2N7000

2N7000

”2N7000 es un transistor de efecto de campo canal N, con una amplia variedad de aplicaciones en el mundo de la electrónica.

Descripción

2N7000 es un transistor de efecto de campo, canal N, desarrollado por la Firma de Componentes Electrónicos Fairchil Semiconductor en el año 1995, utilizando para su diseño la tecnología de alta densidad celular DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión), patentada por dicha firma. Este producto ha sido diseñado para minimizar su resistencia de estado, mientras que proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable. Se puede utilizar en la mayoría de las aplicaciones que requieran hasta 400 mA de corriente directa, capaz de entregar corrientes de pulsos de hasta 2 A. Se suministra en un encapsulado de tipo TO-92.

Principales características

Tensión drenaje fuente (VDSS): 60 V

Tensión drenaje puerta (DDGR): 60 V

Tensión puerta fuente continuo (VGSS): ±20 V

Corriente de drenaje máxima continua (ID): 200 mA y 500 mA pulsada.

Máxima potencia de disipación (PD): 400 mW

Rango de temperatura de operación (TSTG): -55 a 150 ºC

Máxima temperatura de soldadura en 10 segundos (TL): 300 ºC

Aplicaciones

Adecuado para baja tensión, y baja corriente, tales como el control de pequeños servo motores, controladores de puerta MOSFET de potencia, y otras aplicaciones de conmutación.

Enlaces externos

http://www.micropik.com/PDF/2N7000.pdf

http://www.farnell.com/datasheets/1571996.pdf

https://www.fairchildsemi.com/datasheets/2N/2N7000.pdf

Fuente

Commercial Transistors. General Books LLC, 2010.

Danny Banks. Microengineering, MEMS, and Interfacing: A Practical Guide. CRC Press, 2006.