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| − | Voltaje puerta - drenaje (VDG): 60 V | + | * Voltaje puerta - fuente (VGS): 40 V |
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| − | Voltaje puerta - fuente (VGS): 40 V | + | * Máxima corriente de drenaje continúa a 25 ºC (ID): 115 mA |
| − | + | * Corriente máxima de drenaje pulsada (IDM): 800 mA | |
| − | Voltaje umbral (VGS(th)): 2,1 V | + | * Corriente Máxima de Fuente Pulsada (ISM): 800 mA |
| − | + | * Potencia de disipación (PD): 200 mW | |
| − | Máxima corriente de drenaje continúa a 25 ºC (ID): 115 mA | + | * Resistencia en estado de conducción (RDS (ON)): 1,2 Ω |
| − | + | * Rango de temperatura de operación (TJ,TSTG): -55 a 150 ºC | |
| − | Corriente máxima de drenaje pulsada (IDM): 800 mA | + | * Encapsulados: [[TO-92]] y [[SOT-23]] para [[montaje superficial]]. |
| − | + | * Equivalente: [[NTE491SM]] | |
| − | Corriente Máxima de Fuente Pulsada (ISM): 800 mA | ||
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| − | M. W. Brimicombe. Electronics Explained. Nelson Thornes, 2000 | + | * James F. Cox .Fundamentals of Linear Electronics: Integrated and Discrete. Cengage Learning, 2002 |
| + | * Simon Monk. Electronics Cookbook: Practical Electronic Recipes with Arduino and Raspberry Pi. "O'Reilly Media, Inc.", 2017 | ||
| + | * M. W. Brimicombe. Electronics Explained. Nelson Thornes, 2000 | ||
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última versión al 21:06 10 ene 2020
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2N7002. Transistor de efecto de campo (MOSFET) canal N, fabricado con tecnología de doble difusión (DMOS).
Descripción
2N7002 es un transistor de efecto de campo (MOSFET) canal N mejorado, fabricado con alta densidad de celdas y tecnología de doble difusión (DMOS), que minimiza la resistencia en estado de conducción al tiempo que proporcionan un rendimiento de conmutación robusto, confiable y rápido. Se puede utilizar en la mayoría de aplicaciones que requieren hasta 400mA de corriente directa, además puede proporcionar corrientes pulsantes de hasta 2A. Es apto para aplicaciones de baja tensión y baja corriente como control de pequeños servo motores y controladores de puerta MOSFET de potencia.
Principales características
- Voltaje drenaje - fuente (VDS): 60 V
- Voltaje puerta - drenaje (VDG): 60 V
- Voltaje puerta - fuente (VGS): 40 V
- Voltaje umbral (VGS(th)): 2,1 V
- Máxima corriente de drenaje continúa a 25 ºC (ID): 115 mA
- Corriente máxima de drenaje pulsada (IDM): 800 mA
- Corriente Máxima de Fuente Pulsada (ISM): 800 mA
- Potencia de disipación (PD): 200 mW
- Resistencia en estado de conducción (RDS (ON)): 1,2 Ω
- Rango de temperatura de operación (TJ,TSTG): -55 a 150 ºC
- Encapsulados: TO-92 y SOT-23 para montaje superficial.
- Equivalente: NTE491SM
Aplicaciones
Estos componentes son especialmente adecuados para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente, tales como control de pequeños servo motores, audio, controladores de puerta MOSFET de potencia, y otras aplicaciones de conmutación.
Fuentes
- James F. Cox .Fundamentals of Linear Electronics: Integrated and Discrete. Cengage Learning, 2002
- Simon Monk. Electronics Cookbook: Practical Electronic Recipes with Arduino and Raspberry Pi. "O'Reilly Media, Inc.", 2017
- M. W. Brimicombe. Electronics Explained. Nelson Thornes, 2000
