EcuRed - Contribuciones del colaborador [es]

Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio

2013-04-05T22:19:54Z

Enrique05012jc.vcl:

[[Archivo:Memoria RAM1.JPG|thumb|280px]]
'''DRAM''' (''Dynamic Random Access Memory'') es un tipo de memoria dinámica de [[acceso aleatorio]] que se usa principalmente en los módulos de [[memoria de acceso aleatorio|memoria RAM]] y en otros dispositivos, como [[memoria principal]] del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de [[Refrescamiento de memoria|refresco]]. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican [[circuito integrado|integrados]] con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

== Historia ==
[[Archivo:280px-Electronic_Memory.jpg|thumb|280px|Integrado
de silicio de 64 Bites (usado en el IBM S-360, modelo 95) sobre un
sector de [[memoria de núcleo]] (finales de los 60).]]
La memoria
dinámica , fue desarrollada en los laboratorios de [[IBM]] pasando por
un proceso evolutivo que la llevó de usar 6 transistores a sólo un
condensador y un transistor, como la memoria DRAM que conocemos hoy. La
invención de esta última la hizo Robert
Dennard<ref>http://www.research.ibm.com/journal/rd/391/adler.html|historia
de investigaciones de IBM (en ingles)</ref> quien obtuvo una
patente norteamericana en
1968<ref>http://www.freepatentsonline.com/3387286.pdf|Patente #
3'387.286 para la memoria DRAM</ref> por una memoria fabricada
con un solo [[transistor]] de efecto de campo y un condensador.

Los
esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cómputo
como por ejemplo la línea [[IBM S/360|System 360]]: el modelo 25 en
1968 ya incluía un [[ScratchPad]] (una especie de [[Caché]]) en forma
de integrados 5 veces más rápidos que la memoria principal basada en
[[Memoria de toros|núcleos de
ferrita]].<ref>http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP2025.html|
Descripción del equipo System 360 modelo 25 de IBM</ref>
Dado el modelo de negocios de IBM que consistía en vender o arrendar computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP3195.html
|título=IBM Archives: System/370 Model 195 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>un
negocio rentable, para IBM el uso de DRAM se reducía a ser el
complemento de la memoria principal basada en núcleos magnéticos. No
hubo interés en comercializar ese tipo de memorias para otros
fabricantes ni tampoco se pensó en usar las tecnologías de [[estado
sólido]] tipo [[SRAM]] o DRAM para construir la memoria principal.
La
empresa [[Intel]] fue creada para aprovechar esa oportunidad de
negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo la industria de los
semiconductores se había estancado, a pesar de existir potenciales usos
de los integrados de silicio como la fabricación de memorias SRAM y
DRAM.<ref name="Gmoore">The Power of Boldness: "Ten Master
Builders of American Industry Tell Their Success Stories" página
82</ref>
[[Archivo:Inteli1103.JPG|thumb|200px|Celda de memoria para la i1103.]]
Aunque
Intel se inició con memorias SRAM como la i1101 y la i3101, el primer
producto rentable fue el integrado de memoria DRAM i1103 de 1024 bits.
El i1103 lanzado en 1970 estaba formado por celdas de memoria con 3
transistores tipo PMOS y un condensador,<ref>{{cita web
|url=http://www.ieee.org/portal/site/sscs/menuitem.f07ee9e3b2a01d06bb9305765bac26c8/index.jsp?&pName=sscs_level1_article&TheCat=6010&path=sscs/08Winter&file=Foss.xml
|título=DRAM - A Personal View 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>
estaba organizado en un arreglo de 32 filas y 32 columnas, empacado en
un encapsulado de 18 pines y con un costo de 1 centavo por bit era un
fuerte competidor para las memorias de núcleo. La producción y calidad
del integrado era difícil de mantener, hecho que se demostró cuando
Intel entregó parte de la producción a otra empresa llamada
Microelectronics Integrated Limited (MIL) que en un principio pudo
obtener mejores resultados que la misma Intel, pero después del cambio
importante en el proceso de fabricación no fue capaz de
producir.<ref name="Gmoore" />

La memoria i1103
era muy primitiva en comparación a las memorias DRAM de la actualidad,
aun así se comportaba mejor que la [[memoria de núcleo]] y con un
precio menor. A finales de 1971 se había convertido en el producto
dominante para la fabricación de memoria principal y era usado por 14
entre 18 de los principales fabricantes de
computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www.cpu-museum.com/Memories_e.htm
|título=Museum 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> ganando el mote "core killer".<ref>{{cita web
|url=http://www.eetimes.com/special/special_issues/millennium/milestones/whittier.html
|título=EETimes.com 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

=== Reinvención de la memoria DRAM ===
Para
1973 Intel y otros fabricantes construían y empacaban sus integrados de
memoria DRAM empleando un esquema en el que se aumentaba un pin por
cada vez que se doblaba la capacidad. De acuerdo a este esquema, un
integrado de 64 kilobits tendría 16 pines solo para las direcciones.
Dentro de los costos más importantes para el fabricante y el
ensamblador de circuitos impresos estaba la cantidad de pines del
empaque y en un mercado tan competido era crucial tener los menores
precios. Debido a eso, un integrado con una capacidad de 16 pines y 4Kb
de capacidad fue un producto apreciado por los usuarios, que
encontraban a los integrados de 22 pines, ofrecidos por Intel y [[Texas
Instruments]] como insumos costosos.

El lanzamiento de
la memoria '''MK4096''' de 4K, con un solo transistor por celda y con
direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de [[Robert
Proebsting]] quien observo que en las celdas con un solo transistor,
era imposible acceder la información en una posición, enviando al mismo
tiempo los datos de fila y columna a la matriz: había que enviar las
señales una después de la otra. La solución a nivel de la celda
conducía a un ahorro en el empaque, ya que la dirección podría
recibirse en dos etapas, reduciendo la cantidad de pines
usados.<ref>http://archive.computerhistory.org/resources/text/Oral_History/Proebsting_Robert/102658285.05.01.pdf</ref>Por
ejemplo para un integrado de 64 Kb se pasaba de 16 pines dedicados a
solo 8 y dos más para señales de control extra. La multiplexación en
tiempo es un esquema de direccionamiento que trae muchas ventajas, a
costa de unos pocos cambios en el circuito externo, de manera que se
convirtió en un estándar de la industria que todavía se mantiene. Mucha
de la terminología usada en la hoja de datos del MK4096 todavía se usa
y muchos de los parámetros de temporización como el retardo RAS a CAS
fueron instaurados con ese producto, entre otros
aspectos.<ref>{{cita web
|url=http://www.datasheetarchive.com/MK4096-16-datasheet.html
|título=Datasheet
Archive - MK4096-16 datasheet - MK4096-16 application note - MK4096-16
pdf 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

== Funcionamiento ==
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_read.png|thumb|250px]]
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_write.png|thumb|250px]]
La
celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de
almacenar un [[Bit]] en los sistemas digitales. La construcción de la
celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM
moderna, consiste en un [[transistor]] de efecto de campo y un
[[condensador]]. El principio de funcionamiento básico, es sencillo:
una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga
un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y
desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con
dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época
de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas
transistor-condensador.

Las celdas en cualquier
sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos
dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las
columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y
se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando
áreas que son visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo
de 4x4 celdas, en el cual las líneas horizontales conectadas a las
compuertas de los transistores son las llamadas '''filas''' y las
líneas verticales conectadas a los canales de los FET son las
'''columnas'''.

Para acceder a una posición de memoria
se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones
están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades. Las
entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo
entra la dirección de la fila y después la de la columna. Las
direcciones se diferencian por medio de señales de sincronización
llamadas '''RAS''' (del inglés ''Row Address Strobe'') y '''CAS'''
(''Column Address Strobe'') que indican la entrada de cada parte de la
dirección.

Los pasos principales para una lectura son:

*
Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje
de 1 lógico. Esto es posible ya que las líneas se comportan como
grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor más alto que la
de los condensadores en las celdas.
* Una fila es energizada por
medio del decodificador de filas que recibe la dirección y la señal de
RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y
permitiendo la conexión electrica entre las líneas de columna y una
fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar
dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce
un balance de que deja a los dos con un voltaje muy similar,
compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga
en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es
pequeño, ya que la línea de columna es un condensador más grande que el
de la celda.
* El cambio es medido y amplificado por una sección
que contiene circuitos de [[realimentación positiva]]: si el valor a
medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lógico, la salida será
un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un
redondeo.
* La lectura se realiza en todas las posiciones de
una fila de manera que al llegar la segunda parte de la dirección, se
decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la señal CAS. El dato
es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas
involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM
es destructiva.

La escritura en una posición de
memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el
valor, la línea de columna es llevada a un valor indicado por la línea
D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es
mostrado con una línea gruesa en el gráfico.

== Enlaces externos ==
* [http://www.youtube.com/watch?v=E5zY48sJ5m8| Video de R. Dennard inventor de la DRAM]
* {{cita libro
| apellidos = Blout
| nombre = Elkan
| editorial =Joseph Henry Press

== Referencias ==
{{listaref}}

[[Category:Ciencias_informáticas]]

Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio

2013-04-05T22:16:43Z

Enrique05012jc.vcl:

[[Archivo:Memoria RAM1.JPG|thumb|280px]]
'''DRAM''' (''Dynamic Random Access Memory'') es un tipo de memoria dinámica de [[acceso aleatorio]] que se usa principalmente en los módulos de [[memoria de acceso aleatorio|memoria RAM]] y en otros dispositivos, como [[memoria principal]] del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de [[Refrescamiento de memoria|refresco]]. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican [[circuito integrado|integrados]] con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

== Historia ==
[[Archivo:1280px-Electronic_Memory.jpg|thumb|280px|Integrado
de silicio de 64 Bites (usado en el IBM S-360, modelo 95) sobre un
sector de [[memoria de núcleo]] (finales de los 60).]]
La memoria
dinámica , fue desarrollada en los laboratorios de [[IBM]] pasando por
un proceso evolutivo que la llevó de usar 6 transistores a sólo un
condensador y un transistor, como la memoria DRAM que conocemos hoy. La
invención de esta última la hizo Robert
Dennard<ref>http://www.research.ibm.com/journal/rd/391/adler.html|historia
de investigaciones de IBM (en ingles)</ref> quien obtuvo una
patente norteamericana en
1968<ref>http://www.freepatentsonline.com/3387286.pdf|Patente #
3'387.286 para la memoria DRAM</ref> por una memoria fabricada
con un solo [[transistor]] de efecto de campo y un condensador.

Los
esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cómputo
como por ejemplo la línea [[IBM S/360|System 360]]: el modelo 25 en
1968 ya incluía un [[ScratchPad]] (una especie de [[Caché]]) en forma
de integrados 5 veces más rápidos que la memoria principal basada en
[[Memoria de toros|núcleos de
ferrita]].<ref>http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP2025.html|
Descripción del equipo System 360 modelo 25 de IBM</ref>
Dado el modelo de negocios de IBM que consistía en vender o arrendar computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP3195.html
|título=IBM Archives: System/370 Model 195 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>un
negocio rentable, para IBM el uso de DRAM se reducía a ser el
complemento de la memoria principal basada en núcleos magnéticos. No
hubo interés en comercializar ese tipo de memorias para otros
fabricantes ni tampoco se pensó en usar las tecnologías de [[estado
sólido]] tipo [[SRAM]] o DRAM para construir la memoria principal.
La
empresa [[Intel]] fue creada para aprovechar esa oportunidad de
negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo la industria de los
semiconductores se había estancado, a pesar de existir potenciales usos
de los integrados de silicio como la fabricación de memorias SRAM y
DRAM.<ref name="Gmoore">The Power of Boldness: "Ten Master
Builders of American Industry Tell Their Success Stories" página
82</ref>
[[Archivo:Inteli1103.JPG|thumb|200px|Celda de memoria para la i1103.]]
Aunque
Intel se inició con memorias SRAM como la i1101 y la i3101, el primer
producto rentable fue el integrado de memoria DRAM i1103 de 1024 bits.
El i1103 lanzado en 1970 estaba formado por celdas de memoria con 3
transistores tipo PMOS y un condensador,<ref>{{cita web
|url=http://www.ieee.org/portal/site/sscs/menuitem.f07ee9e3b2a01d06bb9305765bac26c8/index.jsp?&pName=sscs_level1_article&TheCat=6010&path=sscs/08Winter&file=Foss.xml
|título=DRAM - A Personal View 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>
estaba organizado en un arreglo de 32 filas y 32 columnas, empacado en
un encapsulado de 18 pines y con un costo de 1 centavo por bit era un
fuerte competidor para las memorias de núcleo. La producción y calidad
del integrado era difícil de mantener, hecho que se demostró cuando
Intel entregó parte de la producción a otra empresa llamada
Microelectronics Integrated Limited (MIL) que en un principio pudo
obtener mejores resultados que la misma Intel, pero después del cambio
importante en el proceso de fabricación no fue capaz de
producir.<ref name="Gmoore" />

La memoria i1103
era muy primitiva en comparación a las memorias DRAM de la actualidad,
aun así se comportaba mejor que la [[memoria de núcleo]] y con un
precio menor. A finales de 1971 se había convertido en el producto
dominante para la fabricación de memoria principal y era usado por 14
entre 18 de los principales fabricantes de
computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www.cpu-museum.com/Memories_e.htm
|título=Museum 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> ganando el mote "core killer".<ref>{{cita web
|url=http://www.eetimes.com/special/special_issues/millennium/milestones/whittier.html
|título=EETimes.com 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

=== Reinvención de la memoria DRAM ===
Para
1973 Intel y otros fabricantes construían y empacaban sus integrados de
memoria DRAM empleando un esquema en el que se aumentaba un pin por
cada vez que se doblaba la capacidad. De acuerdo a este esquema, un
integrado de 64 kilobits tendría 16 pines solo para las direcciones.
Dentro de los costos más importantes para el fabricante y el
ensamblador de circuitos impresos estaba la cantidad de pines del
empaque y en un mercado tan competido era crucial tener los menores
precios. Debido a eso, un integrado con una capacidad de 16 pines y 4Kb
de capacidad fue un producto apreciado por los usuarios, que
encontraban a los integrados de 22 pines, ofrecidos por Intel y [[Texas
Instruments]] como insumos costosos.

El lanzamiento de
la memoria '''MK4096''' de 4K, con un solo transistor por celda y con
direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de [[Robert
Proebsting]] quien observo que en las celdas con un solo transistor,
era imposible acceder la información en una posición, enviando al mismo
tiempo los datos de fila y columna a la matriz: había que enviar las
señales una después de la otra. La solución a nivel de la celda
conducía a un ahorro en el empaque, ya que la dirección podría
recibirse en dos etapas, reduciendo la cantidad de pines
usados.<ref>http://archive.computerhistory.org/resources/text/Oral_History/Proebsting_Robert/102658285.05.01.pdf</ref>Por
ejemplo para un integrado de 64 Kb se pasaba de 16 pines dedicados a
solo 8 y dos más para señales de control extra. La multiplexación en
tiempo es un esquema de direccionamiento que trae muchas ventajas, a
costa de unos pocos cambios en el circuito externo, de manera que se
convirtió en un estándar de la industria que todavía se mantiene. Mucha
de la terminología usada en la hoja de datos del MK4096 todavía se usa
y muchos de los parámetros de temporización como el retardo RAS a CAS
fueron instaurados con ese producto, entre otros
aspectos.<ref>{{cita web
|url=http://www.datasheetarchive.com/MK4096-16-datasheet.html
|título=Datasheet
Archive - MK4096-16 datasheet - MK4096-16 application note - MK4096-16
pdf 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

== Funcionamiento ==
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_read.png|thumb|250px]]
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_write.png|thumb|250px]]
La
celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de
almacenar un [[Bit]] en los sistemas digitales. La construcción de la
celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM
moderna, consiste en un [[transistor]] de efecto de campo y un
[[condensador]]. El principio de funcionamiento básico, es sencillo:
una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga
un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y
desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con
dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época
de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas
transistor-condensador.

Las celdas en cualquier
sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos
dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las
columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y
se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando
áreas que son visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo
de 4x4 celdas, en el cual las líneas horizontales conectadas a las
compuertas de los transistores son las llamadas '''filas''' y las
líneas verticales conectadas a los canales de los FET son las
'''columnas'''.

Para acceder a una posición de memoria
se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones
están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades. Las
entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo
entra la dirección de la fila y después la de la columna. Las
direcciones se diferencian por medio de señales de sincronización
llamadas '''RAS''' (del inglés ''Row Address Strobe'') y '''CAS'''
(''Column Address Strobe'') que indican la entrada de cada parte de la
dirección.

Los pasos principales para una lectura son:

*
Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje
de 1 lógico. Esto es posible ya que las líneas se comportan como
grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor más alto que la
de los condensadores en las celdas.
* Una fila es energizada por
medio del decodificador de filas que recibe la dirección y la señal de
RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y
permitiendo la conexión electrica entre las líneas de columna y una
fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar
dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce
un balance de que deja a los dos con un voltaje muy similar,
compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga
en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es
pequeño, ya que la línea de columna es un condensador más grande que el
de la celda.
* El cambio es medido y amplificado por una sección
que contiene circuitos de [[realimentación positiva]]: si el valor a
medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lógico, la salida será
un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un
redondeo.
* La lectura se realiza en todas las posiciones de
una fila de manera que al llegar la segunda parte de la dirección, se
decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la señal CAS. El dato
es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas
involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM
es destructiva.

La escritura en una posición de
memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el
valor, la línea de columna es llevada a un valor indicado por la línea
D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es
mostrado con una línea gruesa en el gráfico.

== Enlaces externos ==
* [http://www.youtube.com/watch?v=E5zY48sJ5m8| Video de R. Dennard inventor de la DRAM]
* {{cita libro
| apellidos = Blout
| nombre = Elkan
| editorial =Joseph Henry Press

== Referencias ==
{{listaref}}

[[Category:Ciencias_informáticas]]

Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio

2013-04-05T22:09:38Z

Enrique05012jc.vcl:

Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio

2013-04-05T22:08:47Z

Enrique05012jc.vcl:

[[Archivo:Memoria RAM1.JPG|thumb|280px]]
'''DRAM''' (''Dynamic Random Access Memory'') es un tipo de memoria dinámica de [[acceso aleatorio]] que se usa principalmente en los módulos de [[memoria de acceso aleatorio|memoria RAM]] y en otros dispositivos, como [[memoria principal]] del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de [[Refrescamiento de memoria|refresco]]. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican [[circuito integrado|integrados]] con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

== Historia ==
[[Archivo:1-Electronic
Memory.jpg|thumb|280px|Integrado de silicio de 64 Bites (usado en el
IBM S-360, modelo 95) sobre un sector de [[memoria de núcleo]] (finales
de los 60).]]
La memoria dinámica , fue desarrollada en los
laboratorios de [[IBM]] pasando por un proceso evolutivo que la llevó
de usar 6 transistores a sólo un condensador y un transistor, como la
memoria DRAM que conocemos hoy. La invención de esta última la hizo
Robert
Dennard<ref>http://www.research.ibm.com/journal/rd/391/adler.html|historia
de investigaciones de IBM (en ingles)</ref> quien obtuvo una
patente norteamericana en
1968<ref>http://www.freepatentsonline.com/3387286.pdf|Patente #
3'387.286 para la memoria DRAM</ref> por una memoria fabricada
con un solo [[transistor]] de efecto de campo y un condensador.

Los
esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cómputo
como por ejemplo la línea [[IBM S/360|System 360]]: el modelo 25 en
1968 ya incluía un [[ScratchPad]] (una especie de [[Caché]]) en forma
de integrados 5 veces más rápidos que la memoria principal basada en
[[Memoria de toros|núcleos de
ferrita]].<ref>http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP2025.html|
Descripción del equipo System 360 modelo 25 de IBM</ref>
Dado el modelo de negocios de IBM que consistía en vender o arrendar computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP3195.html
|título=IBM Archives: System/370 Model 195 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>un
negocio rentable, para IBM el uso de DRAM se reducía a ser el
complemento de la memoria principal basada en núcleos magnéticos. No
hubo interés en comercializar ese tipo de memorias para otros
fabricantes ni tampoco se pensó en usar las tecnologías de [[estado
sólido]] tipo [[SRAM]] o DRAM para construir la memoria principal.
La
empresa [[Intel]] fue creada para aprovechar esa oportunidad de
negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo la industria de los
semiconductores se había estancado, a pesar de existir potenciales usos
de los integrados de silicio como la fabricación de memorias SRAM y
DRAM.<ref name="Gmoore">The Power of Boldness: "Ten Master
Builders of American Industry Tell Their Success Stories" página
82</ref>
[[Archivo:Inteli1103.JPG|thumb|200px|Celda de memoria para la i1103.]]
Aunque
Intel se inició con memorias SRAM como la i1101 y la i3101, el primer
producto rentable fue el integrado de memoria DRAM i1103 de 1024 bits.
El i1103 lanzado en 1970 estaba formado por celdas de memoria con 3
transistores tipo PMOS y un condensador,<ref>{{cita web
|url=http://www.ieee.org/portal/site/sscs/menuitem.f07ee9e3b2a01d06bb9305765bac26c8/index.jsp?&pName=sscs_level1_article&TheCat=6010&path=sscs/08Winter&file=Foss.xml
|título=DRAM - A Personal View 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>
estaba organizado en un arreglo de 32 filas y 32 columnas, empacado en
un encapsulado de 18 pines y con un costo de 1 centavo por bit era un
fuerte competidor para las memorias de núcleo. La producción y calidad
del integrado era difícil de mantener, hecho que se demostró cuando
Intel entregó parte de la producción a otra empresa llamada
Microelectronics Integrated Limited (MIL) que en un principio pudo
obtener mejores resultados que la misma Intel, pero después del cambio
importante en el proceso de fabricación no fue capaz de
producir.<ref name="Gmoore" />

La memoria i1103
era muy primitiva en comparación a las memorias DRAM de la actualidad,
aun así se comportaba mejor que la [[memoria de núcleo]] y con un
precio menor. A finales de 1971 se había convertido en el producto
dominante para la fabricación de memoria principal y era usado por 14
entre 18 de los principales fabricantes de
computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www.cpu-museum.com/Memories_e.htm
|título=Museum 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> ganando el mote "core killer".<ref>{{cita web
|url=http://www.eetimes.com/special/special_issues/millennium/milestones/whittier.html
|título=EETimes.com 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

=== Reinvención de la memoria DRAM ===
Para
1973 Intel y otros fabricantes construían y empacaban sus integrados de
memoria DRAM empleando un esquema en el que se aumentaba un pin por
cada vez que se doblaba la capacidad. De acuerdo a este esquema, un
integrado de 64 kilobits tendría 16 pines solo para las direcciones.
Dentro de los costos más importantes para el fabricante y el
ensamblador de circuitos impresos estaba la cantidad de pines del
empaque y en un mercado tan competido era crucial tener los menores
precios. Debido a eso, un integrado con una capacidad de 16 pines y 4Kb
de capacidad fue un producto apreciado por los usuarios, que
encontraban a los integrados de 22 pines, ofrecidos por Intel y [[Texas
Instruments]] como insumos costosos.

El lanzamiento de
la memoria '''MK4096''' de 4K, con un solo transistor por celda y con
direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de [[Robert
Proebsting]] quien observo que en las celdas con un solo transistor,
era imposible acceder la información en una posición, enviando al mismo
tiempo los datos de fila y columna a la matriz: había que enviar las
señales una después de la otra. La solución a nivel de la celda
conducía a un ahorro en el empaque, ya que la dirección podría
recibirse en dos etapas, reduciendo la cantidad de pines
usados.<ref>http://archive.computerhistory.org/resources/text/Oral_History/Proebsting_Robert/102658285.05.01.pdf</ref>Por
ejemplo para un integrado de 64 Kb se pasaba de 16 pines dedicados a
solo 8 y dos más para señales de control extra. La multiplexación en
tiempo es un esquema de direccionamiento que trae muchas ventajas, a
costa de unos pocos cambios en el circuito externo, de manera que se
convirtió en un estándar de la industria que todavía se mantiene. Mucha
de la terminología usada en la hoja de datos del MK4096 todavía se usa
y muchos de los parámetros de temporización como el retardo RAS a CAS
fueron instaurados con ese producto, entre otros
aspectos.<ref>{{cita web
|url=http://www.datasheetarchive.com/MK4096-16-datasheet.html
|título=Datasheet
Archive - MK4096-16 datasheet - MK4096-16 application note - MK4096-16
pdf 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

== Funcionamiento ==
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_read.png|thumb|250px]]
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_write.png|thumb|250px]]
La
celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de
almacenar un [[Bit]] en los sistemas digitales. La construcción de la
celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM
moderna, consiste en un [[transistor]] de efecto de campo y un
[[condensador]]. El principio de funcionamiento básico, es sencillo:
una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga
un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y
desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con
dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época
de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas
transistor-condensador.

Las celdas en cualquier
sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos
dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las
columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y
se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando
áreas que son visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo
de 4x4 celdas, en el cual las líneas horizontales conectadas a las
compuertas de los transistores son las llamadas '''filas''' y las
líneas verticales conectadas a los canales de los FET son las
'''columnas'''.

Para acceder a una posición de memoria
se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones
están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades. Las
entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo
entra la dirección de la fila y después la de la columna. Las
direcciones se diferencian por medio de señales de sincronización
llamadas '''RAS''' (del inglés ''Row Address Strobe'') y '''CAS'''
(''Column Address Strobe'') que indican la entrada de cada parte de la
dirección.

Los pasos principales para una lectura son:

*
Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje
de 1 lógico. Esto es posible ya que las líneas se comportan como
grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor más alto que la
de los condensadores en las celdas.
* Una fila es energizada por
medio del decodificador de filas que recibe la dirección y la señal de
RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y
permitiendo la conexión electrica entre las líneas de columna y una
fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar
dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce
un balance de que deja a los dos con un voltaje muy similar,
compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga
en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es
pequeño, ya que la línea de columna es un condensador más grande que el
de la celda.
* El cambio es medido y amplificado por una sección
que contiene circuitos de [[realimentación positiva]]: si el valor a
medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lógico, la salida será
un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un
redondeo.
* La lectura se realiza en todas las posiciones de
una fila de manera que al llegar la segunda parte de la dirección, se
decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la señal CAS. El dato
es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas
involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM
es destructiva.

