Transistor MOSFET - Historial de revisiones

Edeliochajc en 01:14 14 jul 2014

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Cienfuegos4 jc en 14:14 26 jun 2013

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Colon3 jc: /* Los símbolos de los MOSFET */

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‎Los símbolos de los MOSFET

Colon3 jc: /* NMOS de empobrecimiento */

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‎NMOS de empobrecimiento

Colon3 jc: /* NMOS de empobrecimiento */

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‎NMOS de empobrecimiento

Colon3 jc: /* Los símbolos de los MOSFET */

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‎Los símbolos de los MOSFET

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Rosa ciget.gra en 14:13 18 oct 2010

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@@ Línea 33: / Línea 33: @@
 == Características eléctricas del  JFET ==
-El JFET de canal n está constituido por una  barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones  (islas) de material tipo p situadas a ambos lados.
+El JFET de canal n está constituido por una  barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones  (islas) de material tipo p situadas a ambos lados, (p. ej.[[2N4416]]).
 Es un elemento  tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente  (source) y puerta (gate).

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 {{Definición
 |nombre=Mosfet
-|imagen=Transistor_mosfet.jpg
+|imagen=Transistor_mosfet1.jpg
 |tamaño=260px
 |concepto=Consiste  en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS

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 *  [http://www.electronicrepairguide.com/images/testing%20mosfet.jpg  Transistor Mosfet - Portada]
 </div>
-[[Category:Electrónica]]
+[[Category:Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

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 <br>
-<br> '''Transistores MOSFET'''<br>La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es [[Aislantes eléctricos|aislante]], con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho menor que en los [[El transistor de efecto campo|JFET]]. Por ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia.<br><br>
+<br> '''Transistores MOSFET'''<br>La característica constructiva común a todos los tipos de [[Circuito para medir transistores|transistor]] MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es [[Aislantes eléctricos|aislante]], con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho menor que en los [[El transistor de efecto campo|JFET]]. Por ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia.<br><br>
 == Principio de operación <br>  ==

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-En este caso el canal ya está creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensión VDS aparecerá una corriente de drenaje ID. Para que el [[Circuitos  para medir transistores|transistor]] pase al estado de corte será necesario aplicar una tensión VGS menor que cero, que expulse a los electrones del canal.<br>
+En este caso el canal ya está creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensión VDS aparecerá una corriente de drenaje ID. Para que el [[Circuito  para medir transistores|transistor]] pase al estado de corte será necesario aplicar una tensión VGS menor que cero, que expulse a los electrones del canal.<br>
 [[Image:Figura 4 Rafa2.JPG|thumb|left]]<br><br>

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-En este caso el canal ya está creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensión VDS aparecerá una corriente de drenaje ID. Para que el transistor pase al estado de corte será necesario aplicar una tensión VGS menor que cero, que expulse a los electrones del canal.<br>
+En este caso el canal ya está creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensión VDS aparecerá una corriente de drenaje ID. Para que el [[Circuitos  para medir transistores|transistor]] pase al estado de corte será necesario aplicar una tensión VGS menor que cero, que expulse a los electrones del canal.<br>
 [[Image:Figura 4 Rafa2.JPG|thumb|left]]<br><br>
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 También en este caso, la aplicación de una VDS mucho mayor que VGS provoca una situación de corriente independendiente de VDS.<br>
 == Curvas características<br>  ==

