https://www.ecured.cu/api.php?action=feedcontributions&feedformat=atom&user=Eduardolopezjccmg 2026-06-08T04:01:17Z Contribuciones del colaborador MediaWiki 1.31.16 https://www.ecured.cu/index.php?title=Mouse&diff=675977 2011-06-20T18:10:25Z

<p>Eduardolopezjccmg: /* ¿Como se captura el movimiento del mouse? */</p> <hr /> <div>{{Definición|Nombre=Mouse|imagen=Mause_comp.JPG‎|concepto=Dispositivo apuntador usado para facilitar el manejo de un entorno gráfico en una computadora}}&lt;div align=&quot;justify&quot;&gt;'''El ratón o mouse.''' Del [[inglés]], (pronunciado /maus/) es un dispositivo apuntador usado para facilitar el manejo de un entorno gráfico en una computadora. Generalmente está fabricado en plástico y se utiliza con una de las manos. Detecta su movimiento relativo en dos dimensiones por la superficie plana en la que se apoya, reflejándose habitualmente a través de un puntero o flecha en el monitor. Hoy en día es un elemento imprescindible en un equipo informático para la mayoría de las personas, y pese a la aparición de otras tecnologías con una función similar, como la pantalla táctil, la práctica ha demostrado que tendrá todavía muchos años de vida útil. <br /> <br /> == Historia ==<br /> <br /> [[Image:Mouse o ratón.jpg|thumb|150px|Mouse]]Fue diseñado por [[Douglas Engelbart]] y [[Bill English]] durante los años [[1960]] en el [[Stanford Research Institute]]. Más tarde fue mejorado en los laboratorios de [[Palo Alto]] de la compañía [[Xerox]] (conocidos como Xerox PARC). <br /> <br /> Surgió dentro de un proyecto importante que buscaba aumentar el intelecto humano mejorando la [[comunicación]] entre el hombre y la máquina. Con su aparición, logró también dar el paso definitivo a la aparición de los primeros entornos o interfaces gráficas de usuario. La primera maqueta se construyó de manera artesanal y se patentó con el nombre de &quot;X-Y Position Indicator for a Display System&quot;. <br /> <br /> A pesar de su aspecto arcaico, su funcionamiento básico sigue siendo igual hoy en día. Tenía un aspecto de adoquín, encajaba bien en la mano y disponía de dos ruedas metálicas que, al desplazarse por la superficie, movían dos ejes: uno para controlar el movimiento vertical del cursor en pantalla y el otro para el sentido horizontal, contando además con un botón rojo en su parte superior. Por primera vez se lograba un intermediario directo entre una persona y la [[Computadora|computadora]], era algo que, a diferencia del teclado, cualquiera podía aprender a manejar sin apenas conocimientos previos. En esa época además la informática todavía estaba en una etapa primitiva: ejecutar un simple cálculo necesitaba de instrucciones escritas en un lenguaje de programación. En [[San Francisco]], a finales de [[1968]] se presentó públicamente el primer modelo oficial. El [[27 de abril]] de [[1981]] se lanzaba al mercado la primera computadora con ratón incluido.<br /> <br /> == Funcionamiento ==<br /> <br /> Su funcionamiento principal depende de la tecnología que utilice para capturar el movimiento al ser desplazado sobre una superficie plana o alfombrilla especial para ratón, y transmitir esta información para mover una flecha o puntero sobre el monitor de la computadora. Dependiendo de las tecnologías empleadas en el sensor del movimiento o por su mecanismo y del método de comunicación entre éste y la [[computadora]], existen multitud de tipos o familias. <br /> <br /> El objetivo principal o más habitual es seleccionar distintas opciones que pueden aparecer en la pantalla, con uno o dos clic, pulsaciones, en algún botón o botones. Para su manejo el usuario debe acostumbrarse tanto a desplazar el puntero como a pulsar con uno o dos clic para la mayoría de las tareas. <br /> <br /> Con el avance de las nuevas computadoras, el ratón se ha convertido en un dispositivo esencial a la hora de jugar, destacando no solo para seleccionar y accionar objetos en pantalla en juegos estratégicos, sino para cambiar la dirección de la cámara o la dirección de un personaje en juegos de primera o tercera persona. Comúnmente en la mayoría de estos juegos, los botones del ratón se utilizan para accionar las armas u objetos seleccionados y la rueda del ratón sirve para recorrer los objetos. <br /> <br /> === ¿Como se captura el movimiento del mouse? ===<br /> <br /> [[Image:Partes del mouse.jpg|thumb|150px|Partes del mouse]]<br /> <br /> #Al arrastrarlo sobre la superficie gira la bola. <br /> #Esta a su vez mueve los rodillos ortogonales <br /> #Estos están unidos a unos discos de codificación óptica, opacos pero perforados, <br /> #Eependiendo de su posición pueden dejar pasar o interrumpir señales infrarrojas de un diodo LED <br /> #Estos pulsos ópticos son captados por sensores que obtienen así unas señales digitales de la velocidad vertical y horizontal actual para trasmitirse finalmente a la computadora.<br /> <br /> == Tipos o Modelos ==<br /> <br /> === Por mecanismos ===<br /> <br /> ==== Mecánicos ====<br /> <br /> Tienen una gran esfera de plástico o goma, de varias capas, en su parte inferior para mover dos ruedas que generan pulsos en respuesta al movimiento de éste sobre la superficie. Una variante es el modelo de Honeywell que utiliza dos ruedas inclinadas 90 grados entre ellas en vez de una esfera. La circuitería interna cuenta los pulsos generados por la rueda y envía la información a la computadora, que mediante software procesa e interpreta. <br /> <br /> ==== Ópticos ====<br /> <br /> [[Image:Raton optico mio.jpg|thumb|Mouse óptico]]Es una variante que carece de la bola de goma que evita el frecuente problema de la acumulación de suciedad en el eje de transmisión, y por sus características ópticas es menos propenso a sufrir un inconveniente similar. Se considera uno de los más modernos y prácticos actualmente. Puede ofrecer un límite de 800 ppp, como cantidad de puntos distintos que puede reconocer en 2,54 centímetros (una pulgada); a menor cifra peor actuará el sensor de movimientos. Su funcionamiento se basa en un sensor óptico que fotografía la superficie sobre la que se encuentra y detectando las variaciones entre sucesivas fotografías, se determina si el ratón ha cambiado su posición. En superficies pulidas o sobre determinados materiales brillantes, el ratón óptico causa movimiento nervioso sobre la pantalla, por eso se hace necesario el uso de una alfombrilla o superficie que, para este tipo, no debe ser brillante y mejor si carece de grabados multicolores que puedan &quot;confundir&quot; la información luminosa devuelta. <br /> <br /> ==== Láser ====<br /> <br /> Este tipo es más sensible y preciso, haciéndolo aconsejable especialmente para los diseñadores gráficos y los jugadores de videojuegos. También detecta el movimiento deslizándose sobre una superficie horizontal, pero el haz de luz de tecnología óptica se sustituye por un láser con resoluciones a partir de 2000 ppp, lo que se traduce en un aumento significativo de la precisión y sensibilidad. <br /> <br /> ==== Trackball ====<br /> <br /> [[Image:220px-Logitech-trackball.jpg|thumb|Mouse Trackball]] El concepto de trackball es una idea que parte del hecho: se debe mover el puntero, no el dispositivo, por lo que se adapta para presentar una bola, de tal forma que cuando se coloque la mano encima se pueda mover mediante el dedo pulgar, sin necesidad de desplazar nada más ni toda la mano como antes. De esta manera se reduce el esfuerzo y la necesidad de espacio, además de evitarse un posible dolor de antebrazo por el movimiento de éste. A algunas personas, sin embargo, no les termina de resultar realmente cómodo. Este tipo ha sido muy útil por ejemplo en la informatización de la navegación marítima. <br /> <br /> ==== Inalámbrico ====<br /> <br /> [[Image:220px-Wireless mouse with dock.png|thumb|Mouse Inalámbrico]]En este caso el dispositivo carece de un cable que lo comunique con la computadora (ordenador), en su lugar utiliza algún tipo de tecnología inalámbrica. Para ello requiere un receptor que reciba la señal inalámbrica que produce, mediante baterías, el ratón. El receptor normalmente se conecta a la computadora a través de un puerto USB o PS/2. Según la tecnología inalámbrica usada pueden distinguirse varias posibilidades: <br /> <br /> *Radio Frecuencia (RF): Es el tipo más común y económico de este tipo de tecnologías. Funciona enviando una señal a una frecuencia de 2.4Ghz, popular en la telefonía móvil o celular, la misma que los estándares IEEE 802.11b y IEEE 802.11g. Es popular, entre otras cosas, por sus pocos errores de desconexión o interferencias con otros equipos inalámbricos, además de disponer de un alcance suficiente: hasta unos 10 metros. <br /> *Infrarrojo (IR): Esta [[tecnología]] utiliza una señal de onda infrarroja como medio de trasmisión de datos, popular también entre los controles o mandos remotos de televisiones, equipos de música o en telefonía celular. A diferencia de la anterior, tiene un alcance medio inferior a los 3 metros, y tanto el emisor como el receptor deben estar en una misma línea visual de contacto directo ininterrumpido para que la señal se reciba correctamente. Por ello su éxito ha sido menor, llegando incluso a desaparecer del mercado. <br /> *Bluetooth (BT): Bluetooth es la tecnología más reciente como transmisión inalámbrica (estándar IEEE 802.15.1), que cuenta con cierto éxito en otros dispositivos. Su alcance es de unos 10 metros o 30 pies (que corresponde a la Clase 2 del estándar Bluetooth).<br /> <br /> == Enlaces externos ==<br /> <br /> *[http://www.monografias.com Monografías] <br /> *[http://www.apple.com/es/ magicmouse] <br /> *[http://wikipedia.org/.../Mouse_(computing) Ratón (informática) - Wikipedia] <br /> *[http://www.mouse.org/ El primer ratón] <br /> <br /> == Fuentes ==<br /> <br /> *[http://www.dougengelbart.org/firsts/mouse.html Firsts Mouse]&lt;small&gt;en inglés&lt;/small&gt; <br /> *[http://www.macworld.com/article/137400/2008/12/mouse40.html Mouse at Mac]&lt;small&gt;en inglés&lt;/small&gt; <br /> *[http://famaya17.blogspot.com/2007/10/tipos-de-mouse-2.html Tipos de Mouse]<br /> <br /> [[Category:Ciencias_informáticas]]</div>

Eduardolopezjccmg https://www.ecured.cu/index.php?title=Aber%C3%ADa&diff=538715 2011-04-25T15:15:39Z

<p>Eduardolopezjccmg: Página creada con '{{Desarrollo}}{{Planta |nombre=Aberia |imagen= |reino= Plantae |familia=Flacourtiaceae }} '''Aberia:''' Se trata de un arbusto espinoso muy escaso en Cuba y apropiado...'</p> <hr /> <div>{{Desarrollo}}{{Planta<br /> |nombre=Aberia<br /> |imagen=<br /> |reino= Plantae<br /> |familia=Flacourtiaceae<br /> }} <br /> <br /> '''Aberia:''' Se trata de un arbusto espinoso muy escaso en [[Cuba|Cuba]] y apropiado para cercas vivas. Sus frutos muy pequenos, muy acidos, negros al madurar y de cascara aterciopelada, son comestibles, ricos en vitamina C, fosforo, calcio y pro-vitamina A; con su jugo se prepara un vino agradable y de excelente aspecto. Sus flores son meliferas. Existen ejemplares en varios municipios de [[Ciudad de La Habana|Ciudad de La Habana]] y se propaga por otros a traves del Sub - Programa de Frutales de la Agricultura Urbana.&lt;br&gt; <br /> <br /> == Nombre Cientifico&lt;br&gt; ==<br /> <br /> [[Pouteria caimito|Pouteria caimito]] (Ruiz et Pav) Randlk.&lt;br&gt; <br /> <br /> == Sinonimia&lt;br&gt; ==<br /> <br /> Lucuma caimito Roem. et Schult; Acras caimito Ruiz et Pav.&lt;br&gt; <br /> <br /> == Familia&lt;br&gt; ==<br /> <br /> Sapotaceae.&lt;br&gt; <br /> <br /> == Origen:&lt;br&gt; ==<br /> <br /> Brasil&lt;br&gt; <br /> <br /> == Fuente&lt;br&gt; ==<br /> <br /> Especies de frutales cultivadas en cuba en la agricultura urbana y suburbana ([[Adolfo A Rodríguez Nodals|Adolfo A Rodríguez Nodals]]), Biblioteca [[ACTAF|ACTAF]]- [[ANAP|ANAP]]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> [[Category:Árboles_frutales]]</div>

Eduardolopezjccmg https://www.ecured.cu/index.php?title=Transistor_de_efecto_campo&diff=464220 2011-03-29T22:31:54Z

<p>Eduardolopezjccmg: /* Curvas */</p> <hr /> <div>{{Materia|nombre=Transistor de Efecto de Campo |imagen=Portada_Rafa.JPG|campo a que pertenece=[[Electrónica]]|principales exponentes=}}<br /> <br /> '''El transistor de efecto campo''' (Field-Effect Transistor o FET, en inglés). Es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un &quot;canal&quot; en un material semiconductor.<br /> == Tipo de transistores ==<br /> <br /> *FET o JFET (Junction Field Effect [[Transistor]]).<br /> * MOST o [[Transistor MOSFET|MOSFET]] o IGFET (Metal Oxide Semiconductorñ Transistor o Insulated Gate Field Effect Transistor). <br /> === Clasificación según el método de aislamiento entre el canal y la puerta ===<br /> <br /> *El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).<br /> * El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n<br /> * El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky.<br /> * En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con &quot;huecos&quot; forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.<br /> *Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor).<br /> * Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aún así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.<br /> * Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor.<br /> * Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta fabricada de [[moléculas]] de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales <br /> === Simbología ===<br /> <br /> [[Image:Simbología Rafa.JPG|thumb|left|196x117px|Simbología Rafa]]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt;<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> === Composición ===<br /> El transistor de efecto de campo está compuesto por una barra de semiconductor de tipo N (ó P) en la que se difunden dos áreas de semiconductor tipo P (ó N), por lo que el FET tendría cuatro terminales, el drenador, que es uno de los extremos de la barra de semiconductor tipo N, el surtidor, que es el otro extremo del mismo, y dos puertas, que serías las dos áreas de semiconductor tipo P difundias en la barra del semiconductor tipo N. Esto es un FET de doble puerta, aunque normalmente las dos puertas de éste van unidas.&lt;br&gt;El fet tiene una región N y dos regiones P, por lo que podemos referir las uniones entre estas como diodo puerta-surtidor y diodo puerta-drenador.&lt;br&gt;Los FETS tienen bastante similitud con los transistores bipolares, por sus terminales.&lt;br&gt;&lt;br&gt;<br /> <br /> === Terminales ===<br /> *Bipolar Unipolar<br /> *Emisor E Surtidor S<br /> *Base B Puerta G<br /> *Colector C Drenador D<br /> <br /> == Ventajas y desventajas del FET&lt;br&gt;&lt;br&gt; ==<br /> === Las ventajas del FET &lt;br&gt; ===<br /> 1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (del orden de 107 W ). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.&lt;br&gt;2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.&lt;br&gt;3. Los FET so más estables con la temperatura que los BJT.&lt;br&gt;4. Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor número de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor).&lt;br&gt;5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión para valores pequeños de tensión de drenaje a fuente.&lt;br&gt;6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.&lt;br&gt;7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.&lt;br&gt; &lt;br&gt; <br /> === Desventajas del FET===<br /> 1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada.<br /> 2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.<br /> 3. Los FET se pueden dañar al manejarlos debido a la [[electricidad estática]].<br /> <br /> == Principio de operación del NJFET ==<br /> Al igual que sucede con los transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operación:<br /> *Región de corte.<br /> *Región lineal.<br /> *Región de saturación&lt;br&gt;Es preciso hacer notar que en este caso, la saturación alude a un fenómeno completamente distinto al de los transistores BJT. <br /> === Región de corte===<br /> Centremos nuestra atención en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a la puerta forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordará, cuando se forma una unión PN aparecen en los bordes de la misma una zona de deplección en la que no hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarización aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace más ancha, proporcionalmente a la tensión aplicada. <br /> [[Image:Figura 1 Rafa.JPG|thumb|left|188x142px|Figura 1 Rafa]] <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Aplicando una tensión VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de deplección, con lo que disminuye la anchura del canal N de conducción.&lt;br&gt;Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la región de agotamiento se extenderá completamente a través del canal, con lo que la resistencia del mismo se hará infinita y se impedirá el paso de ID (Figura 2). El potencial al que sucede este fenómeno se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP).<br /> [[Image:Figura 2 Rafa.JPG|thumb|left|Figura 2 Rafa]]<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Por lo tanto, para valores más negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado en la región de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.&lt;br&gt;&lt;br&gt;<br /> <br /> === Región lineal===<br /> Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensión VDS mayor que cero, aparecerá una corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estará limitado por la resistencia del canal N de conducción. En este caso pueden distinguirse dos situaciones según sea VDS grande o pequeña en comparación con VGS. <br /> === Región de saturación===<br /> Si VDS se incrementa más, se llegará a un punto donde el espesor del canal en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene independiente de VDS, puesto que los incrementos de tensión provocan un mayor estrechamiento del canal, con lo que la resistencia global aumenta (Figura 3).&lt;br&gt; <br /> <br /> [[Image:Figura 3 Rafa.JPG|thumb|left|Figura 3 Rafa]]<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> La región de saturación se da cuando se estrangula el canal en el drenaje, lo que sucede cuando la tesión puerta-drenaje es más negativa que VP, es decir:&lt;br&gt;VGD &amp;lt; VP =&amp;gt; VGS - VDS &amp;lt; VP =&amp;gt; VDS &amp;gt; VGS - VP&lt;br&gt;Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 2 y Figura En el caso del bloqueo, todo el canal resulta afectado por la zona de deplección, que es constante porque la tensión VGS se aplica uniformemente a lo largo de la unión. En cambio, en la región de corriente constante sólo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado por VDS, que varía a lo largo del mismo), y es lo que permite la circulación de la corriente.&lt;br&gt;<br /> <br /> === Curvas ===<br /> <br /> Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En primer lugar, en la representación de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia claramente el paso de la región de corte a la de saturación (Figura 4). <br /> <br /> [[Image:Figura 4 Rafa.JPG|thumb|left|Figura 4 Rafa.JPG]]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> En la práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica, puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rápidamente IG.&lt;br&gt;En la característica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre la regione lineal y de saturación (Figura 5). <br /> <br /> [[Image:Figura 5 Rafa.JPG|thumb|left|Figura 5 Rafa.JPG]]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> En la región lineal, para una determinada VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensión VDS. Sin embargo, este crecimiento se atenúa hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturación, en donde ID sólo depende de VGS. <br /> <br /> Nótese que, según esta gráfica, la región de saturación del JFET se identifica con la región activa normal de los transistores bipolares. Mientras que en RAN la corriente de colector sólo depende de la de base, aquí la magnitud de control es la tensión VGS. Por el contrario, si la resistencia del JFET en la región lineal es muy pequeña puede encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de saturación del BJT.&lt;br&gt; <br /> <br /> Vease también: [[Electronics_Workbench._Simulador_de_Circuitos_Electrónicos|Electronics Workbench. Simulador de Circuitos Electrónicos]]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt;<br /> <br /> == Parametros Comerciales ==<br /> Se presenta a continuación algunas de las características de los transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos:<br /> *IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuración de fuente común y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). En la práctica marca la máxima intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor. <br /> *VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor. <br /> * RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensión de estrangulamiento. <br /> *BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura entre fuente y drenaje. Tensiones más altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID. <br /> *BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la unión entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores de BVGS provocan una conducción por avalancha de la unión.<br /> <br /> == Enlaces Externos&lt;br&gt; ==<br /> *[http://www.ifent.org/Lecciones/fet/default.htm Ifet]<br /> *[http://www.alipso.com/monografias/transistores_efecto_de_campo/ Alipso Electronica Transistores]<br /> *[http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor-de-Efecto-de-Campo.php Electronicafacil] <br /> *[http://www.monografias.com/trabajos7/amtra/amtra.shtml Monografías] <br /> *[http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pagina_jfet/JFet.htm Transistor de Efecto de Campo]<br /> *[http://html.rincondelvago.com/transistores-de-efecto-de-campo.html RincondelVago Transistores de efecto de campo]<br /> <br /> == Fuentes ==<br /> *Libro Microelectronic de Jacob Millman &lt;br&gt;<br /> <br /> [[Category:Electrónica]]</div>

