Diferencia entre revisiones de «Transistor BC850C»

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''' BC850C '''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[Silicio]] indicados para circuitos de todo tipo.  
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== Composición del transistor ==
 
== Composición del transistor ==
Es un transistor compuesto por silicio, en su composición posee una placa de [[semiconductor]] con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos [[uniones n-p-n]], las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.   
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En su composición posee una placa de [[semiconductor]] con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos [[uniones n-p-n]], las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.   
 
== Características ==
 
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*Material: Si  
 
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== Transistores equivalentes ==
 
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BC 637, BC 639, 2SD667BC297-8, BC327-16 , BC327-25 , BC327AP ,BC327BP,BC327CP, BC327L, BC327P, BC337 , BC337-16, BC337-25,   
 
BC 637, BC 639, 2SD667BC297-8, BC327-16 , BC327-25 , BC327AP ,BC327BP,BC327CP, BC327L, BC327P, BC337 , BC337-16, BC337-25,   
==Fuentes==
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==Fuentes==
*Artículo [http://alltransistors.com/transistor.php?transistor=23690] disponible en la Web “http://www. alltransistors.com” Consultado: 27 de octubre de 2013.
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*[http://alltransistors.com/transistor.php?transistor=23690 Transistor BC850C] Disponible en la Web “http://www. alltransistors.com” Consultado: 27 de octubre de 2013.
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última versión al 08:00 27 jun 2013

Transistor BC850C
Información sobre la plantilla
BC850C.jpg
Conectado a:A otros componentes electrónicos.
Fabricantes:Bandera de Japón Japón, Bandera de la República Popular China China, Bandera de los Estados Unidos de América Estados Unidos y otros países.

Transistoe BC850C . Es un transistor bipolar, compuesto por Silicio indicados para circuitos de todo tipo.

Composición del transistor

En su composición posee una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.

Características

  • Material: Si
  • La estructura de transistor: n-p-n
  • Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 0,2W
  • Limite el colector DC-base (Ucb): 50V
  • Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 45V
  • Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V
  • Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 0,1A
  • Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C
  • Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 300MHz
  • Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: 6

Usos

Son indicados para circuitos de todo tipo, amplificación en general, y en particular los de ruido ultra bajo son la opción idónea para fuentes de baja impedancia, como cápsulas MC, etc...

Transistores equivalentes

BC 637, BC 639, 2SD667BC297-8, BC327-16 , BC327-25 , BC327AP ,BC327BP,BC327CP, BC327L, BC327P, BC337 , BC337-16, BC337-25,

Fuentes