IRFZ10 - Historial de revisiones

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{{Objeto|nombre=MOSFET IRFZ10
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|descripcion=Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.
}}
<div align=justify>
'''MOSFET IRFZ10'''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de ráoida conmutación.
== Descripción ==
Este tipo de componente es fabricado por la [[International Rectifier]] de tercera generación HEXFETs proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, baja resistencia y costo-efectividad. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
Su encapsulado TO-220 es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía en niveles de alrededor de 50 vatios. La baja [[conductividad térmica]], resistencia y bajo costo del encapsulado TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta.

== Principales características ==
<div align=center>
{| class="wikitable" border="1"
|-
! Características
! Valor

|-
| [[Voltaje]] Drenador Surtidor (VDSS)
|60V
|-
|[[Corriente continua|Corriente]] de Drenador (ID)
| 10 A
|-
|[[Resistencia]] Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))
| 0.20Ω Máx
|-
|[[Potencia]] Total de Disipación ( PD)
|43W
|}
=== Fabricantes ===

{| class="wikitable" border="1"
|-
! Fabricantes
! Logo

|-
|[[NXP Semiconductors]]
|[[Image:NXP.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|[[International Rectifier]]
|[[Image:International_Rectifier.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|[[TRANSYS Electronics Limited]]
|[[Image:Transys Electronics Limited.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|[[ Suntac Electronic Corp.]]
|[[Image:SUNTAC.GIF|thumb|center|150px]]
|-
|[[Inchange Semiconductor Company Limited]]
|[[Image:ISC.GIF|thumb|center|150px]]
|}
<div align=left>
== Aplicaciones ==
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:

*[[Inversor|Inversores]]

*[[Fuente conmutada|Fuentes conmutadas]]

== Enlaces externos ==

== Fuentes ==
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

@@ Línea 43: / Línea 43: @@
 |-
 |[[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]]
-|[[Image:                 |thumb|center|150px]]
+|[[Image:New_Jersey_Semi-Conductor_Products,Inc..GIF|thumb|center|150px]]
 |-
 |[[ Vishay Siliconix]]
-|[[Image:     |thumb|center|150px]]
+|[[Image:Vishay_Siliconix.GIF|thumb|center|150px]]
 |}

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 == Principales características ==
-<div align=left>
+<div align=center>
 {| class="wikitable" border="1"
 |-
@@ Línea 31: / Línea 31: @@
 |43W
 |}
 === Fabricantes ===
@@ Línea 49: / Línea 50: @@
 |}
 <div align=left>
 == Aplicaciones ==
@@ Línea 58: / Línea 60: @@
 == Enlaces externos ==
-*http://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=3368
+*[http://alltransistors.com/es/mosfet/transistor.php?transistor=3368 alltransistors.com]
 == Fuentes ==
-*http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/143719/IRF/IRFZ10.html
+*[http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/143719/IRF/IRFZ10.html alldatasheet.com]
 *MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
 [[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

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 {{Objeto|nombre=MOSFET IRFZ10
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+|imagen=IRFZ10.jpg
 |tamaño=150px
 |descripcion=Componente  electrónico utilizado en circuitos de conmutación.
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 == Fuentes ==
-*[http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/143719/IRF/IRFZ10.html]
+*http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/143719/IRF/IRFZ10.html
 *MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
 [[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

@@ Línea 5: / Línea 5: @@
 }}
 <div align=justify>
-'''MOSFET IRFZ10'''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de ráoida conmutación.
+'''MOSFET IRFZ10'''. Es un [[transistor]] de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de rápida conmutación.
 == Descripción ==
-Este tipo de componente es fabricado por la [[International Rectifier]]  de tercera generación HEXFETs proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, baja resistencia y costo-efectividad. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
+Este tipo de componente  de tercera generación HEXFETs es fabricado por la [[International Rectifier]] entre otros, proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, baja resistencia y costo-efectividad. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
 Su encapsulado TO-220 es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía en niveles de alrededor de 50 vatios. La baja [[conductividad térmica]], resistencia y bajo costo del encapsulado TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.  Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta.
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 ! Logo
 |-
 |[[International Rectifier]]
 |[[Image:International_Rectifier.GIF|thumb|center|150px]]
 |-
-|[[TRANSYS Electronics Limited]]
+|[[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]]
-|[[Image:Transys Electronics Limited.GIF|thumb|center|150px]]
+|[[Image:                 |thumb|center|150px]]
 |-
-|[[        Suntac Electronic Corp.]]
+|[[ Vishay Siliconix]]
-|[[Image:SUNTAC.GIF|thumb|center|150px]]
+|[[Image:     |thumb|center|150px]]
-|-
 |}
 <div align=left>