Transistor de efecto campo - Historial de revisiones

Yunesky jc.mtz: /* Curvas */

2013-05-16T11:44:44Z

‎Curvas

Yunesky jc.mtz: /* Región de corte */

2013-05-16T11:44:14Z

‎Región de corte

Cinformmtz jc en 18:25 26 abr 2013

2013-04-26T18:25:56Z

Humbertojccmg: El transistor de efecto campo trasladada a Transistor de efecto campo: corrección

2012-09-04T15:58:50Z

El transistor de efecto campo trasladada a Transistor de efecto campo: corrección

Humbertojccmg en 15:56 4 sep 2012

2012-09-04T15:56:09Z

Humbertojccmg en 15:52 4 sep 2012

2012-09-04T15:52:10Z

Mirtica en 21:44 31 ago 2011

2011-08-31T21:44:01Z

Mirtica en 21:40 31 ago 2011

2011-08-31T21:40:48Z

Mirtica en 21:34 31 ago 2011

2011-08-31T21:34:11Z

Mirtica en 21:28 31 ago 2011

2011-08-31T21:28:56Z

@@ Línea 205: / Línea 205: @@
 Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En primer lugar, en la representación de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia claramente el paso de la región de corte a la de saturación (Figura 4).
 En la práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica, puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rápidamente IG.<br>En la característica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre la regione lineal y de saturación (Figura 5).
@@ Línea 216: / Línea 214: @@
 Nótese que, según esta gráfica, la región de saturación del JFET se identifica con la región activa normal de los transistores bipolares. Mientras que en RAN la corriente de colector sólo depende de la de base, aquí la magnitud de control es la tensión VGS. Por el contrario, si la resistencia del JFET en la región lineal es muy pequeña puede encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de saturación del BJT.<br>
-Vease también: [[Electronics_Workbench._Simulador_de_Circuitos_Electrónicos|Electronics Workbench. Simulador de Circuitos Electrónicos]]<br>
+Vease también: [[Electronics_Workbench._Simulador_de_Circuitos_Electrónicos|Electronics Workbench. Simulador de Circuitos Electrónicos]]
 == Parametros Comerciales  ==

@@ Línea 186: / Línea 186: @@
 === Región de corte===
 Centremos nuestra atención en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a la puerta forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordará, cuando se forma una unión PN aparecen en los bordes de la misma una zona de deplección en la que no hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarización aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace más ancha, proporcionalmente a la tensión aplicada.
 Aplicando una tensión VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de deplección, con lo que disminuye la anchura del canal N de conducción.<br>Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la región de agotamiento se extenderá completamente a través del canal, con lo que la resistencia del mismo se hará infinita y se impedirá el paso de ID (Figura 2). El potencial al que sucede este fenómeno se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP).
@@ Línea 193: / Línea 191: @@
 [[Image:Figura 2 Rafa.JPG|thumb|left|Figura 2 Rafa]]
-Por lo tanto, para valores más negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado en la región de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.<br><br>
+Por lo tanto, para valores más negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado en la región de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.
 === Región lineal===

