Transistor IRGP4086
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DESCRIPCION
El transistor bipolar de puerta aisladaes un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
- Disipación total del dispositivo (Pc): 160W
- Tensión colector-emisor (Vce): 300V
- Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.10V
- Tensión emisor-compuerta (Veg):
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 70A
- Temperatura operativa máxima (Tj), °C:
- Tiempo de elevación:
- Capacitancia de salida (Cc), pF:
- Empaquetado / Estuche: TO247
Fuentes
- MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
- ccpot.galeon.com
- https://alltransistors.com/es/pdfview.php?doc=2n3773g.pdf&dire=_upd
- https://alltransistors.com/es/pdfview.php?doc=2n3773_2n6609.pdf&dire=_motorola
