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'''Zhores Ivanovich Alferov.'''  Físico ruso que contribuyó significativamente a la creación de las modernas heteroestructuras en [[física]] y [[electrónica]]. Fue galardonado con el [[Premio Nobel de Física]] en el año [[2000]] junto a [[Herbert Kroemer]]  y a [[Jack St. Clair Kilby]].
 
'''Zhores Ivanovich Alferov.'''  Físico ruso que contribuyó significativamente a la creación de las modernas heteroestructuras en [[física]] y [[electrónica]]. Fue galardonado con el [[Premio Nobel de Física]] en el año [[2000]] junto a [[Herbert Kroemer]]  y a [[Jack St. Clair Kilby]].
 
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Desde [[1962]]  ha estado trabajando en el área de heteroestructuras de semiconductores.  Sus contribuciones a la física y a la tecnología de semiconductores,  han producido avances en los campos de los láseres, células fotoeléctricas, LED y procesos epitaxiales de fabricación de microcomponentes.
 
==Fuente==
 
==Fuente==
 
*[http://www.fisicanet.com.ar/biografias/nobelfisica/bibliografias3/alferov.php Fisicanet]
 
*[http://www.fisicanet.com.ar/biografias/nobelfisica/bibliografias3/alferov.php Fisicanet]

Revisión del 10:49 20 mar 2014

Zhores Ivanovich Alferov
Información sobre la plantilla
Zhores I. Alferov.jpg
Fecha de nacimiento15 de marzo de 1930
Lugar de nacimientoBandera de la Unión Soviética Unión Soviética
CampoFísica aplicada
Conocido porsu importante contribución a los fundamentos básicos de la tecnología de información moderna, particularmente a través de la invención de transistores rápidos, díodos en láser y circuitos integrados
Premios
destacados
Premio Nobel de Física
Premio Estatal de la URSS
Premio Lenin

Zhores Ivanovich Alferov. Físico ruso que contribuyó significativamente a la creación de las modernas heteroestructuras en física y electrónica. Fue galardonado con el Premio Nobel de Física en el año 2000 junto a Herbert Kroemer y a Jack St. Clair Kilby. Desde 1962 ha estado trabajando en el área de heteroestructuras de semiconductores. Sus contribuciones a la física y a la tecnología de semiconductores, han producido avances en los campos de los láseres, células fotoeléctricas, LED y procesos epitaxiales de fabricación de microcomponentes.

Fuente