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-{{Definición|Nombre=Transistor MOSFET|imagen=Portada_Rafa2.JPG|concepto=Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado, donde se crean dos islas de tipo opuesto.}}<br>
+{{Definición|Nombre=Transistor MOSFET|imagen=Portada_Rafa2.JPG|concepto=Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado, donde se crean dos islas de tipo opuesto.}}
-'''MOSFET''' son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.<br>Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.<br>
+'''Transistor MOSFET''' son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.<br>Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
 == Tipos de MOSFET<br>  ==
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 Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje:
-Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. <br>Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.<br>• Enriquecimiento de canal N <br>• Enriquecimiento de canal P <br>• Empobrecimiento de canal N <br>• Empobrecimiento de canal P<br>[[Image:MOSFET de cana N y P.JPG|thumb|left|451x139px|MOSFET de cana N y P.JPG]]
+Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. <br>Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.<br>• Enriquecimiento de canal N <br>• Enriquecimiento de canal P <br>• Empobrecimiento de canal N <br>• Empobrecimiento de canal P<br>[[Image:MOSFET de cana N y P.JPG|thumb|left|451x139px]]
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 === Los símbolos de los MOSFET  ===
-[[Image:Símbolo de los MOSFET.JPG|thumb|left|Símbolo de los MOSFET.JPG]]
+[[Image:Símbolo de los MOSFET.JPG|thumb|left]]
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 En la Figura 1 se presenta el esquema de un MOS de canal N de enriquecimiento.<br>
-[[Image:Figura 1 Rafa2.JPG|thumb|left|188x139px]]<br><br>
+[[Image:Figura 1 Rafa2.JPG|thumb|left|188x139px|Figura 1 Rafa2.JPG]]<br><br>
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-Supongamos que se aplica una tensión VDS mayor que cero mientras que VGS se mantiene en cero. Al aplicar una tensión positiva a la zona N del drenaje, el diodo que forma éste con el sustrato P se polarizará en inversa, con lo que no se permitirá el paso de corriente: el MOS estará en corte.<br>Sigamos suponiendo, y pensemos ahora que aplicamos un potencial VGS positivo, mientras mantenemos la VDS positiva también. La capa de aislante de la puerta es muy delgada, tanto que permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y atraer a los electrones del material P. A mayor potencial aplicado, mayor número de electrones será atraído, y mayor número de huecos repelido. La consecuencia de este movimiento de cargas es que debajo del terminal G se crea un canal negativo, de tipo N, que pone en contacto el drenaje con la fuente. Por este canal puede circular una corriente. Recapitulando, por encima de un valor positivo VGS = VTH se posibilita la circulación de corriente ID (Figura 2). Nos encontramos ante una región de conducción lineal.<br>[[Image:Figura 2 Rafa2.JPG|thumb|left]]<br>
+Supongamos que se aplica una tensión VDS mayor que cero mientras que VGS se mantiene en cero. Al aplicar una tensión positiva a la zona N del drenaje, el diodo que forma éste con el sustrato P se polarizará en inversa, con lo que no se permitirá el paso de corriente: el MOS estará en corte.<br>Sigamos suponiendo, y pensemos ahora que aplicamos un potencial VGS positivo, mientras mantenemos la VDS positiva también. La capa de aislante de la puerta es muy delgada, tanto que permite al potencial positivo aplicado repeler a los huecos y atraer a los electrones del material P. A mayor potencial aplicado, mayor número de electrones será atraído, y mayor número de huecos repelido. La consecuencia de este movimiento de cargas es que debajo del terminal G se crea un canal negativo, de tipo N, que pone en contacto el drenaje con la fuente. Por este canal puede circular una corriente. Recapitulando, por encima de un valor positivo VGS = VTH se posibilita la circulación de corriente ID (Figura 2). Nos encontramos ante una región de conducción lineal.<br>[[Image:Figura 2 Rafa2.JPG|thumb|left|Figura 2 Rafa2.JPG]]<br>
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 En la Figura 3 se presenta el esquema de un MOS de canal N de empobrecimiento.<br>
-[[Image:Figura 3 Rafa2.JPG|thumb|left|Figura 3 Rafa2.JPG]]<br><br>
+[[Image:Figura 3 Rafa2.JPG|thumb|left]]<br><br>
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@@ Línea 89: / Línea 87: @@
 En este caso el canal ya está creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una tensión VDS aparecerá una corriente de drenaje ID. Para que el transistor pase al estado de corte será necesario aplicar una tensión VGS menor que cero, que expulse a los electrones del canal.<br>
-[[Image:Figura 4 Rafa2.JPG|thumb|left|Figura 4 Rafa2.JPG]]<br><br>
+[[Image:Figura 4 Rafa2.JPG|thumb|left]]<br><br>
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@@ Línea 105: / Línea 103: @@
 Con los transistores MOS se manejan dos tipos de gráficas: la característica VGS - ID, con VDS constante, y la VDS - ID con VGS constante.<br> '''Transistor NMOS de enriquecimiento''' <br>
-[[Image:Figura 5 Rafa2.JPG|thumb|left|Figura 5 Rafa2.JPG]]<br>
+[[Image:Figura 5 Rafa2.JPG|thumb|left]]<br>
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 En la Figura 5 se pone de manifiesto cómo la intensidad ID aumenta bruscamente cuando se supera la tensión umbral VTH (Threshold Voltage) y se crea el canal. Es un componente idóneo para conmutación, puesto que pasa de un estado de corte a uno de conducción a partir de un valor de la señal de control. En los dispositivos con el terminal de puerta de aluminio y el aislante de óxido de silicio, la tensión umbral está en torno a los cinco voltios.<br>
-[[Image:Figura 6 Rafa2.JPG|thumb|left|Figura 6 Rafa2.JPG]]<br><br>
+[[Image:Figura 6 Rafa2.JPG|thumb|left]]<br><br>
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@@ Línea 131: / Línea 129: @@
 La característica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento es muy similar a la del JFET, pero los valores de VGS cambian: en este caso la conducción se da para voltajes positivos por encima del umbral.<br>'''Transistor NMOS de empobrecimiento '''<br>
-[[Image:Figura 7 Rafa2.JPG|thumb|left|Figura 7 Rafa2.JPG]]<br><br>
+[[Image:Figura 7 Rafa2.JPG|thumb|left]]<br><br>
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@@ Línea 143: / Línea 141: @@
 El NMOS de empobrecimiento puede funcionar también como transistor de enriquecimiento. Si la tensión VGS se hace positiva se atraerán electrones al canal. Además, a diferencia de los JFET, la impedancia de entrada continua siendo muy elevada.<br>
-[[Image:Figura 8 Rafa2.JPG|thumb|left|Figura 8 Rafa2.JPG]]<br><br>
+[[Image:Figura 8 Rafa2.JPG|thumb|left]]<br><br>
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@@ Línea 153: / Línea 151: @@
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-== Enlaces externos ==
+== Enlaces externos  ==
 *[http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor-de-Efecto-de-Campo.php Electrónica fácil]