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| − | Estructura del transistor: MOSFET | + | *Estructura del transistor: MOSFET |
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| − | Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd) del transistor: 100W | + | *Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd) del transistor: 100W |
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| − | Escurra-gate tensión límite (Udg): 500V | + | *Escurra-gate tensión límite (Udg): 500V |
| − | Umbral de tensión compuerta-fuente (Ugs): 20V | + | *Umbral de tensión compuerta-fuente (Ugs): 20V |
| − | La puerta de la corriente máxima del transistor (Id): 4.5A | + | *La puerta de la corriente máxima del transistor (Id): 4.5A |
| − | Temperatura máxima (Tj): 150�C | + | *Temperatura máxima (Tj): 150�C |
| − | Tiempo de subida (Fr): 60/42 | + | *Tiempo de subida (Fr): 60/42 |
| − | Capacidad de flujo (Cd), pf: 800 | + | *Capacidad de flujo (Cd), pf: 800 |
| − | Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Om: 1.500 | + | *Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Om: 1.500 |
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última versión al 15:02 31 ago 2012
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Transistor IRF830. Es un transistor tipo Mosfet construido con tecnología MOS.
Sumario
Características
El transistor IRF830 es del tipo MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS). Es dispositivo de efecto de campo que utiliza un campo eléctrico para crear una canal de conducción. La mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS.
El terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula.
Características eléctricas específicas
- Estructura del transistor: MOSFET
- Tipo de control de canal: N-Channel
- Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd) del transistor: 100W
- Tensión de ruptura drenaje-fuente (Uds): 500V
- Escurra-gate tensión límite (Udg): 500V
- Umbral de tensión compuerta-fuente (Ugs): 20V
- La puerta de la corriente máxima del transistor (Id): 4.5A
- Temperatura máxima (Tj): 150�C
- Tiempo de subida (Fr): 60/42
- Capacidad de flujo (Cd), pf: 800
- Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Om: 1.500
Aplicaciones
Las aplicaciones más comunes son:
- Resistencia controlada por tensión.
- Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
- Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
Ventajas de su uso
- Consumo en modo estático muy bajo.
- Tamaño muy inferior al transistor bipolar.
- Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
- Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tiene una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios.
- Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
- La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
- Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.
Fuentes
- Artículo Transistor IRF830 Disponible en la Web “http://www.unicrom.com” Consultado: 27 de septiembre de 2011.