La escritura en una posición de
memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el
valor, la línea de columna es llevada a un valor indicado por la línea
D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es
mostrado con una línea gruesa en el gráfico.

== Enlaces externos ==
* [http://www.youtube.com/watch?v=E5zY48sJ5m8| Video de R. Dennard inventor de la DRAM]
* {{cita libro
| apellidos = Blout
| nombre = Elkan
| editorial =Joseph Henry Press

== Referencias ==
{{listaref}}

[[Category:Ciencias_informáticas]]

Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio

2013-04-05T21:58:11Z

Enrique05012jc.vcl:

[[Archivo:Memoria RAM1.JPG|thumb|280px]]
'''DRAM''' (''Dynamic Random Access Memory'') es un tipo de memoria dinámica de [[acceso aleatorio]] que se usa principalmente en los módulos de [[memoria de acceso aleatorio|memoria RAM]] y en otros dispositivos, como [[memoria principal]] del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de [[Refrescamiento de memoria|refresco]]. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican [[circuito integrado|integrados]] con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

== Historia ==
[[Archivo:1-Electronic Memory.jpg|thumb|280px|Integrado de silicio de 64 Bites (usado en el IBM S-360, modelo 95) sobre un sector de [[memoria de núcleo]] (finales de los 60).]]
La memoria dinámica , fue desarrollada en los laboratorios de [[IBM]] pasando por un proceso evolutivo que la llevó de usar 6 transistores a sólo un condensador y un transistor, como la memoria DRAM que conocemos hoy. La invención de esta última la hizo Robert Dennard<ref>http://www.research.ibm.com/journal/rd/391/adler.html|historia de investigaciones de IBM (en ingles)</ref> quien obtuvo una patente norteamericana en 1968<ref>http://www.freepatentsonline.com/3387286.pdf|Patente # 3'387.286 para la memoria DRAM</ref> por una memoria fabricada con un solo [[transistor]] de efecto de campo y un condensador.

Los esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cómputo como por ejemplo la línea [[IBM S/360|System 360]]: el modelo 25 en 1968 ya incluía un [[ScratchPad]] (una especie de [[Caché]]) en forma de integrados 5 veces más rápidos que la memoria principal basada en [[Memoria de toros|núcleos de ferrita]].<ref>http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP2025.html| Descripción del equipo System 360 modelo 25 de IBM</ref>
Dado el modelo de negocios de IBM que consistía en vender o arrendar computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP3195.html
|título=IBM Archives: System/370 Model 195 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>un negocio rentable, para IBM el uso de DRAM se reducía a ser el complemento de la memoria principal basada en núcleos magnéticos. No hubo interés en comercializar ese tipo de memorias para otros fabricantes ni tampoco se pensó en usar las tecnologías de [[estado sólido]] tipo [[SRAM]] o DRAM para construir la memoria principal.
La empresa [[Intel]] fue creada para aprovechar esa oportunidad de negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo la industria de los semiconductores se había estancado, a pesar de existir potenciales usos de los integrados de silicio como la fabricación de memorias SRAM y DRAM.<ref name="Gmoore">The Power of Boldness: "Ten Master Builders of American Industry Tell Their Success Stories" página 82</ref>
[[Archivo:Inteli1103.JPG|thumb|200px|Celda de memoria para la i1103.]]
Aunque Intel se inició con memorias SRAM como la i1101 y la i3101, el primer producto rentable fue el integrado de memoria DRAM i1103 de 1024 bits. El i1103 lanzado en 1970 estaba formado por celdas de memoria con 3 transistores tipo PMOS y un condensador,<ref>{{cita web
|url=http://www.ieee.org/portal/site/sscs/menuitem.f07ee9e3b2a01d06bb9305765bac26c8/index.jsp?&pName=sscs_level1_article&TheCat=6010&path=sscs/08Winter&file=Foss.xml
|título=DRAM - A Personal View 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> estaba organizado en un arreglo de 32 filas y 32 columnas, empacado en un encapsulado de 18 pines y con un costo de 1 centavo por bit era un fuerte competidor para las memorias de núcleo. La producción y calidad del integrado era difícil de mantener, hecho que se demostró cuando Intel entregó parte de la producción a otra empresa llamada Microelectronics Integrated Limited (MIL) que en un principio pudo obtener mejores resultados que la misma Intel, pero después del cambio importante en el proceso de fabricación no fue capaz de producir.<ref name="Gmoore" />

La memoria i1103 era muy primitiva en comparación a las memorias DRAM de la actualidad, aun así se comportaba mejor que la [[memoria de núcleo]] y con un precio menor. A finales de 1971 se había convertido en el producto dominante para la fabricación de memoria principal y era usado por 14 entre 18 de los principales fabricantes de computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www.cpu-museum.com/Memories_e.htm
|título=Museum 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> ganando el mote "core killer".<ref>{{cita web
|url=http://www.eetimes.com/special/special_issues/millennium/milestones/whittier.html
|título=EETimes.com 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

=== Reinvención de la memoria DRAM ===
Para 1973 Intel y otros fabricantes construían y empacaban sus integrados de memoria DRAM empleando un esquema en el que se aumentaba un pin por cada vez que se doblaba la capacidad. De acuerdo a este esquema, un integrado de 64 kilobits tendría 16 pines solo para las direcciones. Dentro de los costos más importantes para el fabricante y el ensamblador de circuitos impresos estaba la cantidad de pines del empaque y en un mercado tan competido era crucial tener los menores precios. Debido a eso, un integrado con una capacidad de 16 pines y 4Kb de capacidad fue un producto apreciado por los usuarios, que encontraban a los integrados de 22 pines, ofrecidos por Intel y [[Texas Instruments]] como insumos costosos.

El lanzamiento de la memoria '''MK4096''' de 4K, con un solo transistor por celda y con direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de [[Robert Proebsting]] quien observo que en las celdas con un solo transistor, era imposible acceder la información en una posición, enviando al mismo tiempo los datos de fila y columna a la matriz: había que enviar las señales una después de la otra. La solución a nivel de la celda conducía a un ahorro en el empaque, ya que la dirección podría recibirse en dos etapas, reduciendo la cantidad de pines usados.<ref>http://archive.computerhistory.org/resources/text/Oral_History/Proebsting_Robert/102658285.05.01.pdf</ref>Por ejemplo para un integrado de 64 Kb se pasaba de 16 pines dedicados a solo 8 y dos más para señales de control extra. La multiplexación en tiempo es un esquema de direccionamiento que trae muchas ventajas, a costa de unos pocos cambios en el circuito externo, de manera que se convirtió en un estándar de la industria que todavía se mantiene. Mucha de la terminología usada en la hoja de datos del MK4096 todavía se usa y muchos de los parámetros de temporización como el retardo RAS a CAS fueron instaurados con ese producto, entre otros aspectos.<ref>{{cita web
|url=http://www.datasheetarchive.com/MK4096-16-datasheet.html
|título=Datasheet Archive - MK4096-16 datasheet - MK4096-16 application note - MK4096-16 pdf 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

== Funcionamiento ==
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_read.png|thumb|250px]]
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_write.png|thumb|250px]]
La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un [[Bit]] en los sistemas digitales. La construcción de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un [[transistor]] de efecto de campo y un [[condensador]]. El principio de funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.

Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando áreas que son visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el cual las líneas horizontales conectadas a las compuertas de los transistores son las llamadas '''filas''' y las líneas verticales conectadas a los canales de los FET son las '''columnas'''.

Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la dirección de la fila y después la de la columna. Las direcciones se diferencian por medio de señales de sincronización llamadas '''RAS''' (del inglés ''Row Address Strobe'') y '''CAS''' (''Column Address Strobe'') que indican la entrada de cada parte de la dirección.

Los pasos principales para una lectura son:

* Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lógico. Esto es posible ya que las líneas se comportan como grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor más alto que la de los condensadores en las celdas.
* Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la dirección y la señal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y permitiendo la conexión electrica entre las líneas de columna y una fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance de que deja a los dos con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es pequeño, ya que la línea de columna es un condensador más grande que el de la celda.
* El cambio es medido y amplificado por una sección que contiene circuitos de [[realimentación positiva]]: si el valor a medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lógico, la salida será un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un redondeo.
* La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar la segunda parte de la dirección, se decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la señal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva.

La escritura en una posición de memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el valor, la línea de columna es llevada a un valor indicado por la línea D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es mostrado con una línea gruesa en el gráfico.

== Enlaces externos ==
* [http://www.youtube.com/watch?v=E5zY48sJ5m8| Video de R. Dennard inventor de la DRAM]
* {{cita libro
| apellidos = Blout
| nombre = Elkan
| editorial =Joseph Henry Press

== Referencias ==
{{listaref}}

[[Category:Ciencias_informáticas]]

Archivo:Generaciones s-etend 3.jpg

2013-04-05T21:53:03Z

Enrique05012jc.vcl:

== Sumario ==

== Estado de copyright: ==

== Fuente: ==

Archivo:Generaciones F111.jpg

2013-04-05T21:49:22Z

Enrique05012jc.vcl:

== Sumario ==

== Estado de copyright: ==

== Fuente: ==

Cazabombardero

2013-04-05T21:14:32Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Ficha Aeronave
|nombre = Cazabombardero
|imagen =Cazabombardero.jpg
|pie de foto = Un McDonell Douglas F-4 Phantom II, cazabombardero embarcado norteamericano, tristemente recordado por su despiadado desempeño durante la guerra de Vietnam
|fabricante =
|diseñador =
|primer vuelo =
|introducido =
|retirado =
|estado =
|usuario =
|otros usuarios =
|producción =
|unidades construidas =
|coste del programa =
|coste unitario =
|desarrollo del =
|variantes con su propio artículo =
|desarrollado en =
}}

'''CAZABOMBARDERO''': Es un caza capaz de atacar objetivos en la superficie terrestre o marítima, por lo que está preparado para utilizar además de armamento aire-aire, armamento aire-tierra y aire-mar. Se diferencia de un avión de ataque a tierra en que el cazabombardero mantiene todas las capacidades de un caza. Un cazabombardero se distingue de un caza polivalente en que este último hace énfasis en las misiones de combate aéreo mientras que el cazabombardero hace un énfasis en el ataque terrestre. Son los tipos de caza más pesados y no son tan ágiles para el combate aéreo como los cazas ligeros. La excepción se dice es el F/A-18 que puede cumplir por igual ambas misiones.
==Ejemplos de cazabombarderos==
[[Image:Generaciones F111.jpg|thumb|right|250px| General Dinamics F-111 Aardvark. Cazabombardero pesado norteamericano, algunos analistas lo consideran más un bombardero estratégico que un caza]]
*'''Republic F-105 Thunderchief''': (1958) Cazabombardero norteamericano de segunda generación, el más grande caza monomotor jamás empleado por la USAF
*'''McDonnell Douglas F-4 Phantom II''': (1960)Cazabombardero pesado embarcado norteamericano de segunda generación y con versiones de tercera, el caza más producido por la industria norteamericano capaz de llevar 8.480 kgs de cargo útil, entró en combate en numerosos escenarios.
*'''Dassault Super Mystere B2''': (1955) Cazabombardero francés de segunda generación, muy apreciado por los israelíes en sus guerras contra los árabes de [[1967]] y [[1973]].
*'''General Dinamics F-111 Aardvark''': (1967) Cazabombardero pesado norteamericano de tercera generación, el de más capacidad de carga de todo el USAF, capaz de transportar hasta una distancia 2.000 kilometros una carga útil de 14.300 kgs.
*'''Dassault Super Etendar''': (1978) Cazabombardero embarcado francés de tercera generación, durante la guerra de las Malvinas hundió mediante un exocet AM-39 al destructor clase 42 británico HMS Sheffield.
*'''Panavia Tornado''': (1979) Cazabombardero de cuarta generación de fabricación multinacional europeo, principal medio de las FA de [[Reino Unido]], [[Italia]] y [[Alemania]], con importantes innovaciones tecnológicas para bombardear a baja altura.
*'''Sujoi SU-17''': (1970) Cazabombardero soviético de tercera generación probado en multiples conflictos y muy apreciado por su tripulación por su dureza y resistencia.
*I'''srael Aircraft Industries Kfir''': (1975). Cazabombardero desarrollo mejorado del IAI Nesher también israelí copia del Mirage V.
[[Image:Generaciones_s-etend_3.jpg|thumb|right|250px| Dassault Super Etendar, cazabombardero naval francés]]
*'''Dassault Mirage 2000''': (1984) Caza bombardero (considerado polivalente en algunas fuentes) francés de 4ta generación, desarrollo del [[Mirage III]] con sus alas delta aunque con innovaciones radicales.
*'''Mc Donnell Douglas F/A-18''': (1980) Cazabombardero naval norteamericano que puede realizar misiones de ataque terrestre (interdicción) o [[apoyo aéreo cercano]], sin comprometer sus capacidades como caza ni necesitar preparación o cambio en la base de su armamento (multimisión).
*'''McDonnell Douglas F-15E Strike Eagle''': (1998) variante de ataque a tierra del F-15E cuenta con importantes innovaciones en tecnología digital, su currículo incluye participación en todas las agresiones norteamericanas desde la guerra del Golfo de 1991 hasta la fecha.

== Véase además ==

*[[Caza polivalente]]
*[[Caza interceptor]]
*[[Caza de superioridad aérea]]
*[[Generación de la aviación de caza]]
*[[F-16]]
*[[F/A-18]]
*[[F-35]]
*[[MiG-17]]
*[[MiG-19]]
*[[MiG-21]]
*[[MiG-23]]
*[[Mirage III]]
*[[Mirage F1]]
*[[Grupo Dassault]]
*[[Grupo EADS]]
*[[Grupo English Electric]]
*[[BAC Camberra]]
*[[Impala MK]]
*[[Blackburn Buccaneers]]
*[[Guerra de la frontera]]

== Fuentes ==
* Valdivia Echemendia, Abel E. la Aviación de combate. 2011.

[[Category: Armas]]

Archivo:Cazabombardero.jpg

2013-04-05T21:04:53Z

Enrique05012jc.vcl:

== Sumario ==

== Estado de copyright: ==

== Fuente: ==

Cazabombardero

2013-04-05T21:04:00Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Ficha Aeronave
|nombre = Cazabombardero
|imagen =Cazabombardero.jpg
|pie de foto = Un McDonell Douglas F-4 Phantom II, cazabombardero embarcado norteamericano, tristemente recordado por su despiadado desempeño durante la guerra de Vietnam
|fabricante =
|diseñador =
|primer vuelo =
|introducido =
|retirado =
|estado =
|usuario =
|otros usuarios =
|producción =
|unidades construidas =
|coste del programa =
|coste unitario =
|desarrollo del =
|variantes con su propio artículo =
|desarrollado en =
}}

'''CAZABOMBARDERO''': Es un caza capaz de atacar objetivos en la superficie terrestre o marítima, por lo que está preparado para utilizar además de armamento aire-aire, armamento aire-tierra y aire-mar. Se diferencia de un avión de ataque a tierra en que el cazabombardero mantiene todas las capacidades de un caza. Un cazabombardero se distingue de un caza polivalente en que este último hace énfasis en las misiones de combate aéreo mientras que el cazabombardero hace un énfasis en el ataque terrestre. Son los tipos de caza más pesados y no son tan ágiles para el combate aéreo como los cazas ligeros. La excepción se dice es el F/A-18 que puede cumplir por igual ambas misiones.
==Ejemplos de cazabombarderos==
[[Image:Generaciones_f111.jpg|thumb|right|250px| General Dinamics F-111 Aardvark. Cazabombardero pesado norteamericano, algunos analistas lo consideran más un bombardero estratégico que un caza]]
*'''Republic F-105 Thunderchief''': (1958) Cazabombardero norteamericano de segunda generación, el más grande caza monomotor jamás empleado por la USAF
*'''McDonnell Douglas F-4 Phantom II''': (1960)Cazabombardero pesado embarcado norteamericano de segunda generación y con versiones de tercera, el caza más producido por la industria norteamericano capaz de llevar 8.480 kgs de cargo útil, entró en combate en numerosos escenarios.
*'''Dassault Super Mystere B2''': (1955) Cazabombardero francés de segunda generación, muy apreciado por los israelíes en sus guerras contra los árabes de [[1967]] y [[1973]].
*'''General Dinamics F-111 Aardvark''': (1967) Cazabombardero pesado norteamericano de tercera generación, el de más capacidad de carga de todo el USAF, capaz de transportar hasta una distancia 2.000 kilometros una carga útil de 14.300 kgs.
*'''Dassault Super Etendar''': (1978) Cazabombardero embarcado francés de tercera generación, durante la guerra de las Malvinas hundió mediante un exocet AM-39 al destructor clase 42 británico HMS Sheffield.
*'''Panavia Tornado''': (1979) Cazabombardero de cuarta generación de fabricación multinacional europeo, principal medio de las FA de [[Reino Unido]], [[Italia]] y [[Alemania]], con importantes innovaciones tecnológicas para bombardear a baja altura.
*'''Sujoi SU-17''': (1970) Cazabombardero soviético de tercera generación probado en multiples conflictos y muy apreciado por su tripulación por su dureza y resistencia.
*I'''srael Aircraft Industries Kfir''': (1975). Cazabombardero desarrollo mejorado del IAI Nesher también israelí copia del Mirage V.
[[Image:Generaciones_s-etend_3.jpg|thumb|right|250px| Dassault Super Etendar, cazabombardero naval francés]]
*'''Dassault Mirage 2000''': (1984) Caza bombardero (considerado polivalente en algunas fuentes) francés de 4ta generación, desarrollo del [[Mirage III]] con sus alas delta aunque con innovaciones radicales.
*'''Mc Donnell Douglas F/A-18''': (1980) Cazabombardero naval norteamericano que puede realizar misiones de ataque terrestre (interdicción) o [[apoyo aéreo cercano]], sin comprometer sus capacidades como caza ni necesitar preparación o cambio en la base de su armamento (multimisión).
*'''McDonnell Douglas F-15E Strike Eagle''': (1998) variante de ataque a tierra del F-15E cuenta con importantes innovaciones en tecnología digital, su currículo incluye participación en todas las agresiones norteamericanas desde la guerra del Golfo de 1991 hasta la fecha.

== Véase además ==

*[[Caza polivalente]]
*[[Caza interceptor]]
*[[Caza de superioridad aérea]]
*[[Generación de la aviación de caza]]
*[[F-16]]
*[[F/A-18]]
*[[F-35]]
*[[MiG-17]]
*[[MiG-19]]
*[[MiG-21]]
*[[MiG-23]]
*[[Mirage III]]
*[[Mirage F1]]
*[[Grupo Dassault]]
*[[Grupo EADS]]
*[[Grupo English Electric]]
*[[BAC Camberra]]
*[[Impala MK]]
*[[Blackburn Buccaneers]]
*[[Guerra de la frontera]]

== Fuentes ==
* Valdivia Echemendia, Abel E. la Aviación de combate. 2011.

[[Category: Armas]]

Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio

2013-04-05T17:03:33Z

Enrique05012jc.vcl:

[[Archivo:Memoria RAM1.JPG|thumb|280px]]
'''DRAM''' (''Dynamic Random Access Memory'') es un tipo de memoria dinámica de [[acceso aleatorio]] que se usa principalmente en los módulos de [[memoria de acceso aleatorio|memoria RAM]] y en otros dispositivos, como [[memoria principal]] del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de [[Refrescamiento de memoria|refresco]]. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican [[circuito integrado|integrados]] con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

== Historia ==
[[Archivo:1-Electronic Memory.jpg|thumb|280px|Integrado
de silicio de 64 Bites (usado en el IBM S-360, modelo 95) sobre un
sector de [[memoria de núcleo]] (finales de los 60).]]
La memoria
dinámica , fue desarrollada en los laboratorios de [[IBM]] pasando por
un proceso evolutivo que la llevó de usar 6 transistores a sólo un
condensador y un transistor, como la memoria DRAM que conocemos hoy. La
invención de esta última la hizo Robert
Dennard<ref>http://www.research.ibm.com/journal/rd/391/adler.html|historia
de investigaciones de IBM (en ingles)</ref> quien obtuvo una
patente norteamericana en
1968<ref>http://www.freepatentsonline.com/3387286.pdf|Patente #
3'387.286 para la memoria DRAM</ref> por una memoria fabricada
con un solo [[transistor]] de efecto de campo y un condensador.

Los
esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cómputo
como por ejemplo la línea [[IBM S/360|System 360]]: el modelo 25 en
1968 ya incluía un [[ScratchPad]] (una especie de [[Caché]]) en forma
de integrados 5 veces más rápidos que la memoria principal basada en
[[Memoria de toros|núcleos de
ferrita]].<ref>http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP2025.html|
Descripción del equipo System 360 modelo 25 de IBM</ref>
Dado el modelo de negocios de IBM que consistía en vender o arrendar computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP3195.html
|título=IBM Archives: System/370 Model 195 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>un
negocio rentable, para IBM el uso de DRAM se reducía a ser el
complemento de la memoria principal basada en núcleos magnéticos. No
hubo interés en comercializar ese tipo de memorias para otros
fabricantes ni tampoco se pensó en usar las tecnologías de [[estado
sólido]] tipo [[SRAM]] o DRAM para construir la memoria principal.
La
empresa [[Intel]] fue creada para aprovechar esa oportunidad de
negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo la industria de los
semiconductores se había estancado, a pesar de existir potenciales usos
de los integrados de silicio como la fabricación de memorias SRAM y
DRAM.<ref name="Gmoore">The Power of Boldness: "Ten Master
Builders of American Industry Tell Their Success Stories" página
82</ref>
[[Archivo:200px-Intel_i1103.JPG|thumb|200px|Celda de memoria para la i1103.]]
Aunque
Intel se inició con memorias SRAM como la i1101 y la i3101, el primer
producto rentable fue el integrado de memoria DRAM i1103 de 1024 bits.
El i1103 lanzado en 1970 estaba formado por celdas de memoria con 3
transistores tipo PMOS y un condensador,<ref>{{cita web
|url=http://www.ieee.org/portal/site/sscs/menuitem.f07ee9e3b2a01d06bb9305765bac26c8/index.jsp?&pName=sscs_level1_article&TheCat=6010&path=sscs/08Winter&file=Foss.xml
|título=DRAM - A Personal View 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>
estaba organizado en un arreglo de 32 filas y 32 columnas, empacado en
un encapsulado de 18 pines y con un costo de 1 centavo por bit era un
fuerte competidor para las memorias de núcleo. La producción y calidad
del integrado era difícil de mantener, hecho que se demostró cuando
Intel entregó parte de la producción a otra empresa llamada
Microelectronics Integrated Limited (MIL) que en un principio pudo
obtener mejores resultados que la misma Intel, pero después del cambio
importante en el proceso de fabricación no fue capaz de
producir.<ref name="Gmoore" />

La memoria i1103
era muy primitiva en comparación a las memorias DRAM de la actualidad,
aun así se comportaba mejor que la [[memoria de núcleo]] y con un
precio menor. A finales de 1971 se había convertido en el producto
dominante para la fabricación de memoria principal y era usado por 14
entre 18 de los principales fabricantes de
computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www.cpu-museum.com/Memories_e.htm
|título=Museum 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> ganando el mote "core killer".<ref>{{cita web
|url=http://www.eetimes.com/special/special_issues/millennium/milestones/whittier.html
|título=EETimes.com 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

=== Reinvención de la memoria DRAM ===
Para
1973 Intel y otros fabricantes construían y empacaban sus integrados de
memoria DRAM empleando un esquema en el que se aumentaba un pin por
cada vez que se doblaba la capacidad. De acuerdo a este esquema, un
integrado de 64 kilobits tendría 16 pines solo para las direcciones.
Dentro de los costos más importantes para el fabricante y el
ensamblador de circuitos impresos estaba la cantidad de pines del
empaque y en un mercado tan competido era crucial tener los menores
precios. Debido a eso, un integrado con una capacidad de 16 pines y 4Kb
de capacidad fue un producto apreciado por los usuarios, que
encontraban a los integrados de 22 pines, ofrecidos por Intel y [[Texas
Instruments]] como insumos costosos.

El lanzamiento de
la memoria '''MK4096''' de 4K, con un solo transistor por celda y con
direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de [[Robert
Proebsting]] quien observo que en las celdas con un solo transistor,
era imposible acceder la información en una posición, enviando al mismo
tiempo los datos de fila y columna a la matriz: había que enviar las
señales una después de la otra. La solución a nivel de la celda
conducía a un ahorro en el empaque, ya que la dirección podría
recibirse en dos etapas, reduciendo la cantidad de pines
usados.<ref>http://archive.computerhistory.org/resources/text/Oral_History/Proebsting_Robert/102658285.05.01.pdf</ref>Por
ejemplo para un integrado de 64 Kb se pasaba de 16 pines dedicados a
solo 8 y dos más para señales de control extra. La multiplexación en
tiempo es un esquema de direccionamiento que trae muchas ventajas, a
costa de unos pocos cambios en el circuito externo, de manera que se
convirtió en un estándar de la industria que todavía se mantiene. Mucha
de la terminología usada en la hoja de datos del MK4096 todavía se usa
y muchos de los parámetros de temporización como el retardo RAS a CAS
fueron instaurados con ese producto, entre otros
aspectos.<ref>{{cita web
|url=http://www.datasheetarchive.com/MK4096-16-datasheet.html
|título=Datasheet
Archive - MK4096-16 datasheet - MK4096-16 application note - MK4096-16
pdf 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

== Funcionamiento ==
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_read.png|thumb|250px]]
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_write.png|thumb|250px]]
La
celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de
almacenar un [[Bit]] en los sistemas digitales. La construcción de la
celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM
moderna, consiste en un [[transistor]] de efecto de campo y un
[[condensador]]. El principio de funcionamiento básico, es sencillo:
una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga
un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y
desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con
dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época
de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas
transistor-condensador.

