Diferencia entre revisiones de «Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR)»
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Revisión del 17:43 22 jul 2011
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Rectificadores controlados de silicio activados por luz (LASCR). Dispositivo semiconductor de cuatro capas que opera esencialmente como el SCR normal, solamente que es activado por medio de energía luminosa que incide sobre una de las junturas PN, cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el LASCR se dispara y permanece en ese estado aunque desaparezca esa luz.
Principio de funcionamiento
Este dispositivo se activa mediante radiación directa de luz sobre el disco de silicio. Los pares electrón-hueco que se crean debido a la radiación producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo eléctrico. La estructura de compuerta se diseña a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prácticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). En un circuito puede ser reconocido por la simbología que muestra la figura I. Como se observa el mismo cuenta con tres terminales Puerta (G), Anodo (A) y Cátodo (K).
Aplicaciones
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente por ejemplo, transmisión de cd de alto voltaje (HVDC) y compensación de potencia reactiva estática o de volt-amperes reactivos (VAR). Un LASCR ofrece total aislamiento eléctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutación de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificación de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt típico es 250 A/μs y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/μs. La frecuencia de conmutación es de hasta 2kW, estos tiristores normalmente disponen de conexiones especiales para ser disparados con fibra óptica. Son interesantes en entornos de corrientes y tensiones elevadas,permitiendo un elevado aislamiento entre el circuito de potencia y el de gobierno.
Véase también
Fuentes
- MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
- lascr
- slideshare.net
