Diferencia entre revisiones de «BD536»
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última versión al 18:29 19 ago 2025
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BD536 es un transistor de potencia PNP fabricado en silicio, utilizado comúnmente en aplicaciones de conmutación y amplificación lineal. Ofrece características de alta ganancia, capacidad para manejar corrientes altas de hasta 4 amperios, y soporta voltajes de hasta 60 V entre colector y emisor. Su encapsulado [[TO-220]] facilita la disipación térmica para aplicaciones de media potencia.
Principales Características
- Tipo: Transistor de potencia PNP.
- Voltaje colector-base máximo: 60 V.
- Voltaje colector-emisor máximo: 60 V.
- Corriente máxima del colector DC: 4 A.
- Potencia máxima disipada: 40 W.
- Ganancia de corriente continua (hFE): típicamente 40.
- Frecuencia de transición (fT): 3 MHz.
- Temperatura máxima de operación: 150 °C.
- Encapsulado: TO-220 para disipación eficiente de calor.
Aplicaciones
- Amplificadores de potencia.
- Etapas de salida en fuentes de alimentación.
- Conmutación en circuitos de media potencia.
- Reguladores lineales.
- Controladores eléctricos en sistemas industriales.
Enlaces Externos
- https://www.alldatasheet.es/datasheet-pdf/pdf/21994/STMICROELECTRONICS/BD536.html
- https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=25400
Fuente
- STMicroelectronics. "BD536 Datasheet", STMicroelectronics, 2025.
- AllTransistors.com. "BD536 Technical Specifications", 2025.
