con [[tecnología MOS]].
== El transistor IRF830 ==
El transistor IRF830 es del tipo MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS). Es dispositivo de efecto de campo que utiliza un [[campo eléctrico]] para crear una canal de conducción.
La mayor parte de los [[circuitos integrados]] digitales se construyen con la tecnología MOS. El terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula.
==Características eléctricas específicas==
Estructura del transistor: MOSFET
Tipo de control de canal: N-Channel
Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd) del transistor: 100W
tensión de ruptura drenaje-fuente (Uds): 500V
Escurra-gate tensión límite (Udg): 500V
Umbral de tensión compuerta-fuente (Ugs): 20V
La puerta de la corriente máxima del transistor (Id): 4.5A
Temperatura máxima (Tj): 150�C
Tiempo de subida (Fr): 60/42
Capacidad de flujo (Cd), pf: 800
Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Om: 1.500
==Aplicaciones==
Las aplicaciones más comunes son:
*[[Resistencia]] controlada por tensión.
*Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
*Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
==Ventajas de su uso==
*Consumo en modo estático muy bajo.
*Tamaño muy inferior al [[transistor bipolar]].
*Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
*Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tiene una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios.
*Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
*La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
*Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.
==Fuentes==
*Artículo [http://www.unicrom.com/Tut_transistores_MOSFET.asp] disponible en la Web “http://www.unicrom.com” Consultado: 27 de septiembre de 2011.
[[Category:electrónica]]

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 ==Fuentes==
 *Artículo [http://www.unicrom.com/Tut_transistores_MOSFET.asp Transistor IRF830] Disponible en la Web “http://www.unicrom.com” Consultado: 27 de septiembre de 2011.
-[[Category:electrónica]]
+[[Category:electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

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 |descripcion= Transistor IRF830 del tipo Mosfet canal N
 }}
-'''Transistor IRF830'''. Es un transistor tipo  [[MOSFET]] construido con [[tecnología MOS]].
+'''Transistor IRF830'''. Es un transistor tipo  [[Mosfet]] construido con tecnología MOS.
 == Características ==

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 == Características ==
 El transistor IRF830 es del tipo  MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS). Es  dispositivo de efecto de campo que utiliza un [[campo eléctrico]] para crear una canal de conducción.
-La mayor parte de los [[circuitos integrados]] digitales se construyen con la tecnología MOS.
+La mayor parte de los [[Circuito integrado|circuitos integrados]] digitales se construyen con la tecnología MOS.
 El terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula.

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 |descripcion= Transistor IRF830 del tipo Mosfet canal N
 }}
-IRF830. Es un transistor tipo  [[MOSFET]] construido con [[tecnología MOS]].
+'''Transistor IRF830'''. Es un transistor tipo  [[MOSFET]] construido con [[tecnología MOS]].
-== El transistor IRF830 ==
 El transistor IRF830 es del tipo  MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS). Es  dispositivo de efecto de campo que utiliza un [[campo eléctrico]] para crear una canal de conducción.
-La mayor parte de los [[circuitos integrados]] digitales se construyen con la tecnología MOS. El terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula.
+La mayor parte de los [[circuitos integrados]] digitales se construyen con la tecnología MOS.
 ==Características eléctricas específicas==
-Estructura del transistor: MOSFET
+*Estructura del transistor: MOSFET
-Tipo de control de canal: N-Channel
+*Tipo de control de canal: N-Channel
-Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd) del transistor: 100W
+*Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd) del transistor: 100W
-tensión de ruptura drenaje-fuente (Uds): 500V
+*Tensión de ruptura drenaje-fuente (Uds): 500V
-Escurra-gate tensión límite (Udg): 500V
+*Escurra-gate tensión límite (Udg): 500V
-Umbral de tensión compuerta-fuente (Ugs): 20V
+*Umbral de tensión compuerta-fuente (Ugs): 20V
-La puerta de la corriente máxima del transistor (Id): 4.5A
+*La puerta de la corriente máxima del transistor (Id): 4.5A
-Temperatura máxima (Tj): 150�C
+*Temperatura máxima (Tj): 150�C
-Tiempo de subida (Fr): 60/42
+*Tiempo de subida (Fr): 60/42
-Capacidad de flujo (Cd), pf: 800
+*Capacidad de flujo (Cd), pf: 800
-Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Om: 1.500
+*Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Om: 1.500
 ==Aplicaciones==
 Las aplicaciones  más comunes son:
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 *Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
 ==Ventajas de su uso==
- *Consumo en modo estático muy bajo.
+*Consumo en modo estático muy bajo.
 *Tamaño muy inferior al [[transistor bipolar]].
 *Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
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 *Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.
 ==Fuentes==
-*Artículo [http://www.unicrom.com/Tut_transistores_MOSFET.asp] disponible en la Web “http://www.unicrom.com” Consultado: 27 de septiembre de 2011.
+*Artículo [http://www.unicrom.com/Tut_transistores_MOSFET.asp Transistor IRF830] Disponible en la Web “http://www.unicrom.com” Consultado: 27 de septiembre de 2011.
 [[Category:electrónica]]