2N7002 - Historial de revisiones

Iosneisy en 02:06 11 ene 2020

2020-01-11T02:06:17Z

Josefina: Texto reemplazado: «
» por «»

2019-08-24T10:51:37Z

Texto reemplazado: «<div align=justify>» por «»

Carlos idict: Texto reemplazado: «Category:» por «Categoría:»

2019-08-16T03:04:48Z

Texto reemplazado: «Category:» por «Categoría:»

Day.jc.scu en 23:04 11 dic 2017

2017-12-11T23:04:08Z

Orlando07021jcscu: Página creada con «{{Objeto|nombre= 2N7002 |imagen= 2N7002.jpg |tamaño=300x226px |descripcion= }}
'''2N7002''' es un transistor de efecto de campo (MOSFET) canal N, f...»

2017-12-11T20:33:18Z

Página creada con «{{Objeto|nombre= 2N7002 |imagen= 2N7002.jpg |tamaño=300x226px |descripcion= }} <div align=justify> '''2N7002''' es un transistor de efecto de campo (MOSFET) canal N, f...»

Página nueva

{{Objeto|nombre= 2N7002
|imagen= 2N7002.jpg
|tamaño=300x226px
|descripcion=
}}
<div align=justify>
'''2N7002''' es un [[transistor de efecto de campo]] (MOSFET) canal N, fabricado con tecnología de [[doble difusión]] [[(DMOS)]].

==Descripción==

[[2N7002]] es un [[transistor de efecto de campo]] (MOSFET) canal N mejorado, fabricado con alta densidad de celdas y tecnología de [[doble difusión]] [[(DMOS)]], que minimiza la resistencia en estado de conducción al tiempo que proporcionan un rendimiento de conmutación robusto, confiable y rápido. Se puede utilizar en la mayoría de aplicaciones que requieren hasta 400mA de [[corriente directa]], además puede proporcionar [[corrientes pulsantes]] de hasta 2A. Es apto para aplicaciones de baja tensión y baja corriente como control de pequeños servo motores y controladores de puerta MOSFET de potencia.

== Principales características ==

Voltaje drenaje - fuente (VDS): 60 V

Voltaje puerta - drenaje (VDG): 60 V

Voltaje puerta - fuente (VGS): 40 V

Voltaje umbral (VGS(th)): 2,1 V

Máxima corriente de drenaje continúa a 25 ºC (ID): 115 mA

Corriente máxima de drenaje pulsada (IDM): 800 mA

Corriente Máxima de Fuente Pulsada (ISM): 800 mA

Potencia de disipación (PD): 200 mW

Resistencia en estado de conducción (RDS (ON)): 1,2 Ω

Rango de temperatura de operación (TJ,TSTG): -55 a 150 ºC

Encapsulados: [[TO-92]] y [[SOT-23]] para [[montaje superficial]].

Equivalente: [[NTE491SM]]

==Aplicaciones==

Estos componentes son especialmente adecuados para aplicaciones de bajo [[voltaje]] y baja corriente, tales como control de pequeños servo motores, audio, controladores de puerta [[MOSFET]] de potencia, y otras aplicaciones de [[conmutación]].

==Enlaces externos==

http://www.farnell.com/datasheets/2299562.pdf?_ga=2.122299469.752735563.1507487198-2017880560.1507487198

http://datasheet.octopart.com/2N7002-7-F-Diodes-Inc.-datasheet-7280142.pdf

== Fuente ==

James F. Cox .Fundamentals of Linear Electronics: Integrated and Discrete. Cengage Learning, 2002

Simon Monk. Electronics Cookbook: Practical Electronic Recipes with Arduino and Raspberry Pi. "O'Reilly Media, Inc.", 2017

M. W. Brimicombe. Electronics Explained. Nelson Thornes, 2000

[[Category: Componentes electrónicos]]

@@ Línea 4: / Línea 4: @@
 |descripcion=
 }}
+'''2N7002'''. [[Transistor de efecto de campo]] (MOSFET) canal N, fabricado con  tecnología de [[doble difusión]] [[(DMOS)]].
 ==Descripción==
@@ Línea 13: / Línea 12: @@
 == Principales características ==
-Voltaje drenaje - fuente (VDS): 60 V
+* Voltaje drenaje - fuente (VDS): 60 V
+* Voltaje puerta - drenaje (VDG): 60 V
-Voltaje puerta - drenaje (VDG): 60 V
+* Voltaje puerta - fuente (VGS): 40 V
+* Voltaje umbral (VGS(th)): 2,1 V
-Voltaje puerta - fuente (VGS): 40 V
+* Máxima corriente de drenaje continúa a 25 ºC (ID): 115 mA
+* Corriente máxima de drenaje pulsada (IDM): 800 mA
-Voltaje umbral (VGS(th)): 2,1 V
+* Corriente Máxima de Fuente Pulsada (ISM): 800 mA
+* Potencia de disipación (PD): 200 mW
-Máxima corriente de drenaje continúa a 25 ºC (ID): 115 mA
+* Resistencia en estado de conducción  (RDS (ON)): 1,2 Ω
+* Rango de temperatura de operación (TJ,TSTG): -55 a 150 ºC
-Corriente máxima de drenaje pulsada (IDM): 800 mA
+* Encapsulados: [[TO-92]] y [[SOT-23]] para [[montaje superficial]].
+* Equivalente: [[NTE491SM]]
 ==Aplicaciones==
@@ Línea 41: / Línea 29: @@
 Estos componentes son especialmente adecuados para aplicaciones de bajo [[voltaje]] y baja corriente, tales como control de pequeños servo motores, audio, controladores de puerta [[MOSFET]] de potencia, y otras aplicaciones de [[conmutación]].
-== Fuente ==
+== Fuentes ==
-M. W. Brimicombe. Electronics Explained. Nelson Thornes, 2000
+* James F. Cox .Fundamentals of Linear Electronics: Integrated and Discrete. Cengage Learning, 2002
   [[Categoría: Componentes electrónicos]]

← Revisión anterior		Revisión del 03:04 16 ago 2019
Línea 49:		Línea 49:
	M. W. Brimicombe. Electronics Explained. Nelson Thornes, 2000		M. W. Brimicombe. Electronics Explained. Nelson Thornes, 2000

−	[[~~Category~~: Componentes electrónicos]]	+	[[Categoría: Componentes electrónicos]]

← Revisión anterior		Revisión del 23:04 11 dic 2017
Línea 40:		Línea 40:

	Estos componentes son especialmente adecuados para aplicaciones de bajo [[voltaje]] y baja corriente, tales como control de pequeños servo motores, audio, controladores de puerta [[MOSFET]] de potencia, y otras aplicaciones de [[conmutación]].		Estos componentes son especialmente adecuados para aplicaciones de bajo [[voltaje]] y baja corriente, tales como control de pequeños servo motores, audio, controladores de puerta [[MOSFET]] de potencia, y otras aplicaciones de [[conmutación]].
−
−	~~==Enlaces externos==~~
−
−	~~http://www.farnell.com/datasheets/2299562.pdf?_ga=2.122299469.752735563.1507487198-2017880560.1507487198~~
−
−	~~http://datasheet.octopart.com/2N7002-7-F-Diodes-Inc.-datasheet-7280142.pdf~~

	== Fuente ==		== Fuente ==