Eduardolopezjccmg https://www.ecured.cu/index.php?title=Libro_electr%C3%B3nico&diff=464215 2011-03-29T22:31:14Z

<p>Eduardolopezjccmg: /* 14 problemas de un libro electrónico */</p> <hr /> <div>{{Definición|Nombre=Televisión|imagen=Libro_electrónico.jpg‎ |concepto=Libro electrónico, también conocido como e-book, eBook, ecolibro o libro digital, es una versión electrónica o digital de un libro. También suele denominarse así al dispositivo usado para leer estos libros, que es conocido también como e-reader o lector de libros electrónicos.}} <br /> <br /> '''Libro Electrónico'''. También conocido como e-book, ecolibro o libro digital, es una versión electrónica o digital de un libro, es una publicación cuyo soporte no es el papel sino un archivo electrónico, su texto se presenta en formato digital y se almacena en diskette, CD-Room o en Internet, permite incorporar elementos multimedia como vídeo, audio, y en el caso de Internet, posibilita enlaces a otras páginas de libros digitales de la administrador de red.<br /> <br /> === Seguridad en el libro electrónico ===<br /> <br /> Para paliar el miedo del mundo editorial frente a la posible pérdida de derechos sobre el contenido de sus obras, Adobe ha creado un complejo sistema de seguridad encuadrado dentro de los sistemas de &quot;gestión de derechos digitales&quot; (DRM). La seguridad de este sistema, además de proporcionar ingresos extra a Adobe, alienta a editoriales como Pearson, Dykinson o Editorial MAD la edición de títulos técnicos. Sin embargo otras editoriales como O'Reilly ofrecen sus libros sin DRM, respetando los deseos y derechos de sus lectores. Los sistemas DRM incluyen restricciones a la libertad de leer los libros en dispositivos distintos de los que se especificaron o incluso limitaciones por fecha e incluso pueden llevar al borrado de libros ya comprados, como en el caso de Amazon con el libro; de George Orwell, que incluso dió lugar a demandas. <br /> <br /> === La tinta electrónica [[Image:Tinta electronica.jpg|thumb|right|163x130px|Tinta electronica]] ===<br /> <br /> Lo primero y fundamental es explicar brevemente qué es la tinta electrónica. A diferencia de una pantalla de ordenador normal, una pantalla de tinta electrónica no emite luz. Son dispositivos pasivos, lo que quiere decir que reflejan la luz natural o artificial que tenemos alrededor y así vemos lo que tienen “dibujado”. El principio es exactamente el mismo que el de una hoja de papel. Tan exactamente igual que, como una hoja de papel, ¡la tinta electrónica no es visible en la oscuridad! Necesitamos un foco de luz que incida en la pantalla, de la misma manera que lo necesitaríamos con el papel normal. Es esta propiedad la que hace tan interesante a la tinta electrónica, ya que la fatiga visual de leer en una pantalla de éste tipo es la misma que la de leer en papel, y muchísimo menor que la de leer en un dispositivo activo (que emite luz que viaja a los ojos) como lo es cualquier tipo de monitor, incluyendo las pantallas planas LCD. <br /> <br /> ==== Dispositivos que permiten su lectura ====<br /> <br /> Existen tres dispositivos que te permiten la lectura de este tipo de libros:<br /> <br /> *Computadora personal<br /> <br /> [[Image:Requieres.JPG|thumb|left|102x65px|Requieres]] <br /> <br /> Requieres:Un programa lector como Microsoft Reader o Acrobat Reader Conexión a [[Internet]]. <br /> <br /> *e-Book<br /> <br /> [[Image:E-Book.JPG|thumb|left|112x73px|E-Book.]]Requiere un programa lector como Microsoft Reader o Acrobat Reader Conexión a Internet (estos dispositivos portátiles se pueden conectar a través de una línea telefónica o por medio de una red LAN). <br /> <br /> === PDA ===<br /> <br /> [[Image:PDA.jpg|thumb|left|114x86px|PDA.]] <br /> <br /> Requiere un programa lector como Palm Reader o Isilo Conexión a Internet o bien algún enlace con una computadora personal que te permita obtener libros digitales. <br /> <br /> <br /> == 14 problemas de un libro electrónico ==<br /> <br /> Algunos de los más importantes son, sin duda, los que tienen que ver con los soportes de lectura, con los libros electrónicos, con los e-readers, con sus formatos e incompatibilidades, con su radical incompetencia para ofrecer, por ahora, lo que un libro analógico resolvió hace ya tiempo. Es posible que haya más, o que otros piensen que no lo son tanto, pero se debería hablar de los catorce problemas más uno: <br /> <br /> *No existe ningún lenguaje ni especificación capaz de transformar de manera precisa un formato original de partida, con acierto y proporción, a la multiplicidad de tamaños de pantalla de los distintos soportes de lectura digital; no existe un lenguaje capaz de seleccionar dinámicamente, en función del tamaño de la composición original y del área de visualización del soporte de llegada, una fuente, un cuerpo y un formato mínimamente legibles. Esto, claro, genera problemas de legibilidad, afea los textos e impide que puedan consultarse con un mínimo de calidad textos complejos, por no mencionar que hace imposible la legítima aspiración de cada editor a que el libro electrónico respete la identidad gráfica de la editorial.<br /> <br /> *Los mecanismos de navegación de los libros electrónicos son todavía básicos, porque no permiten decidir cómo queremos consultar el contenido de un libro, si se quiere paginarlo, consultar el índice y a través de él, acceder a sus páginas, etc. El Daisy Consortium viene desarrollando hace tiempo especificaciones del tipo TOC NCX para enriquecer la experiencia de la navegación, pero por ahora no ha sido incorporada a ningún otro estándar.<br /> <br /> *No existe ningún mecanismo universal establecido por el que las acciones de un usuario sobre el texto que lee (marcar un página, realizar anotaciones, etc.) puedan ser almacenadas y reutilizadas, independientemente o no del texto principal.<br /> <br /> *No existe un soporte específico para los elementos paratextuales que acompañan a los textos principales -glosarios, notas y referencias, bibliografías, sistemas de referencias cruzadas, etc.-, lo que representa un grave problema para la edición científico profesional y para los libros de texto.<br /> <br /> *Faltan desarrollos para soportar los alfabetos de otras lenguas menos comunes -lo que no sería el caso- y, sobre todo, la incorporación de reglas sintácticas básicas que administren cabalmente la partición de palabras, de líneas, etc. El desdén con que se ha tratado este asunto hasta ahora convierte a la mayoría de los textos en amalgamas indiferenciadas o en un desfile de líneas desvinculadas y alienadas.<br /> <br /> *La mayoría de los dispositivos no poseen interactividad de ningún tipo ni toleran la reproducción de medios distintos al textual, lo que limita severamente su capacidad para ser utilizados como libros de texto interactivos. Suele ocurrir, al contrario, que, tal como viene anunciando la prensa , se conformen con volcar pasivamente los textos digitalizados a soportes que no permiten interactividad de ninguna clase, lo que no es otra cosa que vinos viejos y en nuevas botellas.<br /> <br /> *No existen desarrollos universales que hayan resuelto satisfactoriamente la representación del lenguaje matemático, lo que limita de nuevo el ámbito de su posible aplicación.<br /> <br /> *El PRISM es el formato que la industria de las publicaciones periódicas se dio para intentar distinguir las unidades mínimas elementales dentro de una cabecera, es decir, los artículos. La mayoría de los lenguajes de los libros electrónicos no lo entienden ni saben distinguir esa unidad mínima, lo que dificulta la manipulación y gestión de las revistas.<br /> <br /> *Siendo ONIX for Books el “estándar internacional diseñado para la codificación y el intercambio electrónico de información bibliográfica y comercial orientada a la industria del libro”, es decir, la estructura de metadatos que la industria editorial maneja, no existe lenguaje en los libros electrónicos que lo soporte.<br /> <br /> *No se han desarrollado con la suficiente finura la sincronización entre los distintos tipos de medios que pueden ser teóricamente reproducidos en un lector digital: algo tan sencillo como practicar la lectura en voz alta resaltando la correlación entre el grafema y el fonema, entre la letra y su sonido, que serviría para instruir en la lectura a los más pequeños, es algo que no ha sido todavía resuelto.<br /> <br /> *Es urgente y necesario estandarizar, si es que se usan, los DRM.<br /> <br /> *Parece existir una completa desconexión entre los estándares que se desarrollan para la Web y sus navegadores y los estándares que se utilizan para los libros electrónicos: los sistemas de lectura de contenidos en la Web apenas coinciden con los sistemas que utilizamos en los dispositivos de lectura digital.<br /> <br /> *No existen plataformas de desarrollo abiertas para que puedan incorporarse mejoras y aplicaciones que incrementaran el valor del soporte y enriquecieran la experiencia de la consulta y la lectura o, por qué no, de la compra y la adquisición de contenidos o servicios relacionados.<br /> <br /> *Aunque sigue existiendo un organismo internacional, el '''International Digital Publishing Forum''', que al principio se llamó '''Open Ebook Forum''', y que nació, precisamente, como resultado de los estrepitosos fracasos de la primera generación de libros electrónicos, se sigue en las mismas: descoordinados, haciendo cada cual la guerra por su cuenta, sin terminar de entender que la coordinación, la cooperación y la transversalidad son esenciales en la economía digital.<br /> <br /> Para saber más vease también: [[Electronics_Workbench._Simulador_de_Circuitos_Electrónicos|Electronics Workbench. Simulador de Circuitos Electrónicos]]&lt;br&gt;<br /> <br /> == Fuentes==<br /> <br /> http://www.ciberhabitat.gob.mx/biblioteca/le/lectura.htm <br /> http://pjorge.com/2010/01/19/libro-electronico-dispositivos <br /> <br /> http://jamillan.com/celill.htm<br /> http://jamillan.com/celill.htm<br /> <br /> [[Category:Tecnología_electrónica]] [[Category:Electrónica]] [[Category:Electrónica_digital]]</div>

Eduardolopezjccmg https://www.ecured.cu/index.php?title=Transistor_de_efecto_campo&diff=464116 2011-03-29T22:13:46Z

<p>Eduardolopezjccmg: </p> <hr /> <div>{{Materia|nombre=Transistor de Efecto de Campo |imagen=Portada_Rafa.JPG|campo a que pertenece=[[Electrónica]]|principales exponentes=}}<br /> <br /> '''El transistor de efecto campo''' (Field-Effect Transistor o FET, en inglés). Es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un &quot;canal&quot; en un material semiconductor.<br /> == Tipo de transistores ==<br /> <br /> *FET o JFET (Junction Field Effect [[Transistor]]).<br /> * MOST o [[Transistor MOSFET|MOSFET]] o IGFET (Metal Oxide Semiconductorñ Transistor o Insulated Gate Field Effect Transistor). <br /> === Clasificación según el método de aislamiento entre el canal y la puerta ===<br /> <br /> *El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).<br /> * El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n<br /> * El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky.<br /> * En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con &quot;huecos&quot; forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.<br /> *Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor).<br /> * Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aún así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.<br /> * Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor.<br /> * Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta fabricada de [[moléculas]] de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales <br /> === Simbología ===<br /> <br /> [[Image:Simbología Rafa.JPG|thumb|left|196x117px|Simbología Rafa]]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt;<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> === Composición ===<br /> El transistor de efecto de campo está compuesto por una barra de semiconductor de tipo N (ó P) en la que se difunden dos áreas de semiconductor tipo P (ó N), por lo que el FET tendría cuatro terminales, el drenador, que es uno de los extremos de la barra de semiconductor tipo N, el surtidor, que es el otro extremo del mismo, y dos puertas, que serías las dos áreas de semiconductor tipo P difundias en la barra del semiconductor tipo N. Esto es un FET de doble puerta, aunque normalmente las dos puertas de éste van unidas.&lt;br&gt;El fet tiene una región N y dos regiones P, por lo que podemos referir las uniones entre estas como diodo puerta-surtidor y diodo puerta-drenador.&lt;br&gt;Los FETS tienen bastante similitud con los transistores bipolares, por sus terminales.&lt;br&gt;&lt;br&gt;<br /> <br /> === Terminales ===<br /> *Bipolar Unipolar<br /> *Emisor E Surtidor S<br /> *Base B Puerta G<br /> *Colector C Drenador D<br /> <br /> == Ventajas y desventajas del FET&lt;br&gt;&lt;br&gt; ==<br /> === Las ventajas del FET &lt;br&gt; ===<br /> 1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (del orden de 107 W ). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.&lt;br&gt;2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.&lt;br&gt;3. Los FET so más estables con la temperatura que los BJT.&lt;br&gt;4. Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor número de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor).&lt;br&gt;5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión para valores pequeños de tensión de drenaje a fuente.&lt;br&gt;6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.&lt;br&gt;7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.&lt;br&gt; &lt;br&gt; <br /> === Desventajas del FET===<br /> 1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada.<br /> 2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.<br /> 3. Los FET se pueden dañar al manejarlos debido a la [[electricidad estática]].<br /> <br /> == Principio de operación del NJFET ==<br /> Al igual que sucede con los transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operación:<br /> *Región de corte.<br /> *Región lineal.<br /> *Región de saturación&lt;br&gt;Es preciso hacer notar que en este caso, la saturación alude a un fenómeno completamente distinto al de los transistores BJT. <br /> === Región de corte===<br /> Centremos nuestra atención en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a la puerta forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordará, cuando se forma una unión PN aparecen en los bordes de la misma una zona de deplección en la que no hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarización aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace más ancha, proporcionalmente a la tensión aplicada. <br /> [[Image:Figura 1 Rafa.JPG|thumb|left|188x142px|Figura 1 Rafa]] <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Aplicando una tensión VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de deplección, con lo que disminuye la anchura del canal N de conducción.&lt;br&gt;Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la región de agotamiento se extenderá completamente a través del canal, con lo que la resistencia del mismo se hará infinita y se impedirá el paso de ID (Figura 2). El potencial al que sucede este fenómeno se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP).<br /> [[Image:Figura 2 Rafa.JPG|thumb|left|Figura 2 Rafa]]<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Por lo tanto, para valores más negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado en la región de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.&lt;br&gt;&lt;br&gt;<br /> <br /> === Región lineal===<br /> Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensión VDS mayor que cero, aparecerá una corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estará limitado por la resistencia del canal N de conducción. En este caso pueden distinguirse dos situaciones según sea VDS grande o pequeña en comparación con VGS. <br /> === Región de saturación===<br /> Si VDS se incrementa más, se llegará a un punto donde el espesor del canal en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene independiente de VDS, puesto que los incrementos de tensión provocan un mayor estrechamiento del canal, con lo que la resistencia global aumenta (Figura 3).&lt;br&gt; <br /> <br /> [[Image:Figura 3 Rafa.JPG|thumb|left|Figura 3 Rafa]]<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> La región de saturación se da cuando se estrangula el canal en el drenaje, lo que sucede cuando la tesión puerta-drenaje es más negativa que VP, es decir:&lt;br&gt;VGD &amp;lt; VP =&amp;gt; VGS - VDS &amp;lt; VP =&amp;gt; VDS &amp;gt; VGS - VP&lt;br&gt;Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 2 y Figura En el caso del bloqueo, todo el canal resulta afectado por la zona de deplección, que es constante porque la tensión VGS se aplica uniformemente a lo largo de la unión. En cambio, en la región de corriente constante sólo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado por VDS, que varía a lo largo del mismo), y es lo que permite la circulación de la corriente.&lt;br&gt;<br /> <br /> === Curvas ===<br /> <br /> Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En primer lugar, en la representación de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia claramente el paso de la región de corte a la de saturación (Figura 4). <br /> <br /> [[Image:Figura 4 Rafa.JPG|thumb|left]]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> En la práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica, puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rápidamente IG.&lt;br&gt;En la característica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre la regione lineal y de saturación (Figura 5). <br /> <br /> [[Image:Figura 5 Rafa.JPG|thumb|left]]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> En la región lineal, para una determinada VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensión VDS. Sin embargo, este crecimiento se atenúa hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturación, en donde ID sólo depende de VGS. <br /> <br /> Nótese que, según esta gráfica, la región de saturación del JFET se identifica con la región activa normal de los transistores bipolares. Mientras que en RAN la corriente de colector sólo depende de la de base, aquí la magnitud de control es la tensión VGS. Por el contrario, si la resistencia del JFET en la región lineal es muy pequeña puede encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de saturación del BJT.&lt;br&gt; <br /> <br /> Vease también: [[Electronics Workbench. Simulador de Circutitos Electrónicos|Electronics Workbench. Simulador de Circutitos Electrónicos]]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt;<br /> <br /> == Parametros Comerciales ==<br /> Se presenta a continuación algunas de las características de los transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos:<br /> *IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuración de fuente común y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). En la práctica marca la máxima intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor. <br /> *VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor. <br /> * RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensión de estrangulamiento. <br /> *BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura entre fuente y drenaje. Tensiones más altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID. <br /> *BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la unión entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores de BVGS provocan una conducción por avalancha de la unión.<br /> <br /> == Enlaces Externos&lt;br&gt; ==<br /> *[http://www.ifent.org/Lecciones/fet/default.htm Ifet]<br /> *[http://www.alipso.com/monografias/transistores_efecto_de_campo/ Alipso Electronica Transistores]<br /> *[http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor-de-Efecto-de-Campo.php Electronicafacil] <br /> *[http://www.monografias.com/trabajos7/amtra/amtra.shtml Monografías] <br /> *[http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pagina_jfet/JFet.htm Transistor de Efecto de Campo]<br /> *[http://html.rincondelvago.com/transistores-de-efecto-de-campo.html RincondelVago Transistores de efecto de campo]<br /> <br /> == Fuentes ==<br /> *Libro Microelectronic de Jacob Millman &lt;br&gt;<br /> <br /> [[Category:Electrónica]]</div>

Eduardolopezjccmg https://www.ecured.cu/index.php?title=Libro_electr%C3%B3nico&diff=464091 2011-03-29T22:09:30Z

<p>Eduardolopezjccmg: </p> <hr /> <div>{{Definición|Nombre=Televisión|imagen=Libro_electrónico.jpg‎ |concepto=Libro electrónico, también conocido como e-book, eBook, ecolibro o libro digital, es una versión electrónica o digital de un libro. También suele denominarse así al dispositivo usado para leer estos libros, que es conocido también como e-reader o lector de libros electrónicos.}} <br /> <br /> '''Libro Electrónico'''. También conocido como e-book, ecolibro o libro digital, es una versión electrónica o digital de un libro, es una publicación cuyo soporte no es el papel sino un archivo electrónico, su texto se presenta en formato digital y se almacena en diskette, CD-Room o en Internet, permite incorporar elementos multimedia como vídeo, audio, y en el caso de Internet, posibilita enlaces a otras páginas de libros digitales de la administrador de red.<br /> <br /> === Seguridad en el libro electrónico ===<br /> <br /> Para paliar el miedo del mundo editorial frente a la posible pérdida de derechos sobre el contenido de sus obras, Adobe ha creado un complejo sistema de seguridad encuadrado dentro de los sistemas de &quot;gestión de derechos digitales&quot; (DRM). La seguridad de este sistema, además de proporcionar ingresos extra a Adobe, alienta a editoriales como Pearson, Dykinson o Editorial MAD la edición de títulos técnicos. Sin embargo otras editoriales como O'Reilly ofrecen sus libros sin DRM, respetando los deseos y derechos de sus lectores. Los sistemas DRM incluyen restricciones a la libertad de leer los libros en dispositivos distintos de los que se especificaron o incluso limitaciones por fecha e incluso pueden llevar al borrado de libros ya comprados, como en el caso de Amazon con el libro; de George Orwell, que incluso dió lugar a demandas. <br /> <br /> === La tinta electrónica [[Image:Tinta electronica.jpg|thumb|right|163x130px|Tinta electronica]] ===<br /> <br /> Lo primero y fundamental es explicar brevemente qué es la tinta electrónica. A diferencia de una pantalla de ordenador normal, una pantalla de tinta electrónica no emite luz. Son dispositivos pasivos, lo que quiere decir que reflejan la luz natural o artificial que tenemos alrededor y así vemos lo que tienen “dibujado”. El principio es exactamente el mismo que el de una hoja de papel. Tan exactamente igual que, como una hoja de papel, ¡la tinta electrónica no es visible en la oscuridad! Necesitamos un foco de luz que incida en la pantalla, de la misma manera que lo necesitaríamos con el papel normal. Es esta propiedad la que hace tan interesante a la tinta electrónica, ya que la fatiga visual de leer en una pantalla de éste tipo es la misma que la de leer en papel, y muchísimo menor que la de leer en un dispositivo activo (que emite luz que viaja a los ojos) como lo es cualquier tipo de monitor, incluyendo las pantallas planas LCD. <br /> <br /> ==== Dispositivos que permiten su lectura ====<br /> <br /> Existen tres dispositivos que te permiten la lectura de este tipo de libros:<br /> <br /> *Computadora personal<br /> <br /> [[Image:Requieres.JPG|thumb|left|102x65px|Requieres]] <br /> <br /> Requieres:Un programa lector como Microsoft Reader o Acrobat Reader Conexión a [[Internet]]. <br /> <br /> *e-Book<br /> <br /> [[Image:E-Book.JPG|thumb|left|112x73px|E-Book.]]Requiere un programa lector como Microsoft Reader o Acrobat Reader Conexión a Internet (estos dispositivos portátiles se pueden conectar a través de una línea telefónica o por medio de una red LAN). <br /> <br /> === PDA ===<br /> <br /> [[Image:PDA.jpg|thumb|left|114x86px|PDA.]] <br /> <br /> Requiere un programa lector como Palm Reader o Isilo Conexión a Internet o bien algún enlace con una computadora personal que te permita obtener libros digitales. <br /> <br /> <br /> == 14 problemas de un libro electrónico ==<br /> <br /> Algunos de los más importantes son, sin duda, los que tienen que ver con los soportes de lectura, con los libros electrónicos, con los e-readers, con sus formatos e incompatibilidades, con su radical incompetencia para ofrecer, por ahora, lo que un libro analógico resolvió hace ya tiempo. Es posible que haya más, o que otros piensen que no lo son tanto, pero se debería hablar de los catorce problemas más uno: <br /> <br /> *No existe ningún lenguaje ni especificación capaz de transformar de manera precisa un formato original de partida, con acierto y proporción, a la multiplicidad de tamaños de pantalla de los distintos soportes de lectura digital; no existe un lenguaje capaz de seleccionar dinámicamente, en función del tamaño de la composición original y del área de visualización del soporte de llegada, una fuente, un cuerpo y un formato mínimamente legibles. Esto, claro, genera problemas de legibilidad, afea los textos e impide que puedan consultarse con un mínimo de calidad textos complejos, por no mencionar que hace imposible la legítima aspiración de cada editor a que el libro electrónico respete la identidad gráfica de la editorial.<br /> <br /> *Los mecanismos de navegación de los libros electrónicos son todavía básicos, porque no permiten decidir cómo queremos consultar el contenido de un libro, si se quiere paginarlo, consultar el índice y a través de él, acceder a sus páginas, etc. El Daisy Consortium viene desarrollando hace tiempo especificaciones del tipo TOC NCX para enriquecer la experiencia de la navegación, pero por ahora no ha sido incorporada a ningún otro estándar.<br /> <br /> *No existe ningún mecanismo universal establecido por el que las acciones de un usuario sobre el texto que lee (marcar un página, realizar anotaciones, etc.) puedan ser almacenadas y reutilizadas, independientemente o no del texto principal.<br /> <br /> *No existe un soporte específico para los elementos paratextuales que acompañan a los textos principales -glosarios, notas y referencias, bibliografías, sistemas de referencias cruzadas, etc.-, lo que representa un grave problema para la edición científico profesional y para los libros de texto.<br /> <br /> *Faltan desarrollos para soportar los alfabetos de otras lenguas menos comunes -lo que no sería el caso- y, sobre todo, la incorporación de reglas sintácticas básicas que administren cabalmente la partición de palabras, de líneas, etc. El desdén con que se ha tratado este asunto hasta ahora convierte a la mayoría de los textos en amalgamas indiferenciadas o en un desfile de líneas desvinculadas y alienadas.<br /> <br /> *La mayoría de los dispositivos no poseen interactividad de ningún tipo ni toleran la reproducción de medios distintos al textual, lo que limita severamente su capacidad para ser utilizados como libros de texto interactivos. Suele ocurrir, al contrario, que, tal como viene anunciando la prensa , se conformen con volcar pasivamente los textos digitalizados a soportes que no permiten interactividad de ninguna clase, lo que no es otra cosa que vinos viejos y en nuevas botellas.<br /> <br /> *No existen desarrollos universales que hayan resuelto satisfactoriamente la representación del lenguaje matemático, lo que limita de nuevo el ámbito de su posible aplicación.<br /> <br /> *El PRISM es el formato que la industria de las publicaciones periódicas se dio para intentar distinguir las unidades mínimas elementales dentro de una cabecera, es decir, los artículos. La mayoría de los lenguajes de los libros electrónicos no lo entienden ni saben distinguir esa unidad mínima, lo que dificulta la manipulación y gestión de las revistas.<br /> <br /> *Siendo ONIX for Books el “estándar internacional diseñado para la codificación y el intercambio electrónico de información bibliográfica y comercial orientada a la industria del libro”, es decir, la estructura de metadatos que la industria editorial maneja, no existe lenguaje en los libros electrónicos que lo soporte.<br /> <br /> *No se han desarrollado con la suficiente finura la sincronización entre los distintos tipos de medios que pueden ser teóricamente reproducidos en un lector digital: algo tan sencillo como practicar la lectura en voz alta resaltando la correlación entre el grafema y el fonema, entre la letra y su sonido, que serviría para instruir en la lectura a los más pequeños, es algo que no ha sido todavía resuelto.<br /> <br /> *Es urgente y necesario estandarizar, si es que se usan, los DRM.<br /> <br /> *Parece existir una completa desconexión entre los estándares que se desarrollan para la Web y sus navegadores y los estándares que se utilizan para los libros electrónicos: los sistemas de lectura de contenidos en la Web apenas coinciden con los sistemas que utilizamos en los dispositivos de lectura digital.<br /> <br /> *No existen plataformas de desarrollo abiertas para que puedan incorporarse mejoras y aplicaciones que incrementaran el valor del soporte y enriquecieran la experiencia de la consulta y la lectura o, por qué no, de la compra y la adquisición de contenidos o servicios relacionados.<br /> <br /> *Aunque sigue existiendo un organismo internacional, el '''International Digital Publishing Forum''', que al principio se llamó '''Open Ebook Forum''', y que nació, precisamente, como resultado de los estrepitosos fracasos de la primera generación de libros electrónicos, se sigue en las mismas: descoordinados, haciendo cada cual la guerra por su cuenta, sin terminar de entender que la coordinación, la cooperación y la transversalidad son esenciales en la economía digital.<br /> <br /> Para saber más vease también: [[Electronics Workbench. Simulador de Circutitos Electrónicos|Electronics Workbench. Simulador de Circutitos Electrónicos]]&lt;br&gt;<br /> <br /> == Fuentes==<br /> <br /> http://www.ciberhabitat.gob.mx/biblioteca/le/lectura.htm <br /> http://pjorge.com/2010/01/19/libro-electronico-dispositivos <br /> <br /> http://jamillan.com/celill.htm<br /> http://jamillan.com/celill.htm<br /> <br /> [[Category:Tecnología_electrónica]] [[Category:Electrónica]] [[Category:Electrónica_digital]]</div>

Eduardolopezjccmg https://www.ecured.cu/index.php?title=Transistor_de_efecto_campo&diff=464076 2011-03-29T22:06:43Z

<p>Eduardolopezjccmg: </p> <hr /> <div>{{Materia|nombre=Transistor de Efecto de Campo |imagen=Portada_Rafa.JPG|campo a que pertenece=[[Electrónica]]|principales exponentes=}}<br /> <br /> '''El transistor de efecto campo''' (Field-Effect Transistor o FET, en inglés). Es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un &quot;canal&quot; en un material semiconductor.<br /> == Tipo de transistores ==<br /> <br /> *FET o JFET (Junction Field Effect [[Transistor]]).<br /> * MOST o [[Transistor MOSFET|MOSFET]] o IGFET (Metal Oxide Semiconductorñ Transistor o Insulated Gate Field Effect Transistor). <br /> === Clasificación según el método de aislamiento entre el canal y la puerta ===<br /> <br /> *El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).<br /> * El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n<br /> * El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky.<br /> * En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con &quot;huecos&quot; forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.<br /> *Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor).<br /> * Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aún así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.<br /> * Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor.<br /> * Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta fabricada de [[moléculas]] de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales <br /> === Simbología ===<br /> <br /> [[Image:Simbología Rafa.JPG|thumb|left|196x117px|Simbología Rafa]]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt;<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> === Composición ===<br /> El transistor de efecto de campo está compuesto por una barra de semiconductor de tipo N (ó P) en la que se difunden dos áreas de semiconductor tipo P (ó N), por lo que el FET tendría cuatro terminales, el drenador, que es uno de los extremos de la barra de semiconductor tipo N, el surtidor, que es el otro extremo del mismo, y dos puertas, que serías las dos áreas de semiconductor tipo P difundias en la barra del semiconductor tipo N. Esto es un FET de doble puerta, aunque normalmente las dos puertas de éste van unidas.&lt;br&gt;El fet tiene una región N y dos regiones P, por lo que podemos referir las uniones entre estas como diodo puerta-surtidor y diodo puerta-drenador.&lt;br&gt;Los FETS tienen bastante similitud con los transistores bipolares, por sus terminales.&lt;br&gt;&lt;br&gt;<br /> <br /> === Terminales ===<br /> *Bipolar Unipolar<br /> *Emisor E Surtidor S<br /> *Base B Puerta G<br /> *Colector C Drenador D<br /> <br /> == Ventajas y desventajas del FET&lt;br&gt;&lt;br&gt; ==<br /> === Las ventajas del FET &lt;br&gt; ===<br /> 1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (del orden de 107 W ). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.&lt;br&gt;2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.&lt;br&gt;3. Los FET so más estables con la temperatura que los BJT.&lt;br&gt;4. Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor número de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor).&lt;br&gt;5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión para valores pequeños de tensión de drenaje a fuente.&lt;br&gt;6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.&lt;br&gt;7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.&lt;br&gt; &lt;br&gt; <br /> === Desventajas del FET===<br /> 1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada.<br /> 2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.<br /> 3. Los FET se pueden dañar al manejarlos debido a la [[electricidad estática]].<br /> <br /> == Principio de operación del NJFET ==<br /> Al igual que sucede con los transistores BJT el JFET tiene tres regiones de operación:<br /> *Región de corte.<br /> *Región lineal.<br /> *Región de saturación&lt;br&gt;Es preciso hacer notar que en este caso, la saturación alude a un fenómeno completamente distinto al de los transistores BJT. <br /> === Región de corte===<br /> Centremos nuestra atención en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a la puerta forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordará, cuando se forma una unión PN aparecen en los bordes de la misma una zona de deplección en la que no hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarización aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace más ancha, proporcionalmente a la tensión aplicada. <br /> [[Image:Figura 1 Rafa.JPG|thumb|left|188x142px|Figura 1 Rafa]] <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Aplicando una tensión VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de deplección, con lo que disminuye la anchura del canal N de conducción.&lt;br&gt;Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la región de agotamiento se extenderá completamente a través del canal, con lo que la resistencia del mismo se hará infinita y se impedirá el paso de ID (Figura 2). El potencial al que sucede este fenómeno se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP).<br /> [[Image:Figura 2 Rafa.JPG|thumb|left|Figura 2 Rafa]]<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Por lo tanto, para valores más negativos que VP el transistor NJFET se encuentra polarizado en la región de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.&lt;br&gt;&lt;br&gt;<br /> <br /> === Región lineal===<br /> Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensión VDS mayor que cero, aparecerá una corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estará limitado por la resistencia del canal N de conducción. En este caso pueden distinguirse dos situaciones según sea VDS grande o pequeña en comparación con VGS. <br /> === Región de saturación===<br /> Si VDS se incrementa más, se llegará a un punto donde el espesor del canal en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene independiente de VDS, puesto que los incrementos de tensión provocan un mayor estrechamiento del canal, con lo que la resistencia global aumenta (Figura 3).&lt;br&gt; <br /> <br /> [[Image:Figura 3 Rafa.JPG|thumb|left|Figura 3 Rafa]]<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br /> La región de saturación se da cuando se estrangula el canal en el drenaje, lo que sucede cuando la tesión puerta-drenaje es más negativa que VP, es decir:&lt;br&gt;VGD &amp;lt; VP =&amp;gt; VGS - VDS &amp;lt; VP =&amp;gt; VDS &amp;gt; VGS - VP&lt;br&gt;Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 2 y Figura En el caso del bloqueo, todo el canal resulta afectado por la zona de deplección, que es constante porque la tensión VGS se aplica uniformemente a lo largo de la unión. En cambio, en la región de corriente constante sólo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado por VDS, que varía a lo largo del mismo), y es lo que permite la circulación de la corriente.&lt;br&gt;<br /> <br /> === Curvas ===<br /> <br /> Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En primer lugar, en la representación de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia claramente el paso de la región de corte a la de saturación (Figura 4). <br /> <br /> [[Image:Figura 4 Rafa.JPG|thumb|left]]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> En la práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica, puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rápidamente IG.&lt;br&gt;En la característica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre la regione lineal y de saturación (Figura 5). <br /> <br /> [[Image:Figura 5 Rafa.JPG|thumb|left]]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> En la región lineal, para una determinada VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensión VDS. Sin embargo, este crecimiento se atenúa hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturación, en donde ID sólo depende de VGS. <br /> <br /> Nótese que, según esta gráfica, la región de saturación del JFET se identifica con la región activa normal de los transistores bipolares. Mientras que en RAN la corriente de colector sólo depende de la de base, aquí la magnitud de control es la tensión VGS. Por el contrario, si la resistencia del JFET en la región lineal es muy pequeña puede encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de saturación del BJT.&lt;br&gt; <br /> <br /> Vease también: [[Electronics_Workbench._Simulador_de_Circutitos_Electrónicos|Electronics Workbench. Simulador de Circutitos Electrónicos]]&lt;br&gt;<br /> <br /> &lt;br&gt;<br /> <br /> == Parametros Comerciales ==<br /> Se presenta a continuación algunas de las características de los transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos:<br /> *IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en configuración de fuente común y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). En la práctica marca la máxima intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor. <br /> *VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor. <br /> * RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensión de estrangulamiento. <br /> *BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura entre fuente y drenaje. Tensiones más altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID. <br /> *BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la unión entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores de BVGS provocan una conducción por avalancha de la unión.<br /> <br /> == Enlaces Externos&lt;br&gt; ==<br /> *[http://www.ifent.org/Lecciones/fet/default.htm Ifet]<br /> *[http://www.alipso.com/monografias/transistores_efecto_de_campo/ Alipso Electronica Transistores]<br /> *[http://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor-de-Efecto-de-Campo.php Electronicafacil] <br /> *[http://www.monografias.com/trabajos7/amtra/amtra.shtml Monografías] <br /> *[http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pagina_jfet/JFet.htm Transistor de Efecto de Campo]<br /> *[http://html.rincondelvago.com/transistores-de-efecto-de-campo.html RincondelVago Transistores de efecto de campo]<br /> <br /> == Fuentes ==<br /> *Libro Microelectronic de Jacob Millman &lt;br&gt;<br /> <br /> [[Category:Electrónica]]</div>

Eduardolopezjccmg https://www.ecured.cu/index.php?title=Fuente_interna_conmutada&diff=463836 2011-03-29T21:25:42Z

<p>Eduardolopezjccmg: </p> <hr /> <div>'''{{Ficha_Hardware|imagen=finterna.jpg|}}'''Fuentes Internas Conmutadas'''.'''<br /> <br /> Una [[Fuente conmutada|fuente conmutada]] es un[[Dispositivo electrónico|dispositivo electrónico]] que transforma energía eléctrica mediante [[Transistores|transistores]] en [[Conmutación|conmutación]] . Mientras que un regulador de tensión utiliza transistores polarizados en su región activa de amplificación, las fuentes conmutadas utilizan los mismos conmutándolos activamente a altas frecuencias (20-100 Kilociclos típicamente) entre corte (abiertos) y saturación (Cerrados). La forma de onda cuadrada resultante es aplicada a transformadores con núcleo de ferrita (Los núcleos de hierro no son adecuados para estas altas frecuencias) para obtener uno o varios voltajes de salida de corriente alterna (CA) que luego son rectificados (Con diodos rápidos)y filtrados (Inductores y capacitores)para obtener los voltajes de salida de corriente continua (CC). Las ventajas de este método incluyen menor tamaño y peso del núcleo, mayor eficiencia por lo tanto menor calentamiento. Las desventajas comparándolas con fuentes lineales es que son más complejas y generan ruido eléctrico de alta frecuencia que debe ser cuidadosamente minimizado para no causar interferencias a equipos próximos a estas fuentes. <br /> <br /> == Clasificación ==<br /> <br /> Las fuentes conmutadas pueden ser clasificadas en cuatro tipos: alimentación CA, salida CC: rectificador, conmutador, transformador, rectificador de salida, filtro. (Ej: fuente de alimentación de [[Introducción en los Microordenadores|ordenador]] de mesa) alimentación CA, salida CA: Variador de frecuencia, conversor de Frecuencia. (Ej, variador de motor) alimentación CC, salida CA: Inversor (Ej: generar 220v/50ciclos a partir de una batería de 12v) alimentación CC, salida CC: conversor de voltaje o de corriente. (Ej: cargador de baterías de celulares para auto) <br /> <br /> == Comparación entre Fuentes de alimentación conmutadas y lineales ==<br /> <br /> Hay dos tipos principales de fuentes de alimentación reguladas disponibles: Conmutadas y lineales. Las razones por las cuales elegir un tipo o el otro se pueden resumir como sigue. Tamaño y peso – las fuentes de alimentación lineales utilizan un transformador funcionando a la frecuencia de 50 o 60 hertzios. Este transformador de baja frecuencia es varias veces más grande y más pesado que un transformador correspondiente de fuente conmutada, el cual funciona en frecuencias típicas de 50 kilociclos a 1 megaciclo. La tendencia de diseño es de utilizar frecuencias cada vez más altas mientras los transistores lo permitan para disminuir el tamaño de los componentes pasivos (capacitores, inductores, transformadores). Voltaje de la salida – las fuentes de alimentación lineales regulan la salida usando un voltaje más alto en las etapas previas y luego disipando energía como calor para producir un voltaje más bajo, regulado. Esta caída de voltaje es necesaria y no puede ser eliminada mejorando el diseño. Las fuentes conmutadas pueden producir voltajes de salida que son más bajos que el voltaje de entrada, más altos que el voltaje e incluso inversos al voltaje de entrada, haciéndolos versátiles y mejor adaptables a voltajes de entrada variables. Eficiencia, calor, y energía disipada - Una fuente lineal regula el voltaje o la corriente de la salida disipando el exceso de energía como calor, lo cual es ineficaz. Una fuente conmutada usa la señal de control para variar el ancho de pulso, tomando de la alimentación solamente la energía requerida por la carga. En todas las topologías de fuentes conmutadas, se apagan y se encienden los transistores completamente. Así, idealmente, las fuentes conmutadas son 100% eficientes. El único calor generado se da por las características no ideales de los componentes. Pérdidas en la conmutación en los transistores, resistencia directa de los transistores saturados, resistencia serie equivalente en el inductor y los condensadores, y la caída de voltaje por el rectificador bajan la eficiencia. Sin embargo, optimizando el diseño, la cantidad de energía disipada y calor pueden ser reducidos al mínimo. Un buen diseño puede tener una eficiencia de conversión de 95%. Típicamente 75-85% en fuentes de entre 10-50W. Las fuentes conmutadas más eficientes utilizan rectificación síncrona (transistores Mosfet saturados durante el semiciclo adecuado reemplazando diodos). Complejidad - un regulador lineal consiste en última instancia un transistor de potencia, un CI de regulación de voltaje y un condensador de filtro de ruido. En cambio una fuente conmutada contiene típicamente un CI regulador, uno o varios transistores y diodos de potencia como así también un transformador, inductores, y condensadores de filtro. Múltiples voltajes se pueden generar a partir del mismo núcleo de transformador. Para ello se utiliza el control por ancho de pulso de entrada aunque las diferentes salidas pueden tener dificultades para la regulación de carga. Ambos necesitan una selección cuidadosa de sus transformadores. En las fuentes conmutadas debido al funcionamiento a altas frecuencias las pérdidas en las pistas del circuito impreso por inductancia de perdida y las capacidades parásitas llegan a ser importantes. Interferencia por radiofrecuencia -&lt;br&gt; <br /> <br /> == Las Fuentes Conmutadas&lt;br&gt; ==<br /> <br /> La corriente en las fuentes conmutadas tiene cambios abruptos, y contiene una proporción grande de componentes espectrales de alta frecuencia. Cables o pistas largas entre los componentes pueden reducir la eficacia de alta frecuencia de los filtros a condensadores en la entrada y salida. Esta corriente de alta frecuencia puede generar interferencia electromagnética indeseable. Filtros EMI y blindajes de RF son necesarios para reducir la interferencia. Las fuentes de alimentación lineales no producen generalmente interferencia, y se utilizan para proveer de energía donde la interferencia de radio no debe ocurrir. Ruido electrónico en los terminales de salida de fuentes de alimentación lineales baratas con pobre regulación se puede experimentar un voltaje de CA Pequeño “montado” sobre la CC. de dos veces la [[Modulación de frecuencia|frecuencia]] de alimentación (100/120 Ciclos). Esta “ondulación” (Ripple en Inglés) está generalmente en el orden de varios milivoltios, y puede ser suprimido con [[Condensadores|condensadores]] de filtro más grandes o mejores reguladores de voltaje. Este voltaje de CA Pequeño puede causar problemas o interferencias en algunos circuitos; por ejemplo, cámaras fotográficas análogas de seguridad alimentadas con este tipo de fuentes pueden tener la modulación indeseada del brillo y distorsiones en el sonido que produce zumbido audible. Las fuentes de alimentación lineales de calidad suprimirán la ondulación mucho mejor. En cambio las Fuentes conmutadas no exhiben generalmente la ondulación en la frecuencia de la alimentación, sino salidas generalmente más ruidosas a altas frecuencias. El ruido está generalmente relacionado con la frecuencia de la conmutación. Ruido acústico - Las fuentes de alimentación lineales emiten típicamente un zumbido débil, en la baja frecuencia de alimentación, pero ésta es raramente audible (la vibración de las bobinas y las chapas del núcleo del transformador suelen ser las causas). Las Fuentes conmutadas con su funcionamiento mucho más alto en frecuencia, no son generalmente audibles por los seres humanos (a menos que tengan un ventilador, como en la mayoría de las computadoras personales). El funcionamiento incorrecto de las fuentes conmutadas puede generar sonidos agudos, ya que genera ruido acústico en frecuencia subarmónico del oscilador. Factor de Potencia las Fuentes lineales tienen bajo factor de potencia porque la energía es obtenida en los picos de voltaje de la línea de alimentación. La corriente en las fuentes conmutadas simples no sigue la forma de onda del voltaje, sino que en forma similar a las fuentes lineales la energía es obtenida solo de la parte más alta de la onda sinusoidal, por lo que su uso cada vez más frecuente en computadoras personales y lámparas fluorescentes se constituyó en un problema creciente para la distribución de energía.Existen fuentes conmutadas con una etapa previa de corrección del factor de potencia que reduce grandemente este problema y son de uso obligatorio en algunos países particularmente europeos a partir de determinadas potencias. Ruido eléctrico sobre la línea de la alimentación principal puede aparecer ruido electrónico de conmutación que puede causar interferencia con equipos de A/V conectados en la misma fase. Las fuentes de alimentación lineales raramente presentan este efecto. Las fuentes conmutadas bien diseñadas poseen filtros a la entrada que minimizan la interferencia causada en la línea de alimentación principal. <br /> <br /> == Referencias&lt;br&gt; ==<br /> <br /> &lt;br&gt;ON Semiconductor SMPS Power Supply Design Manual&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> == Enlaces&lt;br&gt; ==<br /> <br /> [http://es.wikipedia.org/wiki/Fuentes_conmutadas Wikipedia]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> [[Category:Hardware_libre]]</div>

Eduardolopezjccmg https://www.ecured.cu/index.php?title=Fuente_interna_conmutada&diff=463823 2011-03-29T21:23:33Z

<p>Eduardolopezjccmg: </p> <hr /> <div>'''{{Ficha_Hardware|imagen=finterna.jpg|}}''''''Fuentes Internas Conmutadas''''''. '''Una [[Fuente conmutada|fuente conmutada]] es un[[Dispositivo electrónico|dispositivo electrónico]] que transforma energía eléctrica mediante [[Transistores|transistores]] en [[Conmutación|conmutación]] . Mientras que un regulador de tensión utiliza transistores polarizados en su región activa de amplificación, las fuentes conmutadas utilizan los mismos conmutándolos activamente a altas frecuencias (20-100 Kilociclos típicamente) entre corte (abiertos) y saturación (Cerrados). La forma de onda cuadrada resultante es aplicada a transformadores con núcleo de ferrita (Los núcleos de hierro no son adecuados para estas altas frecuencias) para obtener uno o varios voltajes de salida de corriente alterna (CA) que luego son rectificados (Con diodos rápidos)y filtrados (Inductores y capacitores)para obtener los voltajes de salida de corriente continua (CC). Las ventajas de este método incluyen menor tamaño y peso del núcleo, mayor eficiencia por lo tanto menor calentamiento. Las desventajas comparándolas con fuentes lineales es que son más complejas y generan ruido eléctrico de alta frecuencia que debe ser cuidadosamente minimizado para no causar interferencias a equipos próximos a estas fuentes. <br /> <br /> == Clasificación ==<br /> <br /> Las fuentes conmutadas pueden ser clasificadas en cuatro tipos: alimentación CA, salida CC: rectificador, conmutador, transformador, rectificador de salida, filtro. (Ej: fuente de alimentación de [[Introducción en los Microordenadores|ordenador]] de mesa) alimentación CA, salida CA: Variador de frecuencia, conversor de Frecuencia. (Ej, variador de motor) alimentación CC, salida CA: Inversor (Ej: generar 220v/50ciclos a partir de una batería de 12v) alimentación CC, salida CC: conversor de voltaje o de corriente. (Ej: cargador de baterías de celulares para auto) <br /> <br /> == Comparación entre Fuentes de alimentación conmutadas y lineales ==<br /> <br /> Hay dos tipos principales de fuentes de alimentación reguladas disponibles: Conmutadas y lineales. Las razones por las cuales elegir un tipo o el otro se pueden resumir como sigue. Tamaño y peso – las fuentes de alimentación lineales utilizan un transformador funcionando a la frecuencia de 50 o 60 hertzios. Este transformador de baja frecuencia es varias veces más grande y más pesado que un transformador correspondiente de fuente conmutada, el cual funciona en frecuencias típicas de 50 kilociclos a 1 megaciclo. La tendencia de diseño es de utilizar frecuencias cada vez más altas mientras los transistores lo permitan para disminuir el tamaño de los componentes pasivos (capacitores, inductores, transformadores). Voltaje de la salida – las fuentes de alimentación lineales regulan la salida usando un voltaje más alto en las etapas previas y luego disipando energía como calor para producir un voltaje más bajo, regulado. Esta caída de voltaje es necesaria y no puede ser eliminada mejorando el diseño. Las fuentes conmutadas pueden producir voltajes de salida que son más bajos que el voltaje de entrada, más altos que el voltaje e incluso inversos al voltaje de entrada, haciéndolos versátiles y mejor adaptables a voltajes de entrada variables. Eficiencia, calor, y energía disipada - Una fuente lineal regula el voltaje o la corriente de la salida disipando el exceso de energía como calor, lo cual es ineficaz. Una fuente conmutada usa la señal de control para variar el ancho de pulso, tomando de la alimentación solamente la energía requerida por la carga. En todas las topologías de fuentes conmutadas, se apagan y se encienden los transistores completamente. Así, idealmente, las fuentes conmutadas son 100% eficientes. El único calor generado se da por las características no ideales de los componentes. Pérdidas en la conmutación en los transistores, resistencia directa de los transistores saturados, resistencia serie equivalente en el inductor y los condensadores, y la caída de voltaje por el rectificador bajan la eficiencia. Sin embargo, optimizando el diseño, la cantidad de energía disipada y calor pueden ser reducidos al mínimo. Un buen diseño puede tener una eficiencia de conversión de 95%. Típicamente 75-85% en fuentes de entre 10-50W. Las fuentes conmutadas más eficientes utilizan rectificación síncrona (transistores Mosfet saturados durante el semiciclo adecuado reemplazando diodos). Complejidad - un regulador lineal consiste en última instancia un transistor de potencia, un CI de regulación de voltaje y un condensador de filtro de ruido. En cambio una fuente conmutada contiene típicamente un CI regulador, uno o varios transistores y diodos de potencia como así también un transformador, inductores, y condensadores de filtro. Múltiples voltajes se pueden generar a partir del mismo núcleo de transformador. Para ello se utiliza el control por ancho de pulso de entrada aunque las diferentes salidas pueden tener dificultades para la regulación de carga. Ambos necesitan una selección cuidadosa de sus transformadores. En las fuentes conmutadas debido al funcionamiento a altas frecuencias las pérdidas en las pistas del circuito impreso por inductancia de perdida y las capacidades parásitas llegan a ser importantes. Interferencia por radiofrecuencia -&lt;br&gt; <br /> <br /> == Las Fuentes Conmutadas&lt;br&gt; ==<br /> <br /> La corriente en las fuentes conmutadas tiene cambios abruptos, y contiene una proporción grande de componentes espectrales de alta frecuencia. Cables o pistas largas entre los componentes pueden reducir la eficacia de alta frecuencia de los filtros a condensadores en la entrada y salida. Esta corriente de alta frecuencia puede generar interferencia electromagnética indeseable. Filtros EMI y blindajes de RF son necesarios para reducir la interferencia. Las fuentes de alimentación lineales no producen generalmente interferencia, y se utilizan para proveer de energía donde la interferencia de radio no debe ocurrir. Ruido electrónico en los terminales de salida de fuentes de alimentación lineales baratas con pobre regulación se puede experimentar un voltaje de CA Pequeño “montado” sobre la CC. de dos veces la [[Modulación de frecuencia|frecuencia]] de alimentación (100/120 Ciclos). Esta “ondulación” (Ripple en Inglés) está generalmente en el orden de varios milivoltios, y puede ser suprimido con [[Condensadores|condensadores]] de filtro más grandes o mejores reguladores de voltaje. Este voltaje de CA Pequeño puede causar problemas o interferencias en algunos circuitos; por ejemplo, cámaras fotográficas análogas de seguridad alimentadas con este tipo de fuentes pueden tener la modulación indeseada del brillo y distorsiones en el sonido que produce zumbido audible. Las fuentes de alimentación lineales de calidad suprimirán la ondulación mucho mejor. En cambio las Fuentes conmutadas no exhiben generalmente la ondulación en la frecuencia de la alimentación, sino salidas generalmente más ruidosas a altas frecuencias. El ruido está generalmente relacionado con la frecuencia de la conmutación. Ruido acústico - Las fuentes de alimentación lineales emiten típicamente un zumbido débil, en la baja frecuencia de alimentación, pero ésta es raramente audible (la vibración de las bobinas y las chapas del núcleo del transformador suelen ser las causas). Las Fuentes conmutadas con su funcionamiento mucho más alto en frecuencia, no son generalmente audibles por los seres humanos (a menos que tengan un ventilador, como en la mayoría de las computadoras personales). El funcionamiento incorrecto de las fuentes conmutadas puede generar sonidos agudos, ya que genera ruido acústico en frecuencia subarmónico del oscilador. Factor de Potencia las Fuentes lineales tienen bajo factor de potencia porque la energía es obtenida en los picos de voltaje de la línea de alimentación. La corriente en las fuentes conmutadas simples no sigue la forma de onda del voltaje, sino que en forma similar a las fuentes lineales la energía es obtenida solo de la parte más alta de la onda sinusoidal, por lo que su uso cada vez más frecuente en computadoras personales y lámparas fluorescentes se constituyó en un problema creciente para la distribución de energía.Existen fuentes conmutadas con una etapa previa de corrección del factor de potencia que reduce grandemente este problema y son de uso obligatorio en algunos países particularmente europeos a partir de determinadas potencias. Ruido eléctrico sobre la línea de la alimentación principal puede aparecer ruido electrónico de conmutación que puede causar interferencia con equipos de A/V conectados en la misma fase. Las fuentes de alimentación lineales raramente presentan este efecto. Las fuentes conmutadas bien diseñadas poseen filtros a la entrada que minimizan la interferencia causada en la línea de alimentación principal. <br /> <br /> == Referencias&lt;br&gt; ==<br /> <br /> &lt;br&gt;ON Semiconductor SMPS Power Supply Design Manual&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> == Enlaces&lt;br&gt; ==<br /> <br /> [http://es.wikipedia.org/wiki/Fuentes_conmutadas Wikipedia]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> [[Category:Hardware_libre]]</div>

Eduardolopezjccmg https://www.ecured.cu/index.php?title=Fuente_interna_conmutada&diff=463803 2011-03-29T21:20:43Z

<p>Eduardolopezjccmg: </p> <hr /> <div>'''{{Ficha_Hardware|imagen=finterna.jpg|}}Fuentes Internas Conmutadas.'''<br /> <br /> Una [[Fuente conmutada|fuente conmutada]] es un[[Dispositivo electrónico|dispositivo electrónico]] que transforma energía eléctrica mediante [[Transistores|transistores]] en [[Conmutación|conmutación]] . Mientras que un regulador de tensión utiliza transistores polarizados en su región activa de amplificación, las fuentes conmutadas utilizan los mismos conmutándolos activamente a altas frecuencias (20-100 Kilociclos típicamente) entre corte (abiertos) y saturación (Cerrados). La forma de onda cuadrada resultante es aplicada a transformadores con núcleo de ferrita (Los núcleos de hierro no son adecuados para estas altas frecuencias) para obtener uno o varios voltajes de salida de corriente alterna (CA) que luego son rectificados (Con diodos rápidos)y filtrados (Inductores y capacitores)para obtener los voltajes de salida de corriente continua (CC). Las ventajas de este método incluyen menor tamaño y peso del núcleo, mayor eficiencia por lo tanto menor calentamiento. Las desventajas comparándolas con fuentes lineales es que son más complejas y generan ruido eléctrico de alta frecuencia que debe ser cuidadosamente minimizado para no causar interferencias a equipos próximos a estas fuentes. <br /> <br /> == Clasificación ==<br /> <br /> Las fuentes conmutadas pueden ser clasificadas en cuatro tipos: alimentación CA, salida CC: rectificador, conmutador, transformador, rectificador de salida, filtro. (Ej: fuente de alimentación de [[Introducción en los Microordenadores|ordenador]] de mesa) alimentación CA, salida CA: Variador de frecuencia, conversor de Frecuencia. (Ej, variador de motor) alimentación CC, salida CA: Inversor (Ej: generar 220v/50ciclos a partir de una batería de 12v) alimentación CC, salida CC: conversor de voltaje o de corriente. (Ej: cargador de baterías de celulares para auto) <br /> <br /> == Comparación entre Fuentes de alimentación conmutadas y lineales ==<br /> <br /> Hay dos tipos principales de fuentes de alimentación reguladas disponibles: Conmutadas y lineales. Las razones por las cuales elegir un tipo o el otro se pueden resumir como sigue. Tamaño y peso – las fuentes de alimentación lineales utilizan un transformador funcionando a la frecuencia de 50 o 60 hertzios. Este transformador de baja frecuencia es varias veces más grande y más pesado que un transformador correspondiente de fuente conmutada, el cual funciona en frecuencias típicas de 50 kilociclos a 1 megaciclo. La tendencia de diseño es de utilizar frecuencias cada vez más altas mientras los transistores lo permitan para disminuir el tamaño de los componentes pasivos (capacitores, inductores, transformadores). Voltaje de la salida – las fuentes de alimentación lineales regulan la salida usando un voltaje más alto en las etapas previas y luego disipando energía como calor para producir un voltaje más bajo, regulado. Esta caída de voltaje es necesaria y no puede ser eliminada mejorando el diseño. Las fuentes conmutadas pueden producir voltajes de salida que son más bajos que el voltaje de entrada, más altos que el voltaje e incluso inversos al voltaje de entrada, haciéndolos versátiles y mejor adaptables a voltajes de entrada variables. Eficiencia, calor, y energía disipada - Una fuente lineal regula el voltaje o la corriente de la salida disipando el exceso de energía como calor, lo cual es ineficaz. Una fuente conmutada usa la señal de control para variar el ancho de pulso, tomando de la alimentación solamente la energía requerida por la carga. En todas las topologías de fuentes conmutadas, se apagan y se encienden los transistores completamente. Así, idealmente, las fuentes conmutadas son 100% eficientes. El único calor generado se da por las características no ideales de los componentes. Pérdidas en la conmutación en los transistores, resistencia directa de los transistores saturados, resistencia serie equivalente en el inductor y los condensadores, y la caída de voltaje por el rectificador bajan la eficiencia. Sin embargo, optimizando el diseño, la cantidad de energía disipada y calor pueden ser reducidos al mínimo. Un buen diseño puede tener una eficiencia de conversión de 95%. Típicamente 75-85% en fuentes de entre 10-50W. Las fuentes conmutadas más eficientes utilizan rectificación síncrona (transistores Mosfet saturados durante el semiciclo adecuado reemplazando diodos). Complejidad - un regulador lineal consiste en última instancia un transistor de potencia, un CI de regulación de voltaje y un condensador de filtro de ruido. En cambio una fuente conmutada contiene típicamente un CI regulador, uno o varios transistores y diodos de potencia como así también un transformador, inductores, y condensadores de filtro. Múltiples voltajes se pueden generar a partir del mismo núcleo de transformador. Para ello se utiliza el control por ancho de pulso de entrada aunque las diferentes salidas pueden tener dificultades para la regulación de carga. Ambos necesitan una selección cuidadosa de sus transformadores. En las fuentes conmutadas debido al funcionamiento a altas frecuencias las pérdidas en las pistas del circuito impreso por inductancia de perdida y las capacidades parásitas llegan a ser importantes. Interferencia por radiofrecuencia -&lt;br&gt; <br /> <br /> == Las Fuentes Conmutadas&lt;br&gt; ==<br /> <br /> La corriente en las fuentes conmutadas tiene cambios abruptos, y contiene una proporción grande de componentes espectrales de alta frecuencia. Cables o pistas largas entre los componentes pueden reducir la eficacia de alta frecuencia de los filtros a condensadores en la entrada y salida. Esta corriente de alta frecuencia puede generar interferencia electromagnética indeseable. Filtros EMI y blindajes de RF son necesarios para reducir la interferencia. Las fuentes de alimentación lineales no producen generalmente interferencia, y se utilizan para proveer de energía donde la interferencia de radio no debe ocurrir. Ruido electrónico en los terminales de salida de fuentes de alimentación lineales baratas con pobre regulación se puede experimentar un voltaje de CA Pequeño “montado” sobre la CC. de dos veces la [[Modulación de frecuencia|frecuencia]] de alimentación (100/120 Ciclos). Esta “ondulación” (Ripple en Inglés) está generalmente en el orden de varios milivoltios, y puede ser suprimido con [[Condensadores|condensadores]] de filtro más grandes o mejores reguladores de voltaje. Este voltaje de CA Pequeño puede causar problemas o interferencias en algunos circuitos; por ejemplo, cámaras fotográficas análogas de seguridad alimentadas con este tipo de fuentes pueden tener la modulación indeseada del brillo y distorsiones en el sonido que produce zumbido audible. Las fuentes de alimentación lineales de calidad suprimirán la ondulación mucho mejor. En cambio las Fuentes conmutadas no exhiben generalmente la ondulación en la frecuencia de la alimentación, sino salidas generalmente más ruidosas a altas frecuencias. El ruido está generalmente relacionado con la frecuencia de la conmutación. Ruido acústico - Las fuentes de alimentación lineales emiten típicamente un zumbido débil, en la baja frecuencia de alimentación, pero ésta es raramente audible (la vibración de las bobinas y las chapas del núcleo del transformador suelen ser las causas). Las Fuentes conmutadas con su funcionamiento mucho más alto en frecuencia, no son generalmente audibles por los seres humanos (a menos que tengan un ventilador, como en la mayoría de las computadoras personales). El funcionamiento incorrecto de las fuentes conmutadas puede generar sonidos agudos, ya que genera ruido acústico en frecuencia subarmónico del oscilador. Factor de Potencia las Fuentes lineales tienen bajo factor de potencia porque la energía es obtenida en los picos de voltaje de la línea de alimentación. La corriente en las fuentes conmutadas simples no sigue la forma de onda del voltaje, sino que en forma similar a las fuentes lineales la energía es obtenida solo de la parte más alta de la onda sinusoidal, por lo que su uso cada vez más frecuente en computadoras personales y lámparas fluorescentes se constituyó en un problema creciente para la distribución de energía.Existen fuentes conmutadas con una etapa previa de corrección del factor de potencia que reduce grandemente este problema y son de uso obligatorio en algunos países particularmente europeos a partir de determinadas potencias. Ruido eléctrico sobre la línea de la alimentación principal puede aparecer ruido electrónico de conmutación que puede causar interferencia con equipos de A/V conectados en la misma fase. Las fuentes de alimentación lineales raramente presentan este efecto. Las fuentes conmutadas bien diseñadas poseen filtros a la entrada que minimizan la interferencia causada en la línea de alimentación principal. <br /> <br /> == Referencias&lt;br&gt; ==<br /> <br /> &lt;br&gt;ON Semiconductor SMPS Power Supply Design Manual&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> == Enlaces&lt;br&gt; ==<br /> <br /> [http://es.wikipedia.org/wiki/Fuentes_conmutadas Wikipedia]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> [[Category:Hardware_libre]]</div>

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<p>Eduardolopezjccmg: </p> <hr /> <div>'''{{Ficha_Hardware|imagen=finterna.jpg|}}Fuentes Internas Conmutadas. '''Una [[fuente conmutada|fuente conmutada]] es un[[Dispositivo electrónico|dispositivo electrónico]] que transforma energía eléctrica mediante [[Transistores|transistores]] en [[Conmutación|conmutación]] . Mientras que un regulador de tensión utiliza transistores polarizados en su región activa de amplificación, las fuentes conmutadas utilizan los mismos conmutándolos activamente a altas frecuencias (20-100 Kilociclos típicamente) entre corte (abiertos) y saturación (Cerrados). La forma de onda cuadrada resultante es aplicada a transformadores con núcleo de ferrita (Los núcleos de hierro no son adecuados para estas altas frecuencias) para obtener uno o varios voltajes de salida de corriente alterna (CA) que luego son rectificados (Con diodos rápidos)y filtrados (Inductores y capacitores)para obtener los voltajes de salida de corriente continua (CC). Las ventajas de este método incluyen menor tamaño y peso del núcleo, mayor eficiencia por lo tanto menor calentamiento. Las desventajas comparándolas con fuentes lineales es que son más complejas y generan ruido eléctrico de alta frecuencia que debe ser cuidadosamente minimizado para no causar interferencias a equipos próximos a estas fuentes. <br /> <br /> == Clasificación ==<br /> <br /> Las fuentes conmutadas pueden ser clasificadas en cuatro tipos: alimentación CA, salida CC: rectificador, conmutador, transformador, rectificador de salida, filtro. (Ej: fuente de alimentación de [[Introducción en los Microordenadores|ordenador]] de mesa) alimentación CA, salida CA: Variador de frecuencia, conversor de Frecuencia. (Ej, variador de motor) alimentación CC, salida CA: Inversor (Ej: generar 220v/50ciclos a partir de una batería de 12v) alimentación CC, salida CC: conversor de voltaje o de corriente. (Ej: cargador de baterías de celulares para auto) <br /> <br /> == Comparación entre Fuentes de alimentación conmutadas y lineales ==<br /> <br /> Hay dos tipos principales de fuentes de alimentación reguladas disponibles: Conmutadas y lineales. Las razones por las cuales elegir un tipo o el otro se pueden resumir como sigue. Tamaño y peso – las fuentes de alimentación lineales utilizan un transformador funcionando a la frecuencia de 50 o 60 hertzios. Este transformador de baja frecuencia es varias veces más grande y más pesado que un transformador correspondiente de fuente conmutada, el cual funciona en frecuencias típicas de 50 kilociclos a 1 megaciclo. La tendencia de diseño es de utilizar frecuencias cada vez más altas mientras los transistores lo permitan para disminuir el tamaño de los componentes pasivos (capacitores, inductores, transformadores). Voltaje de la salida – las fuentes de alimentación lineales regulan la salida usando un voltaje más alto en las etapas previas y luego disipando energía como calor para producir un voltaje más bajo, regulado. Esta caída de voltaje es necesaria y no puede ser eliminada mejorando el diseño. Las fuentes conmutadas pueden producir voltajes de salida que son más bajos que el voltaje de entrada, más altos que el voltaje e incluso inversos al voltaje de entrada, haciéndolos versátiles y mejor adaptables a voltajes de entrada variables. Eficiencia, calor, y energía disipada - Una fuente lineal regula el voltaje o la corriente de la salida disipando el exceso de energía como calor, lo cual es ineficaz. Una fuente conmutada usa la señal de control para variar el ancho de pulso, tomando de la alimentación solamente la energía requerida por la carga. En todas las topologías de fuentes conmutadas, se apagan y se encienden los transistores completamente. Así, idealmente, las fuentes conmutadas son 100% eficientes. El único calor generado se da por las características no ideales de los componentes. Pérdidas en la conmutación en los transistores, resistencia directa de los transistores saturados, resistencia serie equivalente en el inductor y los condensadores, y la caída de voltaje por el rectificador bajan la eficiencia. Sin embargo, optimizando el diseño, la cantidad de energía disipada y calor pueden ser reducidos al mínimo. Un buen diseño puede tener una eficiencia de conversión de 95%. Típicamente 75-85% en fuentes de entre 10-50W. Las fuentes conmutadas más eficientes utilizan rectificación síncrona (transistores Mosfet saturados durante el semiciclo adecuado reemplazando diodos). Complejidad - un regulador lineal consiste en última instancia un transistor de potencia, un CI de regulación de voltaje y un condensador de filtro de ruido. En cambio una fuente conmutada contiene típicamente un CI regulador, uno o varios transistores y diodos de potencia como así también un transformador, inductores, y condensadores de filtro. Múltiples voltajes se pueden generar a partir del mismo núcleo de transformador. Para ello se utiliza el control por ancho de pulso de entrada aunque las diferentes salidas pueden tener dificultades para la regulación de carga. Ambos necesitan una selección cuidadosa de sus transformadores. En las fuentes conmutadas debido al funcionamiento a altas frecuencias las pérdidas en las pistas del circuito impreso por inductancia de perdida y las capacidades parásitas llegan a ser importantes. Interferencia por radiofrecuencia -&lt;br&gt; <br /> <br /> == Las Fuentes Conmutadas&lt;br&gt; ==<br /> <br /> La corriente en las fuentes conmutadas tiene cambios abruptos, y contiene una proporción grande de componentes espectrales de alta frecuencia. Cables o pistas largas entre los componentes pueden reducir la eficacia de alta frecuencia de los filtros a condensadores en la entrada y salida. Esta corriente de alta frecuencia puede generar interferencia electromagnética indeseable. Filtros EMI y blindajes de RF son necesarios para reducir la interferencia. Las fuentes de alimentación lineales no producen generalmente interferencia, y se utilizan para proveer de energía donde la interferencia de radio no debe ocurrir. Ruido electrónico en los terminales de salida de fuentes de alimentación lineales baratas con pobre regulación se puede experimentar un voltaje de CA Pequeño “montado” sobre la CC. de dos veces la [[Modulación de frecuencia|frecuencia]] de alimentación (100/120 Ciclos). Esta “ondulación” (Ripple en Inglés) está generalmente en el orden de varios milivoltios, y puede ser suprimido con [[Condensadores|condensadores]] de filtro más grandes o mejores reguladores de voltaje. Este voltaje de CA Pequeño puede causar problemas o interferencias en algunos circuitos; por ejemplo, cámaras fotográficas análogas de seguridad alimentadas con este tipo de fuentes pueden tener la modulación indeseada del brillo y distorsiones en el sonido que produce zumbido audible. Las fuentes de alimentación lineales de calidad suprimirán la ondulación mucho mejor. En cambio las Fuentes conmutadas no exhiben generalmente la ondulación en la frecuencia de la alimentación, sino salidas generalmente más ruidosas a altas frecuencias. El ruido está generalmente relacionado con la frecuencia de la conmutación. Ruido acústico - Las fuentes de alimentación lineales emiten típicamente un zumbido débil, en la baja frecuencia de alimentación, pero ésta es raramente audible (la vibración de las bobinas y las chapas del núcleo del transformador suelen ser las causas). Las Fuentes conmutadas con su funcionamiento mucho más alto en frecuencia, no son generalmente audibles por los seres humanos (a menos que tengan un ventilador, como en la mayoría de las computadoras personales). El funcionamiento incorrecto de las fuentes conmutadas puede generar sonidos agudos, ya que genera ruido acústico en frecuencia subarmónico del oscilador. Factor de Potencia las Fuentes lineales tienen bajo factor de potencia porque la energía es obtenida en los picos de voltaje de la línea de alimentación. La corriente en las fuentes conmutadas simples no sigue la forma de onda del voltaje, sino que en forma similar a las fuentes lineales la energía es obtenida solo de la parte más alta de la onda sinusoidal, por lo que su uso cada vez más frecuente en computadoras personales y lámparas fluorescentes se constituyó en un problema creciente para la distribución de energía.Existen fuentes conmutadas con una etapa previa de corrección del factor de potencia que reduce grandemente este problema y son de uso obligatorio en algunos países particularmente europeos a partir de determinadas potencias. Ruido eléctrico sobre la línea de la alimentación principal puede aparecer ruido electrónico de conmutación que puede causar interferencia con equipos de A/V conectados en la misma fase. Las fuentes de alimentación lineales raramente presentan este efecto. Las fuentes conmutadas bien diseñadas poseen filtros a la entrada que minimizan la interferencia causada en la línea de alimentación principal. <br /> <br /> == Referencias&lt;br&gt; ==<br /> <br /> &lt;br&gt;ON Semiconductor SMPS Power Supply Design Manual&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> == Enlaces&lt;br&gt; ==<br /> <br /> [http://es.wikipedia.org/wiki/Fuentes_conmutadas Wikipedia]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> [[Category:Hardware_libre]]</div>