Las celdas en cualquier
sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos
dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las
columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y
se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando
áreas que son visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo
de 4x4 celdas, en el cual las líneas horizontales conectadas a las
compuertas de los transistores son las llamadas '''filas''' y las
líneas verticales conectadas a los canales de los FET son las
'''columnas'''.

Para acceder a una posición de memoria
se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones
están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades. Las
entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo
entra la dirección de la fila y después la de la columna. Las
direcciones se diferencian por medio de señales de sincronización
llamadas '''RAS''' (del inglés ''Row Address Strobe'') y '''CAS'''
(''Column Address Strobe'') que indican la entrada de cada parte de la
dirección.

Los pasos principales para una lectura son:

*
Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje
de 1 lógico. Esto es posible ya que las líneas se comportan como
grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor más alto que la
de los condensadores en las celdas.
* Una fila es energizada por
medio del decodificador de filas que recibe la dirección y la señal de
RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y
permitiendo la conexión electrica entre las líneas de columna y una
fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar
dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce
un balance de que deja a los dos con un voltaje muy similar,
compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga
en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es
pequeño, ya que la línea de columna es un condensador más grande que el
de la celda.
* El cambio es medido y amplificado por una sección
que contiene circuitos de [[realimentación positiva]]: si el valor a
medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lógico, la salida será
un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un
redondeo.
* La lectura se realiza en todas las posiciones de
una fila de manera que al llegar la segunda parte de la dirección, se
decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la señal CAS. El dato
es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas
involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM
es destructiva.

La escritura en una posición de
memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el
valor, la línea de columna es llevada a un valor indicado por la línea
D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es
mostrado con una línea gruesa en el gráfico.

== Enlaces externos ==
* [http://www.youtube.com/watch?v=E5zY48sJ5m8| Video de R. Dennard inventor de la DRAM]
* {{cita libro
| apellidos = Blout
| nombre = Elkan
| editorial =Joseph Henry Press

== Referencias ==
{{listaref}}

[[Category:Ciencias_informáticas]]

Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio

2013-04-05T16:49:00Z

Enrique05012jc.vcl:

[[Archivo:Memoria RAM1.JPG|thumb|280px]]
'''DRAM''' (''Dynamic Random Access Memory'') es un tipo de memoria dinámica de [[acceso aleatorio]] que se usa principalmente en los módulos de [[memoria de acceso aleatorio|memoria RAM]] y en otros dispositivos, como [[memoria principal]] del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de [[Refrescamiento de memoria|refresco]]. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican [[circuito integrado|integrados]] con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

== Historia ==
[[Archivo:280px-Electronic_Memory.jpg|thumb|280px|Integrado
de silicio de 64 Bites (usado en el IBM S-360, modelo 95) sobre un
sector de [[memoria de núcleo]] (finales de los 60).]]
La memoria
dinámica , fue desarrollada en los laboratorios de [[IBM]] pasando por
un proceso evolutivo que la llevó de usar 6 transistores a sólo un
condensador y un transistor, como la memoria DRAM que conocemos hoy. La
invención de esta última la hizo Robert
Dennard<ref>http://www.research.ibm.com/journal/rd/391/adler.html|historia
de investigaciones de IBM (en ingles)</ref> quien obtuvo una
patente norteamericana en
1968<ref>http://www.freepatentsonline.com/3387286.pdf|Patente #
3'387.286 para la memoria DRAM</ref> por una memoria fabricada
con un solo [[transistor]] de efecto de campo y un condensador.

Los
esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cómputo
como por ejemplo la línea [[IBM S/360|System 360]]: el modelo 25 en
1968 ya incluía un [[ScratchPad]] (una especie de [[Caché]]) en forma
de integrados 5 veces más rápidos que la memoria principal basada en
[[Memoria de toros|núcleos de
ferrita]].<ref>http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP2025.html|
Descripción del equipo System 360 modelo 25 de IBM</ref>
Dado el modelo de negocios de IBM que consistía en vender o arrendar computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP3195.html
|título=IBM Archives: System/370 Model 195 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>un
negocio rentable, para IBM el uso de DRAM se reducía a ser el
complemento de la memoria principal basada en núcleos magnéticos. No
hubo interés en comercializar ese tipo de memorias para otros
fabricantes ni tampoco se pensó en usar las tecnologías de [[estado
sólido]] tipo [[SRAM]] o DRAM para construir la memoria principal.
La
empresa [[Intel]] fue creada para aprovechar esa oportunidad de
negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo la industria de los
semiconductores se había estancado, a pesar de existir potenciales usos
de los integrados de silicio como la fabricación de memorias SRAM y
DRAM.<ref name="Gmoore">The Power of Boldness: "Ten Master
Builders of American Industry Tell Their Success Stories" página
82</ref>
[[Archivo:200px-Intel_i1103.JPG|thumb|200px|Celda de memoria para la i1103.]]
Aunque
Intel se inició con memorias SRAM como la i1101 y la i3101, el primer
producto rentable fue el integrado de memoria DRAM i1103 de 1024 bits.
El i1103 lanzado en 1970 estaba formado por celdas de memoria con 3
transistores tipo PMOS y un condensador,<ref>{{cita web
|url=http://www.ieee.org/portal/site/sscs/menuitem.f07ee9e3b2a01d06bb9305765bac26c8/index.jsp?&pName=sscs_level1_article&TheCat=6010&path=sscs/08Winter&file=Foss.xml
|título=DRAM - A Personal View 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>
estaba organizado en un arreglo de 32 filas y 32 columnas, empacado en
un encapsulado de 18 pines y con un costo de 1 centavo por bit era un
fuerte competidor para las memorias de núcleo. La producción y calidad
del integrado era difícil de mantener, hecho que se demostró cuando
Intel entregó parte de la producción a otra empresa llamada
Microelectronics Integrated Limited (MIL) que en un principio pudo
obtener mejores resultados que la misma Intel, pero después del cambio
importante en el proceso de fabricación no fue capaz de
producir.<ref name="Gmoore" />

La memoria i1103
era muy primitiva en comparación a las memorias DRAM de la actualidad,
aun así se comportaba mejor que la [[memoria de núcleo]] y con un
precio menor. A finales de 1971 se había convertido en el producto
dominante para la fabricación de memoria principal y era usado por 14
entre 18 de los principales fabricantes de
computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www.cpu-museum.com/Memories_e.htm
|título=Museum 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> ganando el mote "core killer".<ref>{{cita web
|url=http://www.eetimes.com/special/special_issues/millennium/milestones/whittier.html
|título=EETimes.com 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

=== Reinvención de la memoria DRAM ===
Para
1973 Intel y otros fabricantes construían y empacaban sus integrados de
memoria DRAM empleando un esquema en el que se aumentaba un pin por
cada vez que se doblaba la capacidad. De acuerdo a este esquema, un
integrado de 64 kilobits tendría 16 pines solo para las direcciones.
Dentro de los costos más importantes para el fabricante y el
ensamblador de circuitos impresos estaba la cantidad de pines del
empaque y en un mercado tan competido era crucial tener los menores
precios. Debido a eso, un integrado con una capacidad de 16 pines y 4Kb
de capacidad fue un producto apreciado por los usuarios, que
encontraban a los integrados de 22 pines, ofrecidos por Intel y [[Texas
Instruments]] como insumos costosos.

El lanzamiento de
la memoria '''MK4096''' de 4K, con un solo transistor por celda y con
direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de [[Robert
Proebsting]] quien observo que en las celdas con un solo transistor,
era imposible acceder la información en una posición, enviando al mismo
tiempo los datos de fila y columna a la matriz: había que enviar las
señales una después de la otra. La solución a nivel de la celda
conducía a un ahorro en el empaque, ya que la dirección podría
recibirse en dos etapas, reduciendo la cantidad de pines
usados.<ref>http://archive.computerhistory.org/resources/text/Oral_History/Proebsting_Robert/102658285.05.01.pdf</ref>Por
ejemplo para un integrado de 64 Kb se pasaba de 16 pines dedicados a
solo 8 y dos más para señales de control extra. La multiplexación en
tiempo es un esquema de direccionamiento que trae muchas ventajas, a
costa de unos pocos cambios en el circuito externo, de manera que se
convirtió en un estándar de la industria que todavía se mantiene. Mucha
de la terminología usada en la hoja de datos del MK4096 todavía se usa
y muchos de los parámetros de temporización como el retardo RAS a CAS
fueron instaurados con ese producto, entre otros
aspectos.<ref>{{cita web
|url=http://www.datasheetarchive.com/MK4096-16-datasheet.html
|título=Datasheet
Archive - MK4096-16 datasheet - MK4096-16 application note - MK4096-16
pdf 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

== Funcionamiento ==
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_read.png|thumb|250px]]
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_write.png|thumb|250px]]
La
celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de
almacenar un [[Bit]] en los sistemas digitales. La construcción de la
celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM
moderna, consiste en un [[transistor]] de efecto de campo y un
[[condensador]]. El principio de funcionamiento básico, es sencillo:
una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga
un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y
desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con
dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época
de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas
transistor-condensador.

Las celdas en cualquier
sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos
dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las
columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y
se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando
áreas que son visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo
de 4x4 celdas, en el cual las líneas horizontales conectadas a las
compuertas de los transistores son las llamadas '''filas''' y las
líneas verticales conectadas a los canales de los FET son las
'''columnas'''.

Para acceder a una posición de memoria
se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones
están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades. Las
entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo
entra la dirección de la fila y después la de la columna. Las
direcciones se diferencian por medio de señales de sincronización
llamadas '''RAS''' (del inglés ''Row Address Strobe'') y '''CAS'''
(''Column Address Strobe'') que indican la entrada de cada parte de la
dirección.

Los pasos principales para una lectura son:

*
Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje
de 1 lógico. Esto es posible ya que las líneas se comportan como
grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor más alto que la
de los condensadores en las celdas.
* Una fila es energizada por
medio del decodificador de filas que recibe la dirección y la señal de
RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y
permitiendo la conexión electrica entre las líneas de columna y una
fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar
dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce
un balance de que deja a los dos con un voltaje muy similar,
compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga
en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es
pequeño, ya que la línea de columna es un condensador más grande que el
de la celda.
* El cambio es medido y amplificado por una sección
que contiene circuitos de [[realimentación positiva]]: si el valor a
medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lógico, la salida será
un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un
redondeo.
* La lectura se realiza en todas las posiciones de
una fila de manera que al llegar la segunda parte de la dirección, se
decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la señal CAS. El dato
es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas
involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM
es destructiva.

La escritura en una posición de
memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el
valor, la línea de columna es llevada a un valor indicado por la línea
D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es
mostrado con una línea gruesa en el gráfico.

== Enlaces externos ==
* [http://www.youtube.com/watch?v=E5zY48sJ5m8| Video de R. Dennard inventor de la DRAM]
* {{cita libro
| apellidos = Blout
| nombre = Elkan
| editorial =Joseph Henry Press

== Referencias ==
{{listaref}}

[[Category:Ciencias_informáticas]]

Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio

2013-04-05T16:40:06Z

Enrique05012jc.vcl:

[[Archivo:Memoria RAM1.JPG|thumb|280px]]
'''DRAM''' (''Dynamic Random Access Memory'') es un tipo de memoria dinámica de [[acceso aleatorio]] que se usa principalmente en los módulos de [[memoria de acceso aleatorio|memoria RAM]] y en otros dispositivos, como [[memoria principal]] del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de [[Refrescamiento de memoria|refresco]]. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican [[circuito integrado|integrados]] con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

== Historia ==
[[Archivo:Electronic Memory.jpg|thumb|280px|Integrado de silicio de 64 Bites (usado en el IBM S-360, modelo 95) sobre un sector de [[memoria de núcleo]] (finales de los 60).]]
La memoria dinámica , fue desarrollada en los laboratorios de [[IBM]] pasando por un proceso evolutivo que la llevó de usar 6 transistores a sólo un condensador y un transistor, como la memoria DRAM que conocemos hoy. La invención de esta última la hizo Robert Dennard<ref>http://www.research.ibm.com/journal/rd/391/adler.html|historia de investigaciones de IBM (en ingles)</ref> quien obtuvo una patente norteamericana en 1968<ref>http://www.freepatentsonline.com/3387286.pdf|Patente # 3'387.286 para la memoria DRAM</ref> por una memoria fabricada con un solo [[transistor]] de efecto de campo y un condensador.

Los esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cómputo como por ejemplo la línea [[IBM S/360|System 360]]: el modelo 25 en 1968 ya incluía un [[ScratchPad]] (una especie de [[Caché]]) en forma de integrados 5 veces más rápidos que la memoria principal basada en [[Memoria de toros|núcleos de ferrita]].<ref>http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP2025.html| Descripción del equipo System 360 modelo 25 de IBM</ref>
Dado el modelo de negocios de IBM que consistía en vender o arrendar computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP3195.html
|título=IBM Archives: System/370 Model 195 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>un negocio rentable, para IBM el uso de DRAM se reducía a ser el complemento de la memoria principal basada en núcleos magnéticos. No hubo interés en comercializar ese tipo de memorias para otros fabricantes ni tampoco se pensó en usar las tecnologías de [[estado sólido]] tipo [[SRAM]] o DRAM para construir la memoria principal.
La empresa [[Intel]] fue creada para aprovechar esa oportunidad de negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo la industria de los semiconductores se había estancado, a pesar de existir potenciales usos de los integrados de silicio como la fabricación de memorias SRAM y DRAM.<ref name="Gmoore">The Power of Boldness: "Ten Master Builders of American Industry Tell Their Success Stories" página 82</ref>
[[Archivo:Inteli1103.JPG|thumb|200px|Celda de memoria para la i1103.]]
Aunque Intel se inició con memorias SRAM como la i1101 y la i3101, el primer producto rentable fue el integrado de memoria DRAM i1103 de 1024 bits. El i1103 lanzado en 1970 estaba formado por celdas de memoria con 3 transistores tipo PMOS y un condensador,<ref>{{cita web
|url=http://www.ieee.org/portal/site/sscs/menuitem.f07ee9e3b2a01d06bb9305765bac26c8/index.jsp?&pName=sscs_level1_article&TheCat=6010&path=sscs/08Winter&file=Foss.xml
|título=DRAM - A Personal View 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> estaba organizado en un arreglo de 32 filas y 32 columnas, empacado en un encapsulado de 18 pines y con un costo de 1 centavo por bit era un fuerte competidor para las memorias de núcleo. La producción y calidad del integrado era difícil de mantener, hecho que se demostró cuando Intel entregó parte de la producción a otra empresa llamada Microelectronics Integrated Limited (MIL) que en un principio pudo obtener mejores resultados que la misma Intel, pero después del cambio importante en el proceso de fabricación no fue capaz de producir.<ref name="Gmoore" />

La memoria i1103 era muy primitiva en comparación a las memorias DRAM de la actualidad, aun así se comportaba mejor que la [[memoria de núcleo]] y con un precio menor. A finales de 1971 se había convertido en el producto dominante para la fabricación de memoria principal y era usado por 14 entre 18 de los principales fabricantes de computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www.cpu-museum.com/Memories_e.htm
|título=Museum 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> ganando el mote "core killer".<ref>{{cita web
|url=http://www.eetimes.com/special/special_issues/millennium/milestones/whittier.html
|título=EETimes.com 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

=== Reinvención de la memoria DRAM ===
Para 1973 Intel y otros fabricantes construían y empacaban sus integrados de memoria DRAM empleando un esquema en el que se aumentaba un pin por cada vez que se doblaba la capacidad. De acuerdo a este esquema, un integrado de 64 kilobits tendría 16 pines solo para las direcciones. Dentro de los costos más importantes para el fabricante y el ensamblador de circuitos impresos estaba la cantidad de pines del empaque y en un mercado tan competido era crucial tener los menores precios. Debido a eso, un integrado con una capacidad de 16 pines y 4Kb de capacidad fue un producto apreciado por los usuarios, que encontraban a los integrados de 22 pines, ofrecidos por Intel y [[Texas Instruments]] como insumos costosos.

El lanzamiento de la memoria '''MK4096''' de 4K, con un solo transistor por celda y con direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de [[Robert Proebsting]] quien observo que en las celdas con un solo transistor, era imposible acceder la información en una posición, enviando al mismo tiempo los datos de fila y columna a la matriz: había que enviar las señales una después de la otra. La solución a nivel de la celda conducía a un ahorro en el empaque, ya que la dirección podría recibirse en dos etapas, reduciendo la cantidad de pines usados.<ref>http://archive.computerhistory.org/resources/text/Oral_History/Proebsting_Robert/102658285.05.01.pdf</ref>Por ejemplo para un integrado de 64 Kb se pasaba de 16 pines dedicados a solo 8 y dos más para señales de control extra. La multiplexación en tiempo es un esquema de direccionamiento que trae muchas ventajas, a costa de unos pocos cambios en el circuito externo, de manera que se convirtió en un estándar de la industria que todavía se mantiene. Mucha de la terminología usada en la hoja de datos del MK4096 todavía se usa y muchos de los parámetros de temporización como el retardo RAS a CAS fueron instaurados con ese producto, entre otros aspectos.<ref>{{cita web
|url=http://www.datasheetarchive.com/MK4096-16-datasheet.html
|título=Datasheet Archive - MK4096-16 datasheet - MK4096-16 application note - MK4096-16 pdf 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

== Funcionamiento ==
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_read.png|thumb|250px]]
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_write.png|thumb|250px]]
La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un [[Bit]] en los sistemas digitales. La construcción de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un [[transistor]] de efecto de campo y un [[condensador]]. El principio de funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.

Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando áreas que son visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el cual las líneas horizontales conectadas a las compuertas de los transistores son las llamadas '''filas''' y las líneas verticales conectadas a los canales de los FET son las '''columnas'''.

Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la dirección de la fila y después la de la columna. Las direcciones se diferencian por medio de señales de sincronización llamadas '''RAS''' (del inglés ''Row Address Strobe'') y '''CAS''' (''Column Address Strobe'') que indican la entrada de cada parte de la dirección.

Los pasos principales para una lectura son:

* Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lógico. Esto es posible ya que las líneas se comportan como grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor más alto que la de los condensadores en las celdas.
* Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la dirección y la señal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y permitiendo la conexión electrica entre las líneas de columna y una fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance de que deja a los dos con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es pequeño, ya que la línea de columna es un condensador más grande que el de la celda.
* El cambio es medido y amplificado por una sección que contiene circuitos de [[realimentación positiva]]: si el valor a medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lógico, la salida será un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un redondeo.
* La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar la segunda parte de la dirección, se decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la señal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva.

La escritura en una posición de memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el valor, la línea de columna es llevada a un valor indicado por la línea D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es mostrado con una línea gruesa en el gráfico.

== Enlaces externos ==
* [http://www.youtube.com/watch?v=E5zY48sJ5m8| Video de R. Dennard inventor de la DRAM]
* {{cita libro
| apellidos = Blout
| nombre = Elkan
| editorial =Joseph Henry Press

== Referencias ==
{{listaref}}

[[Category:Ciencias_informáticas]]

Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio

2013-04-05T16:39:01Z

Enrique05012jc.vcl:

[[Archivo:Memoria RAM1.JPG|thumb|280px]]
'''DRAM''' (''Dynamic Random Access Memory'') es un tipo de memoria dinámica de [[acceso aleatorio]] que se usa principalmente en los módulos de [[memoria de acceso aleatorio|memoria RAM]] y en otros dispositivos, como [[memoria principal]] del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de [[Refrescamiento de memoria|refresco]]. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican [[circuito integrado|integrados]] con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

== Historia ==
[[Archivo:280px-Electronic_Memory.jpg|thumb|280px|Integrado de silicio de 64 Bites (usado en el IBM S-360, modelo 95) sobre un sector de [[memoria de núcleo]] (finales de los 60).]]
La memoria dinámica , fue desarrollada en los laboratorios de [[IBM]] pasando por un proceso evolutivo que la llevó de usar 6 transistores a sólo un condensador y un transistor, como la memoria DRAM que conocemos hoy. La invención de esta última la hizo Robert Dennard<ref>http://www.research.ibm.com/journal/rd/391/adler.html|historia de investigaciones de IBM (en ingles)</ref> quien obtuvo una patente norteamericana en 1968<ref>http://www.freepatentsonline.com/3387286.pdf|Patente # 3'387.286 para la memoria DRAM</ref> por una memoria fabricada con un solo [[transistor]] de efecto de campo y un condensador.

Los esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cómputo como por ejemplo la línea [[IBM S/360|System 360]]: el modelo 25 en 1968 ya incluía un [[ScratchPad]] (una especie de [[Caché]]) en forma de integrados 5 veces más rápidos que la memoria principal basada en [[Memoria de toros|núcleos de ferrita]].<ref>http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP2025.html| Descripción del equipo System 360 modelo 25 de IBM</ref>
Dado el modelo de negocios de IBM que consistía en vender o arrendar computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP3195.html
|título=IBM Archives: System/370 Model 195 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>un negocio rentable, para IBM el uso de DRAM se reducía a ser el complemento de la memoria principal basada en núcleos magnéticos. No hubo interés en comercializar ese tipo de memorias para otros fabricantes ni tampoco se pensó en usar las tecnologías de [[estado sólido]] tipo [[SRAM]] o DRAM para construir la memoria principal.
La empresa [[Intel]] fue creada para aprovechar esa oportunidad de negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo la industria de los semiconductores se había estancado, a pesar de existir potenciales usos de los integrados de silicio como la fabricación de memorias SRAM y DRAM.<ref name="Gmoore">The Power of Boldness: "Ten Master Builders of American Industry Tell Their Success Stories" página 82</ref>
[[Archivo:Inteli1103.JPG|thumb|200px|Celda de memoria para la i1103.]]
Aunque Intel se inició con memorias SRAM como la i1101 y la i3101, el primer producto rentable fue el integrado de memoria DRAM i1103 de 1024 bits. El i1103 lanzado en 1970 estaba formado por celdas de memoria con 3 transistores tipo PMOS y un condensador,<ref>{{cita web
|url=http://www.ieee.org/portal/site/sscs/menuitem.f07ee9e3b2a01d06bb9305765bac26c8/index.jsp?&pName=sscs_level1_article&TheCat=6010&path=sscs/08Winter&file=Foss.xml
|título=DRAM - A Personal View 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> estaba organizado en un arreglo de 32 filas y 32 columnas, empacado en un encapsulado de 18 pines y con un costo de 1 centavo por bit era un fuerte competidor para las memorias de núcleo. La producción y calidad del integrado era difícil de mantener, hecho que se demostró cuando Intel entregó parte de la producción a otra empresa llamada Microelectronics Integrated Limited (MIL) que en un principio pudo obtener mejores resultados que la misma Intel, pero después del cambio importante en el proceso de fabricación no fue capaz de producir.<ref name="Gmoore" />

La memoria i1103 era muy primitiva en comparación a las memorias DRAM de la actualidad, aun así se comportaba mejor que la [[memoria de núcleo]] y con un precio menor. A finales de 1971 se había convertido en el producto dominante para la fabricación de memoria principal y era usado por 14 entre 18 de los principales fabricantes de computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www.cpu-museum.com/Memories_e.htm
|título=Museum 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> ganando el mote "core killer".<ref>{{cita web
|url=http://www.eetimes.com/special/special_issues/millennium/milestones/whittier.html
|título=EETimes.com 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

=== Reinvención de la memoria DRAM ===
Para 1973 Intel y otros fabricantes construían y empacaban sus integrados de memoria DRAM empleando un esquema en el que se aumentaba un pin por cada vez que se doblaba la capacidad. De acuerdo a este esquema, un integrado de 64 kilobits tendría 16 pines solo para las direcciones. Dentro de los costos más importantes para el fabricante y el ensamblador de circuitos impresos estaba la cantidad de pines del empaque y en un mercado tan competido era crucial tener los menores precios. Debido a eso, un integrado con una capacidad de 16 pines y 4Kb de capacidad fue un producto apreciado por los usuarios, que encontraban a los integrados de 22 pines, ofrecidos por Intel y [[Texas Instruments]] como insumos costosos.

El lanzamiento de la memoria '''MK4096''' de 4K, con un solo transistor por celda y con direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de [[Robert Proebsting]] quien observo que en las celdas con un solo transistor, era imposible acceder la información en una posición, enviando al mismo tiempo los datos de fila y columna a la matriz: había que enviar las señales una después de la otra. La solución a nivel de la celda conducía a un ahorro en el empaque, ya que la dirección podría recibirse en dos etapas, reduciendo la cantidad de pines usados.<ref>http://archive.computerhistory.org/resources/text/Oral_History/Proebsting_Robert/102658285.05.01.pdf</ref>Por ejemplo para un integrado de 64 Kb se pasaba de 16 pines dedicados a solo 8 y dos más para señales de control extra. La multiplexación en tiempo es un esquema de direccionamiento que trae muchas ventajas, a costa de unos pocos cambios en el circuito externo, de manera que se convirtió en un estándar de la industria que todavía se mantiene. Mucha de la terminología usada en la hoja de datos del MK4096 todavía se usa y muchos de los parámetros de temporización como el retardo RAS a CAS fueron instaurados con ese producto, entre otros aspectos.<ref>{{cita web
|url=http://www.datasheetarchive.com/MK4096-16-datasheet.html
|título=Datasheet Archive - MK4096-16 datasheet - MK4096-16 application note - MK4096-16 pdf 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

== Funcionamiento ==
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_read.png|thumb|250px]]
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_write.png|thumb|250px]]
La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un [[Bit]] en los sistemas digitales. La construcción de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un [[transistor]] de efecto de campo y un [[condensador]]. El principio de funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.

Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando áreas que son visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el cual las líneas horizontales conectadas a las compuertas de los transistores son las llamadas '''filas''' y las líneas verticales conectadas a los canales de los FET son las '''columnas'''.

Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la dirección de la fila y después la de la columna. Las direcciones se diferencian por medio de señales de sincronización llamadas '''RAS''' (del inglés ''Row Address Strobe'') y '''CAS''' (''Column Address Strobe'') que indican la entrada de cada parte de la dirección.

Los pasos principales para una lectura son:

* Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lógico. Esto es posible ya que las líneas se comportan como grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor más alto que la de los condensadores en las celdas.
* Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la dirección y la señal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y permitiendo la conexión electrica entre las líneas de columna y una fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance de que deja a los dos con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es pequeño, ya que la línea de columna es un condensador más grande que el de la celda.
* El cambio es medido y amplificado por una sección que contiene circuitos de [[realimentación positiva]]: si el valor a medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lógico, la salida será un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un redondeo.
* La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar la segunda parte de la dirección, se decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la señal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva.

La escritura en una posición de memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el valor, la línea de columna es llevada a un valor indicado por la línea D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es mostrado con una línea gruesa en el gráfico.

== Enlaces externos ==
* [http://www.youtube.com/watch?v=E5zY48sJ5m8| Video de R. Dennard inventor de la DRAM]
* {{cita libro
| apellidos = Blout
| nombre = Elkan
| editorial =Joseph Henry Press

== Referencias ==
{{listaref}}

[[Category:Ciencias_informáticas]]

Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio

2013-04-05T16:36:53Z

Enrique05012jc.vcl:

[[Archivo:Memoria RAM1.JPG|thumb|280px]]
'''DRAM''' (''Dynamic Random Access Memory'') es un tipo de memoria dinámica de [[acceso aleatorio]] que se usa principalmente en los módulos de [[memoria de acceso aleatorio|memoria RAM]] y en otros dispositivos, como [[memoria principal]] del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de [[Refrescamiento de memoria|refresco]]. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican [[circuito integrado|integrados]] con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

== Historia ==
[[Archivo:280px-Electronic Memory.jpg|thumb|280px|Integrado de silicio de 64 Bites (usado en el IBM S-360, modelo 95) sobre un sector de [[memoria de núcleo]] (finales de los 60).]]
La memoria dinámica , fue desarrollada en los laboratorios de [[IBM]] pasando por un proceso evolutivo que la llevó de usar 6 transistores a sólo un condensador y un transistor, como la memoria DRAM que conocemos hoy. La invención de esta última la hizo Robert Dennard<ref>http://www.research.ibm.com/journal/rd/391/adler.html|historia de investigaciones de IBM (en ingles)</ref> quien obtuvo una patente norteamericana en 1968<ref>http://www.freepatentsonline.com/3387286.pdf|Patente # 3'387.286 para la memoria DRAM</ref> por una memoria fabricada con un solo [[transistor]] de efecto de campo y un condensador.

Los esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cómputo como por ejemplo la línea [[IBM S/360|System 360]]: el modelo 25 en 1968 ya incluía un [[ScratchPad]] (una especie de [[Caché]]) en forma de integrados 5 veces más rápidos que la memoria principal basada en [[Memoria de toros|núcleos de ferrita]].<ref>http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP2025.html| Descripción del equipo System 360 modelo 25 de IBM</ref>
Dado el modelo de negocios de IBM que consistía en vender o arrendar computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP3195.html
|título=IBM Archives: System/370 Model 195 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>un negocio rentable, para IBM el uso de DRAM se reducía a ser el complemento de la memoria principal basada en núcleos magnéticos. No hubo interés en comercializar ese tipo de memorias para otros fabricantes ni tampoco se pensó en usar las tecnologías de [[estado sólido]] tipo [[SRAM]] o DRAM para construir la memoria principal.
La empresa [[Intel]] fue creada para aprovechar esa oportunidad de negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo la industria de los semiconductores se había estancado, a pesar de existir potenciales usos de los integrados de silicio como la fabricación de memorias SRAM y DRAM.<ref name="Gmoore">The Power of Boldness: "Ten Master Builders of American Industry Tell Their Success Stories" página 82</ref>
[[Archivo:Inteli1103.JPG|thumb|200px|Celda de memoria para la i1103.]]
Aunque Intel se inició con memorias SRAM como la i1101 y la i3101, el primer producto rentable fue el integrado de memoria DRAM i1103 de 1024 bits. El i1103 lanzado en 1970 estaba formado por celdas de memoria con 3 transistores tipo PMOS y un condensador,<ref>{{cita web
|url=http://www.ieee.org/portal/site/sscs/menuitem.f07ee9e3b2a01d06bb9305765bac26c8/index.jsp?&pName=sscs_level1_article&TheCat=6010&path=sscs/08Winter&file=Foss.xml
|título=DRAM - A Personal View 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> estaba organizado en un arreglo de 32 filas y 32 columnas, empacado en un encapsulado de 18 pines y con un costo de 1 centavo por bit era un fuerte competidor para las memorias de núcleo. La producción y calidad del integrado era difícil de mantener, hecho que se demostró cuando Intel entregó parte de la producción a otra empresa llamada Microelectronics Integrated Limited (MIL) que en un principio pudo obtener mejores resultados que la misma Intel, pero después del cambio importante en el proceso de fabricación no fue capaz de producir.<ref name="Gmoore" />

La memoria i1103 era muy primitiva en comparación a las memorias DRAM de la actualidad, aun así se comportaba mejor que la [[memoria de núcleo]] y con un precio menor. A finales de 1971 se había convertido en el producto dominante para la fabricación de memoria principal y era usado por 14 entre 18 de los principales fabricantes de computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www.cpu-museum.com/Memories_e.htm
|título=Museum 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> ganando el mote "core killer".<ref>{{cita web
|url=http://www.eetimes.com/special/special_issues/millennium/milestones/whittier.html
|título=EETimes.com 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

=== Reinvención de la memoria DRAM ===
Para 1973 Intel y otros fabricantes construían y empacaban sus integrados de memoria DRAM empleando un esquema en el que se aumentaba un pin por cada vez que se doblaba la capacidad. De acuerdo a este esquema, un integrado de 64 kilobits tendría 16 pines solo para las direcciones. Dentro de los costos más importantes para el fabricante y el ensamblador de circuitos impresos estaba la cantidad de pines del empaque y en un mercado tan competido era crucial tener los menores precios. Debido a eso, un integrado con una capacidad de 16 pines y 4Kb de capacidad fue un producto apreciado por los usuarios, que encontraban a los integrados de 22 pines, ofrecidos por Intel y [[Texas Instruments]] como insumos costosos.

El lanzamiento de la memoria '''MK4096''' de 4K, con un solo transistor por celda y con direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de [[Robert Proebsting]] quien observo que en las celdas con un solo transistor, era imposible acceder la información en una posición, enviando al mismo tiempo los datos de fila y columna a la matriz: había que enviar las señales una después de la otra. La solución a nivel de la celda conducía a un ahorro en el empaque, ya que la dirección podría recibirse en dos etapas, reduciendo la cantidad de pines usados.<ref>http://archive.computerhistory.org/resources/text/Oral_History/Proebsting_Robert/102658285.05.01.pdf</ref>Por ejemplo para un integrado de 64 Kb se pasaba de 16 pines dedicados a solo 8 y dos más para señales de control extra. La multiplexación en tiempo es un esquema de direccionamiento que trae muchas ventajas, a costa de unos pocos cambios en el circuito externo, de manera que se convirtió en un estándar de la industria que todavía se mantiene. Mucha de la terminología usada en la hoja de datos del MK4096 todavía se usa y muchos de los parámetros de temporización como el retardo RAS a CAS fueron instaurados con ese producto, entre otros aspectos.<ref>{{cita web
|url=http://www.datasheetarchive.com/MK4096-16-datasheet.html
|título=Datasheet Archive - MK4096-16 datasheet - MK4096-16 application note - MK4096-16 pdf 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

== Funcionamiento ==
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_read.png|thumb|250px]]
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_write.png|thumb|250px]]
La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un [[Bit]] en los sistemas digitales. La construcción de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un [[transistor]] de efecto de campo y un [[condensador]]. El principio de funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.

Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando áreas que son visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el cual las líneas horizontales conectadas a las compuertas de los transistores son las llamadas '''filas''' y las líneas verticales conectadas a los canales de los FET son las '''columnas'''.

Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la dirección de la fila y después la de la columna. Las direcciones se diferencian por medio de señales de sincronización llamadas '''RAS''' (del inglés ''Row Address Strobe'') y '''CAS''' (''Column Address Strobe'') que indican la entrada de cada parte de la dirección.

Los pasos principales para una lectura son:

* Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lógico. Esto es posible ya que las líneas se comportan como grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor más alto que la de los condensadores en las celdas.
* Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la dirección y la señal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y permitiendo la conexión electrica entre las líneas de columna y una fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance de que deja a los dos con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es pequeño, ya que la línea de columna es un condensador más grande que el de la celda.
* El cambio es medido y amplificado por una sección que contiene circuitos de [[realimentación positiva]]: si el valor a medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lógico, la salida será un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un redondeo.
* La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar la segunda parte de la dirección, se decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la señal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva.

La escritura en una posición de memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el valor, la línea de columna es llevada a un valor indicado por la línea D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es mostrado con una línea gruesa en el gráfico.

== Enlaces externos ==
* [http://www.youtube.com/watch?v=E5zY48sJ5m8| Video de R. Dennard inventor de la DRAM]
* {{cita libro
| apellidos = Blout
| nombre = Elkan
| editorial =Joseph Henry Press

== Referencias ==
{{listaref}}

[[Category:Ciencias_informáticas]]

Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio

2013-04-05T16:24:01Z

Enrique05012jc.vcl:

[[Archivo:Memoria RAM1.JPG|thumb|280px]]
'''DRAM''' (''Dynamic Random Access Memory'') es un tipo de memoria dinámica de [[acceso aleatorio]] que se usa principalmente en los módulos de [[memoria de acceso aleatorio|memoria RAM]] y en otros dispositivos, como [[memoria principal]] del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de [[Refrescamiento de memoria|refresco]]. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican [[circuito integrado|integrados]] con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

== Historia ==
[[Archivo:280px-Electronic_Memory.jpg|thumb|280px|Integrado de silicio de 64 Bites (usado en el IBM S-360, modelo 95) sobre un sector de [[memoria de núcleo]] (finales de los 60).]]
La memoria dinámica , fue desarrollada en los laboratorios de [[IBM]] pasando por un proceso evolutivo que la llevó de usar 6 transistores a sólo un condensador y un transistor, como la memoria DRAM que conocemos hoy. La invención de esta última la hizo Robert Dennard<ref>http://www.research.ibm.com/journal/rd/391/adler.html|historia de investigaciones de IBM (en ingles)</ref> quien obtuvo una patente norteamericana en 1968<ref>http://www.freepatentsonline.com/3387286.pdf|Patente # 3'387.286 para la memoria DRAM</ref> por una memoria fabricada con un solo [[transistor]] de efecto de campo y un condensador.

Los esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cómputo como por ejemplo la línea [[IBM S/360|System 360]]: el modelo 25 en 1968 ya incluía un [[ScratchPad]] (una especie de [[Caché]]) en forma de integrados 5 veces más rápidos que la memoria principal basada en [[Memoria de toros|núcleos de ferrita]].<ref>http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP2025.html| Descripción del equipo System 360 modelo 25 de IBM</ref>
Dado el modelo de negocios de IBM que consistía en vender o arrendar computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www-03.ibm.com/ibm/history/exhibits/mainframe/mainframe_PP3195.html
|título=IBM Archives: System/370 Model 195 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>un negocio rentable, para IBM el uso de DRAM se reducía a ser el complemento de la memoria principal basada en núcleos magnéticos. No hubo interés en comercializar ese tipo de memorias para otros fabricantes ni tampoco se pensó en usar las tecnologías de [[estado sólido]] tipo [[SRAM]] o DRAM para construir la memoria principal.
La empresa [[Intel]] fue creada para aprovechar esa oportunidad de negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo la industria de los semiconductores se había estancado, a pesar de existir potenciales usos de los integrados de silicio como la fabricación de memorias SRAM y DRAM.<ref name="Gmoore">The Power of Boldness: "Ten Master Builders of American Industry Tell Their Success Stories" página 82</ref>
[[Archivo:200px-Intel_i1103.JPG|thumb|200px|Celda de memoria para la i1103.]]
Aunque Intel se inició con memorias SRAM como la i1101 y la i3101, el primer producto rentable fue el integrado de memoria DRAM i1103 de 1024 bits. El i1103 lanzado en 1970 estaba formado por celdas de memoria con 3 transistores tipo PMOS y un condensador,<ref>{{cita web
|url=http://www.ieee.org/portal/site/sscs/menuitem.f07ee9e3b2a01d06bb9305765bac26c8/index.jsp?&pName=sscs_level1_article&TheCat=6010&path=sscs/08Winter&file=Foss.xml
|título=DRAM - A Personal View 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> estaba organizado en un arreglo de 32 filas y 32 columnas, empacado en un encapsulado de 18 pines y con un costo de 1 centavo por bit era un fuerte competidor para las memorias de núcleo. La producción y calidad del integrado era difícil de mantener, hecho que se demostró cuando Intel entregó parte de la producción a otra empresa llamada Microelectronics Integrated Limited (MIL) que en un principio pudo obtener mejores resultados que la misma Intel, pero después del cambio importante en el proceso de fabricación no fue capaz de producir.<ref name="Gmoore" />

La memoria i1103 era muy primitiva en comparación a las memorias DRAM de la actualidad, aun así se comportaba mejor que la [[memoria de núcleo]] y con un precio menor. A finales de 1971 se había convertido en el producto dominante para la fabricación de memoria principal y era usado por 14 entre 18 de los principales fabricantes de computadores,<ref>{{cita web
|url=http://www.cpu-museum.com/Memories_e.htm
|título=Museum 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> ganando el mote "core killer".<ref>{{cita web
|url=http://www.eetimes.com/special/special_issues/millennium/milestones/whittier.html
|título=EETimes.com 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

=== Reinvención de la memoria DRAM ===
Para 1973 Intel y otros fabricantes construían y empacaban sus integrados de memoria DRAM empleando un esquema en el que se aumentaba un pin por cada vez que se doblaba la capacidad. De acuerdo a este esquema, un integrado de 64 kilobits tendría 16 pines solo para las direcciones. Dentro de los costos más importantes para el fabricante y el ensamblador de circuitos impresos estaba la cantidad de pines del empaque y en un mercado tan competido era crucial tener los menores precios. Debido a eso, un integrado con una capacidad de 16 pines y 4Kb de capacidad fue un producto apreciado por los usuarios, que encontraban a los integrados de 22 pines, ofrecidos por Intel y [[Texas Instruments]] como insumos costosos.

El lanzamiento de la memoria '''MK4096''' de 4K, con un solo transistor por celda y con direccionamiento multiplexado resultó del trabajo de [[Robert Proebsting]] quien observo que en las celdas con un solo transistor, era imposible acceder la información en una posición, enviando al mismo tiempo los datos de fila y columna a la matriz: había que enviar las señales una después de la otra. La solución a nivel de la celda conducía a un ahorro en el empaque, ya que la dirección podría recibirse en dos etapas, reduciendo la cantidad de pines usados.<ref>http://archive.computerhistory.org/resources/text/Oral_History/Proebsting_Robert/102658285.05.01.pdf</ref>Por ejemplo para un integrado de 64 Kb se pasaba de 16 pines dedicados a solo 8 y dos más para señales de control extra. La multiplexación en tiempo es un esquema de direccionamiento que trae muchas ventajas, a costa de unos pocos cambios en el circuito externo, de manera que se convirtió en un estándar de la industria que todavía se mantiene. Mucha de la terminología usada en la hoja de datos del MK4096 todavía se usa y muchos de los parámetros de temporización como el retardo RAS a CAS fueron instaurados con ese producto, entre otros aspectos.<ref>{{cita web
|url=http://www.datasheetarchive.com/MK4096-16-datasheet.html
|título=Datasheet Archive - MK4096-16 datasheet - MK4096-16 application note - MK4096-16 pdf 
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref>

== Funcionamiento ==
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_read.png|thumb|250px]]
[[Archivo:250px-Square_array_of_mosfet_cells_write.png|thumb|250px]]
La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un [[Bit]] en los sistemas digitales. La construcción de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un [[transistor]] de efecto de campo y un [[condensador]]. El principio de funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.

Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando áreas que son visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el cual las líneas horizontales conectadas a las compuertas de los transistores son las llamadas '''filas''' y las líneas verticales conectadas a los canales de los FET son las '''columnas'''.

Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones están multiplexadas en tiempo, es decir se envían por mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la dirección de la fila y después la de la columna. Las direcciones se diferencian por medio de señales de sincronización llamadas '''RAS''' (del inglés ''Row Address Strobe'') y '''CAS''' (''Column Address Strobe'') que indican la entrada de cada parte de la dirección.

Los pasos principales para una lectura son:

* Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lógico. Esto es posible ya que las líneas se comportan como grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor más alto que la de los condensadores en las celdas.
* Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la dirección y la señal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y permitiendo la conexión electrica entre las líneas de columna y una fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance de que deja a los dos con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es pequeño, ya que la línea de columna es un condensador más grande que el de la celda.
* El cambio es medido y amplificado por una sección que contiene circuitos de [[realimentación positiva]]: si el valor a medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lógico, la salida será un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un redondeo.
* La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar la segunda parte de la dirección, se decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la señal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva.

La escritura en una posición de memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el valor, la línea de columna es llevada a un valor indicado por la línea D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es mostrado con una línea gruesa en el gráfico.

== Véase también ==
* [[A-RAM]]

== Enlaces externos ==
* [http://www.youtube.com/watch?v=E5zY48sJ5m8| Video de R. Dennard inventor de la DRAM]
* {{cita libro
| apellidos = Blout
| nombre = Elkan
| editorial =Joseph Henry Press
| título = The Power of Boldness: Ten Master Builders of American Industry Tell Their Success Stories
| url = http://books.google.com/books?id=4K9X7lhfrrgC&pg=PA89&dq=intel+3101+dram&as_brr=3#PPA82,M1
| año = 1996
| isbn = 0309054451
}}
* {{cita web
|url = http://www.cpu-museum.com/Memories_e.htm
|título = Museo de las memorias DRAM
|fechaacceso = 7 de febrero
|añoacceso =2009
}}

* {{cita web
|url = http://inventors.about.com/library/weekly/aa100898.htm
|título = Historia de los integrados Intel i1102 y del i1103
|fechaacceso = 7 de febrero
|añoacceso =2009
}}

== Referencias ==
{{listaref}}

[[Category:Ciencias_informáticas]]

[[af:Dinamiese ewetoeganklike geheue]]
[[ar:ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية]]
[[ca:DRAM]]
[[cs:DRAM]]
[[de:Dynamic Random Access Memory]]
[[el:Μνήμη τυχαίας προσπέλασης#Τύποι μνήμης RAM]]
[[en:Dynamic random-access memory]]
[[et:Dünaamiline muutmälu]]
[[eu:DRAM]]
[[fi:DRAM]]
[[fr:Dynamic Random Access Memory]]
[[he:DRAM]]
[[hr:DRAM]]
[[hu:DRAM]]
[[id:Dynamic Random Access Memory]]
[[it:DRAM]]
[[ja:Dynamic Random Access Memory]]
[[kk:Динамикалық оперативті есте сақтау құрылғысы]]
[[ko:동적 램]]
[[nl:Dynamic random access memory]]
[[no:DRAM]]

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== Sumario ==

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Jesus Adrián Romero

2013-04-05T15:32:04Z

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<div align="justify">

{{Ficha Persona
|nombre = Jesús Adrián Romero
|imagen = Jesus Adrian Romero.jpg
|tamaño =
|descripción =
|fecha de nacimiento = [[16 de febrero]]
|lugar de nacimiento =Hermosillo , [[Mexico]]
|ocupación = Música Cristiana, Pastor
|cónyuge = Pecos Romero
|hijos = Adrián Roberto, Jaanai Michelle y Melissa Janet.
|familiares =
|obras =
|premios =
|web =
|notas =
}}
'''Jesús Adrián Romero, nació un 16 de febrero, originario de Hermosillo, Sonora, México, es autor, músico y compositor. '''

==Biografía==
Jesús Adrián es músico, compositor y autor cristiano evangélico, su música y su mensaje es escuchado en todas las partes del mundo especialmente en los paises de habla hispana.
Adrian Romero esta casado con Pecos y tienen tres hijos: Adrián Roberto, Jaanai Michelle y Melissa Janet. Actualmente Jesús Adrián y su familia residen en Phoenix, Arizona, ciudad donde ha reiniciado su faceta como pastor junto a su esposa y un gran numero de familias que conforman su equipo pastoral.
==Desarollo Pastoral==
Cursó estudios bíblicos y fué pastor por nueve años. Pastoreó por tres años una congregación en Van Nuys California mientras asistía al seminario, después con la ayuda de Dios fundó la comunidad cristiana: “Amistad y Vida” en Aguaprieta Sonora.
Jesús Adrián fué también pastor asistente en Vino Nuevo en Ciudad Juárez, Chihuahua por 4 años, bajo el liderazgo del pastor Víctor Richards, donde estuvo a cargo de las células y dirigía uno de los grupos de alabanza de la congregación.
Por tres años fué director de alabanza del grupo De Hombre a Hombre con el que viajó a través de México dirigiendo la alabanza en los congresos de De Hombre a Hombre.
==Su Música==
Su música es muy conocida y escuchada en todas partes lo demuestran la asistencia a sus conciertos en todo el continente. Es Fundador y Director de [[Vástago Producciones]], sello disquero y empresa dedicada a la producción y distribución de música.
La producción “Renuevo Espiritual” la grabó a dueto con su esposa Pecos. “Unidos por la Cruz”, que se grabó en vivo en uno de los congresos “De Hombre a Hombre” en Ciudad Juárez Chih el cual contiene coros como “Sumérgeme”, “Con mi Dios”, y “Sentado en su trono” entre otros “Cerca de ti”, que fuera grabada en vivo en Ciudad Juárez, Chih, el 13 de febrero de 1998.
==Miembros de la banda==
*Mike Rodriguez - Piano, director musical, productor musical
*Daniel Fraire - Guitarra acústica
*Pedro Marín - bajo
*Misael Blanco - Batería
*Fernando Ramírez - Guitarra eléctrica y voces de fondo
*Roberto Serrano - Percusión
==El sello Vástago Producciones==
Organiza y promueve eventos y conciertos que llevan como fin provocar un impacto y un cambio en el corazón de las personas.
Jesús Adrián es un compositor prolífico y sus canciones han sido grabadas por muchos de los exponentes de música cristiana en el continente.
Vástago Epicentro es el nombre de la congregación localizada en 15522 W Paradise Lane en Surprise, Arizona en las instalaciones de Radiant Church y donde se reunen cada domingo.

==Discografía==
*Renuevo espiritual (1990) - CD
*Unidos por la cruz (1996) - CD
*Cerca de ti (1998) - CD
*Con manos vacías (2000) - CD
*A sus pies (2002) - CD
*Colección Alabanza (2003) - CD
*Colección Adoración (2003) - CD
*Te daré Lo mejor (2004) - CD/DVD
*Unplugged (2004) - CD Doble/DVD
*El aire de tu casa (2005)- CD
*El aire de tu casa (2006) - CD Estudio/DVD En Vivo
*Ayer te vi.. fue más claro que la luna (2007)-CD Estudio/DVD En Vivo
*El brillo de mis ojos (2010) - CD
*El brillo de mis ojos: Edición especial (2010) - CD/DVD
*Colección de Adoración II (2011) - CD
*Duetos (2011) - CD
==Fuente==
*http://biografiascristianas.com/cantantes-cristianos

[[Category:Cantante]][[Category:Compositor]][[Category:Religión]]

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== Sumario ==

== Estado de copyright: ==

== Fuente: ==

Jesus Adrián Romero

2013-04-05T15:23:13Z

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<div align="justify">

{{Ficha Persona
|nombre = Jesús Adrián Romero
|imagen = Jesús Adrián Romero.jpg
|tamaño =
|descripción =
|fecha de nacimiento = [[16 de febrero]]
|lugar de nacimiento =Hermosillo , [[Mexico]]
|ocupación = Música Cristiana, Pastor
|cónyuge = Pecos Romero
|hijos = Adrián Roberto, Jaanai Michelle y Melissa Janet.
|familiares =
|obras =
|premios =
|web =
|notas =
}}
'''Jesús Adrián Romero, nació un 16 de febrero, originario de Hermosillo, Sonora, México, es autor, músico y compositor. '''

==Biografía==
Jesús Adrián es músico, compositor y autor cristiano evangélico, su música y su mensaje es escuchado en todas las partes del mundo especialmente en los paises de habla hispana.
Adrian Romero esta casado con Pecos y tienen tres hijos: Adrián Roberto, Jaanai Michelle y Melissa Janet. Actualmente Jesús Adrián y su familia residen en Phoenix, Arizona, ciudad donde ha reiniciado su faceta como pastor junto a su esposa y un gran numero de familias que conforman su equipo pastoral.
==Desarollo Pastoral==
Cursó estudios bíblicos y fué pastor por nueve años. Pastoreó por tres años una congregación en Van Nuys California mientras asistía al seminario, después con la ayuda de Dios fundó la comunidad cristiana: “Amistad y Vida” en Aguaprieta Sonora.
Jesús Adrián fué también pastor asistente en Vino Nuevo en Ciudad Juárez, Chihuahua por 4 años, bajo el liderazgo del pastor Víctor Richards, donde estuvo a cargo de las células y dirigía uno de los grupos de alabanza de la congregación.
Por tres años fué director de alabanza del grupo De Hombre a Hombre con el que viajó a través de México dirigiendo la alabanza en los congresos de De Hombre a Hombre.
==Su Música==
Su música es muy conocida y escuchada en todas partes lo demuestran la asistencia a sus conciertos en todo el continente. Es Fundador y Director de [[Vástago Producciones]], sello disquero y empresa dedicada a la producción y distribución de música.
La producción “Renuevo Espiritual” la grabó a dueto con su esposa Pecos. “Unidos por la Cruz”, que se grabó en vivo en uno de los congresos “De Hombre a Hombre” en Ciudad Juárez Chih el cual contiene coros como “Sumérgeme”, “Con mi Dios”, y “Sentado en su trono” entre otros “Cerca de ti”, que fuera grabada en vivo en Ciudad Juárez, Chih, el 13 de febrero de 1998.
==Miembros de la banda==
*Mike Rodriguez - Piano, director musical, productor musical
*Daniel Fraire - Guitarra acústica
*Pedro Marín - bajo
*Misael Blanco - Batería
*Fernando Ramírez - Guitarra eléctrica y voces de fondo
*Roberto Serrano - Percusión
==El sello Vástago Producciones==
Organiza y promueve eventos y conciertos que llevan como fin provocar un impacto y un cambio en el corazón de las personas.
Jesús Adrián es un compositor prolífico y sus canciones han sido grabadas por muchos de los exponentes de música cristiana en el continente.
Vástago Epicentro es el nombre de la congregación localizada en 15522 W Paradise Lane en Surprise, Arizona en las instalaciones de Radiant Church y donde se reunen cada domingo.

==Discografía==
*Renuevo espiritual (1990) - CD
*Unidos por la cruz (1996) - CD
*Cerca de ti (1998) - CD
*Con manos vacías (2000) - CD
*A sus pies (2002) - CD
*Colección Alabanza (2003) - CD
*Colección Adoración (2003) - CD
*Te daré Lo mejor (2004) - CD/DVD
*Unplugged (2004) - CD Doble/DVD
*El aire de tu casa (2005)- CD
*El aire de tu casa (2006) - CD Estudio/DVD En Vivo
*Ayer te vi.. fue más claro que la luna (2007)-CD Estudio/DVD En Vivo
*El brillo de mis ojos (2010) - CD
*El brillo de mis ojos: Edición especial (2010) - CD/DVD
*Colección de Adoración II (2011) - CD
*Duetos (2011) - CD
==Fuente==
*http://biografiascristianas.com/cantantes-cristianos

[[Category:Cantante]][[Category:Compositor]][[Category:Religión]]

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2013-04-03T03:04:14Z

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2013-04-03T02:37:27Z

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2013-04-03T02:06:47Z

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Flores de Bach

2012-01-09T21:10:33Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Definición|Nombre=Flores de Bach|imagen=Flores_Bach.jpeg‎|concepto=}}

'''Las Flores de Bach''' son una serie de esencias naturales utilizadas para tratar diversas situaciones emocionales, como miedos, soledad, desesperación, estrés, depresión y obsesiones. Fueron descubiertas por [[Edward Bach]] entre los años [[1926]] y [[1934]].

==[[Edward Bach]]==

El Dr. Bach Bach ([[1886]]-[[1936]]), era un gran investigador, además de médico y homeópata. Experimentó con diversas flores silvestres nativas de la región de [[Gales]], en [[Gran Bretaña]], de donde él era originario, hasta encontrar 38 remedios naturales, cada uno con propiedades curativas para distintos problemas emocionales.
Las Flores de Bach también reciben el nombre de esencias florales de Bach y de elíxires florales de Bach.

Su teoría era que las enfermedades físicas tienen un origen emocional, y que si los conflictos emocionales subsisten por mucho tiempo, la enfermedad del cuerpo empieza a aparecer, Sin embargo, al restaurar el equilibrio emocional se resuelve la enfermedad física. Fue de esta forma que desarrolló la Terapia de las emociones.

Después de más de 70 años, las Flores de Bach han sido probadas como un magnífico sistema para tratar los problemas físicos, mentales y emocionales de los seres vivos.

==Definición y Finalidad==
Las esencias florales se definen como "preparados vibracionales que conservan la cualidad energética de una determinada flor". Constituyen un medio de transformación de los seres humanos, al permitirnos incorporar cualidades armónicas a nuestro ser, que nos ayuden a crecer de forma integral.

Su finalidad es complementar y enriquecer los medios por los que una persona recupera su salud de una forma natural y sencilla, con paciencia.

==Orígenes==
Los orígenes de esta milenaria técnica se remontan a la antigua [[China]]. En Occidente no es hasta el siglo pasado, cuando el doctor Bach organizó y constituyó un nuevo sistema terapéutico fundamentado en las esencias florales. Este sistema está formado por 38 flores, de las cuales 34 son esencias de flores silvestres, tres son cultivadas por el hombre y la otra está formada por la combinación de cinco esencias determinadas. Esta última, se conoce con el nombre de Rescue Remedy y su fórmula actúa de una manera integral y en situaciones de urgencia.

== Clasificacción==
Cualquier persona puede tomar las Flores de Bach. No se contraponen a otros medicamentos o terapias. Se han encontrado magníficos resultados en personas de cualquier edad, incluyendo bebés en edad de lactancia, niños, personas de edad avanzada y recién nacidos. Es especialmente recomendable para recién nacidos, quienes necesitan adaptarse al cambio de ambiente.

El Dr. Bach clasificó las flores de Bach en 7 grupos, según las emociones que pueden tratar.

Según Bach, este tipo de dolencias se pueden agrupar en siete grandes grupos, a cada uno de los cuales, designó un conjunto de flores. Así, surgieron los siguientes preparados: para los que se asustan, para los que sufren de incertidumbre, para los se sienten solos, para los hipersensibles, para los que están abatidos y para los que no pueden dejar de sufrir por otros.

La base de esta terapia es el reconocimiento de que detrás de cada malestar hay una emoción conflictiva. Las propiedades de los elementos de las flores se constituyen en vehículos para descubrir en cada temor y emoción negativa una posibilidad de transformación.Al igual que en el caso de la [[medicina]] tradicional, estos preparados deben ser prescriptos por un profesional.

Las flores no deben tomarse a broma y considerarlas inocuas, ya que su éxito radica en que la persona tome las flores que realmente necesita.

'''Dentro de las 38 esencias florales, estas son algunas de las más usadas por sus poderes sanadores'''

* '''''Cerato''''': indicado para personas con poca confianza en sus propias opiniones, que preguntan a todos y necesitan la confirmación de los demás.

*'''''Clematis''''': ideal para los soñadores, para los que están siempre en las nubes y no prestan atención a nada de lo que sucede a su alrededor.

*'''''Gentian''''': personas pesimistas, que se desalientan fácilmente. Escépticos o deprimidos sin ningún motivo...

* '''''Impatiens''''': indicada para las personas que se impacientan con facilidad o se irritan rápidamente.

* '''''Mimulus''''': da valentía para enfrentarse a miedos conocidos, a la timidez, al temor ante las responsabilidades, etc.
A partir de las investigaciones del doctor Bach, numerosos estudiosos han seguido indagando y buscando nuevas esencias florales.

==Fuentes==
*[http://articulos.infojardin.com/boletin-archivo/8-flor-de-bach-flores-de-bach-curacion-flores-bach.htm/ Infojardín]

*[http://www.floresdebach.info/ Flores de Bach]

*[http://www.biocyber.com.mx/flores-de-bach.htm/ Biocyber]

[[Category:Naturaleza]]

Flores de Bach

2012-01-09T21:06:31Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Definición|Nombre=Flores de Bach|imagen=Flores_Bach.jpeg‎|concepto=}}

'''Las Flores de Bach''' son una serie de esencias naturales utilizadas para tratar diversas situaciones emocionales, como miedos, soledad, desesperación, estrés, depresión y obsesiones. Fueron descubiertas por [[Edward Bach]] entre los años [[1926]] y [[1934]].

==Edward Bach==

El Dr. Bach Bach ([[1886]]-[[1936]]), era un gran investigador, además de médico y homeópata. Experimentó con diversas flores silvestres nativas de la región de [[Gales]], en [[Gran Bretaña]], de donde él era originario, hasta encontrar 38 remedios naturales, cada uno con propiedades curativas para distintos problemas emocionales.
Las Flores de Bach también reciben el nombre de esencias florales de Bach y de elíxires florales de Bach.

Su teoría era que las enfermedades físicas tienen un origen emocional, y que si los conflictos emocionales subsisten por mucho tiempo, la enfermedad del cuerpo empieza a aparecer, Sin embargo, al restaurar el equilibrio emocional se resuelve la enfermedad física. Fue de esta forma que desarrolló la Terapia de las emociones.

Después de más de 70 años, las Flores de Bach han sido probadas como un magnífico sistema para tratar los problemas físicos, mentales y emocionales de los seres vivos.

==Definición y Finalidad==
Las esencias florales se definen como "preparados vibracionales que conservan la cualidad energética de una determinada flor". Constituyen un medio de transformación de los seres humanos, al permitirnos incorporar cualidades armónicas a nuestro ser, que nos ayuden a crecer de forma integral.

Su finalidad es complementar y enriquecer los medios por los que una persona recupera su salud de una forma natural y sencilla, con paciencia.

==Orígenes==
Los orígenes de esta milenaria técnica se remontan a la antigua [[China]]. En Occidente no es hasta el siglo pasado, cuando el doctor Bach organizó y constituyó un nuevo sistema terapéutico fundamentado en las esencias florales. Este sistema está formado por 38 flores, de las cuales 34 son esencias de flores silvestres, tres son cultivadas por el hombre y la otra está formada por la combinación de cinco esencias determinadas. Esta última, se conoce con el nombre de Rescue Remedy y su fórmula actúa de una manera integral y en situaciones de urgencia.

== Clasificacción==
Cualquier persona puede tomar las Flores de Bach. No se contraponen a otros medicamentos o terapias. Se han encontrado magníficos resultados en personas de cualquier edad, incluyendo bebés en edad de lactancia, niños, personas de edad avanzada y recién nacidos. Es especialmente recomendable para recién nacidos, quienes necesitan adaptarse al cambio de ambiente.

El Dr. Bach clasificó las flores de Bach en 7 grupos, según las emociones que pueden tratar.

Según Bach, este tipo de dolencias se pueden agrupar en siete grandes grupos, a cada uno de los cuales, designó un conjunto de flores. Así, surgieron los siguientes preparados: para los que se asustan, para los que sufren de incertidumbre, para los se sienten solos, para los hipersensibles, para los que están abatidos y para los que no pueden dejar de sufrir por otros.

La base de esta terapia es el reconocimiento de que detrás de cada malestar hay una emoción conflictiva. Las propiedades de los elementos de las flores se constituyen en vehículos para descubrir en cada temor y emoción negativa una posibilidad de transformación.Al igual que en el caso de la [[medicina]] tradicional, estos preparados deben ser prescriptos por un profesional.

Las flores no deben tomarse a broma y considerarlas inocuas, ya que su éxito radica en que la persona tome las flores que realmente necesita.

'''Dentro de las 38 esencias florales, estas son algunas de las más usadas por sus poderes sanadores'''

* '''''Cerato''''': indicado para personas con poca confianza en sus propias opiniones, que preguntan a todos y necesitan la confirmación de los demás.

*'''''Clematis''''': ideal para los soñadores, para los que están siempre en las nubes y no prestan atención a nada de lo que sucede a su alrededor.

*'''''Gentian''''': personas pesimistas, que se desalientan fácilmente. Escépticos o deprimidos sin ningún motivo...

* '''''Impatiens''''': indicada para las personas que se impacientan con facilidad o se irritan rápidamente.

* '''''Mimulus''''': da valentía para enfrentarse a miedos conocidos, a la timidez, al temor ante las responsabilidades, etc.
A partir de las investigaciones del doctor Bach, numerosos estudiosos han seguido indagando y buscando nuevas esencias florales.

==Fuentes==
*[http://articulos.infojardin.com/boletin-archivo/8-flor-de-bach-flores-de-bach-curacion-flores-bach.htm/ Infojardín]

*[http://www.floresdebach.info/ Flores de Bach]

*[http://www.biocyber.com.mx/flores-de-bach.htm/ Biocyber]

[[Category:Naturaleza]]

Fogata

2012-01-09T20:44:15Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Objeto
|nombre= Fogata
|imagen= Fogata1.jpg‎
|tamaño=
|descripcion=
}}
'''Fogata''': [[Fuego]] encendido con leña, que levanta grandes llamas, para calentarse, alumbrarse o cocinar alguna cosa:. La mayor parte de las fogatas se hacen con la [[madera]] que se encuentre en los alrededores. En los lugares donde no hay [[madera]] se usa carbón o se lleva madera suficiente. La madera es el combustible más común.

==Tipos de Fogatas==
===Pirámide o Tepee===
Produce un fuego vivo que sirve para hervir, etc. Concentra el [[calor]] en un punto pequeño, en la parte superior. Comienza con el fuego básico, continúa hasta comenzar a añadirle combustible, formando siempre una pirámide manteniéndola tan vertical cómo sea posible.

===Fogata de Reflector===
Produce un fuego alto y uniforme, sirve para hornear, asar, etc. Cerca de una roca grande o reflector hecho de troncos, haz una fogata de consejo, déjala hasta que haga brasas. Para horneo rápido, aviva el fuego.

===Fogata dentro de una lata ===
Se trata de una fogata pequeña pero de un fuego uniforme que va adentro de una estufa hecha con una lata grande. Comienza con un pequeño fuego básico de yesca. Ten lista una cantidad regular de varas no más gruesas que un pulgar. Mantén un fuego pequeño y aliméntalo regularmente con ramas pequeñas. Necesita mucho aire. ¡Ten a la mano un poco más de yesca para reforzar!. Coloca la lata sobre la fogata una vez que el fuego este ardiendo bien. La [[cocina]] con lata necesita de dos personas, una para alimentar el fuego y la otra para cocinar.

===Fogata de Consejo===
Es un fuego sólido especial para brasas o para un fuego que vaya a durar largo tiempo. Comienza con el fuego básico. Coloca los leños, empezando con dos leños grandes y rellenando el espacio entre éstos con una hilera de leños un poco más pequeños y este, a su vez, con otra de leños más chicos, y así sucesivamente.

===Fogata de Trinchera===
Haz una zanja larga y coloca piedras en sus bordes. Comienza con uno o más fuegos básicos: una vez que hayan prendido bien, acuéstalos. A todo lo largo de la [[trinchera]] y no muy juntos, atraviesa troncos delgados; sobre éstos coloca troncos gruesos del tamaño de la trinchera. Después, otra hilera de troncos atravesados, otra, a lo largo etcétera. Los troncos delgados
permiten la circulación del aire. Si el fuego no arde bien, asegurarte de que bastante aire puede penetrar por el frente; si es
necesario, levanta los troncos un poco más en el frente.

==Realización de una Fogata==
* Se construye en un lugar seguro que ayude a controlarlo.
*Se hace del tamaño necesario y no más grande, ya que esto sirve también para ahorrar madera.
*Se mantiene bajo control y se ejerce vigilancia siempre.
* Se apaga cuando ya no se necesita.

==Fuente==
*http://www.manualscout.cl
*http://www.geofisica.cl/English/pics6/Equip_Y_Fogatas.html
*http://www.asfogatas.com/
*http://diccionario.sensagent.com/fogata/es-es/

[[Category:Medio_Ambiente]]

Archivo:Fogata1.jpg

2012-01-09T20:43:53Z

Enrique05012jc.vcl:

== Sumario ==

== Estado de copyright: ==

== Fuente: ==

Fogata

2012-01-09T20:35:33Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Objeto
|nombre= Fogata
|imagen= Fogata.jpg‎
|tamaño=
|descripcion=
}}
'''Fogata''': [[Fuego]] encendido con leña, que levanta grandes llamas, para calentarse, alumbrarse o cocinar alguna cosa:. La mayor parte de las fogatas se hacen con la [[madera]] que se encuentre en los alrededores. En los lugares donde no hay [[madera]] se usa carbón o se lleva madera suficiente. La madera es el combustible más común.

==Tipos de Fogatas==
===Pirámide o Tepee===
Produce un fuego vivo que sirve para hervir, etc. Concentra el [[calor]] en un punto pequeño, en la parte superior. Comienza con el fuego básico, continúa hasta comenzar a añadirle combustible, formando siempre una pirámide manteniéndola tan vertical cómo sea posible.

===Fogata de Reflector===
Produce un fuego alto y uniforme, sirve para hornear, asar, etc. Cerca de una roca grande o reflector hecho de troncos, haz una fogata de consejo, déjala hasta que haga brasas. Para horneo rápido, aviva el fuego.

===Fogata dentro de una lata ===
Se trata de una fogata pequeña pero de un fuego uniforme que va adentro de una estufa hecha con una lata grande. Comienza con un pequeño fuego básico de yesca. Ten lista una cantidad regular de varas no más gruesas que un pulgar. Mantén un fuego pequeño y aliméntalo regularmente con ramas pequeñas. Necesita mucho aire. ¡Ten a la mano un poco más de yesca para reforzar!. Coloca la lata sobre la fogata una vez que el fuego este ardiendo bien. La [[cocina]] con lata necesita de dos personas, una para alimentar el fuego y la otra para cocinar.

===Fogata de Consejo===
Es un fuego sólido especial para brasas o para un fuego que vaya a durar largo tiempo. Comienza con el fuego básico. Coloca los leños, empezando con dos leños grandes y rellenando el espacio entre éstos con una hilera de leños un poco más pequeños y este, a su vez, con otra de leños más chicos, y así sucesivamente.

===Fogata de Trinchera===
Haz una zanja larga y coloca piedras en sus bordes. Comienza con uno o más fuegos básicos: una vez que hayan prendido bien, acuéstalos. A todo lo largo de la [[trinchera]] y no muy juntos, atraviesa troncos delgados; sobre éstos coloca troncos gruesos del tamaño de la trinchera. Después, otra hilera de troncos atravesados, otra, a lo largo etcétera. Los troncos delgados
permiten la circulación del aire. Si el fuego no arde bien, asegurarte de que bastante aire puede penetrar por el frente; si es
necesario, levanta los troncos un poco más en el frente.

==Realización de una Fogata==
* Se construye en un lugar seguro que ayude a controlarlo.
*Se hace del tamaño necesario y no más grande, ya que esto sirve también para ahorrar madera.
*Se mantiene bajo control y se ejerce vigilancia siempre.
* Se apaga cuando ya no se necesita.

==Fuente==
*http://www.manualscout.cl
*http://www.geofisica.cl/English/pics6/Equip_Y_Fogatas.html
*http://www.asfogatas.com/
*http://diccionario.sensagent.com/fogata/es-es/

[[Category:Medio_Ambiente]]

Fosfato amónico

2012-01-09T20:13:55Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Definición
|nombre= Fosfatos amónicos
|imagen=Fosfatos amónicos.jpg
|tamaño=
|concepto=Es uno de los fertilizantes con mayor contenido de unidades nutritivas contiene 18% de nitrógeno, 46% de fosforo, que minimizan los costos de embarque, transporte almacenamiento y manejo.En condiciones normales sólo del 20 al 30 % del Fósforo aplicado al suelo como fertilizante es absorbido por la planta durante un ciclo de crecimiento.}}

Dependiendo del grado de neutralización del [[ácido fosfórico]] con [[amoníaco]] (es decir, de la relación molar NH3/P2O5), se obtiene fosfato monoamónico (MAP), una mezcla de mono- y diamónico en distintas
proporciones, y fosfato diamónico (DAP), según las reacciones exotérmicas:
*H3PO4 (l) + NH3 (g) → NH4H2PO4 (s).
*∆H = -32.190 kcal/kmol .
*H3PO4 (l) + 2 NH3 (g) → (NH4)2HPO4 (s).
*∆H = -51.440 kcal/kmol.
==El fosfato Diamónico puro==
El [[Fosfato Diamónico]] puro (21,19% de N y 53,76% de P2O5) tiene una relativamente elevada tensión de vapor y se descompone con facilidad (tanto mayor cuanto mayor sea su humedad) dando amoníaco y MAP, por
lo que debe ser manejado convenientemente. El obtenido a partir de ácido
fosfórico impuro se emplea como fertilizante exclusivamente, siendo su concentración estándar de nutrientes (NPK) 18-46-0.
==El Fosfato Monoamónico puro==
El [[Fosfato Monoamónico]] puro (12,17% de N y 61,7% de P2O5, aunque cuando se obtiene a partir de ácido fosfórico vía húmeda resulta de ley 11-55-0, NPK) es muy estable y se utiliza como producto intermedio en la fabricación de fertilizantes ternarios y complejos granulados, junto con urea, cloruro potásico y amoníaco adicional, para conseguir distintas formulaciones. Se maneja y transporta con mucha más facilidad que
el ácido fosfórico y que el amoníaco anhidro, por lo que las cooperativas y pequeños productores compran preferentemente esta sal que sus componentes por separado, para preparar fertilizantes de otros
títulos.
==La Fabricación de MAP==
La fabricación de MAP no tiene problemas dignos de mencionar, pues el calor de la reacción es más que suficiente para evaporar el agua que acompaña al ácido. Por ello, en vez de aprovechar el exceso de calor
(que sería tecnológicamente difícil), suele usarse para su fabricación un ácido fosfórico concentrado sólo hasta el 40% P2O5, que
también se puede obtener por mezcla del concentrado con el débil, de la concentración con la que sale del filtro. Normalmente se produce y comercializa “en polvo”, tal y como sale de una torre de “prilling”.
==El Ácido Fosfórico==
El Ácido Fosfórico se alimenta a un “scrubber” dispuesto a la salida de la torre para recuperar el amoníaco y el polvo arrastrado por el aire usado como medio refrigerante y el vapor de agua desprendido. La humedad del producto final es del orden del 3%, sin problemas de cumplir la
especificación.
===Después de Usado===
Como absorbente y mojante en el “scrubber”, el ácido fosfórico se bombea a un reactor en T (también llamado “pipe reactor”) en el que se introduce el amoníaco gas a presión, teniendo lugar la reacción de neutralización en un tiempo muy corto. Estos reactores están provistos
de piezas fijas internas que deben proporcionar una buena mezcla de las líneas de corriente, para que las dos fases reaccionantes se pongan en contacto y se complete la reacción de neutralización antes de entrar en la
torre de “prilling”.
==Fuentes==
http://html.rincondelvago.com/acido-fosforico_fosfatos.html

http://www.ecured.cu/index.php/%C3%81cido_Fosf%C3%B3rico

http://www.quiminet.com/articulos/aplicaciones-del-acido-fosforico-8718.htm

http://www.ehu.es/biomoleculas/buffers/buffer1.htm

[[Category:Minerales_no_metálicos]]

Fosfato amónico

2012-01-09T19:35:55Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Definición
|nombre= Fosfatos amónicos
|imagen=Fosfatos amónicos.jpg
|tamaño=
|concepto=}}

Dependiendo del grado de neutralización del [[ácido fosfórico]] con [[amoníaco]] (es decir, de la relación molar NH3/P2O5), se obtiene fosfato monoamónico (MAP), una mezcla de mono- y diamónico en distintas
proporciones, y fosfato diamónico (DAP), según las reacciones exotérmicas:
*H3PO4 (l) + NH3 (g) → NH4H2PO4 (s).
*∆H = -32.190 kcal/kmol .
*H3PO4 (l) + 2 NH3 (g) → (NH4)2HPO4 (s).
*∆H = -51.440 kcal/kmol.
==El fosfato Diamónico puro==
El [[Fosfato Diamónico]] puro (21,19% de N y 53,76% de P2O5) tiene una relativamente elevada tensión de vapor y se descompone con facilidad (tanto mayor cuanto mayor sea su humedad) dando amoníaco y MAP, por
lo que debe ser manejado convenientemente. El obtenido a partir de ácido
fosfórico impuro se emplea como fertilizante exclusivamente, siendo su concentración estándar de nutrientes (NPK) 18-46-0.
==El Fosfato Monoamónico puro==
El [[Fosfato Monoamónico]] puro (12,17% de N y 61,7% de P2O5, aunque cuando se obtiene a partir de ácido fosfórico vía húmeda resulta de ley 11-55-0, NPK) es muy estable y se utiliza como producto intermedio en la fabricación de fertilizantes ternarios y complejos granulados, junto con urea, cloruro potásico y amoníaco adicional, para conseguir distintas formulaciones. Se maneja y transporta con mucha más facilidad que
el ácido fosfórico y que el amoníaco anhidro, por lo que las cooperativas y pequeños productores compran preferentemente esta sal que sus componentes por separado, para preparar fertilizantes de otros
títulos.
==La Fabricación de MAP==
La fabricación de MAP no tiene problemas dignos de mencionar, pues el calor de la reacción es más que suficiente para evaporar el agua que acompaña al ácido. Por ello, en vez de aprovechar el exceso de calor
(que sería tecnológicamente difícil), suele usarse para su fabricación un ácido fosfórico concentrado sólo hasta el 40% P2O5, que
también se puede obtener por mezcla del concentrado con el débil, de la concentración con la que sale del filtro. Normalmente se produce y comercializa “en polvo”, tal y como sale de una torre de “prilling”.
==El Ácido Fosfórico==
El Ácido Fosfórico se alimenta a un “scrubber” dispuesto a la salida de la torre para recuperar el amoníaco y el polvo arrastrado por el aire usado como medio refrigerante y el vapor de agua desprendido. La humedad del producto final es del orden del 3%, sin problemas de cumplir la
especificación.
===Después de Usado===
Como absorbente y mojante en el “scrubber”, el ácido fosfórico se bombea a un reactor en T (también llamado “pipe reactor”) en el que se introduce el amoníaco gas a presión, teniendo lugar la reacción de neutralización en un tiempo muy corto. Estos reactores están provistos
de piezas fijas internas que deben proporcionar una buena mezcla de las líneas de corriente, para que las dos fases reaccionantes se pongan en contacto y se complete la reacción de neutralización antes de entrar en la
torre de “prilling”.
==Fuentes==
http://html.rincondelvago.com/acido-fosforico_fosfatos.html

http://www.ecured.cu/index.php/%C3%81cido_Fosf%C3%B3rico

http://www.quiminet.com/articulos/aplicaciones-del-acido-fosforico-8718.htm

http://www.ehu.es/biomoleculas/buffers/buffer1.htm

[[Category:Minerales_no_metálicos]]

Fosfato amónico

2012-01-09T19:22:41Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Definición
|nombre= Fosfatos amónicos
|imagen=Fosfatos amónicos.jpg
|tamaño=
|concepto=}}

Dependiendo del grado de neutralización del [[ácido fosfórico]] con [[amoníaco]] (es decir, de la relación molar NH3/P2O5), se obtiene fosfato monoamónico (MAP), una mezcla de mono- y diamónico en distintas
proporciones, y fosfato diamónico (DAP), según las reacciones exotérmicas:
*H3PO4 (l) + NH3 (g) → NH4H2PO4 (s).
*∆H = -32.190 kcal/kmol .
*H3PO4 (l) + 2 NH3 (g) → (NH4)2HPO4 (s).
*∆H = -51.440 kcal/kmol.
==El fosfato Diamónico puro==
El [[Fosfato Diamónico]] puro (21,19% de N y 53,76% de P2O5) tiene una relativamente elevada tensión de vapor y se descompone con facilidad (tanto mayor cuanto mayor sea su humedad) dando amoníaco y MAP, por
lo que debe ser manejado convenientemente. El obtenido a partir de ácido
fosfórico impuro se emplea como fertilizante exclusivamente, siendo su concentración estándar de nutrientes (NPK) 18-46-0.
==El Fosfato Monoamónico puro==
El [[Fosfato Monoamónico]] puro (12,17% de N y 61,7% de P2O5, aunque cuando se obtiene a partir de ácido fosfórico vía húmeda resulta de ley 11-55-0, NPK) es muy estable y se utiliza como producto intermedio en la fabricación de fertilizantes ternarios y complejos granulados, junto con urea, cloruro potásico y amoníaco adicional, para conseguir distintas formulaciones. Se maneja y transporta con mucha más facilidad que
el ácido fosfórico y que el amoníaco anhidro, por lo que las cooperativas y pequeños productores compran preferentemente esta sal que sus componentes por separado, para preparar fertilizantes de otros
títulos.
==La Fabricación de MAP==
La fabricación de MAP no tiene problemas dignos de mencionar, pues el calor de la reacción es más que suficiente para evaporar el agua que acompaña al ácido. Por ello, en vez de aprovechar el exceso de calor
(que sería tecnológicamente difícil), suele usarse para su fabricación un ácido fosfórico concentrado sólo hasta el 40% P2O5, que
también se puede obtener por mezcla del concentrado con el débil, de la concentración con la que sale del filtro. Normalmente se produce y comercializa “en polvo”, tal y como sale de una torre de “prilling”.
==El Ácido Fosfórico==
El Ácido Fosfórico se alimenta a un “scrubber” dispuesto a la salida de la torre para recuperar el amoníaco y el polvo arrastrado por el aire usado como medio refrigerante y el vapor de agua desprendido. La humedad del producto final es del orden del 3%, sin problemas de cumplir la
especificación.
===Después de Usado===
Después de usado como absorbente y mojante en el “scrubber”, el ácido fosfórico se bombea a un reactor en T (también llamado “pipe reactor”) en el que se introduce el amoníaco gas a presión, teniendo lugar la reacción de neutralización en un tiempo muy corto. Estos reactores están provistos
de piezas fijas internas que deben proporcionar una buena mezcla de las líneas de corriente, para que las dos fases reaccionantes se pongan en contacto y se complete la reacción de neutralización antes de entrar en la
torre de “prilling”.
==Fuentes==
http://html.rincondelvago.com/acido-fosforico_fosfatos.html

http://www.ecured.cu/index.php/%C3%81cido_Fosf%C3%B3rico

http://www.quiminet.com/articulos/aplicaciones-del-acido-fosforico-8718.htm

http://www.ehu.es/biomoleculas/buffers/buffer1.htm

[[Category:Minerales_no_metálicos]]

Fosfato amónico

2012-01-09T19:14:14Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Definición
|nombre= Fosfatos amónicos
|imagen=Fosfatos amónicos.jpg
|tamaño=
|concepto=}}

Dependiendo del grado de neutralización del [[ácido fosfórico]] con [[amoníaco]] (es decir, de la relación molar NH3/P2O5), se obtiene fosfato monoamónico (MAP), una mezcla de mono- y diamónico en distintas
proporciones, y fosfato diamónico (DAP), según las reacciones exotérmicas:
*H3PO4 (l) + NH3 (g) → NH4H2PO4 (s).
*∆H = -32.190 kcal/kmol .
*H3PO4 (l) + 2 NH3 (g) → (NH4)2HPO4 (s).
*∆H = -51.440 kcal/kmol.
==El fosfato diamónico puro==
El [[Fosfato Diamónico]] puro (21,19% de N y 53,76% de P2O5) tiene una relativamente elevada tensión de vapor y se descompone con facilidad (tanto mayor cuanto mayor sea su humedad) dando amoníaco y MAP, por
lo que debe ser manejado convenientemente. El obtenido a partir de ácido
fosfórico impuro se emplea como fertilizante exclusivamente, siendo su concentración estándar de nutrientes (NPK) 18-46-0.
==El fosfato monoamónico puro==
El [[Fosfato Monoamónico]] puro (12,17% de N y 61,7% de P2O5, aunque cuando se obtiene a partir de ácido fosfórico vía húmeda resulta de ley 11-55-0, NPK) es muy estable y se utiliza como producto intermedio en la fabricación de fertilizantes ternarios y complejos granulados, junto con urea, cloruro potásico y amoníaco adicional, para conseguir distintas formulaciones. Se maneja y transporta con mucha más facilidad que
el ácido fosfórico y que el amoníaco anhidro, por lo que las cooperativas y pequeños productores compran preferentemente esta sal que sus componentes por separado, para preparar fertilizantes de otros
títulos.
==La fabricación de MAP==
La fabricación de MAP no tiene problemas dignos de mencionar, pues el calor de la reacción es más que suficiente para evaporar el agua que acompaña al ácido. Por ello, en vez de aprovechar el exceso de calor
(que sería tecnológicamente difícil), suele usarse para su fabricación un ácido fosfórico concentrado sólo hasta el 40% P2O5, que
también se puede obtener por mezcla del concentrado con el débil, de la concentración con la que sale del filtro. Normalmente se produce y comercializa “en polvo”, tal y como sale de una torre de “prilling”.
==El ácido fosfórico==
El ácido fosfórico se alimenta a un “scrubber” dispuesto a la salida de la torre para recuperar el amoníaco y el polvo arrastrado por el aire usado como medio refrigerante y el vapor de agua desprendido. La humedad del producto final es del orden del 3%, sin problemas de cumplir la
especificación.
===Después de usado===
Después de usado como absorbente y mojante en el “scrubber”, el ácido fosfórico se bombea a un reactor en T (también llamado “pipe reactor”) en el que se introduce el amoníaco gas a presión, teniendo lugar la reacción de neutralización en un tiempo muy corto. Estos reactores están provistos
de piezas fijas internas que deben proporcionar una buena mezcla de las líneas de corriente, para que las dos fases reaccionantes se pongan en contacto y se complete la reacción de neutralización antes de entrar en la
torre de “prilling”.
==Fuentes==
http://html.rincondelvago.com/acido-fosforico_fosfatos.html

http://www.ecured.cu/index.php/%C3%81cido_Fosf%C3%B3rico

http://www.quiminet.com/articulos/aplicaciones-del-acido-fosforico-8718.htm

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[[Category:Minerales_no_metálicos]]

Virus informático I Love you

2012-01-09T15:55:22Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Ficha Software
|nombre=Virus I love you
|imagen=Ilove.gif‎
|descripción=Correo electrónico cuyo gancho era su título, 'I Love You' ('Te quiero', en español), así como el nombre del documento de texto asociado a él ('Love-Letter-For-You', una carta de amor para ti). Al ejecutar el fichero, el gusano modificaba los ficheros del ordenador infectado y se autoenviaba por
correo electrónico a todas las direcciones de la víctima. Infectó aproximadamente 50 millones de computadores en todo el mundo y provocó pérdidas de más de 5 500 millones de dólares.
|desarrollador=[[Onel de Guzmán]]
|web=
}}'''Virus informático I love you'''. Conocido por los usuarios como el “[[Virus]] del amor”, pertenece a la categoría de gusano, capaz de reproducirse a través de las redes electrónicas ,modifica los ficheros del ordenador infectado y se transmite a través del correo electrónico cuando el internauta abre el fichero donde se aloja.

== Surgimiento ==
Primeramente fue una tesis que realizó Onel de Guzmán, un joven filipino de 24 años que estudió en la Facultad de Informática del colegio universitario AMA, en la capital de [[Filipinas]]. Su tutor en la facultad esperaba con ansiedad la tesis de su alumno más aventajado.
El texto final, entregado el [[1 de febrero]] del [[2000]], tenía faltas de ortografía y estaba peor escrito, pero era toda una guía sobre cómo robar códigos secretos a través de Internet o cómo introducirse en un ordenador ajeno y tomar su control. Era, en definitiva, una copia del virus "I love you", que tres meses después iba a dejar en evidencia la vulnerabilidad del nuevo orden mundial de [[Internet]] y las tecnologías informáticas.
«A los profesores no les gustó mi trabajo, rechazaron la tesis, decían que iba contra la política de la Facultad y todo porque utilizaba la palabra robar en lugar de acceder. Fue una simple cuestión de gramática», recuerda todavía algo ofendido el Barbanegra de la piratería electrónica y autor del mayor caos informático de la historia.
El [[4 de mayo]] de [[2000]] Onel de Guzmán decidió probar por su cuenta el proyecto que había preparado para su tesis y que finalmente fue rechazada por su profesor. El resultado final fue un virus capaz de infectar aproximadamente 50 millones de computadores en todo el mundo bajo el nombre de “I Love You”, causando pérdidas de más de 5500 millones de dólares en daños. A través de un título bastante sugerente como: “Te quiero” o “Te amo”, acompañado de un archivo adjunto, Guzmán consiguió crear el pánico, incluso entre los expertos de seguridad informática.
== Características ==
El virus sobrescribe con su código los archivos con extensiones .VBS y .VBE. Elimina los archivos con extensiones .JS, .JSE, .CSS, .WSH, .SCT y .HTA, y crea otros con el mismo nombre y extensión .VBS en el que introduce su código. También localiza los archivos con extensión .[[JPG]], .[[JPEG]], .[[MP3]] y .MP2, los elimina, y crea otros donde el nuevo nombre está formado por el nombre y la extensión anterior más VBS como nueva extensión real.

== Proceso de Infección ==
La infección comienza cuando un usuario recibe un correo electrónico titulado I Love You (Te quiero), que lleva asociado un fichero llamado LOVE-LETTER-FOR-YOU.TXT.vbs. (Carta de amor para ti). Este último archivo contiene el código del virus, supuestamente firmado con el apodo spyder (araña), fechado en [[Manila]] (Filipinas) e incluye una expeditiva frase I hate go to school (Odio ir al colegio).A diferencia de su predecesor, el [[Virus Melissa]], que elegía las primeras 50 direcciones de la agenda del usuario para enviar una copia del virus, I love you toma todas las direcciones, lo cual aumenta su capacidad de reproducción.
Aquellas personas cuya dirección de correo electrónico figuren en la agenda del ordenador infectado recibirán en su buzón electrónico una copia del virus I love you, y si alguno de estos destinatarios decide abrir el mensaje, el proceso se repetirá provocando que la expansión del virus siga una progresión geométrica. I love you se instala en el ordenador y borra ficheros de gráficos y de sonido -extensiones [[JPG]], [[JPEG]], [[MP3]] y MP2-, sustituyéndolos por otros con el mismo nombre y la extensión VBS e introduciendo el código malicioso. Según la empresa [[Panda Software]], el gusano intenta bajarse de Internet el fichero WIN-BUGSFIX.EXE.
Se trata de un troyano, un archivo que busca información confidencial del usuario (como las contraseñas de [[Windows]] y que también entra en la información del [[RAS]] (acceso telefónico a redes) y roba los datos de la agenda del usuario (nombre, número de teléfono...). Acto seguido, los envía a un correo electrónico de Filipinas.

== Mutación ==
Existe un detalle preocupante en este virus que lo diferencia de su predecesor Melissa. A diferencia de éste, que se incluía en un documento elaborado con el procesador de textos [[Microsoft Word]], el código del virus del amor es perfectamente legible y puede ser modificado sin dificultades por un usuario.
De este modo, cualquiera que tenga unos conocimientos mínimos de programación, podría modificar el código y alterar la firma del virus, de modo que no fuera reconocido por la vacuna.

== Daños que Ocasionó ==
Muchas empresas del FTSE-100 (índice de los 100 primeros valores de la Bolsa de [[Londres]]) nos han comunicado que sus sistemas informáticos estaban bloqueados por el virus», indicó una portavoz de la empresa antivirus Sophos.
'''[[Vodafone]]''', compañía dedicada a telefonía móvil, echó el cierre a su correo electrónico por el brote vírico: 50 ordenadores de la compañía fueron tocados con amor. «Tenemos el virus I love you», dijo un portavoz. «Pensamos que se ha extendido por todas partes».
'''En [[Alemania]]''', la editorial Axel Springer -que publica el diario Bild, el más vendido del país- se llevó la peor parte. Pero tampoco olvidó a la empresa [[Siemens]], que desconectaron sus [[servidor]]es.
'''En [[Dinamarca]] y [[Noruega]]''', el Parlamento danés se vio inundados de [[Email]] con el virus, e incluso llegó hasta la poderosa banca suiza. «Es un ataque masivo, que afecta a todas las empresas», dijo un analista de la banca.
'''En [[Irlanda]]''', una de las fábricas de [[DELL]] Computers en Limerick estuvo 11 horas paradas por el virus, según testimonios de sus trabajadores.
'''En [[España]]''', Los cariños llegaron a varios medios de comunicación españoles como el diario El País, interrumpiendo durante varias horas su actividad, la Cadena Ser y los periódicos La Razón y Abc, entre otros, que registraron anomalías en los correos electrónicos, sin repercusiones en su trabajo. Iberia informó de que también registraron la entrada del virus antes de que produjera problemas, mientras que fuentes del Ministerio de Ciencia y Tecnología aseguraron no tener constancia de que se hubieran producido anomalías en los sistemas informáticos de la Administración.
'''En [[Estados Unidos]]''', El día avanzó y EEUU recibió el I Love You con el desayuno. Una portavoz del [[Pentágono]] informó de que había llegado a sus instalaciones, sin precisar la gravedad. Una oficina del Pentágono que ofrece un servicio de noticias vía e-mail incluyó el mensaje vírico en su envío masivo, que incluía agencias de seguridad como la [[Agencia Central de Inteligencia]] o los comandos militares. La [[Casa Blanca]] también tuvo [[Email]], aunque no fueron abiertos. «Hemos comunicado al Gobierno la situación. Nuestros agentes de ciberseguridad están sobre aviso», dijo una portavoz.
[[Bill Pollack]], del Equipo de Emergencia de Computadores (CERT), aseguraba: «Tenemos más de 150 contagios en empresas, lo que es muy significativo». Dicho en dólares: 100 millones en daños, según los expertos.

== Vacuna contra el virus ==
Pocas horas después de que se detectaran los primeros casos de infección, las grandes compañías del sector empezaron a trabajar con el código del virus para elaborar una vacuna que pudiera evitar su propagación, así como limpiar los ordenadores infectados por el código malicioso. En los sitios web de estas empresas puede encontrarse el programa capaz de eliminar el virus del amor del ordenador, así como el parche que debe instalarse en los servidores de correo para impedir que el virus se introduzca en la Red o se propague a otros sitios de Internet.

== En Libertad ==
A pesar de los problemas causados por este virus, su creador nunca fue condenado por un tribunal, ya que en el momento de probar su “experimento” todavía no existían leyes específicas para estos ataques en Filipinas.

== Los hermanos del I Love You ==
Si le van con el cuento, a través del correo electrónico, de que los 7 Enanitos de [[Blancanieves]] son pequeñitos en todo menos en «algo», no se deje llevar por la curiosidad. Envíe el mensaje a la basura. Es un virus. Como él o como I love you se calcula que hay otros 40.000 programas infecciosos que entran y salen constantemente en los más de 400 millones de ordenadores conectados a Internet en todo el mundo.

Las empresas Icsa Labs y Panda Software se dedicaron a calibrarlo con mayor precisión en un total de 300 empresas estadounidenses. El resultado: el número de virus se duplicó en 2000. Cada dos días, uno de cada 1.000 ordenadores sufrió algún ataque, en el 87% de los casos a través del [[Email]]. Exactamente como operó I love you en mayo.

I love you bloqueó 3 millones de ordenadores en menos de 24 horas y, desde entonces, pocos son los usuarios y casi ninguna empresa que no ha mostrado interés en adquirir programas antivirus. Lo cual no es sinónimo de garantía adaeternum. Un antivirus no sirve de nada sin actualizarlo continuamente. Cada día nacen cuatro o cinco nuevos virus.

== Enseñanza ==
Este virus marco un antes y un después en la seguridad informática de todo el mundo. Mostró cómo combinar técnicas de gusano con un poco de ingeniería social para distribuir '[[Malware]]' a gran cantidad de ordenadores en Internet. Ahora el cibercrimen es un lucrativo negocio.

"El virus del amor mostró como iban a ser los problemas de seguridad", comenta Paul Fletcher, de MessageLabs.

== Fuentes ==
* [http://www.elmundo.es/elmundo/2010/05/04/navegante/1272975231.html El Mundo]
* [http://www.elmundo.es/navegante/2001/02/06/entrevistas/981454491.html Entrevista a Onel Guzmán]

[[Category:Informática]][[Categoría:Virus_informáticos]]

Virus informático I Love you

2012-01-09T15:49:55Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Ficha Software
|nombre=Virus I love you
|imagen=Ilove.gif‎
|descripción=Correo electrónico cuyo gancho era su título, 'I Love You' ('Te quiero', en español), así como el nombre del documento de texto asociado a él ('Love-Letter-For-You', una carta de amor para ti). Al ejecutar el fichero, el gusano modificaba los ficheros del ordenador infectado y se autoenviaba por
correo electrónico a todas las direcciones de la víctima. Infectó aproximadamente 50 millones de computadores en todo el mundo y provocó pérdidas de más de 5 500 millones de dólares.
|desarrollador=[[Onel de Guzmán]]
|web=
}}'''Virus informático I love you'''. Conocido por los usuarios como el “[[Virus]] del amor”, pertenece a la categoría de gusano, capaz de reproducirse a través de las redes electrónicas ,modifica los ficheros del ordenador infectado y se transmite a través del correo electrónico cuando el internauta abre el fichero donde se aloja.

== Surgimiento ==
Primeramente fue una tesis que realizó Onel de Guzmán, un joven filipino de 24 años que estudió en la Facultad de Informática del colegio universitario AMA, en la capital de [[Filipinas]]. Su tutor en la facultad esperaba con ansiedad la tesis de su alumno más aventajado.
El texto final, entregado el [[1 de febrero]] del [[2000]], tenía faltas de ortografía y estaba peor escrito, pero era toda una guía sobre cómo robar códigos secretos a través de Internet o cómo introducirse en un ordenador ajeno y tomar su control. Era, en definitiva, una copia del virus "I love you", que tres meses después iba a dejar en evidencia la vulnerabilidad del nuevo orden mundial de [[Internet]] y las tecnologías informáticas.
«A los profesores no les gustó mi trabajo, rechazaron la tesis, decían que iba contra la política de la Facultad y todo porque utilizaba la palabra robar en lugar de acceder. Fue una simple cuestión de gramática», recuerda todavía algo ofendido el Barbanegra de la piratería electrónica y autor del mayor caos informático de la historia.
El [[4 de mayo]] de [[2000]] Onel de Guzmán decidió probar por su cuenta el proyecto que había preparado para su tesis y que finalmente fue rechazada por su profesor. El resultado final fue un virus capaz de infectar aproximadamente 50 millones de computadores en todo el mundo bajo el nombre de “I Love You”, causando pérdidas de más de 5500 millones de dólares en daños. A través de un título bastante sugerente como: “Te quiero” o “Te amo”, acompañado de un archivo adjunto, Guzmán consiguió crear el pánico, incluso entre los expertos de seguridad informática.
== Características ==
El virus sobrescribe con su código los archivos con extensiones .VBS y .VBE. Elimina los archivos con extensiones .JS, .JSE, .CSS, .WSH, .SCT y .HTA, y crea otros con el mismo nombre y extensión .VBS en el que introduce su código. También localiza los archivos con extensión .[[JPG]], .[[JPEG]], .[[MP3]] y .MP2, los elimina, y crea otros donde el nuevo nombre está formado por el nombre y la extensión anterior más VBS como nueva extensión real.

== Proceso de Infección ==
La infección comienza cuando un usuario recibe un correo electrónico titulado I Love You (Te quiero), que lleva asociado un fichero llamado LOVE-LETTER-FOR-YOU.TXT.vbs. (Carta de amor para ti). Este último archivo contiene el código del virus, supuestamente firmado con el apodo spyder (araña), fechado en [[Manila]] (Filipinas) e incluye una expeditiva frase I hate go to school (Odio ir al colegio).A diferencia de su predecesor, el [[Virus Melissa]], que elegía las primeras 50 direcciones de la agenda del usuario para enviar una copia del virus, I love you toma todas las direcciones, lo cual aumenta su capacidad de reproducción.
Aquellas personas cuya dirección de correo electrónico figuren en la agenda del ordenador infectado recibirán en su buzón electrónico una copia del virus I love you, y si alguno de estos destinatarios decide abrir el mensaje, el proceso se repetirá provocando que la expansión del virus siga una progresión geométrica. I love you se instala en el ordenador y borra ficheros de gráficos y de sonido -extensiones [[JPG]], [[JPEG]], [[MP3]] y MP2-, sustituyéndolos por otros con el mismo nombre y la extensión VBS e introduciendo el código malicioso. Según la empresa [[Panda Software]], el gusano intenta bajarse de Internet el fichero WIN-BUGSFIX.EXE.
Se trata de un troyano, un archivo que busca información confidencial del usuario (como las contraseñas de [[Windows]]) y que también entra en la información del [[RAS]] (acceso telefónico a redes) y roba los datos de la agenda del usuario (nombre, número de teléfono...). Acto seguido, los envía a un correo electrónico de Filipinas.

== Mutación ==
Existe un detalle preocupante en este virus que lo diferencia de su predecesor Melissa. A diferencia de éste, que se incluía en un documento elaborado con el procesador de textos [[Microsoft Word]], el código del virus del amor es perfectamente legible y puede ser modificado sin dificultades por un usuario.
De este modo, cualquiera que tenga unos conocimientos mínimos de programación, podría modificar el código y alterar la firma del virus, de modo que no fuera reconocido por la vacuna.

== Daños que Ocasionó ==
Muchas empresas del FTSE-100 (índice de los 100 primeros valores de la Bolsa de [[Londres]]) nos han comunicado que sus sistemas informáticos estaban bloqueados por el virus», indicó una portavoz de la empresa antivirus Sophos.
'''[[Vodafone]]''', compañía dedicada a telefonía móvil, echó el cierre a su correo electrónico por el brote vírico: 50 ordenadores de la compañía fueron tocados con amor. «Tenemos el virus I love you», dijo un portavoz. «Pensamos que se ha extendido por todas partes».
'''En [[Alemania]]''', la editorial Axel Springer -que publica el diario Bild, el más vendido del país- se llevó la peor parte. Pero tampoco olvidó a la empresa [[Siemens]], que desconectaron sus [[servidor]]es.
'''En [[Dinamarca]] y [[Noruega]]''', el Parlamento danés se vio inundados de [[Email]] con el virus, e incluso llegó hasta la poderosa banca suiza. «Es un ataque masivo, que afecta a todas las empresas», dijo un analista de la banca.
'''En [[Irlanda]]''', una de las fábricas de [[DELL]] Computers en Limerick estuvo 11 horas paradas por el virus, según testimonios de sus trabajadores.
'''En [[España]]''', Los cariños llegaron a varios medios de comunicación españoles como el diario El País, interrumpiendo durante varias horas su actividad, la Cadena Ser y los periódicos La Razón y Abc, entre otros, que registraron anomalías en los correos electrónicos, sin repercusiones en su trabajo. Iberia informó de que también registraron la entrada del virus antes de que produjera problemas, mientras que fuentes del Ministerio de Ciencia y Tecnología aseguraron no tener constancia de que se hubieran producido anomalías en los sistemas informáticos de la Administración.
'''En [[Estados Unidos]]''', El día avanzó y EEUU recibió el I Love You con el desayuno. Una portavoz del [[Pentágono]] informó de que había llegado a sus instalaciones, sin precisar la gravedad. Una oficina del Pentágono que ofrece un servicio de noticias vía e-mail incluyó el mensaje vírico en su envío masivo, que incluía agencias de seguridad como la [[Agencia Central de Inteligencia]] o los comandos militares. La [[Casa Blanca]] también tuvo [[Email]], aunque no fueron abiertos. «Hemos comunicado al Gobierno la situación. Nuestros agentes de ciberseguridad están sobre aviso», dijo una portavoz.
[[Bill Pollack]], del Equipo de Emergencia de Computadores (CERT), aseguraba: «Tenemos más de 150 contagios en empresas, lo que es muy significativo». Dicho en dólares: 100 millones en daños, según los expertos.

== Vacuna contra el virus ==
Pocas horas después de que se detectaran los primeros casos de infección, las grandes compañías del sector empezaron a trabajar con el código del virus para elaborar una vacuna que pudiera evitar su propagación, así como limpiar los ordenadores infectados por el código malicioso. En los sitios web de estas empresas puede encontrarse el programa capaz de eliminar el virus del amor del ordenador, así como el parche que debe instalarse en los servidores de correo para impedir que el virus se introduzca en la Red o se propague a otros sitios de Internet.

== En Libertad ==
A pesar de los problemas causados por este virus, su creador nunca fue condenado por un tribunal, ya que en el momento de probar su “experimento” todavía no existían leyes específicas para estos ataques en Filipinas.

== Los hermanos del I Love You ==
Si le van con el cuento, a través del correo electrónico, de que los 7 Enanitos de [[Blancanieves]] son pequeñitos en todo menos en «algo», no se deje llevar por la curiosidad. Envíe el mensaje a la basura. Es un virus. Como él o como I love you se calcula que hay otros 40.000 programas infecciosos que entran y salen constantemente en los más de 400 millones de ordenadores conectados a Internet en todo el mundo.

Las empresas Icsa Labs y Panda Software se dedicaron a calibrarlo con mayor precisión en un total de 300 empresas estadounidenses. El resultado: el número de virus se duplicó en 2000. Cada dos días, uno de cada 1.000 ordenadores sufrió algún ataque, en el 87% de los casos a través del [[Email]]. Exactamente como operó I love you en mayo.

I love you bloqueó 3 millones de ordenadores en menos de 24 horas y, desde entonces, pocos son los usuarios y casi ninguna empresa que no ha mostrado interés en adquirir programas antivirus. Lo cual no es sinónimo de garantía adaeternum. Un antivirus no sirve de nada sin actualizarlo continuamente. Cada día nacen cuatro o cinco nuevos virus.

== Enseñanza ==
Este virus marco un antes y un después en la seguridad informática de todo el mundo. Mostró cómo combinar técnicas de gusano con un poco de ingeniería social para distribuir '[[Malware]]' a gran cantidad de ordenadores en Internet. Ahora el cibercrimen es un lucrativo negocio.

"El virus del amor mostró como iban a ser los problemas de seguridad", comenta Paul Fletcher, de MessageLabs.

== Fuentes ==
* [http://www.elmundo.es/elmundo/2010/05/04/navegante/1272975231.html El Mundo]
* [http://www.elmundo.es/navegante/2001/02/06/entrevistas/981454491.html Entrevista a Onel Guzmán]

[[Category:Informática]][[Categoría:Virus_informáticos]]

Virus informático I Love you

2012-01-09T15:10:47Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Ficha Software
|nombre=Virus I love you
|imagen=Ilove.gif‎
|descripción=Correo electrónico cuyo gancho era su título, 'I Love You' ('Te quiero', en español), así como el nombre del documento de texto asociado a él ('Love-Letter-For-You', una carta de amor para ti). Al ejecutar el fichero, el gusano modificaba los ficheros del ordenador infectado y se autoenviaba por
correo electrónico a todas las direcciones de la víctima. Infectó aproximadamente 50 millones de computadores en todo el mundo y provocó pérdidas de más de 5 500 millones de dólares.
|desarrollador=[[Onel de Guzmán]]
|web=
}}'''Virus informático I love you'''. Conocido por los usuarios como el “[[Virus]] del amor”, pertenece a la categoría de gusano, capaz de reproducirse a través de las redes electrónicas ,modifica los ficheros del ordenador infectado y se transmite a través del correo electrónico cuando el internauta abre el fichero donde se aloja.

== Surgimiento ==
Primeramente fue una tesis que realizó Onel de Guzmán, un joven filipino de 24 años que estudió en la Facultad de Informática del colegio universitario AMA, en la capital de [[Filipinas]]. Su tutor en la facultad esperaba con ansiedad la tesis de su alumno más aventajado.
El texto final, entregado el [[1 de febrero]] del [[2000]], tenía faltas de ortografía y estaba peor escrito, pero era toda una guía sobre cómo robar códigos secretos a través de Internet o cómo introducirse en un ordenador ajeno y tomar su control. Era, en definitiva, una copia del virus "I love you", que tres meses después iba a dejar en evidencia la vulnerabilidad del nuevo orden mundial de [[Internet]] y las tecnologías informáticas.
«A los profesores no les gustó mi trabajo, rechazaron la tesis, decían que iba contra la política de la Facultad y todo porque utilizaba la palabra robar en lugar de acceder. Fue una simple cuestión de gramática», recuerda todavía algo ofendido el Barbanegra de la piratería electrónica y autor del mayor caos informático de la historia.
El [[4 de mayo]] de [[2000]] Onel de Guzmán decidió probar por su cuenta el proyecto que había preparado para su tesis y que finalmente fue rechazada por su profesor. El resultado final fue un virus capaz de infectar aproximadamente 50 millones de computadores en todo el mundo bajo el nombre de “I Love You”, causando pérdidas de más de 5500 millones de dólares en daños. A través de un título bastante sugerente como: “Te quiero” o “Te amo”, acompañado de un archivo adjunto, Guzmán consiguió crear el pánico, incluso entre los expertos de seguridad informática.
== Características ==
El virus sobrescribe con su código los archivos con extensiones .VBS y .VBE. Elimina los archivos con extensiones .JS, .JSE, .CSS, .WSH, .SCT y .HTA, y crea otros con el mismo nombre y extensión .VBS en el que introduce su código. También localiza los archivos con extensión .[[JPG]], .JPEG, .[[MP3]] y .MP2, los elimina, y crea otros donde el nuevo nombre está formado por el nombre y la extensión anterior más VBS como nueva extensión real.
== Proceso de Infección ==
La infección comienza cuando un usuario recibe un correo electrónico titulado I Love You (Te quiero), que lleva asociado un fichero llamado LOVE-LETTER-FOR-YOU.TXT.vbs. (Carta de amor para ti). Este último archivo contiene el código del virus, supuestamente firmado con el apodo spyder (araña), fechado en [[Manila]] (Filipinas) e incluye una expeditiva frase I hate go to school (Odio ir al colegio).A diferencia de su predecesor, el [[virus Melissa]], que elegía las primeras 50 direcciones de la agenda del usuario para enviar una copia del virus, I love you toma todas las direcciones, lo cual aumenta su capacidad de reproducción.
Aquellas personas cuya dirección de correo electrónico figuren en la agenda del ordenador infectado recibirán en su buzón electrónico una copia del virus I love you, y si alguno de estos destinatarios decide abrir el mensaje, el proceso se repetirá provocando que la expansión del virus siga una progresión geométrica. I love you se instala en el ordenador y borra ficheros de gráficos y de sonido -extensiones JPG, JPEG, MP3 y MP2-, sustituyéndolos por otros con el mismo nombre y la extensión VBS e introduciendo el código malicioso. Según la empresa [[Panda Software]], el gusano intenta bajarse de Internet el fichero WIN-BUGSFIX.EXE.
Se trata de un troyano, un archivo que busca información confidencial del usuario (como las contraseñas de [[Windows]]) y que también entra en la información del [[RAS]] (acceso telefónico a redes) y roba los datos de la agenda del usuario (nombre, número de teléfono...). Acto seguido, los envía a un correo electrónico de Filipinas.
== Mutación ==
Existe un detalle preocupante en este virus que lo diferencia de su predecesor Melissa. A diferencia de éste, que se incluía en un documento elaborado con el procesador de textos [[Microsoft Word]], el código del virus del amor es perfectamente legible y puede ser modificado sin dificultades por un usuario.
De este modo, cualquiera que tenga unos conocimientos mínimos de programación, podría modificar el código y alterar la firma del virus, de modo que no fuera reconocido por la vacuna.
== Daños que Ocasionó ==
Muchas empresas del FTSE-100 (índice de los 100 primeros valores de la Bolsa de [[Londres]]) nos han comunicado que sus sistemas informáticos estaban bloqueados por el virus», indicó una portavoz de la empresa antivirus Sophos.
'''[[Vodafone]]''', compañía dedicada a telefonía móvil, echó el cierre a su correo electrónico por el brote vírico: 50 ordenadores de la compañía fueron tocados con amor. «Tenemos el virus I love you», dijo un portavoz. «Pensamos que se ha extendido por todas partes».
'''En [[Alemania]]''', la editorial Axel Springer -que publica el diario Bild, el más vendido del país- se llevó la peor parte. Pero tampoco olvidó a la empresa [[Siemens]], que desconectaron sus [[servidor]]es.
'''En [[Dinamarca]] y [[Noruega]]''', el Parlamento danés se vio inundados de e-mails con el virus, e incluso llegó hasta la poderosa banca suiza. «Es un ataque masivo, que afecta a todas las empresas», dijo un analista de la banca.
'''En [[Irlanda]]''', una de las fábricas de [[Dell]] Computers en Limerick estuvo 11 horas paradas por el virus, según testimonios de sus trabajadores.
'''En [[España]]''', Los cariños llegaron a varios medios de comunicación españoles como el diario El País, interrumpiendo durante varias horas su actividad, la Cadena Ser y los periódicos La Razón y Abc, entre otros, que registraron anomalías en los correos electrónicos, sin repercusiones en su trabajo. Iberia informó de que también registraron la entrada del virus antes de que produjera problemas, mientras que fuentes del Ministerio de Ciencia y Tecnología aseguraron no tener constancia de que se hubieran producido anomalías en los sistemas informáticos de la Administración.
'''En [[Estados Unidos]]''', El día avanzó y EEUU recibió el I Love You con el desayuno. Una portavoz del [[Pentágono]] informó de que había llegado a sus instalaciones, sin precisar la gravedad. Una oficina del Pentágono que ofrece un servicio de noticias vía e-mail incluyó el mensaje vírico en su envío masivo, que incluía agencias de seguridad como la [[Agencia Central de Inteligencia]] o los comandos militares. La [[Casa Blanca]] también tuvo e-mail, aunque no fueron abiertos. «Hemos comunicado al Gobierno la situación. Nuestros agentes de ciberseguridad están sobre aviso», dijo una portavoz.
[[Bill Pollack]], del Equipo de Emergencia de Computadores (CERT), aseguraba: «Tenemos más de 150 contagios en empresas, lo que es muy significativo». Dicho en dólares: 100 millones en daños, según los expertos.
== Vacuna contra el virus ==
Pocas horas después de que se detectaran los primeros casos de infección, las grandes compañías del sector empezaron a trabajar con el código del virus para elaborar una vacuna que pudiera evitar su propagación, así como limpiar los ordenadores infectados por el código malicioso. En los sitios web de estas empresas puede encontrarse el programa capaz de eliminar el virus del amor del ordenador, así como el parche que debe instalarse en los servidores de correo para impedir que el virus se introduzca en la Red o se propague a otros sitios de Internet.

== En Libertad ==
A pesar de los problemas causados por este virus, su creador nunca fue condenado por un tribunal, ya que en el momento de probar su “experimento” todavía no existían leyes específicas para estos ataques en Filipinas.

== Los hermanos del I Love You ==
Si le van con el cuento, a través del correo electrónico, de que los
enanitos de Blancanieves son pequeñitos en todo menos en «algo», no se deje llevar por la curiosidad. Envíe el mensaje a la basura. Es un virus. Como él o como I love you se calcula que hay otros 40.000 programas infecciosos que entran y salen constantemente en los más de 400 millones de ordenadores conectados a Internet en todo el mundo.

Las empresas Icsa Labs y Panda Software se dedicaron a calibrarlo con mayor precisión en un total de 300 empresas estadounidenses. El resultado: el número de virus se duplicó en 2000. Cada dos días, uno de cada 1.000 ordenadores sufrió algún ataque, en el 87% de los casos a través del e-mail. Exactamente como operó I love you en mayo.

I love you bloqueó 3 millones de ordenadores en menos de 24 horas y, desde entonces, pocos son los usuarios y casi ninguna empresa que no ha mostrado interés en adquirir programas antivirus. Lo cual no es sinónimo de garantía adaeternum. Un antivirus no sirve de nada sin actualizarlo continuamente. Cada día nacen cuatro o cinco nuevos virus.

== Enseñanza ==
Este virus marco un antes y un después en la seguridad informática de todo el mundo. Mostró cómo combinar técnicas de gusano con un poco de ingeniería social para distribuir 'malware' a gran cantidadi de ordenadores en Internet. Ahora el cibercrimen es un lucrativo negocio.

"El virus del amor mostró como iban a ser los problemas de seguridad", comenta Paul Fletcher, de MessageLabs.

== Fuentes ==
* [http://www.elmundo.es/elmundo/2010/05/04/navegante/1272975231.html El Mundo]
* [http://www.elmundo.es/navegante/2001/02/06/entrevistas/981454491.html Entrevista a Onel Guzmán]

[[Category:Informática]][[Categoría:Virus_informáticos]]

Virus informático I Love you

2012-01-06T20:33:03Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Normalizar}}
{{Ficha Software
|nombre=Virus I love you
|imagen=Ilove.gif‎
|descripción=Correo electrónico cuyo gancho era su título, 'I Love You' ('Te quiero', en español), así como el nombre del documento de texto asociado a él ('Love-Letter-For-You', una carta de amor para ti). Al ejecutar el fichero, el gusano modificaba los ficheros del ordenador infectado y se autoenviaba por
correo electrónico a todas las direcciones de la víctima. Infectó aproximadamente 50 millones de computadores en todo el mundo y provocó pérdidas de más de 5.500 millones de dólares.
|desarrollador=Onel de Guzmán
|web=
}}'''Virus informático I love you'''. Conocido por los usuarios como el “[[Virus]] del amor”, pertenece a la categoría de gusano, capaz de reproducirse a través de las redes electrónicas ,modifica los ficheros del ordenador infectado y se transmite a través del correo electrónico cuando el internauta abre el fichero donde se aloja.

== Surgimiento ==
Primeramente fue una tesis que realizó Onel de Guzmán, un joven filipino de 24 años que estudió en la Facultad de Informática del colegio universitario AMA, en la capital de Filipinas. Su tutor en la facultad esperaba con ansiedad la tesis de su alumno más aventajado.

El texto final, entregado el 1 de febrero del 2000, tenía faltas de ortografía y estaba peor escrito, pero era toda una guía sobre cómo robar códigos secretos a través de Internet o cómo introducirse en un ordenador ajeno y tomar su control. Era, en definitiva, una copia del virus "I love you", que tres meses después iba a dejar en evidencia la vulnerabilidad del nuevo orden mundial de Internet y las tecnologías informáticas.

«A los profesores no les gustó mi trabajo, rechazaron la tesis, decían que iba contra la política de la Facultad y todo porque utilizaba la palabra robar en lugar de acceder. Fue una simple cuestión de gramática», recuerda todavía algo ofendido el Barbanegra de la piratería electrónica y autor del mayor caos informático de la historia.

El 4 de mayo de 2000 Onel de Guzmán decidió probar por su cuenta el proyecto que había preparado para su tesis y que finalmente fue rechazada por su profesor. El resultado final fue un virus capaz de infectar aproximadamente 50 millones de computadores en todo el mundo bajo el nombre de “I Love You”, causando pérdidas de más de 5500 millones de dólares en daños. A través de un título bastante sugerente como: “Te quiero” o “Te amo”, acompañado de un archivo adjunto, Guzmán consiguió crear el pánico, incluso entre los expertos de seguridad informática.

== Características ==
El virus sobrescribe con su código los archivos con extensiones .VBS y .VBE. Elimina los archivos con extensiones .JS, .JSE, .CSS, .WSH, .SCT y .HTA, y crea otros con el mismo nombre y extensión .VBS en el que introduce su código. También localiza los archivos con extensión .JPG, .JPEG, .MP3 y .MP2, los elimina, y crea otros donde el nuevo nombre está formado por el nombre y la extensión anterior más VBS como nueva extensión real.

== Proceso de Infección ==
La infección comienza cuando un usuario recibe un correo electrónico titulado I Love You (Te quiero), que lleva asociado un fichero llamado LOVE-LETTER-FOR-YOU.TXT.vbs. (Carta de amor para ti). Este último archivo contiene el código del virus, supuestamente firmado con el apodo spyder (araña), fechado en Manila (Filipinas) e incluye una expeditiva frase I hate go to school (Odio ir al colegio).A diferencia de su predecesor, el virus Melissa, que elegía las primeras 50 direcciones de la agenda del usuario para enviar una copia del virus, I love you toma todas las direcciones, lo cual aumenta su capacidad de reproducción.

Aquellas personas cuya dirección de correo electrónico figuren en la agenda del ordenador infectado recibirán en su buzón electrónico una copia del virus I love you, y si alguno de estos destinatarios decide abrir el mensaje, el proceso se repetirá provocando que la expansión del virus siga una progresión geométrica. I love you se instala en el ordenador y borra ficheros de gráficos y de sonido -extensiones JPG, JPEG, MP3 y MP2-, sustituyéndolos por otros con el mismo nombre y la extensión VBS e introduciendo el código malicioso. Según la empresa Panda Software, el gusano intenta bajarse de Internet el fichero WIN-BUGSFIX.EXE.

Se trata de un troyano, un archivo que busca información confidencial del usuario (como las contraseñas de Windows) y que también entra en la información del RAS (acceso telefónico a redes) y roba los datos de la agenda del usuario (nombre, número de teléfono...). Acto seguido, los envía a un correo electrónico de Filipinas.

== Mutación ==
Existe un detalle preocupante en este virus que lo diferencia de su predecesor Melissa. A diferencia de éste, que se incluía en un documento elaborado con el procesador de textos Microsoft Word, el código del virus del amor es perfectamente legible y puede ser modificado sin dificultades por un usuario.

De este modo, cualquiera que tenga unos conocimientos mínimos de programación, podría modificar el código y alterar la firma del virus, de modo que no fuera reconocido por la vacuna.

== Daños que Ocasionó ==
Muchas empresas del FTSE-100 (índice de los 100 primeros valores de la Bolsa de Londres) nos han comunicado que sus sistemas informáticos estaban bloqueados por el virus», indicó una portavoz de la empresa antivirus Sophos.

'''Vodafone''', compañía dedicada a telefonía móvil, echó el cierre a su correo electrónico por el brote vírico: 50 ordenadores de la compañía fueron tocados con amor. «Tenemos el virus I love you», dijo un portavoz. «Pensamos que se ha extendido por todas partes».

'''En Alemania''', la editorial Axel Springer -que publica el diario Bild, el más vendido del país- se llevó la peor parte. Pero tampoco olvidó a la empresa Siemens, que desconectaron sus servidores.

'''En Dinamarca y Noruega''', el Parlamento danés se vio inundados de e-mails con el virus, e incluso llegó hasta la poderosa banca suiza. «Es un ataque masivo, que afecta a todas las empresas», dijo un analista de la banca.

'''En Irlanda''', una de las fábricas de Dell Computers en Limerick estuvo 11 horas paradas por el virus, según testimonios de sus trabajadores.

'''En España''', Los cariños llegaron a varios medios de comunicación españoles como el diario El País, interrumpiendo durante varias horas su actividad, la Cadena Ser y los periódicos La Razón y Abc, entre otros, que registraron anomalías en los correos electrónicos, sin repercusiones en su trabajo. Iberia informó de que también registraron la entrada del virus antes de que produjera problemas, mientras que fuentes del Ministerio de Ciencia y Tecnología aseguraron no tener constancia de que se hubieran producido anomalías en los sistemas informáticos de la Administración.

'''En EEUU''', El día avanzó y EEUU recibió el I Love You con el desayuno. Una portavoz del Pentágono informó de que había llegado a sus instalaciones, sin precisar la gravedad. Una oficina del Pentágono que ofrece un servicio de noticias vía e-mail incluyó el mensaje vírico en su envío masivo, que incluía agencias de seguridad como la Agencia Central de Inteligencia o los comandos militares. La Casa Blanca también tuvo e-mail, aunque no fueron abiertos. «Hemos comunicado al Gobierno la situación. Nuestros agentes de ciberseguridad están sobre aviso», dijo una portavoz.

Bill Pollack, del Equipo de Emergencia de Computadores (CERT), aseguraba: «Tenemos más de 150 contagios en empresas, lo que es muy significativo». Dicho en dólares: 100 millones en daños, según los expertos.

== Vacuna contra el virus ==
Pocas horas después de que se detectaran los primeros casos de infección, las grandes compañías del sector empezaron a trabajar con el código del virus para elaborar una vacuna que pudiera evitar su propagación, así como limpiar los ordenadores infectados por el código malicioso. En los sitios web de estas empresas puede encontrarse el programa capaz de eliminar el virus del amor del ordenador, así como el parche que debe instalarse en los servidores de correo para impedir que el virus se introduzca en la Red o se propague a otros sitios de Internet.

== En Libertad ==
A pesar de los problemas causados por este virus, su creador nunca fue condenado por un tribunal, ya que en el momento de probar su “experimento” todavía no existían leyes específicas para estos ataques en Filipinas.

== Los hermanos del I Love You ==
Si le van con el cuento, a través del correo electrónico, de que los
enanitos de Blancanieves son pequeñitos en todo menos en «algo», no se deje llevar por la curiosidad. Envíe el mensaje a la basura. Es un virus. Como él o como I love you se calcula que hay otros 40.000 programas infecciosos que entran y salen constantemente en los más de 400 millones de ordenadores conectados a Internet en todo el mundo.

Las empresas Icsa Labs y Panda Software se dedicaron a calibrarlo con mayor precisión en un total de 300 empresas estadounidenses. El resultado: el número de virus se duplicó en 2000. Cada dos días, uno de cada 1.000 ordenadores sufrió algún ataque, en el 87% de los casos a través del e-mail. Exactamente como operó I love you en mayo.

I love you bloqueó 3 millones de ordenadores en menos de 24 horas y, desde entonces, pocos son los usuarios y casi ninguna empresa que no ha mostrado interés en adquirir programas antivirus. Lo cual no es sinónimo de garantía adaeternum. Un antivirus no sirve de nada sin actualizarlo continuamente. Cada día nacen cuatro o cinco nuevos virus.

== Enseñanza ==
Este virus marco un antes y un después en la seguridad informática de todo el mundo. Mostró cómo combinar técnicas de gusano con un poco de ingeniería social para distribuir 'malware' a gran cantidadi de ordenadores en Internet. Ahora el cibercrimen es un lucrativo negocio.

"El virus del amor mostró como iban a ser los problemas de seguridad", comenta Paul Fletcher, de MessageLabs.

== Fuentes ==
* [http://www.elmundo.es/elmundo/2010/05/04/navegante/1272975231.html El Mundo]
* [http://www.elmundo.es/navegante/2001/02/06/entrevistas/981454491.html Entrevista a Onel Guzmán]

[[Category:Informática]][[Categoría:Virus_informáticos]]

Cazabombardero

2011-12-18T17:54:15Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Ficha Aeronave
|nombre = Cazabombardero
|imagen =F4_1.gif
|pie de foto = Un McDonell Douglas F-4 Phantom II, cazabombardero embarcado norteamericano, tristemente recordado por su despiadado desempeño durante la guerra de Vietnam
|fabricante =
|diseñador =
|primer vuelo =
|introducido =
|retirado =
|estado =
|usuario =
|otros usuarios =
|producción =
|unidades construidas =
|coste del programa =
|coste unitario =
|desarrollo del =
|variantes con su propio artículo =
|desarrollado en =
}}

'''CAZABOMBARDERO''': Es un caza capaz de atacar objetivos en la superficie terrestre o marítima, por lo que está preparado para utilizar además de armamento aire-aire, armamento aire-tierra y aire-mar. Se diferencia de un avión de ataque a tierra en que el cazabombardero mantiene todas las capacidades de un caza. Un cazabombardero se distingue de un caza polivalente en que este último hace énfasis en las misiones de combate aéreo mientras que el cazabombardero hace un énfasis en el ataque terrestre. Son los tipos de caza más pesados y no son tan ágiles para el combate aéreo como los cazas ligeros. La excepción se dice es el F/A-18 que puede cumplir por igual ambas misiones.
==Ejemplos de cazabombarderos==
[[Image:Generaciones_f111.jpg|thumb|right|250px| General Dinamics F-111 Aardvark. Cazabombardero pesado norteamericano, algunos analistas lo consideran más un bombardero estratégico que un caza]]
*'''Republic F-105 Thunderchief''': (1958) Cazabombardero norteamericano de segunda generación, el más grande caza monomotor jamás empleado por la USAF
*'''McDonnell Douglas F-4 Phantom II''': (1960)Cazabombardero pesado embarcado norteamericano de segunda generación y con versiones de tercera, el caza más producido por la industria norteamericano capaz de llevar 8.480 kgs de cargo útil, entró en combate en numerosos escenarios.
*'''Dassault Super Mystere B2''': (1955) Cazabombardero francés de segunda generación, muy apreciado por los israelíes en sus guerras contra los árabes de [[1967]] y [[1973]].
*'''General Dinamics F-111 Aardvark''': (1967) Cazabombardero pesado norteamericano de tercera generación, el de más capacidad de carga de todo el USAF, capaz de transportar hasta una distancia 2.000 kilometros una carga útil de 14.300 kgs.
*'''Dassault Super Etendar''': (1978) Cazabombardero embarcado francés de tercera generación, durante la guerra de las Malvinas hundió mediante un exocet AM-39 al destructor clase 42 británico HMS Sheffield.
*'''Panavia Tornado''': (1979) Cazabombardero de cuarta generación de fabricación multinacional europeo, principal medio de las FA de [[Reino Unido]], [[Italia]] y [[Alemania]], con importantes innovaciones tecnológicas para bombardear a baja altura.
*'''Sujoi SU-17''': (1970) Cazabombardero soviético de tercera generación probado en multiples conflictos y muy apreciado por su tripulación por su dureza y resistencia.
*I'''srael Aircraft Industries Kfir''': (1975). Cazabombardero desarrollo mejorado del IAI Nesher también israelí copia del Mirage V.
*'''Dassault Mirage 2000''': (1984) Caza bombardero (considerado polivalente en algunas fuentes) francés de 4ta generación, desarrollo del [[Mirage III]] con sus alas delta aunque con innovaciones radicales.
*'''Mc Donnell Douglas F/A-18''': (1980) Cazabombardero naval norteamericano que puede realizar misiones de ataque terrestre (interdicción) o [[apoyo aéreo cercano]], sin comprometer sus capacidades como caza ni necesitar preparación o cambio en la base de su armamento (multimisión).
*'''McDonnell Douglas F-15E Strike Eagle''': (1998) variante de ataque a tierra del F-15E cuenta con importantes innovaciones en tecnología digital, su currículo incluye participación en todas las agresiones norteamericanas desde la guerra del Golfo de 1991 hasta la fecha.

== Véase además ==
[[Image:Setendar.jpg |thumb|right|250px| Dassault Super Etendar, cazabombardero naval francés]]

*[[Caza polivalente]]
*[[Caza interceptor]]
*[[Caza de superioridad aérea]]
*[[Generación de la aviación de caza]]
*[[F-16]]
*[[F/A-18]]
*[[F-35]]
*[[MiG-17]]
*[[MiG-19]]
*[[MiG-21]]
*[[MiG-23]]
*[[Mirage III]]
*[[Mirage F1]]
*[[Grupo Dassault]]
*[[Grupo EADS]]
*[[Grupo English Electric]]
*[[BAC Camberra]]
*[[Impala MK]]
*[[Blackburn Buccaneers]]
*[[Guerra de la frontera]]

== Fuentes ==
* Valdivia Echemendia, Abel E. la Aviación de combate. 2011.

