Transistor Iirg4pc50ud - IGBT
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Datos Generales
Durante mucho se tiempo se busco la forma de obtener un dispositivo que tuviera una alta impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a altas velocidades, esto dio lugar a la creación de los Transistores bipolar de puerta aislada (IGBT). Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces.
Función
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.
Especificaciones máximas
- Disipación total del dispositivo (Pc): 200W
- Tensión colector-emisor (Vce): 600V
- Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat):
- Tensión emisor-compuerta (Veg):
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 27A
- Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175
- Capacitancia de salida (Cc), pF:
- Empaquetado / Estuche: TO247AC
Fuentes
- MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
- https://alltransistors.com/es/igbt/transistor.php?transistor=522