Eduardolopezjccmg https://www.ecured.cu/index.php?title=Fuente_interna_conmutada&diff=463734 2011-03-29T21:07:11Z

<p>Eduardolopezjccmg: Página creada con ''''{{Ficha_Hardware|imagen=finterna.jpg|}}Fuentes Internas Conmutadas. Fuentes de Alimentación''' Unafuente conmutada es un[[dispositivo electrónico|dis...'</p> <hr /> <div>'''{{Ficha_Hardware|imagen=finterna.jpg|}}Fuentes Internas Conmutadas. Fuentes de Alimentación''' <br /> <br /> Una[[fuente conmutada|fuente conmutada]] es un[[dispositivo electrónico|dispositivo electrónico]] que transforma energía eléctrica mediante [[transistores|transistores]] en [[conmutación|conmutación]] . Mientras que un regulador de tensión utiliza transistores polarizados en su región activa de amplificación, las fuentes conmutadas utilizan los mismos conmutándolos activamente a altas frecuencias (20-100 Kilociclos típicamente) entre corte (abiertos) y saturación (Cerrados). La forma de onda cuadrada resultante es aplicada a transformadores con núcleo de ferrita (Los núcleos de hierro no son adecuados para estas altas frecuencias) para obtener uno o varios voltajes de salida de corriente alterna (CA) que luego son rectificados (Con diodos rápidos)y filtrados (Inductores y capacitores)para obtener los voltajes de salida de corriente continua (CC). Las ventajas de este método incluyen menor tamaño y peso del núcleo, mayor eficiencia por lo tanto menor calentamiento. Las desventajas comparándolas con fuentes lineales es que son más complejas y generan ruido eléctrico de alta frecuencia que debe ser cuidadosamente minimizado para no causar interferencias a equipos próximos a estas fuentes. <br /> <br /> == Clasificación ==<br /> <br /> Las fuentes conmutadas pueden ser clasificadas en cuatro tipos: alimentación CA, salida CC: rectificador, conmutador, transformador, rectificador de salida, filtro. (Ej: fuente de alimentación de [[Introducción_en_los_Microordenadores|ordenador]] de mesa) alimentación CA, salida CA: Variador de frecuencia, conversor de Frecuencia. (Ej, variador de motor) alimentación CC, salida CA: Inversor (Ej: generar 220v/50ciclos a partir de una batería de 12v) alimentación CC, salida CC: conversor de voltaje o de corriente. (Ej: cargador de baterías de celulares para auto) <br /> <br /> == Comparación entre Fuentes de alimentación conmutadas y lineales ==<br /> <br /> Hay dos tipos principales de fuentes de alimentación reguladas disponibles: Conmutadas y lineales. Las razones por las cuales elegir un tipo o el otro se pueden resumir como sigue. Tamaño y peso – las fuentes de alimentación lineales utilizan un transformador funcionando a la frecuencia de 50 o 60 hertzios. Este transformador de baja frecuencia es varias veces más grande y más pesado que un transformador correspondiente de fuente conmutada, el cual funciona en frecuencias típicas de 50 kilociclos a 1 megaciclo. La tendencia de diseño es de utilizar frecuencias cada vez más altas mientras los transistores lo permitan para disminuir el tamaño de los componentes pasivos (capacitores, inductores, transformadores). Voltaje de la salida – las fuentes de alimentación lineales regulan la salida usando un voltaje más alto en las etapas previas y luego disipando energía como calor para producir un voltaje más bajo, regulado. Esta caída de voltaje es necesaria y no puede ser eliminada mejorando el diseño. Las fuentes conmutadas pueden producir voltajes de salida que son más bajos que el voltaje de entrada, más altos que el voltaje e incluso inversos al voltaje de entrada, haciéndolos versátiles y mejor adaptables a voltajes de entrada variables. Eficiencia, calor, y energía disipada - Una fuente lineal regula el voltaje o la corriente de la salida disipando el exceso de energía como calor, lo cual es ineficaz. Una fuente conmutada usa la señal de control para variar el ancho de pulso, tomando de la alimentación solamente la energía requerida por la carga. En todas las topologías de fuentes conmutadas, se apagan y se encienden los transistores completamente. Así, idealmente, las fuentes conmutadas son 100% eficientes. El único calor generado se da por las características no ideales de los componentes. Pérdidas en la conmutación en los transistores, resistencia directa de los transistores saturados, resistencia serie equivalente en el inductor y los condensadores, y la caída de voltaje por el rectificador bajan la eficiencia. Sin embargo, optimizando el diseño, la cantidad de energía disipada y calor pueden ser reducidos al mínimo. Un buen diseño puede tener una eficiencia de conversión de 95%. Típicamente 75-85% en fuentes de entre 10-50W. Las fuentes conmutadas más eficientes utilizan rectificación síncrona (transistores Mosfet saturados durante el semiciclo adecuado reemplazando diodos). Complejidad - un regulador lineal consiste en última instancia un transistor de potencia, un CI de regulación de voltaje y un condensador de filtro de ruido. En cambio una fuente conmutada contiene típicamente un CI regulador, uno o varios transistores y diodos de potencia como así también un transformador, inductores, y condensadores de filtro. Múltiples voltajes se pueden generar a partir del mismo núcleo de transformador. Para ello se utiliza el control por ancho de pulso de entrada aunque las diferentes salidas pueden tener dificultades para la regulación de carga. Ambos necesitan una selección cuidadosa de sus transformadores. En las fuentes conmutadas debido al funcionamiento a altas frecuencias las pérdidas en las pistas del circuito impreso por inductancia de perdida y las capacidades parásitas llegan a ser importantes. Interferencia por radiofrecuencia -&lt;br&gt; <br /> <br /> == Las Fuentes Conmutadas&lt;br&gt; ==<br /> <br /> La corriente en las fuentes conmutadas tiene cambios abruptos, y contiene una proporción grande de componentes espectrales de alta frecuencia. Cables o pistas largas entre los componentes pueden reducir la eficacia de alta frecuencia de los filtros a condensadores en la entrada y salida. Esta corriente de alta frecuencia puede generar interferencia electromagnética indeseable. Filtros EMI y blindajes de RF son necesarios para reducir la interferencia. Las fuentes de alimentación lineales no producen generalmente interferencia, y se utilizan para proveer de energía donde la interferencia de radio no debe ocurrir. Ruido electrónico en los terminales de salida de fuentes de alimentación lineales baratas con pobre regulación se puede experimentar un voltaje de CA Pequeño “montado” sobre la CC. de dos veces la [[Modulación_de_frecuencia|frecuencia]] de alimentación (100/120 Ciclos). Esta “ondulación” (Ripple en Inglés) está generalmente en el orden de varios milivoltios, y puede ser suprimido con [[Condensadores|condensadores]] de filtro más grandes o mejores reguladores de voltaje. Este voltaje de CA Pequeño puede causar problemas o interferencias en algunos circuitos; por ejemplo, cámaras fotográficas análogas de seguridad alimentadas con este tipo de fuentes pueden tener la modulación indeseada del brillo y distorsiones en el sonido que produce zumbido audible. Las fuentes de alimentación lineales de calidad suprimirán la ondulación mucho mejor. En cambio las Fuentes conmutadas no exhiben generalmente la ondulación en la frecuencia de la alimentación, sino salidas generalmente más ruidosas a altas frecuencias. El ruido está generalmente relacionado con la frecuencia de la conmutación. Ruido acústico - Las fuentes de alimentación lineales emiten típicamente un zumbido débil, en la baja frecuencia de alimentación, pero ésta es raramente audible (la vibración de las bobinas y las chapas del núcleo del transformador suelen ser las causas). Las Fuentes conmutadas con su funcionamiento mucho más alto en frecuencia, no son generalmente audibles por los seres humanos (a menos que tengan un ventilador, como en la mayoría de las computadoras personales). El funcionamiento incorrecto de las fuentes conmutadas puede generar sonidos agudos, ya que genera ruido acústico en frecuencia subarmónico del oscilador. Factor de Potencia las Fuentes lineales tienen bajo factor de potencia porque la energía es obtenida en los picos de voltaje de la línea de alimentación. La corriente en las fuentes conmutadas simples no sigue la forma de onda del voltaje, sino que en forma similar a las fuentes lineales la energía es obtenida solo de la parte más alta de la onda sinusoidal, por lo que su uso cada vez más frecuente en computadoras personales y lámparas fluorescentes se constituyó en un problema creciente para la distribución de energía.Existen fuentes conmutadas con una etapa previa de corrección del factor de potencia que reduce grandemente este problema y son de uso obligatorio en algunos países particularmente europeos a partir de determinadas potencias. Ruido eléctrico sobre la línea de la alimentación principal puede aparecer ruido electrónico de conmutación que puede causar interferencia con equipos de A/V conectados en la misma fase. Las fuentes de alimentación lineales raramente presentan este efecto. Las fuentes conmutadas bien diseñadas poseen filtros a la entrada que minimizan la interferencia causada en la línea de alimentación principal. <br /> <br /> == Referencias&lt;br&gt; ==<br /> <br /> &lt;br&gt;ON Semiconductor SMPS Power Supply Design Manual&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> == Enlaces&lt;br&gt; ==<br /> <br /> [http://es.wikipedia.org/wiki/Fuentes_conmutadas Wikipedia]&lt;br&gt; <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> [[Category:Hardware_libre]]</div>

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Eduardolopezjccmg https://www.ecured.cu/index.php?title=Memoria_flash&diff=463608 2011-03-29T20:48:12Z

