Diferencia entre revisiones de «Mosfet IRF6638»
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'''IRF6638'''. Es un [[transistor]] [[MOSFET]], con una amplia gama de aplicaciones en el mundo de la electrónica. | '''IRF6638'''. Es un [[transistor]] [[MOSFET]], con una amplia gama de aplicaciones en el mundo de la electrónica. | ||
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== Principales características == | == Principales características == | ||
| − | Voltaje drenaje fuente (VDS): 30 V | + | *Voltaje drenaje fuente (VDS): '''30 V''' |
| − | Voltaje puerta drenaje (VGS): ± 20 V | + | *Voltaje puerta drenaje (VGS): '''± 20 V''' |
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| − | Capacidad de salida (Coss): 810 pF | + | *Capacidad de salida (Coss): '''810 pF''' |
== Aplicaciones == | == Aplicaciones == | ||
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==Enlaces externos== | ==Enlaces externos== | ||
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| − | http://www.el-component.com/transistor-mosfet/irf6638.html | + | *http://www.el-component.com/transistor-mosfet/irf6638.html |
| − | http://www.irf.com/part/_/A~IRF6638 | + | *http://www.irf.com/part/_/A~IRF6638 |
== Fuente == | == Fuente == | ||
| − | Electronic Design. Hayden Publishing Company, 2007 | + | *Electronic Design. Hayden Publishing Company, 2007 |
| − | Electrical Design News, Volumen 51, Números 21-23. Rogers Publishing Company, 2006 | + | *Electrical Design News, Volumen 51, Números 21-23. Rogers Publishing Company, 2006 |
[[Category: Componentes electrónicos]] | [[Category: Componentes electrónicos]] | ||
Revisión del 10:15 25 sep 2014
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IRF6638. Es un transistor MOSFET, con una amplia gama de aplicaciones en el mundo de la electrónica.
Descripción
IRF6638 es un transistor Mosfet canal N, componente electrónico presentado por la firma International Rectifier en el año 2007, en su diseño utiliza la tecnología de empaquetado DirectFET patentada por dicha firma, es una técnica de encapsulamiento de MOSFET de potencia de montaje superficial (SMD), diseñado para lograr un enfriamiento superior al ofrecido por las tecnologías tradicionales de encapsulado, como el SO-8, por su diseño permite una reducción de hasta un 5 % del tamaño de los proyectos electrónicos en los que se utiliza. Además, los dispositivos con el encapsulado DirectFET cumplen la directiva 2002/95/CE de restricción de ciertas sustancias peligrosas en aparatos eléctricos y electrónicos (RoHS), fue adoptada en febrero de 2003 por la Unión Europea.
Principales características
- Voltaje drenaje fuente (VDS): 30 V
- Voltaje puerta drenaje (VGS): ± 20 V
- Corriente de avalancha (IAR): 20 A
- Carga total de puerta (Qg): 30 nC
- Potencia de disipación (PD): 89 W
- Capacidad de entrada (Ciss): 3770 pF
- Capacidad de salida (Coss): 810 pF
Aplicaciones
Dentro de las principales aplicaciones de este componente dado su reducido tamaño y eficiencia tenemos: fuentes de notebooks, computadoras de escritorio, en las telecomunicaciones y equipamientos de uso general.
Enlaces externos
Fuente
- Electronic Design. Hayden Publishing Company, 2007
- Electrical Design News, Volumen 51, Números 21-23. Rogers Publishing Company, 2006
