Ver el código de «Transistorn 2N995»

{{Ficha Hardware
| nombre = 2N995
| imagen = BD115.jpeg
| pie = [[Transistor]].
| conn1 = A otros componentes electrónicos. 
| manuf1 = {{bandera2|Japón}}, {{bandera2|China}} y otros países. 
}}<div align=justify>
'''2N995'''. Es un transistor bipolar, compuesto por [[silicio]]. 
== Partes que lo componen ==
Consiste en una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base. 

En los transistores cada región posee su terminal de contacto, si en las regiones extremas es mayoritaria la conductibilidad por huecos y en la intermedia por electrones el mismo recibe el nombre de transistor de estructura P-N-P, en un transistor con estructura N-P-N, si por el contrario en los extremos estuvieran  las regiones cuya conductibilidad es por electrones y entre ellas se encuentra la región de conductibilidad por huecos.
== Características ==
*Polaridad (P-N-P)
*Amp OSC, FM Mixer Ultra Hi Speed Switch
*Corriente máxima de colector (Ic) 0.2 [[Ampere]] 
*De colector a base (CBO) 15 Voltios 
*De colector a [[emisor]] (CEO) 15 Voltios
*De emisor a base (EBO) 4.5 Voltios
*[[Ganancia]] típica de la corriente directa (hfe) 50  Min 
*Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.36 (Watts)
*Frecuencia MHz  850 Min

== Transistores equivalentes ==
*2N996
== Usos ==
*Este transistor posee un amplio uso en equipos de [[medicina]], [[amplificadores]] de [[potencia]] media, equipos informáticos, la [[radio]] y otros aparatos electrónicos con fines comerciales. 
== Fuentes ==
* NTE Electronics.inc. All Rights Reserved Printedin USA. Previous Edition 2005.
* Imagen de Wikipedia.
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]