BD536

'''BD536''' es un transistor NPN de potencia.

BD536 Transistor de potencia PNP

'''BD536''' es un transistor de potencia PNP fabricado en silicio, utilizado comúnmente en aplicaciones de conmutación y amplificación lineal. Ofrece características de alta ganancia, capacidad para manejar corrientes altas de hasta 4 amperios, y soporta voltajes de hasta 60 V entre colector y emisor. Su encapsulado [[TO-220]] facilita la disipación térmica para aplicaciones de media potencia.

Principales Características

• Tipo: Transistor de potencia PNP.
• Voltaje colector-base máximo: 60 V.
• Voltaje colector-emisor máximo: 60 V.
• Corriente máxima del colector DC: 4 A.
• Potencia máxima disipada: 40 W.
• Ganancia de corriente continua (hFE): típicamente 40.
• Frecuencia de transición (fT): 3 MHz.
• Temperatura máxima de operación: 150 °C.
• Encapsulado: TO-220 para disipación eficiente de calor.

Aplicaciones

• Amplificadores de potencia.
• Etapas de salida en fuentes de alimentación.
• Conmutación en circuitos de media potencia.
• Reguladores lineales.
• Controladores eléctricos en sistemas industriales.

Enlaces Externos

• https://www.alldatasheet.es/datasheet-pdf/pdf/21994/STMICROELECTRONICS/BD536.html
• https://alltransistors.com/es/transistor.php?transistor=25400

Fuente

• STMicroelectronics. "BD536 Datasheet", STMicroelectronics, 2025.
• AllTransistors.com. "BD536 Technical Specifications", 2025.