Diferencia entre revisiones de «SS8050»
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== Principales características == | == Principales características == | ||
| − | Voltaje colector base (Vcb): 40 V | + | *Voltaje colector base (Vcb): 40 V |
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| − | Voltaje colector emisor (Vce): 25 V | + | *Voltaje base emisor (Vbe): 6 V |
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| − | Voltaje base emisor (Vbe): 6 V | + | *Potencia de disipación máxima (Pd): 1 W |
| − | + | *Frecuencia máxima de transición (Ft): 100 MHz | |
| − | Corriente del colector (Ic): 1,5A | + | *Temperatura de unión (Tj): 150 °C |
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==Aplicaciones== | ==Aplicaciones== | ||
| − | + | Es ideal para su uso en amplificadores de audio clase B, circuitos push-pull, conmutador para cargas pequeñas y amplificación de señales de baja y alta ganancia. | |
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| − | + | *http://www.datasheet.es/PDF/587082/SS8050-pdf.html | |
| − | http://www.datasheet.es/PDF/587082/SS8050-pdf.html | + | *https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=46093 |
| − | + | *https://datasheetspdf.com/pdf/957567/Samsung/SS8050/1 | |
| − | https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=46093 | + | *Semiconductor Master Selection Guide, 1989. National Semiconductor Corporation, 1989 |
| − | + | *Discrete Semiconductor Products Databook. National Semiconductor Corporation, 1989 | |
| − | https://datasheetspdf.com/pdf/957567/Samsung/SS8050/1 | ||
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| − | Semiconductor Master Selection Guide, 1989. National Semiconductor Corporation, 1989 | ||
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| − | Discrete Semiconductor Products Databook. National Semiconductor Corporation, 1989 | ||
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Revisión del 08:04 5 nov 2021
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SS8050. Transistor NPN de uso común diseñado para la amplificación de audio y una amplia variedad de usos generales.
Descripción
Es un transistor epitaxial NPN fabricado de silicio, de pequeña señal, baja tensión y alta corriente, diseñado para amplificadores de audio de tipo push-pull de clase B y aplicaciones de uso general en circuitos electrónicos, como aplicaciones de conmutación. Su corriente de colector es de 1.5A, por lo que puede permitir una corriente máxima de 1.5A a través de sus pines de colector y emisor. Por lo tanto, solo podemos manejar cargas que están en el límite de 1.5A. Su par complementario PNP es el SS8550.
Principales características
- Voltaje colector base (Vcb): 40 V
- Voltaje colector emisor (Vce): 25 V
- Voltaje base emisor (Vbe): 6 V
- Corriente del colector (Ic): 1,5A
- Potencia de disipación máxima (Pd): 1 W
- Frecuencia máxima de transición (Ft): 100 MHz
- Temperatura de unión (Tj): 150 °C
- Rango de temperatura de operación (Tstg):-65 a 150 ºC
- Encapsulado: TO-92
Aplicaciones
Es ideal para su uso en amplificadores de audio clase B, circuitos push-pull, conmutador para cargas pequeñas y amplificación de señales de baja y alta ganancia.
Fuentes
- http://www.datasheet.es/PDF/587082/SS8050-pdf.html
- https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=46093
- https://datasheetspdf.com/pdf/957567/Samsung/SS8050/1
- Semiconductor Master Selection Guide, 1989. National Semiconductor Corporation, 1989
- Discrete Semiconductor Products Databook. National Semiconductor Corporation, 1989