<p>Eduardolopezjccmg: </p> <hr /> <div>{{otros usos|este='''Memoria'''|Memoria (desambiguación)}} {{Definición|Nombre=Memoria flash|imagen=|concepto=Dispositivo que se utiliza para guardar información}} <br /> &lt;div align=&quot;justify&quot;&gt;<br /> '''La memoria flash''', es una manera desarrollada de la memoria EEPROM que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante impulsos eléctricos, frente a las anteriores que sólo permite escribir o borrar una única celda cada vez. Por ello, flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo. <br /> <br /> == Generalidades ==<br /> <br /> Económicamente hablando, el precio en el mercado ronda los 12 € para dispositivos con 4 GB de almacenamiento, aunque, evidentemente, se pueden encontrar dispositivos exclusivamente de almacenamiento de unos pocos MB por precios realmente bajos, estos en extinción, y de hasta 600 € para la gama más alta y de mayores prestaciones. No obstante, el coste por [[MB]] en los discos duros son muy inferiores a los que ofrece la memoria flash y, además los discos duros tienen una capacidad muy superior a la de las memorias flash. <br /> <br /> Ofrecen, además, características como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y es muy silencioso, ya que no contiene ni actuadores mecánicos ni partes móviles. Su pequeño tamaño también es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositivo portátil, así como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que está orientado. <br /> <br /> Sin embargo, todos los tipos de memoria flash sólo permiten un número limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un millón, dependiendo de la celda, de la precisión del proceso de fabricación y del voltaje necesario para su borrado. <br /> <br /> Este tipo de memoria está fabricado con puertas lógicas NOR y NAND para almacenar los 0’s ó 1’s correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una gran división entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de archivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memorias basadas en [[ORNAND]]. <br /> <br /> Los sistemas de archivos para estas memorias están en pleno desarrollo aunque ya en funcionamiento como por ejemplo [[JFFS]] originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2 para soportar además [[NAND]] o [[YAFFS]], ya en su segunda versión, para NAND. Sin embargo, en la práctica se emplea un sistema de archivos [[FAT]] por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extraíble. <br /> <br /> Otra característica de reciente aparición (30-9-2004) ha sido la resistencia térmica de algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cámaras digitales de gama alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 °C hasta los 85 °C. <br /> <br /> == Funcionamiento ==<br /> <br /> Flash, como tipo de [[EEPROM]] que es, contiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada intersección. Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información. Las nuevas memorias flash, llamadas también dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar más de un bit por celda variando el número de electrones que almacenan. <br /> <br /> Estas memorias están basadas en el [[Transistor]] [[FAMOS]] ([[Floating Gate Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor]]) que es, esencialmente, un transistor [[NMOS]] con un conductor (basado en un óxido metálico) adicional localizado o entre la puerta de control ([[CG]] – [[Control Gate]]) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta ([[FG]] – [[Floating Gate]]) o alrededor de la FG conteniendo los electrones que almacenan la información. <br /> <br /> == Memoria flash de tipo NOR ==<br /> <br /> En las memorias flash de tipo [[NOR]], cuando los electrones se encuentran en [[FG]], modifican (prácticamente anulan) el campo eléctrico que generaría [[CG]] en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el campo eléctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje almacenado en la [[Celda]]. <br /> <br /> La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 ó un 0, reproduciendo así el dato almacenado. En los dispositivos de [[Celda multi-nivel]], se detecta la intensidad de la corriente para controlar el número de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente. <br /> <br /> Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo eléctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrón injection. Para borrar (poner a “1”, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la técnica de [[Fowler-Nordheim]] tunnelling, un proceso de tunelado mecánico – cuántico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al [[Transistor]] en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto. <br /> <br /> Es necesario destacar que las memorias flash están subdivididas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte más lenta del proceso. Por esta razón, las memorias flash son mucho más rápidas que las [[EEPROM]] convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para después reescribir su contenido. <br /> <br /> == Memorias flash de tipo NAND ==<br /> <br /> Las memorias flash basadas en puertas lógicas [[NAND]] funcionan de forma ligeramente diferente: usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un túnel de ‘soltado’. Las memorias basadas en NAND tienen, además de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de más resistencia a las operaciones pero sólo permiten acceso secuencial (más orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en [[NOR]] que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansión de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es más sencillo (aunque también se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base más rentable para la creación de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o también llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND. <br /> <br /> '''Comparación de memorias flash basadas en NOR y NAND''' <br /> <br /> Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados. <br /> <br /> *La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND. <br /> *El coste de NOR es mucho mayor. <br /> *El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificación. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos. <br /> *En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramación de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas. <br /> *La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 µs de la búsqueda de la página + 50 ns por byte). <br /> *La velocidad de escritura para NOR es de 5 µs por byte frente a 200 µs por página en NAND. <br /> *La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND. <br /> *La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupción de datos y tampoco tiene bloques erróneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren corrección de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como erróneos e inservibles.<br /> <br /> En resumen, los sistemas basados en NAND son más baratos y rápidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qué sea lo que se busque, merecerá la pena decantarse por uno u otro tipo. <br /> <br /> == Tarjetero flash ==<br /> <br /> Un tarjetero flash es un periférico que lee o escribe en memoria flash. Actualmente, los instalados en ordenadores (incluidos en una placa o mediante puerto USB), marcos digitales, [[Lectores de DVD]] y otros dispositivos, suelen leer varios tipos de tarjetas. <br /> <br /> == Sistemas de archivos para Memorias flash ==<br /> <br /> Diseñar un sistema de archivos eficiente para las memorias flash se ha convertido en una carrera vertiginosa y compleja, ya que, aunque ambos ([[NOR]] y [[NAND]]) son tipos de memoria flash, tienen características muy diferentes entre sí a la hora de acceder a esos datos. Esto es porque un sistema de ficheros que trabaje con memorias de tipo NOR incorpora varios mecanismos innecesarios para NAND y, a su vez, NAND requiere mecanismos adicionales, innecesarios para gestionar la memoria de tipo NOR. <br /> <br /> Un ejemplo podría ser un recolector de basura. Esta herramienta está condicionada por el rendimiento de las funciones de borrado que, en el caso de NOR es muy lento y, además, un recolector de basura NOR requiere una complejidad relativa bastante alta y limita las opciones de diseño del sistema de archivos. Comparándolo con los sistemas NAND, que borran mucho más rápidamente, estas limitaciones no tienen sentido. <br /> <br /> Otra de las grandes diferencias entre estos sistemas es el uso de bloques erróneos que pueden existir en NAND pero no tienen sentido en los sistemas NOR que garantizan la integridad. El tamaño que deben manejar unos y otros sistemas también difiere sensiblemente y por lo tanto es otro factor a tener en cuenta. Se deberá diseñar estos sistemas en función de la orientación que se le quiera dar al sistema <br /> <br /> Los dos sistemas de ficheros que se disputan el liderazgo para la organización interna de las memorias flash son [[JFFS]] ([[Journaling Flash File System]]) y [[YAFFS]] ([[Yet Another Flash File System]]), [[ExFAT]] es la opción de [[Microsoft]]. <br /> <br /> == Antecedentes de la Memoria flash ==<br /> <br /> Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la computación. Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores empleadas como memoria principal y unas ligeras pinceladas sobre cada una de ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto. <br /> <br /> Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categorías si las clasificamos en función de las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es decir, memorias de sólo lectura, memorias de sobre todo lectura y memorias de lectura/escritura. <br /> <br /> '''Memorias de sólo lectura.''' <br /> <br /> *[[ROM]]: ([[Read Only Memory]]): Se usan principalmente en microprogramación de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva. <br /> *[[PROM]]: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es electrónico. Se puede grabar posteriormente a la fabricación del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricación. Permite una única grabación y es más cara que la ROM.<br /> <br /> '''Memorias de sobre todo lectura.''' <br /> <br /> *[[EPROM]] ([[Erasable Programmable Read Only Memory]]): Se puede escribir varias veces de forma eléctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos es completo y a través de la exposición a rayos ultravioletas (de esto que suelen tener una pequeña ‘ventanita’ en el chip). <br /> *[[EEPROM]] ([[Electrically Erasable Programmable Read Only Memory]]): Se puede borrar selectivamente byte a byte con corriente eléctrica. Es más cara que la EPROM. <br /> *Memoria flash: Está basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es más barata y densa.<br /> <br /> '''Memorias de Lectura/Escritura ([[RAM]])''' <br /> <br /> *[[DRAM]] ([[Dynamic Random Access Memory]]): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco periódico. Son más simples y baratas que las SRAM. <br /> *[[SRAM]] ([[Static Random Access Memory]]): Los datos se almacenan formando biestables, por lo que no requiere refresco. Igual que DRAM es volátil. Son más rápidas que las DRAM y más caras.<br /> <br /> == Historia de la memoria flash ==<br /> <br /> La historia de la memoria flash siempre ha estado muy vinculada con el avance del resto de las tecnologías a las que presta sus servicios como [[Routers]], [[Módems]], [[BIOS]] de los PC, [[Wireless]], etc. Fue [[[Fujio Masuoka]] en [[1984]], quien inventó este tipo de memoria como evolución de las EEPROM existentes por aquel entonces. Intel intentó atribuirse la creación de esta sin éxito, aunque si comercializó la primera memoria flash de uso común. <br /> <br /> Entre los años [[1994]] y [[1998]], se desarrollaron los principales tipos de memoria que conocemos hoy, como la [[SmartMedia]] o la [[CompactFlash]]. La tecnología pronto planteó aplicaciones en otros campos. En 1998, la compañía Rio comercializó el primer ‘[[Walkman]]’ sin piezas móviles aprovechando el modo de funcionamiento de SmartMedia. Era el sueño de todo deportista que hubiera sufrido los saltos de un discman en el bolsillo. <br /> <br /> En 1994 [[SanDisk]] comenzó a comercializar tarjetas de memoria (CompactFlash) basadas en estos circuitos, y desde entonces la evolución ha llegado a pequeños dispositivos de mano de la electrónica de consumo como [[Reproductores de MP3 portátiles]], tarjetas de memoria para vídeo consolas, capacidad de almacenamiento para las PC Card que nos permiten conectar a redes inalámbricas y un largo etcétera, incluso llegando a la aeronáutica espacial. El espectro es grande. <br /> <br /> == Futuro ==<br /> <br /> El futuro del mundo de la memoria flash es bastante alentador, ya que se tiende a la ubicuidad de las computadoras y electrodomésticos inteligentes e integrados y, por ello, la demanda de memorias pequeñas, baratas y flexibles seguirá en alza hasta que aparezcan nuevos sistemas que lo superen tanto en características como en coste. En apariencia, esto no parecía muy factible ni siquiera a medio plazo ya que la miniaturización y densidad de las memorias flash estaba todavía lejos de alcanzar niveles preocupantes desde el punto de vista físico. Pero con la aparicion del memristor el futuro de las memorias flash comienza a opacarse. <br /> <br /> El desarrollo de las memorias flash es, en comparación con otros tipos de memoria sorprendentemente rápido tanto en capacidad como en velocidad y prestaciones. Sin embargo, los estándares de comunicación de estas memorias, de especial forma en la comunicación con los PC es notablemente inferior, lo que puede retrasar los avances conseguidos. <br /> <br /> La apuesta de gigantes de la informática de consumo como [[AMD]] y [[Fujitsu]] en formar nuevas empresas dedicadas exclusivamente a este tipo de memorias como [[Spansion]] en julio de [[2003]] auguran fuertes inversiones en investigación, desarrollo e innovación en un mercado que en 2005 sigue creciendo en un mercado que ya registró en [[2004]] un crecimiento asombroso hasta los 15.000 millones de dólares (después de haber superado la burbuja tecnológica del llamado boom punto com) según el analista de la industria [[Gartner]], avala todas estas ideas. <br /> <br /> Es curioso que esta nueva empresa, concretamente, esté dando la vuelta a la tortilla respecto a las velocidades con una técnica tan sencilla en la forma como compleja en el fondo de combinar los dos tipos de tecnologías reinantes en el mundo de las memorias flash en tan poco tiempo. Sin duda se están invirtiendo muchos esfuerzos de todo tipo en este punto. <br /> <br /> Sin embargo, la memoria flash se seguirá especializando fuertemente, aprovechando las características de cada tipo de memoria para funciones concretas. Supongamos una Arquitectura Harvard para un pequeño dispositivo como un [[PDA]]; la memoria de instrucciones estaría compuesta por una memoria de tipo [[ORNAND]] (empleando la tecnología [[MirrorBit]] de segunda generación) dedicada a los programas del sistema, esto ofrecería velocidades sostenidas de hasta 150 MB/s de lectura en modo ráfaga según la compañía con un costo energético ínfimo y que implementa una seguridad por hardware realmente avanzada; para la memoria de datos podríamos emplear sistemas basados en puertas [[NAND]] de alta capacidad a un precio realmente asequible. Sólo quedaría reducir el consumo de los potentes procesadores para PC actuales y dispondríamos de un sistema de muy reducidas dimensiones con unas prestaciones que hoy en día sería la envidia de la mayoría de los ordenadores de sobremesa. Y no queda mucho tiempo hasta que estos sistemas tomen, con un esfuerzo redoblado, las calles. <br /> <br /> Cualquier dispositivo con datos críticos empleará las tecnologías basadas en [[NOR]] u ORNAND si tenemos en cuenta que un fallo puede hacer inservible un terminal de telefonía móvil o un sistema médico por llegar a un caso extremo. Sin embargo, la electrónica de consumo personal seguirá apostando por las memorias basadas en NAND por su inmensamente reducido costo y gran capacidad, como los reproductores portátiles de MP3 o ya, incluso, [[Reproductores de DVD]] portátiles. La reducción del voltaje empleado (actualmente en 1,8 V la más reducida), además de un menor consumo, permitirá alargar la vida útil de estos dispositivos sensiblemente. Con todo, los nuevos retos serán los problemas que sufren hoy en día los procesadores por su miniaturización y altas frecuencias de reloj de los microprocesadores. <br /> <br /> Los sistemas de ficheros para memorias flash, con proyectos disponibles mediante [[CVS]] ([[Concurrent Version System]]) y código abierto permiten un desarrollo realmente rápido, como es el caso de [[YAFFS2]], que, incluso, ha conseguido varios patrocinadores y hay empresas realmente interesadas en un proyecto de esta envergadura. <br /> <br /> La integración con sistemas inalámbricos permitirá unas condiciones propicias para una mayor integración y ubicuidad de los dispositivos digitales, convirtiendo el mundo que nos rodea en el sueño de muchos desde la década de [[1980]]. Pero no sólo eso, la Agencia Espacial Brasileña, por citar una agencia espacial, ya se ha interesado oficialmente en este tipo de memorias para integrarla en sus diseños; la [[NASA]] ya lo hizo y demostró en [[Marte]] su funcionamiento en el [[Spirit]] ([[Rover]] de la NASA, gemelo de [[Opportunity]]), donde se almacenaban incorrectamente las órdenes como bien se puede recordar. Esto sólo es el principio. Y más cerca de lo que creemos. Intel asegura que el 90% de los PC, cerca del 90% de los móviles, el 50% de los módems, etc. en 1997 ya contaban con este tipo de memorias. <br /> <br /> En la actualidad [[TDK]] está fabricando discos duros con memorias flash NAND de 32 Gb con un tamaño similar al de un disco duro de 2.5 pulgadas, similares a los discos duros de los portátiles con una velocidad de 33.3 Mb/s. El problema de este disco duro es que, al contrario de los discos duros convencionales, tiene un número limitado de accesos. Samsung también ha desarrollado memorias NAND de hasta 32 Gb. <br /> <br /> La expansión de la memoria flash es infinita. En la actualidad (31/08/09) [[Kingston]] ha lanzado una memoria flash ([[DATATRAVELER]] 300) de una capacidad de 256 Gb la cual podría almacenar 51000 imágenes, 54 DVDs o 365 CDs <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> === Pasos a seguir para minimizar los riesgos de infección por memorias flash ===<br /> <br /> Lo primero es deshabilitar la propiedad de que se ejecute el autorun.inf con solo insertar el dispositivo USB, es necesario realizar modificaciones en los registros, específicamente en el valor: nodrivetypeautorun, siempre y cuando se tengan,los permisos de administrador del sistema. La herramienta que debe emplearse es la aplicación regedit.exe que acompaña al sistema operativo la cual se puede ejecutar desde el menú inicio y la opción ejecutar, para ello se debe: 1- Ejecutar regedit.exe con el auxilio de la opción buscar dentro de edición localizar el valor nodrivetype autorun y abrirlo con el botón izquierdo del ratón.Seleccionar la opción modificar con el botón derecho del Mouse y cambiar el valor que se encuentra por defecto, generalmente es 91 y la cambias por 95 teniendo activa la opción hexadecimal. Aceptar la modificación.Esta operación se debe repetir tantas veces como se localice en el registro. <br /> <br /> Otros riesgos para las memorias pueden ser las [[Memorias_Hackeadas.|Memorias Hackeadas]]&lt;br&gt;&lt;br&gt;<br /> <br /> === Debes tener en cuenta ===<br /> <br /> Las operaciones descritas anteriormente limitan la ejecución de un código maligno al conectar dispositivos externos, sin embargo no imposibilitan su ejecución cuando accedemos a ellos.Por eso hay que tener en cuenta que con el explorador (explorer.exe) se debe acceder indirectamente al contenido del dispositivo externo, en ese caso se puede escoger la opción carpetas dentro de ella MIPC y finalmente escoger la unidad asociada al disco extraíble.Una vez allí se puede analizar el contenido del directorio raíz e incluso comprobar la presencia de autorun.inf o su alteración, no puede olvidarse que los creadores de programas malignos ocultan al fichero autorun de modo que no se pueda acceder simplemente a este con el auxilio del explorador.Por lo tanto una medida para evadir esta situación es tener activa la opción de poder observar ficheros y carpetas ocultas. Esto se hace de la manera que siempre lo hacemos por el Explorador /Herramientas/Mostrar archivos y carpetas ocultas. <br /> <br /> Incluso para evitar más engaños, es recomendable desactivar las opciones: Ocultar archivos protegidos del sistema operativo y Ocultar las extensiones de archivos para tipos de archivos conocidos. <br /> <br /> == La Educación Informática ==<br /> <br /> Debe educarse quien opera la computadora. Habiendo tomado las medidas correspondientes, estaremos mejor preparados para trabajar la próxima vez con un dispositivo externo en la computadora y prevenir la propagación de programas malignos.Sin embargo lo visto hasta aquí solo es efectivo solo si la computadora no se encuentra infectada. De lo contrario cada vez que se borren del dispositivo externo, los ficheros del código maligno, esto reaparecerá debido a que el programa maligno que se encuentra ejecutándose en la memoria los creará otra vez.Otro aspecto que no se debe olvidar, es que una vez detectado un dispositivo infectado es probable que en el mismo lugar de trabajo otras computadoras y dispositivos empleados se encuentren también contaminadas y puedan ocurrir reinfecciones.Los productos antivirus desarrollados en [[Segurmática|Segurmática]] son capaces de identificar y eliminar, entre otros, a estos códigos malignos para dispositivos USB. <br /> <br /> == Fuentes ==<br /> <br /> *[http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_flash Wikipedia, la enciclopedia libre] <br /> *[http://www.segurmatica.cu Segurmática]<br /> &lt;/div&gt; <br /> [[Category:Dispositivos_de_almacenamiento_y_reproductores]]</div>

Eduardolopezjccmg https://www.ecured.cu/index.php?title=Memoria_flash&diff=463307 2011-03-29T20:01:10Z