[[Category: Armas]]

Cazabombardero

2011-12-18T17:50:44Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Ficha Aeronave
|nombre = Cazabombardero
|imagen =F4_1.gif
|pie de foto = Un McDonell Douglas F-4 Phantom II, cazabombardero embarcado norteamericano, tristemente recordado por su despiadado desempeño durante la guerra de Vietnam
|fabricante =
|diseñador =
|primer vuelo =
|introducido =
|retirado =
|estado =
|usuario =
|otros usuarios =
|producción =
|unidades construidas =
|coste del programa =
|coste unitario =
|desarrollo del =
|variantes con su propio artículo =
|desarrollado en =
}}

'''CAZABOMBARDERO''': Es un caza capaz de atacar objetivos en la superficie terrestre o marítima, por lo que está preparado para utilizar además de armamento aire-aire, armamento aire-tierra y aire-mar. Se diferencia de un avión de ataque a tierra en que el cazabombardero mantiene todas las capacidades de un caza. Un cazabombardero se distingue de un caza polivalente en que este último hace énfasis en las misiones de combate aéreo mientras que el cazabombardero hace un énfasis en el ataque terrestre. Son los tipos de caza más pesados y no son tan ágiles para el combate aéreo como los cazas ligeros. La excepción se dice es el F/A-18 que puede cumplir por igual ambas misiones.
==Ejemplos de cazabombarderos==
[[Image:Generaciones_f111.jpg|thumb|right|250px| General Dinamics F-111 Aardvark. Cazabombardero pesado norteamericano, algunos analistas lo consideran más un bombardero estratégico que un caza]]
*'''Republic F-105 Thunderchief''': (1958) Cazabombardero norteamericano de segunda generación, el más grande caza monomotor jamás empleado por la USAF
*'''McDonnell Douglas F-4 Phantom II''': (1960)Cazabombardero pesado embarcado norteamericano de segunda generación y con versiones de tercera, el caza más producido por la industria norteamericano capaz de llevar 8.480 kgs de cargo útil, entró en combate en numerosos escenarios.
*'''Dassault Super Mystere B2''': (1955) Cazabombardero francés de segunda generación, muy apreciado por los israelíes en sus guerras contra los árabes de [[1967]] y [[1973]].
*'''General Dinamics F-111 Aardvark''': (1967) Cazabombardero pesado norteamericano de tercera generación, el de más capacidad de carga de todo el USAF, capaz de transportar hasta una distancia 2.000 kilometros una carga útil de 14.300 kgs.
*'''Dassault Super Etendar''': (1978) Cazabombardero embarcado francés de tercera generación, durante la guerra de las Malvinas hundió mediante un exocet AM-39 al destructor clase 42 británico HMS Sheffield.
*'''Panavia Tornado''': (1979) Cazabombardero de cuarta generación de fabricación multinacional europeo, principal medio de las FA de [[Reino Unido]], [[Italia]] y [[Alemania]], con importantes innovaciones tecnológicas para bombardear a baja altura.
*'''Sujoi SU-17''': (1970) Cazabombardero soviético de tercera generación probado en multiples conflictos y muy apreciado por su tripulación por su dureza y resistencia.
*I'''srael Aircraft Industries Kfir''': (1975). Cazabombardero desarrollo mejorado del IAI Nesher también israelí copia del Mirage V.
[[Image:Generaciones_s-etend_3.jpg|thumb|right|250px| Dassault Super Etendar, cazabombardero naval francés]]
*'''Dassault Mirage 2000''': (1984) Caza bombardero (considerado polivalente en algunas fuentes) francés de 4ta generación, desarrollo del [[Mirage III]] con sus alas delta aunque con innovaciones radicales.
*'''Mc Donnell Douglas F/A-18''': (1980) Cazabombardero naval norteamericano que puede realizar misiones de ataque terrestre (interdicción) o [[apoyo aéreo cercano]], sin comprometer sus capacidades como caza ni necesitar preparación o cambio en la base de su armamento (multimisión).
*'''McDonnell Douglas F-15E Strike Eagle''': (1998) variante de ataque a tierra del F-15E cuenta con importantes innovaciones en tecnología digital, su currículo incluye participación en todas las agresiones norteamericanas desde la guerra del Golfo de 1991 hasta la fecha.

== Véase además ==

*[[Caza polivalente]]
*[[Caza interceptor]]
*[[Caza de superioridad aérea]]
*[[Generación de la aviación de caza]]
*[[F-16]]
*[[F/A-18]]
*[[F-35]]
*[[MiG-17]]
*[[MiG-19]]
*[[MiG-21]]
*[[MiG-23]]
*[[Mirage III]]
*[[Mirage F1]]
*[[Grupo Dassault]]
*[[Grupo EADS]]
*[[Grupo English Electric]]
*[[BAC Camberra]]
*[[Impala MK]]
*[[Blackburn Buccaneers]]
*[[Guerra de la frontera]]

== Fuentes ==
* Valdivia Echemendia, Abel E. la Aviación de combate. 2011.

[[Category: Armas]]

Cazabombardero

2011-12-18T17:42:58Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Ficha Aeronave
|nombre = Cazabombardero
|imagen =.jpg
|pie de foto = Un McDonell Douglas F-4 Phantom II, cazabombardero embarcado norteamericano, tristemente recordado por su despiadado desempeño durante la guerra de Vietnam
|fabricante =
|diseñador =
|primer vuelo =
|introducido =
|retirado =
|estado =
|usuario =
|otros usuarios =
|producción =
|unidades construidas =
|coste del programa =
|coste unitario =
|desarrollo del =
|variantes con su propio artículo =
|desarrollado en =
}}

'''CAZABOMBARDERO''': Es un caza capaz de atacar objetivos en la superficie terrestre o marítima, por lo que está preparado para utilizar además de armamento aire-aire, armamento aire-tierra y aire-mar. Se diferencia de un avión de ataque a tierra en que el cazabombardero mantiene todas las capacidades de un caza. Un cazabombardero se distingue de un caza polivalente en que este último hace énfasis en las misiones de combate aéreo mientras que el cazabombardero hace un énfasis en el ataque terrestre. Son los tipos de caza más pesados y no son tan ágiles para el combate aéreo como los cazas ligeros. La excepción se dice es el F/A-18 que puede cumplir por igual ambas misiones.
==Ejemplos de cazabombarderos==
[[Image:.jpg|thumb|right|250px| General Dinamics F-111 Aardvark. Cazabombardero pesado norteamericano, algunos analistas lo consideran más un bombardero estratégico que un caza]]
*'''Republic F-105 Thunderchief''': (1958) Cazabombardero norteamericano de segunda generación, el más grande caza monomotor jamás empleado por la USAF
*'''McDonnell Douglas F-4 Phantom II''': (1960)Cazabombardero pesado embarcado norteamericano de segunda generación y con versiones de tercera, el caza más producido por la industria norteamericano capaz de llevar 8.480 kgs de cargo útil, entró en combate en numerosos escenarios.
*'''Dassault Super Mystere B2''': (1955) Cazabombardero francés de segunda generación, muy apreciado por los israelíes en sus guerras contra los árabes de [[1967]] y [[1973]].
*'''General Dinamics F-111 Aardvark''': (1967) Cazabombardero pesado norteamericano de tercera generación, el de más capacidad de carga de todo el USAF, capaz de transportar hasta una distancia 2.000 kilometros una carga útil de 14.300 kgs.
*'''Dassault Super Etendar''': (1978) Cazabombardero embarcado francés de tercera generación, durante la guerra de las Malvinas hundió mediante un exocet AM-39 al destructor clase 42 británico HMS Sheffield.
*'''Panavia Tornado''': (1979) Cazabombardero de cuarta generación de fabricación multinacional europeo, principal medio de las FA de [[Reino Unido]], [[Italia]] y [[Alemania]], con importantes innovaciones tecnológicas para bombardear a baja altura.
*'''Sujoi SU-17''': (1970) Cazabombardero soviético de tercera generación probado en multiples conflictos y muy apreciado por su tripulación por su dureza y resistencia.
*I'''srael Aircraft Industries Kfir''': (1975). Cazabombardero desarrollo mejorado del IAI Nesher también israelí copia del Mirage V.
[[Image:.jpg|thumb|right|250px| Dassault Super Etendar, cazabombardero naval francés]]
*'''Dassault Mirage 2000''': (1984) Caza bombardero (considerado polivalente en algunas fuentes) francés de 4ta generación, desarrollo del [[Mirage III]] con sus alas delta aunque con innovaciones radicales.
*'''Mc Donnell Douglas F/A-18''': (1980) Cazabombardero naval norteamericano que puede realizar misiones de ataque terrestre (interdicción) o [[apoyo aéreo cercano]], sin comprometer sus capacidades como caza ni necesitar preparación o cambio en la base de su armamento (multimisión).
*'''McDonnell Douglas F-15E Strike Eagle''': (1998) variante de ataque a tierra del F-15E cuenta con importantes innovaciones en tecnología digital, su currículo incluye participación en todas las agresiones norteamericanas desde la guerra del Golfo de 1991 hasta la fecha.

== Véase además ==

*[[Caza polivalente]]
*[[Caza interceptor]]
*[[Caza de superioridad aérea]]
*[[Generación de la aviación de caza]]
*[[F-16]]
*[[F/A-18]]
*[[F-35]]
*[[MiG-17]]
*[[MiG-19]]
*[[MiG-21]]
*[[MiG-23]]
*[[Mirage III]]
*[[Mirage F1]]
*[[Grupo Dassault]]
*[[Grupo EADS]]
*[[Grupo English Electric]]
*[[BAC Camberra]]
*[[Impala MK]]
*[[Blackburn Buccaneers]]
*[[Guerra de la frontera]]

== Fuentes ==
* Valdivia Echemendia, Abel E. la Aviación de combate. 2011.

[[Category: Armas]]

Cazabombardero

2011-12-18T17:28:58Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Ficha Aeronave
|nombre = Cazabombardero
|imagen =.jpg
|pie de foto = Un McDonell Douglas F-4 Phantom II, cazabombardero embarcado norteamericano, tristemente recordado por su despiadado desempeño durante la guerra de Vietnam
|fabricante =
|diseñador =
|primer vuelo =
|introducido =
|retirado =
|estado =
|usuario =
|otros usuarios =
|producción =
|unidades construidas =
|coste del programa =
|coste unitario =
|desarrollo del =
|variantes con su propio artículo =
|desarrollado en =
}}

'''CAZABOMBARDERO''': Es un caza capaz de atacar objetivos en la superficie terrestre o marítima, por lo que está preparado para utilizar además de armamento aire-aire, armamento aire-tierra y aire-mar. Se diferencia de un avión de ataque a tierra en que el cazabombardero mantiene todas las capacidades de un caza. Un cazabombardero se distingue de un caza polivalente en que este último hace énfasis en las misiones de combate aéreo mientras que el cazabombardero hace un énfasis en el ataque terrestre. Son los tipos de caza más pesados y no son tan ágiles para el combate aéreo como los cazas ligeros. La excepción se dice es el F/A-18 que puede cumplir por igual ambas misiones.
==Ejemplos de cazabombarderos==
[[Image:.jpg|thumb|right|250px| General Dinamics F-111 Aardvark. Cazabombardero pesado norteamericano, algunos analistas lo consideran más un bombardero estratégico que un caza]]
'''Republic F-105 Thunderchief''': (1958) Cazabombardero norteamericano de segunda generación, el más grande caza monomotor jamás empleado por la USAF
'''McDonnell Douglas F-4 Phantom II''': (1960)Cazabombardero pesado embarcado norteamericano de segunda generación y con versiones de tercera, el caza más producido por la industria norteamericano capaz de llevar 8.480 kgs de cargo útil, entró en combate en numerosos escenarios.
'''Dassault Super Mystere B2''': (1955) Cazabombardero francés de segunda generación, muy apreciado por los israelíes en sus guerras contra los árabes de [[1967]] y [[1973]].
'''General Dinamics F-111 Aardvark''': (1967) Cazabombardero pesado norteamericano de tercera generación, el de más capacidad de carga de todo el USAF, capaz de transportar hasta una distancia 2.000 kilometros una carga útil de 14.300 kgs.
'''Dassault Super Etendar''': (1978) Cazabombardero embarcado francés de tercera generación, durante la guerra de las Malvinas hundió mediante un exocet AM-39 al destructor clase 42 británico HMS Sheffield.
'''Panavia Tornado''': (1979) Cazabombardero de cuarta generación de fabricación multinacional europeo, principal medio de las FA de [[Reino Unido]], [[Italia]] y [[Alemania]], con importantes innovaciones tecnológicas para bombardear a baja altura.
'''Sujoi SU-17''': (1970) Cazabombardero soviético de tercera generación probado en multiples conflictos y muy apreciado por su tripulación por su dureza y resistencia.
I'''srael Aircraft Industries Kfir''': (1975). Cazabombardero desarrollo mejorado del IAI Nesher también israelí copia del Mirage V.
[[Image:.jpg|thumb|right|250px| Dassault Super Etendar, cazabombardero naval francés]]
Dassault Mirage 2000: (1984) Caza bombardero (considerado polivalente en algunas fuentes) francés de 4ta generación, desarrollo del [[Mirage III]] con sus alas delta aunque con innovaciones radicales.
'''Mc Donnell Douglas F/A-18''': (1980) Cazabombardero naval norteamericano que puede realizar misiones de ataque terrestre (interdicción) o [[apoyo aéreo cercano]], sin comprometer sus capacidades como caza ni necesitar preparación o cambio en la base de su armamento (multimisión).
'''McDonnell Douglas F-15E Strike Eagle''': (1998) variante de ataque a tierra del F-15E cuenta con importantes innovaciones en tecnología digital, su currículo incluye participación en todas las agresiones norteamericanas desde la guerra del Golfo de 1991 hasta la fecha.

== Véase además ==

*[[Caza polivalente]]
*[[Caza interceptor]]
*[[Caza de superioridad aérea]]
*[[Generación de la aviación de caza]]
*[[F-16]]
*[[F/A-18]]
*[[F-35]]
*[[MiG-17]]
*[[MiG-19]]
*[[MiG-21]]
*[[MiG-23]]
*[[Mirage III]]
*[[Mirage F1]]
*[[Grupo Dassault]]
*[[Grupo EADS]]
*[[Grupo English Electric]]
*[[BAC Camberra]]
*[[Impala MK]]
*[[Blackburn Buccaneers]]
*[[Guerra de la frontera]]

== Fuentes ==
* Valdivia Echemendia, Abel E. la Aviación de combate. 2011.

[[Category: Armas]]

Cazabombardero

2011-12-18T17:19:14Z

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{{Ficha Aeronave
|nombre = Cazabombardero
|imagen =.jpg
|pie de foto = Un McDonell Douglas F-4 Phantom II, cazabombardero embarcado norteamericano, tristemente recordado por su despiadado desempeño durante la guerra de Vietnam
|fabricante =
|diseñador =
|primer vuelo =
|introducido =
|retirado =
|estado =
|usuario =
|otros usuarios =
|producción =
|unidades construidas =
|coste del programa =
|coste unitario =
|desarrollo del =
|variantes con su propio artículo =
|desarrollado en =
}}

'''CAZABOMBARDERO''': Es un caza capaz de atacar objetivos en la superficie terrestre o marítima, por lo que está preparado para utilizar además de armamento aire-aire, armamento aire-tierra y aire-mar. Se diferencia de un avión de ataque a tierra en que el cazabombardero mantiene todas las capacidades de un caza. Un cazabombardero se distingue de un caza polivalente en que este último hace énfasis en las misiones de combate aéreo mientras que el cazabombardero hace un énfasis en el ataque terrestre. Son los tipos de caza más pesados y no son tan ágiles para el combate aéreo como los cazas ligeros. La excepción se dice es el F/A-18 que puede cumplir por igual ambas misiones.
==Ejemplos de cazabombarderos==
[[Image:.jpg|thumb|right|250px| General Dinamics F-111 Aardvark. Cazabombardero pesado norteamericano, algunos analistas lo consideran más un bombardero estratégico que un caza]]
Republic F-105 Thunderchief: (1958) Cazabombardero norteamericano de segunda generación, el más grande caza monomotor jamás empleado por la USAF

McDonnell Douglas F-4 Phantom II: (1960)Cazabombardero pesado embarcado norteamericano de segunda generación y con versiones de tercera, el caza más producido por la industria norteamericano capaz de llevar 8.480 kgs de cargo útil, entró en combate en numerosos escenarios.

Dassault Super Mystere B2: (1955) Cazabombardero francés de segunda generación, muy apreciado por los israelíes en sus guerras contra los árabes de [[1967]] y [[1973]].

General Dinamics F-111 Aardvark: (1967) Cazabombardero pesado norteamericano de tercera generación, el de más capacidad de carga de todo el USAF, capaz de transportar hasta una distancia 2.000 kilometros una carga útil de 14.300 kgs.

Dassault Super Etendar: (1978) Cazabombardero embarcado francés de tercera generación, durante la guerra de las Malvinas hundió mediante un exocet AM-39 al destructor clase 42 británico HMS Sheffield.
Panavia Tornado: (1979) Cazabombardero de cuarta generación de fabricación multinacional europeo, principal medio de las FA de [[Reino Unido]], [[Italia]] y [[Alemania]], con importantes innovaciones tecnológicas para bombardear a baja altura.
Sujoi SU-17: (1970) Cazabombardero soviético de tercera generación probado en multiples conflictos y muy apreciado por su tripulación por su dureza y resistencia.
Israel Aircraft Industries Kfir (1975). Cazabombardero desarrollo mejorado del IAI Nesher también israelí copia del Mirage V.
[[Image:.jpg|thumb|right|250px| Dassault Super Etendar, cazabombardero naval francés]]
Dassault Mirage 2000: (1984) Caza bombardero (considerado polivalente en algunas fuentes) francés de 4ta generación, desarrollo del [[Mirage III]] con sus alas delta aunque con innovaciones radicales.
Mc Donnell Douglas F/A-18: (1980) Cazabombardero naval norteamericano que puede realizar misiones de ataque terrestre (interdicción) o [[apoyo aéreo cercano]], sin comprometer sus capacidades como caza ni necesitar preparación o cambio en la base de su armamento (multimisión).

McDonnell Douglas F-15E Strike Eagle: (1998) variante de ataque a tierra del F-15E cuenta con importantes innovaciones en tecnología digital, su currículo incluye participación en todas las agresiones norteamericanas desde la guerra del Golfo de 1991 hasta la fecha.

== Véase además ==

*[[Caza polivalente]]
*[[Caza interceptor]]
*[[Caza de superioridad aérea]]
*[[Generaciones de la aviación de caza]]
*[[F—16]]
*[[F/A-18]]
*[[F-35]]
*[[MiG-17]]
*[[MiG-19]]
*[[MiG-21]]
*[[MiG-23]]
*[[Mirage III]]
*[[Mirage F1]]
*[[Grupo Dassault]]
*[[Grupo EADS]]
*[[Grupo English Electric]]
*[[BAC Camberra]]
*[[Impala MK]]
*[[Blackburn Buccaneers]]
*[[Guerra de la frontera]]

== Fuentes ==
· Valdivia Echemendia, Abel E. la Aviación de combate. 2011.

[[Category: Armas]]

RJ45

2011-12-16T19:38:01Z

Enrique05012jc.vcl:

{{Definición
|nombre=RJ45
|imagen=RJ45.jpg
|tamaño=
|concepto='''RJ-45''' (''registered jack 45'') es una [[interfaz física]] comúnmente usada para conectar redes de [[cableado estructurado]], (categorías 4, 5, 5e, 6 y 6a). Es parte del Código Federal de Regulaciones de [[Estados Unidos]]. Posee ocho [[Pin (electrónica)|pines]] o conexiones eléctricas, que normalmente se usan como extremos de [[Cable de par trenzado|cables de par trenzado]].Es utilizada comúnmente con estándares como [[TIA/EIA-568-B]], que define la disposición de los pines o ''wiring'' [[pinout]].
}}

==Aplicación==
Una aplicación común es su uso en cables de red [[Ethernet]], donde suelen usarse 8 pines (4 pares). Otras aplicaciones incluyen terminaciones de [[teléfono]]s (4 pines o 2 pares) por ejemplo en Francia y Alemania, otros servicios de [[Red de computadoras|red]] como [[RDSI]] y [[t-carrier|T1]] e incluso [[RS-232]].

== Cable cruzado ==
Un cable cruzado es un [[cable]] que interconecta todas las señales de salida en un [[conector]] con las señales de entrada en el otro conector, y viceversa; permitiendo a dos dispositivos electrónicos conectarse entre sí con una comunicación [[Dúplex (telecomunicaciones)|full duplex]]. El término se refiere - comúnmente - al cable cruzado de [[Ethernet]], pero otros cables pueden seguir el mismo principio. También permite transmisión confiable vía una conexión ethernet.

Para crear un cable cruzado que funcione en 10/100baseT, un extremo del cable debe tener la distribución 568A y el otro 568B. Para crear un cable cruzado que funcione en 10/100/1000baseT, un extremo del cable debe tener la distribución Gigabit Ethernet (variante A), igual que la 568B, y el otro Gigabit Ethernet (variante B1). Esto se realiza para que el TX ( transmisión) de un equipo esté conectado con el RX ( recepción) del otro y a la inversa; así el que "habla" ( transmisión) es "escuchado" ( recepción).
== Conectores RJ45 ==
Para que todos los cables funcionen en cualquier red, se sigue un estándar a la hora de hacer las conexiones. Los dos extremos del cable (UTP CATEGORIA 4 Ó 5) llevarán un conector RJ45 con los colores en el orden indicado en la figura.Existen dos maneras de unir el cable de red con su respectivo terminal RJ45, el crimpado o pochado se puede hacer de manera manual (crimpadora de tenaza) o al vacío sin aire mediante inyectado de manera industrial. La Categoría 5e / TIA-568B recomienda siempre utilizar latiguillo inyectado para tener valores ATT y NEXT fiables.
Para usar con un HUB o SWITCH hay dos normas, la más usada es la B, en los dos casos los dos lados del cable son iguales:

=== Norma A ===
# Blanco Verde
# Verde
# Blanco Naranja
# Azul
# Blanco Azul
# Naranja
# Blanco Marrón
# Marrón

=== Norma B ===
# Blanco Naranja
# Naranja
# Blanco Verde
# Azul
# Blanco Azul
# Verde
# Blanco Marrón
# Marrón

== Conexión entre conmutadores y concentradores ==
Dispositivos diferentes; en tal caso se pueden utilizar normas AA o BB en los extremos de los cables:

{| class="wikitable"
! Una punta (Norma B)
! En el otro lado (Norma B)
|-----
| Blanco Naranja
| Blanco Naranja
|-bgcolor="#EFEFEF"
|-----
| Naranja
| Naranja
|-bgcolor="#EFEFEF"
|-----
| Blanco Verde
| Blanco Verde
|-bgcolor="#EFEFEF"
| Azul
| Azul
|-----
| Blanco Azul
| Blanco Azul
|-bgcolor="#EFEFEF"
| Verde
| Verde
|-----
| Blanco Marrón
| Blanco Marrón
|-bgcolor="#EFEFEF"
| Marrón
| Marrón
|}

== Conexión directa PC a PC a 100 Mbps ==
Si sólo se quieren conectar 2 PC, existe la posibilidad de colocar el orden de los colores de tal manera que no sea necesaria la presencia de un HUB. Es lo que se conoce como un cable cruzado de 100. El estándar que se sigue es el siguiente:

{| class="wikitable"
! Una punta (Norma B)
! En el otro lado (Norma A)
|-----
| Blanco Naranja
| Blanco Verde
|-bgcolor="#EFEFEF"
| Naranja
| Verde
|-----
| Blanco Verde
| Blanco Naranja
|-bgcolor="#EFEFEF"
| Azul
| Azul
|-----
| Blanco Azul
| Blanco Azul
|-bgcolor="#EFEFEF"
| Verde
| Naranja
|-----
| Blanco Marrón
| Blanco Marrón
|-bgcolor="#EFEFEF"
| Marrón
| Marrón
|}

== Cable cruzado automático ==
''[[Auto-MDIX|Configuración Automática MDI/MDI-X]]'' está especificado como una característica opcional en el [[Gigabit Ethernet|1000BASE-T standard]],<ref>Cláusula 40.4.4 en [[IEEE 802.3-2008]]</ref> lo que significa que directamente a través de cables trabajarán dos interfaces Gigabit capaces. Esta característica elimina la necesidad de cables cruzados, haciendo obsoletos los puertos uplink/normal y el selector manual de switches encontrado en muchos viejos [[concentrador]]es y [[Conmutador (dispositivo de red)|conmutadores]] y reduciendo significativamente errores de instalación. Nota que aunque la configuración automática MDI/MDI-X está implementada de forma general, un cable cruzado podría hacer falta en situaciones ocasionales en las que ninguno de los dispositivos conectados tiene la característica implementada y/o habilitada. Previo al estándar 1000Base-T, usar un cable cruzado para conectar un dispositivo a una red accidentalmente, usualmente significaba tiempo perdido en la resolución de problemas resultado de la incoherencia de conexión.

Incluso por legado los dispositivos 10/100, muchos NICs, switches y hubs automáticamente aplican un cable cruzado interno cuando es necesario. Además del eventualmente acordado ''Automático MDI/MDI-X'', esta característica puede también ser referida a varios términos específicos al vendedor que pueden incluir: ''Auto uplink and trade'', ''Universal Cable Recognition'' y''Auto Sensing'' entre otros.

== Véase también ==
* [[Registered jack]]
* [[RJ-11]]
* [[TIA-568B]]

== Referencias ==
{{listaref}}

== Enlaces externos ==
{{commons|RJ-45}}
* [http://www.pcproper.com/WhitePapers/Docs/Connector_Reference_Chart.htm Tabla de conectores RJ48, RJ45, RJ10, y más] (en inglés)
* [http://www.andy21.com/ip/red.html Conexionado de cableado de red, conector RJ-45])
* [http://www.pasarlascanutas.com/cable_cruzado/cable_cruzado.htm Crear cables de red]
* [http://todosloscomo.com/2007/11/07/como-armar-un-cable-utp/ Video de COMO hacer un cable de red UTP]

[[Category:Ciencias_Aplicadas_y_Tecnologías]] [[Category:Ciencias_informáticas_y_Telecomunicaciones]] [[Category:Ciencias_informáticas]] [[Category:Hardware]] [[Category:Periféricos_de_computadora]] [[Category:Controladores_de_hardware]]