Diferencia entre revisiones de «Transistor BC640»
(Página creada con '{{Ficha Hardware | nombre = BC640 | imagen = BC640.jpg | pie = Transistor. | conn1 = A otros componentes electrónicos. | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, ...') |
|||
| Línea 5: | Línea 5: | ||
| conn1 = A otros componentes electrónicos. | | conn1 = A otros componentes electrónicos. | ||
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países. | | manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}}, {{bandera2|Estados Unidos}} y otros países. | ||
| − | }}<div align=justify> | + | }} |
| − | ''' | + | <div align=justify> |
| + | '''Transistor BC640'''. Es un transistor bipolar de potencia media, compuesto por [[Silicio]. | ||
== Composición del transistor == | == Composición del transistor == | ||
Es un transistor de potencia mediaen un encapsulado A-92; SOT54 plástico | Es un transistor de potencia mediaen un encapsulado A-92; SOT54 plástico | ||
| Línea 27: | Línea 28: | ||
BC635, BC637 yBC639 | BC635, BC637 yBC639 | ||
==Fuentes== | ==Fuentes== | ||
| − | *Artículo [http://www.pcpaudio.com/pcpfiles/transistores/BC636_638_640.pdf] | + | *Artículo [http://www.pcpaudio.com/pcpfiles/transistores/BC636_638_640.pdf |
| + | Transistor BC640] Disponible en la Web “http://www.pcpaudio.com” Consultado: 27 de octubre de 2013. | ||
[[Category:electrónica]] | [[Category:electrónica]] | ||
Fuente de img: | Fuente de img: | ||
http://www.bgmicro.com/trnbc850c.aspx | http://www.bgmicro.com/trnbc850c.aspx | ||
Revisión del 09:31 27 jun 2013
| ||||||||
Transistor BC640. Es un transistor bipolar de potencia media, compuesto por [[Silicio].
Composición del transistor
Es un transistor de potencia mediaen un encapsulado A-92; SOT54 plástico paquete. PNP compuesto por silicio, en su composición posee una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
Características
- Material: Si
- La estructura de transistor: p-n-p
- Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 1W
- Limite el colector DC-base (Ucb): 80V
- Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 80V
- Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V
- Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 1A
- Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C
- Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 50MHz
Usos
- Amplificadores de audio
- Amplificadores de video
- Equipos informáticos
Transistores equivalentes
BC635, BC637 yBC639
Fuentes
Transistor BC640] Disponible en la Web “http://www.pcpaudio.com” Consultado: 27 de octubre de 2013.
Fuente de img: http://www.bgmicro.com/trnbc850c.aspx