<p>Eduardolopezjccmg: </p> <hr /> <div>{{otros usos|este='''Memoria'''|Memoria (desambiguación)}} {{Definición|Nombre=Memoria flash|imagen=|concepto=Dispositivo que se utiliza para guardar información}} <br /> &lt;div align=&quot;justify&quot;&gt;<br /> '''La memoria flash''', es una manera desarrollada de la memoria EEPROM que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante impulsos eléctricos, frente a las anteriores que sólo permite escribir o borrar una única celda cada vez. Por ello, flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo. <br /> <br /> == Generalidades ==<br /> <br /> Económicamente hablando, el precio en el mercado ronda los 12 € para dispositivos con 4 GB de almacenamiento, aunque, evidentemente, se pueden encontrar dispositivos exclusivamente de almacenamiento de unos pocos MB por precios realmente bajos, estos en extinción, y de hasta 600 € para la gama más alta y de mayores prestaciones. No obstante, el coste por [[MB]] en los discos duros son muy inferiores a los que ofrece la memoria flash y, además los discos duros tienen una capacidad muy superior a la de las memorias flash. <br /> <br /> Ofrecen, además, características como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y es muy silencioso, ya que no contiene ni actuadores mecánicos ni partes móviles. Su pequeño tamaño también es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositivo portátil, así como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que está orientado. <br /> <br /> Sin embargo, todos los tipos de memoria flash sólo permiten un número limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un millón, dependiendo de la celda, de la precisión del proceso de fabricación y del voltaje necesario para su borrado. <br /> <br /> Este tipo de memoria está fabricado con puertas lógicas NOR y NAND para almacenar los 0’s ó 1’s correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una gran división entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de archivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memorias basadas en [[ORNAND]]. <br /> <br /> Los sistemas de archivos para estas memorias están en pleno desarrollo aunque ya en funcionamiento como por ejemplo [[JFFS]] originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2 para soportar además [[NAND]] o [[YAFFS]], ya en su segunda versión, para NAND. Sin embargo, en la práctica se emplea un sistema de archivos [[FAT]] por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extraíble. <br /> <br /> Otra característica de reciente aparición (30-9-2004) ha sido la resistencia térmica de algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cámaras digitales de gama alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 °C hasta los 85 °C. <br /> <br /> == Funcionamiento ==<br /> <br /> Flash, como tipo de [[EEPROM]] que es, contiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada intersección. Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información. Las nuevas memorias flash, llamadas también dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar más de un bit por celda variando el número de electrones que almacenan. <br /> <br /> Estas memorias están basadas en el [[Transistor]] [[FAMOS]] ([[Floating Gate Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor]]) que es, esencialmente, un transistor [[NMOS]] con un conductor (basado en un óxido metálico) adicional localizado o entre la puerta de control ([[CG]] – [[Control Gate]]) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta ([[FG]] – [[Floating Gate]]) o alrededor de la FG conteniendo los electrones que almacenan la información. <br /> <br /> == Memoria flash de tipo NOR ==<br /> <br /> En las memorias flash de tipo [[NOR]], cuando los electrones se encuentran en [[FG]], modifican (prácticamente anulan) el campo eléctrico que generaría [[CG]] en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el campo eléctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje almacenado en la [[Celda]]. <br /> <br /> La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 ó un 0, reproduciendo así el dato almacenado. En los dispositivos de [[Celda multi-nivel]], se detecta la intensidad de la corriente para controlar el número de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente. <br /> <br /> Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo eléctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrón injection. Para borrar (poner a “1”, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la técnica de [[Fowler-Nordheim]] tunnelling, un proceso de tunelado mecánico – cuántico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al [[Transistor]] en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto. <br /> <br /> Es necesario destacar que las memorias flash están subdivididas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte más lenta del proceso. Por esta razón, las memorias flash son mucho más rápidas que las [[EEPROM]] convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para después reescribir su contenido. <br /> <br /> == Memorias flash de tipo NAND ==<br /> <br /> Las memorias flash basadas en puertas lógicas [[NAND]] funcionan de forma ligeramente diferente: usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un túnel de ‘soltado’. Las memorias basadas en NAND tienen, además de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de más resistencia a las operaciones pero sólo permiten acceso secuencial (más orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en [[NOR]] que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansión de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es más sencillo (aunque también se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base más rentable para la creación de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o también llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND. <br /> <br /> '''Comparación de memorias flash basadas en NOR y NAND''' <br /> <br /> Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados. <br /> <br /> *La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND. <br /> *El coste de NOR es mucho mayor. <br /> *El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificación. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos. <br /> *En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramación de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas. <br /> *La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 µs de la búsqueda de la página + 50 ns por byte). <br /> *La velocidad de escritura para NOR es de 5 µs por byte frente a 200 µs por página en NAND. <br /> *La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND. <br /> *La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupción de datos y tampoco tiene bloques erróneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren corrección de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como erróneos e inservibles.<br /> <br /> En resumen, los sistemas basados en NAND son más baratos y rápidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qué sea lo que se busque, merecerá la pena decantarse por uno u otro tipo. <br /> <br /> == Tarjetero flash ==<br /> <br /> Un tarjetero flash es un periférico que lee o escribe en memoria flash. Actualmente, los instalados en ordenadores (incluidos en una placa o mediante puerto USB), marcos digitales, [[Lectores de DVD]] y otros dispositivos, suelen leer varios tipos de tarjetas. <br /> <br /> == Sistemas de archivos para Memorias flash ==<br /> <br /> Diseñar un sistema de archivos eficiente para las memorias flash se ha convertido en una carrera vertiginosa y compleja, ya que, aunque ambos ([[NOR]] y [[NAND]]) son tipos de memoria flash, tienen características muy diferentes entre sí a la hora de acceder a esos datos. Esto es porque un sistema de ficheros que trabaje con memorias de tipo NOR incorpora varios mecanismos innecesarios para NAND y, a su vez, NAND requiere mecanismos adicionales, innecesarios para gestionar la memoria de tipo NOR. <br /> <br /> Un ejemplo podría ser un recolector de basura. Esta herramienta está condicionada por el rendimiento de las funciones de borrado que, en el caso de NOR es muy lento y, además, un recolector de basura NOR requiere una complejidad relativa bastante alta y limita las opciones de diseño del sistema de archivos. Comparándolo con los sistemas NAND, que borran mucho más rápidamente, estas limitaciones no tienen sentido. <br /> <br /> Otra de las grandes diferencias entre estos sistemas es el uso de bloques erróneos que pueden existir en NAND pero no tienen sentido en los sistemas NOR que garantizan la integridad. El tamaño que deben manejar unos y otros sistemas también difiere sensiblemente y por lo tanto es otro factor a tener en cuenta. Se deberá diseñar estos sistemas en función de la orientación que se le quiera dar al sistema <br /> <br /> Los dos sistemas de ficheros que se disputan el liderazgo para la organización interna de las memorias flash son [[JFFS]] ([[Journaling Flash File System]]) y [[YAFFS]] ([[Yet Another Flash File System]]), [[ExFAT]] es la opción de [[Microsoft]]. <br /> <br /> == Antecedentes de la Memoria flash ==<br /> <br /> Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la computación. Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores empleadas como memoria principal y unas ligeras pinceladas sobre cada una de ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto. <br /> <br /> Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categorías si las clasificamos en función de las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es decir, memorias de sólo lectura, memorias de sobre todo lectura y memorias de lectura/escritura. <br /> <br /> '''Memorias de sólo lectura.''' <br /> <br /> *[[ROM]]: ([[Read Only Memory]]): Se usan principalmente en microprogramación de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva. <br /> *[[PROM]]: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es electrónico. Se puede grabar posteriormente a la fabricación del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricación. Permite una única grabación y es más cara que la ROM.<br /> <br /> '''Memorias de sobre todo lectura.''' <br /> <br /> *[[EPROM]] ([[Erasable Programmable Read Only Memory]]): Se puede escribir varias veces de forma eléctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos es completo y a través de la exposición a rayos ultravioletas (de esto que suelen tener una pequeña ‘ventanita’ en el chip). <br /> *[[EEPROM]] ([[Electrically Erasable Programmable Read Only Memory]]): Se puede borrar selectivamente byte a byte con corriente eléctrica. Es más cara que la EPROM. <br /> *Memoria flash: Está basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es más barata y densa.<br /> <br /> '''Memorias de Lectura/Escritura ([[RAM]])''' <br /> <br /> *[[DRAM]] ([[Dynamic Random Access Memory]]): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco periódico. Son más simples y baratas que las SRAM. <br /> *[[SRAM]] ([[Static Random Access Memory]]): Los datos se almacenan formando biestables, por lo que no requiere refresco. Igual que DRAM es volátil. Son más rápidas que las DRAM y más caras.<br /> <br /> == Historia de la memoria flash ==<br /> <br /> La historia de la memoria flash siempre ha estado muy vinculada con el avance del resto de las tecnologías a las que presta sus servicios como [[Routers]], [[Módems]], [[BIOS]] de los PC, [[Wireless]], etc. Fue [[[Fujio Masuoka]] en [[1984]], quien inventó este tipo de memoria como evolución de las EEPROM existentes por aquel entonces. Intel intentó atribuirse la creación de esta sin éxito, aunque si comercializó la primera memoria flash de uso común. <br /> <br /> Entre los años [[1994]] y [[1998]], se desarrollaron los principales tipos de memoria que conocemos hoy, como la [[SmartMedia]] o la [[CompactFlash]]. La tecnología pronto planteó aplicaciones en otros campos. En 1998, la compañía Rio comercializó el primer ‘[[Walkman]]’ sin piezas móviles aprovechando el modo de funcionamiento de SmartMedia. Era el sueño de todo deportista que hubiera sufrido los saltos de un discman en el bolsillo. <br /> <br /> En 1994 [[SanDisk]] comenzó a comercializar tarjetas de memoria (CompactFlash) basadas en estos circuitos, y desde entonces la evolución ha llegado a pequeños dispositivos de mano de la electrónica de consumo como [[Reproductores de MP3 portátiles]], tarjetas de memoria para vídeo consolas, capacidad de almacenamiento para las PC Card que nos permiten conectar a redes inalámbricas y un largo etcétera, incluso llegando a la aeronáutica espacial. El espectro es grande. <br /> <br /> == Futuro ==<br /> <br /> El futuro del mundo de la memoria flash es bastante alentador, ya que se tiende a la ubicuidad de las computadoras y electrodomésticos inteligentes e integrados y, por ello, la demanda de memorias pequeñas, baratas y flexibles seguirá en alza hasta que aparezcan nuevos sistemas que lo superen tanto en características como en coste. En apariencia, esto no parecía muy factible ni siquiera a medio plazo ya que la miniaturización y densidad de las memorias flash estaba todavía lejos de alcanzar niveles preocupantes desde el punto de vista físico. Pero con la aparicion del memristor el futuro de las memorias flash comienza a opacarse. <br /> <br /> El desarrollo de las memorias flash es, en comparación con otros tipos de memoria sorprendentemente rápido tanto en capacidad como en velocidad y prestaciones. Sin embargo, los estándares de comunicación de estas memorias, de especial forma en la comunicación con los PC es notablemente inferior, lo que puede retrasar los avances conseguidos. <br /> <br /> La apuesta de gigantes de la informática de consumo como [[AMD]] y [[Fujitsu]] en formar nuevas empresas dedicadas exclusivamente a este tipo de memorias como [[Spansion]] en julio de [[2003]] auguran fuertes inversiones en investigación, desarrollo e innovación en un mercado que en 2005 sigue creciendo en un mercado que ya registró en [[2004]] un crecimiento asombroso hasta los 15.000 millones de dólares (después de haber superado la burbuja tecnológica del llamado boom punto com) según el analista de la industria [[Gartner]], avala todas estas ideas. <br /> <br /> Es curioso que esta nueva empresa, concretamente, esté dando la vuelta a la tortilla respecto a las velocidades con una técnica tan sencilla en la forma como compleja en el fondo de combinar los dos tipos de tecnologías reinantes en el mundo de las memorias flash en tan poco tiempo. Sin duda se están invirtiendo muchos esfuerzos de todo tipo en este punto. <br /> <br /> Sin embargo, la memoria flash se seguirá especializando fuertemente, aprovechando las características de cada tipo de memoria para funciones concretas. Supongamos una Arquitectura Harvard para un pequeño dispositivo como un [[PDA]]; la memoria de instrucciones estaría compuesta por una memoria de tipo [[ORNAND]] (empleando la tecnología [[MirrorBit]] de segunda generación) dedicada a los programas del sistema, esto ofrecería velocidades sostenidas de hasta 150 MB/s de lectura en modo ráfaga según la compañía con un costo energético ínfimo y que implementa una seguridad por hardware realmente avanzada; para la memoria de datos podríamos emplear sistemas basados en puertas [[NAND]] de alta capacidad a un precio realmente asequible. Sólo quedaría reducir el consumo de los potentes procesadores para PC actuales y dispondríamos de un sistema de muy reducidas dimensiones con unas prestaciones que hoy en día sería la envidia de la mayoría de los ordenadores de sobremesa. Y no queda mucho tiempo hasta que estos sistemas tomen, con un esfuerzo redoblado, las calles. <br /> <br /> Cualquier dispositivo con datos críticos empleará las tecnologías basadas en [[NOR]] u ORNAND si tenemos en cuenta que un fallo puede hacer inservible un terminal de telefonía móvil o un sistema médico por llegar a un caso extremo. Sin embargo, la electrónica de consumo personal seguirá apostando por las memorias basadas en NAND por su inmensamente reducido costo y gran capacidad, como los reproductores portátiles de MP3 o ya, incluso, [[Reproductores de DVD]] portátiles. La reducción del voltaje empleado (actualmente en 1,8 V la más reducida), además de un menor consumo, permitirá alargar la vida útil de estos dispositivos sensiblemente. Con todo, los nuevos retos serán los problemas que sufren hoy en día los procesadores por su miniaturización y altas frecuencias de reloj de los microprocesadores. <br /> <br /> Los sistemas de ficheros para memorias flash, con proyectos disponibles mediante [[CVS]] ([[Concurrent Version System]]) y código abierto permiten un desarrollo realmente rápido, como es el caso de [[YAFFS2]], que, incluso, ha conseguido varios patrocinadores y hay empresas realmente interesadas en un proyecto de esta envergadura. <br /> <br /> La integración con sistemas inalámbricos permitirá unas condiciones propicias para una mayor integración y ubicuidad de los dispositivos digitales, convirtiendo el mundo que nos rodea en el sueño de muchos desde la década de [[1980]]. Pero no sólo eso, la Agencia Espacial Brasileña, por citar una agencia espacial, ya se ha interesado oficialmente en este tipo de memorias para integrarla en sus diseños; la [[NASA]] ya lo hizo y demostró en [[Marte]] su funcionamiento en el [[Spirit]] ([[Rover]] de la NASA, gemelo de [[Opportunity]]), donde se almacenaban incorrectamente las órdenes como bien se puede recordar. Esto sólo es el principio. Y más cerca de lo que creemos. Intel asegura que el 90% de los PC, cerca del 90% de los móviles, el 50% de los módems, etc. en 1997 ya contaban con este tipo de memorias. <br /> <br /> En la actualidad [[TDK]] está fabricando discos duros con memorias flash NAND de 32 Gb con un tamaño similar al de un disco duro de 2.5 pulgadas, similares a los discos duros de los portátiles con una velocidad de 33.3 Mb/s. El problema de este disco duro es que, al contrario de los discos duros convencionales, tiene un número limitado de accesos. Samsung también ha desarrollado memorias NAND de hasta 32 Gb. <br /> <br /> La expansión de la memoria flash es infinita. En la actualidad (31/08/09) [[Kingston]] ha lanzado una memoria flash ([[DATATRAVELER]] 300) de una capacidad de 256 Gb la cual podría almacenar 51000 imágenes, 54 DVDs o 365 CDs <br /> <br /> &lt;br&gt; <br /> <br /> === Pasos a seguir para minimizar los riesgos de infección por memorias flash ===<br /> <br /> Lo primero es deshabilitar la propiedad de que se ejecute el autorun.inf con solo insertar el dispositivo USB, es necesario realizar modificaciones en los registros, específicamente en el valor: nodrivetypeautorun, siempre y cuando se tengan,los permisos de administrador del sistema. La herramienta que debe emplearse es la aplicación regedit.exe que acompaña al sistema operativo la cual se puede ejecutar desde el menú inicio y la opción ejecutar, para ello se debe: 1- Ejecutar regedit.exe con el auxilio de la opción buscar dentro de edición localizar el valor nodrivetype autorun y abrirlo con el botón izquierdo del ratón.Seleccionar la opción modificar con el botón derecho del Mouse y cambiar el valor que se encuentra por defecto, generalmente es 91 y la cambias por 95 teniendo activa la opción hexadecimal. Aceptar la modificación.Esta operación se debe repetir tantas veces como se localice en el registro. <br /> <br /> Otros riesgos para las memorias pueden ser las [[Memorias Hackeadas|Memorias Hackeadas&lt;br&gt;]]&lt;br&gt;<br /> <br /> === Debes tener en cuenta ===<br /> <br /> Las operaciones descritas anteriormente limitan la ejecución de un código maligno al conectar dispositivos externos, sin embargo no imposibilitan su ejecución cuando accedemos a ellos.Por eso hay que tener en cuenta que con el explorador (explorer.exe) se debe acceder indirectamente al contenido del dispositivo externo, en ese caso se puede escoger la opción carpetas dentro de ella MIPC y finalmente escoger la unidad asociada al disco extraíble.Una vez allí se puede analizar el contenido del directorio raíz e incluso comprobar la presencia de autorun.inf o su alteración, no puede olvidarse que los creadores de programas malignos ocultan al fichero autorun de modo que no se pueda acceder simplemente a este con el auxilio del explorador.Por lo tanto una medida para evadir esta situación es tener activa la opción de poder observar ficheros y carpetas ocultas. Esto se hace de la manera que siempre lo hacemos por el Explorador /Herramientas/Mostrar archivos y carpetas ocultas. <br /> <br /> Incluso para evitar más engaños, es recomendable desactivar las opciones: Ocultar archivos protegidos del sistema operativo y Ocultar las extensiones de archivos para tipos de archivos conocidos. <br /> <br /> == La Educación Informática ==<br /> <br /> Debe educarse quien opera la computadora. Habiendo tomado las medidas correspondientes, estaremos mejor preparados para trabajar la próxima vez con un dispositivo externo en la computadora y prevenir la propagación de programas malignos.Sin embargo lo visto hasta aquí solo es efectivo solo si la computadora no se encuentra infectada. De lo contrario cada vez que se borren del dispositivo externo, los ficheros del código maligno, esto reaparecerá debido a que el programa maligno que se encuentra ejecutándose en la memoria los creará otra vez.Otro aspecto que no se debe olvidar, es que una vez detectado un dispositivo infectado es probable que en el mismo lugar de trabajo otras computadoras y dispositivos empleados se encuentren también contaminadas y puedan ocurrir reinfecciones.Los productos antivirus desarrollados en [[Segurmática|Segurmática]] son capaces de identificar y eliminar, entre otros, a estos códigos malignos para dispositivos USB. <br /> <br /> == Fuentes ==<br /> <br /> *[http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_flash Wikipedia, la enciclopedia libre] <br /> *[http://www.segurmatica.cu Segurmática]<br /> &lt;/div&gt; <br /> [[Category:Dispositivos_de_almacenamiento_y_reproductores]]</div>

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