@@ Línea 1: / Línea 1: @@
-<div align="justify">
+{{Objeto
-{{Materia|nombre=Transistor de Efecto de Campo |imagen=Portada_Rafa.JPG|campo a que pertenece=[[Electrónica]]|principales exponentes=}}
+|nombre=Transistor de Efecto de Campo
 |imagen=Portada_Rafa.JPG
-'''El transistor de efecto campo''' (Field-Effect Transistor o FET, en inglés). Es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor.
+|tamaño=
 == Tipo de transistores ==
@@ Línea 19: / Línea 21: @@
 === Simbología  ===
 [[Image:Simbología Rafa.JPG|thumb|left|196x117px|Simbología Rafa]]<br>
 == El transistor de Efecto de Campo ==
@@ Línea 39: / Línea 34: @@
 Símbolo de un FET de canal N
 [[Archivo:Tran12.gif]]
 [[Archivo:Tran14.gif]]
 == CURVA CARACTERÍSTICA ==
@@ Línea 51: / Línea 45: @@
 Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:
 [[Archivo:PolaFETa.gif]]
 [[Archivo:PolaFET1a.gif]]
 La   curva característica del FET define con precisión como funciona este   dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:
@@ Línea 76: / Línea 66: @@
 CARACTERÍSTICAS DE SALIDA
 [[Archivo:CurvaFET.gif]]
@@ Línea 195: / Línea 186: @@
 === Región de corte===
 Centremos nuestra atención en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a la puerta forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordará, cuando se forma una unión PN aparecen en los bordes de la misma una zona de deplección en la que no hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarización aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace más ancha, proporcionalmente a la tensión aplicada.
 [[Image:Figura 1 Rafa.JPG|thumb|left|188x142px|Figura 1 Rafa]]
 [[Image:Figura 2 Rafa.JPG|thumb|left|Figura 2 Rafa]]
 Por lo tanto, para valores más negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado en la región de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.<br><br>
@@ Línea 217: / Línea 201: @@
 [[Image:Figura 3 Rafa.JPG|thumb|left|Figura 3 Rafa]]
 La región de saturación se da cuando se estrangula el canal en el drenaje, lo que sucede cuando la tesión puerta-drenaje es más negativa que VP, es decir:<br>VGD &lt; VP =&gt; VGS - VDS &lt; VP =&gt; VDS &gt; VGS - VP<br>Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 2 y Figura En el caso del bloqueo, todo el canal resulta afectado por la zona de deplección, que es constante porque la tensión VGS se aplica uniformemente a lo largo de la unión. En cambio, en la región de corriente constante sólo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado por VDS, que varía a lo largo del mismo), y es lo que permite la circulación de la corriente.<br>
@@ Línea 230: / Línea 209: @@
 [[Image:Figura 4 Rafa.JPG|thumb|left|Figura 4 Rafa.JPG]]<br>
 En la práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica, puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rápidamente IG.<br>En la característica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre la regione lineal y de saturación (Figura 5).
 [[Image:Figura 5 Rafa.JPG|thumb|left|Figura 5 Rafa.JPG]]<br>
 En la región lineal, para una determinada VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensión VDS. Sin embargo, este crecimiento se atenúa hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturación, en donde ID sólo depende de VGS.
@@ Línea 252: / Línea 219: @@
 Vease también: [[Electronics_Workbench._Simulador_de_Circuitos_Electrónicos|Electronics Workbench. Simulador de Circuitos Electrónicos]]<br>
 == Parametros Comerciales  ==
@@ Línea 263: / Línea 228: @@
 *BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la unión entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores de BVGS provocan una conducción por avalancha de la unión.
-== Enlaces Externos<br>  ==
+== Fuentes  ==
 *[http://www.ifent.org/Lecciones/fet/default.htm Ifet]
 *[http://www.alipso.com/monografias/transistores_efecto_de_campo/ Alipso Electronica Transistores]
@@ Línea 270: / Línea 236: @@
 *[http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pagina_jfet/JFet.htm Transistor de Efecto de Campo]
 *[http://html.rincondelvago.com/transistores-de-efecto-de-campo.html RincondelVago Transistores de efecto de campo]
 [[Category:Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

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Línea 1:		Línea 1:
		+	<div align="justify">
	{{Materia\|nombre=Transistor de Efecto de Campo \|imagen=Portada_Rafa.JPG\|campo a que pertenece=[[Electrónica]]\|principales exponentes=}}		{{Materia\|nombre=Transistor de Efecto de Campo \|imagen=Portada_Rafa.JPG\|campo a que pertenece=[[Electrónica]]\|principales exponentes=}}

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Línea 273:		Línea 273:
	*Libro Microelectronic de Jacob Millman <br>		*Libro Microelectronic de Jacob Millman <br>

−	[[Category:Electrónica]]	+	[[Category:Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

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(Sin diferencias)

@@ Línea 37: / Línea 37: @@
 Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son los siguientes:
-Símbolo de un FET de canal N                                              Símbolo de un FET de canal P
+Símbolo de un FET de canal N
-[[Archivo:Tran12.gif]]                           [[Archivo:Tran14.gif]]
+[[Archivo:Tran12.gif]]
+Símbolo de un FET de canal P
 == CURVA CARACTERÍSTICA ==
-Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se                    observan en la siguiente figura:
+Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:
-[[Archivo:PolaFETa.gif]]                                                    [[Archivo:PolaFET1a.gif]]
+Parámetros de un FET de canal N
 [[Archivo:PolaFETa.gif]]
-Parámetros de un FET de canal N                                                             Parámetros de un FET de canal P
+Parámetros de un FET de canal P
 [[Archivo:PolaFET1a.gif]]
 La   curva característica del FET define con precisión como funciona este   dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes: