Diferencia entre revisiones de «Transistor 2N2907»
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== Aplicaciones == | == Aplicaciones == | ||
| − | * | + | *Transmisores |
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| − | * | + | *Radiofrecuencia |
*Aplicaciones de conmutación | *Aplicaciones de conmutación | ||
== Fuente == | == Fuente == | ||
| − | + | http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=2N2907 | |
[[Category: Electrónica]] | [[Category: Electrónica]] | ||
Revisión del 13:30 1 oct 2011
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Transistor 2N2907. Es un transistor de unión bipolar elaborado por varios fabricantes dentro de los que se destacan está la Philips Semiconductors. Es de silicio y está diseñado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación.
Sumario
Descripción
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad pnp, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en el encapsulado de tipoTO-18 y TO-92.
Principales características
- Voltaje colector emisor en corte -60 V (Vceo)
- Corriente de colector constante -600m A (Ic)
- Potencia total disipada -400mW (Pd)
- Ganancia mínima o hfe de 100 (hfe)
- Frecuencia de trabajo típica 200 Mhz (Ft)
- Encapsulado de metal TO-18
- Estructura PNP
- Su complementario NPN es el 2N2222
En la figura I. se muestran sus dimensiones y distribución de pines.
Principales fabricantes
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
- SEME-LAB
- SIEMENS
- COMSET SEMICONDUCTOR
- SEMICOA SEMICONDUCTOR
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
- RAYTHEON
Aplicaciones
- Transmisores
- Amplificadores de HF y VHF
- Radiofrecuencia
- Aplicaciones de conmutación
