Diferencia entre revisiones de «Mosfet IRFZ44N»
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Revisión del 13:02 4 nov 2011
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MOSFET IRFZ44N. Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).
Sumario
Descripción
Este tipo de componente es fabricado por la International Rectifier entre otros fabricantes que más adelante detallaremos, utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación y su diseño solido de dispositivos de los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al diseñador una extremadamente eficiencia y un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
El encapsulado TO-220 es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía en niveles de alrededor de 50 vatios. La baja conductividad térmica, resistencia y bajo costo del encapsulado TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta los mismos también pueden encontrarse en otros tipos de encapsulados. En la siguiente figura se muestra su distribución de pines y estructura interna.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Drenador Surtidor (VDDS) | 55V |
| Corriente continua de Drenador (ID) | 49 A |
| Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) | 0.032Ω Máx |
| Potencia Total de Disipación ( PD) | 94W |
Fabricantes
| Fabricantes | Logo |
|---|---|
| NXP Semiconductors | |
| International Rectifier | |
| TRANSYS Electronics Limited | |
| Suntac Electronic Corp. | |
| Inchange Semiconductor Company Limited |
Aplicaciones
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en: · Inversores · Fuentes conmutadas · Equipos de computo · Circuitos de modulación (PWM)
Fuentes
MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
