Transistor 2SB1443

Transistor 2SB1443
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Encapsulado y pines

2SB1443 es un transistor bipolar PNP de silicio (Si) de propósito general fabricado con excelente ganancia de corriente y baja tensión de saturación colector emisor (VCESAT).

Descripción

El transistor bipolar o de unión es un monocristal de semiconductor, en este caso de silicio, formado por 2 láminas P, y una N en el centro, que integran un sistema de 2 uniones PN. El nombre bipolar está dado por los dos polos, N y P. A cada lámina o región está conectado un terminal (pata), los terminales reciben el nombre de: Emisor, Base y Colector

El nombre de este componente electrónico comienza con 2SB, indicando el 2S, que es un transistor japonés, y la B, que es tipo PNP.

Este componente electrónico presenta encapsulado ATV, pero a pesar de su pequeño tamaño, maneja niveles de potencia, corriente y voltajes, que lo clasifican como transistor de potencia. Es fabricado por Rohm semiconductor Corporation Ltd. Japan.

Valores máximos absolutos

Parámetro Símbolo Valor
Voltaje colector base VCBO -50V
Voltaje colector emisor VCEO -50V
Voltaje emisor base VEBO -6V
Corriente de colector continua Ic DC -2A
Corriente de colector pulsos Ic pico -5A
Disipación de potencia Pc 1W
Temperatura de unión Tj 150 grados C

Otras características eléctricas a 25 grados C

  • Corriente de corte de colector (ICBO) = -100 na a VCB = -50 V
  • Corriente de corte de emisor IEBO = 100 na a VEB = -5 V
  • Voltaje de saturación Colector emisor VCE(sat) desde -0,15 a -0.35 V
  • Frecuencia de transición típico fT = 200 a VCE = 2 V, IE = 0,5A
  • Ganancia de corriente directa hFE = 120 - 270 a VCE=2V, IC=-0,5A


Usos

  • En circuitos amplificadores de audio (AF amplifier) y circuitos de *En electrónica

para la medicina y para autos.

  • En fuentes de corriente directa.
  • Para manejar relevadores y válvulas magnéticas.

Fuentes