Tiristor controlado por MOS - Historial de revisiones

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 |descripcion=Tiristor de última generación.
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 '''Tiristor controlado por MOS (MCT).''' El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del [[Transistor MOSFET|MOSFET]] y el [[tiristor]]. Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado y su aplicación fundamental es en la electrónica de potencia.
 == Extructura ==

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 *MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
 *[http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/dc-ac/tiristor.htm# tiristor]
-[[Category:Ciencias_Aplicadas_y_Tecnologías]][[Category:Electrónica]]
+[[Category:Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

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 '''Tiristor controlado por MOS (MCT).''' El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del [[Transistor MOSFET|MOSFET]] y el [[tiristor]]. Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado y su aplicación fundamental es en la electrónica de potencia.
 == Extructura ==
 [[Image:Ext1.jpg|thumb|right|150px|Figura I.]]

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 '''Tiristor controlado por MOS (MCT).''' El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del [[Transistor MOSFET|MOSFET]] y el [[tiristor]]. Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado y su aplicación fundamental es en la electrónica de potencia.

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 Debido         a que el tiempo de apagado del MCT es muy bajo (cerca de 1.5 ms) y         que posee un elevado di/dt (1000 A/ms) y dv/dt ( 5000 V/ms), éstas         características superiores lo convierten en un dispositivo de         conmutación ideal y posee un tremendo potencial para aplicaciones         en motores de media y alta [[potencia]], así como en distintas         aplicaciones en la [[electrónica de potencia]].
-== Fuente ==
+== Fuentes ==
 *MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
 *[http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/dc-ac/tiristor.htm# tiristor]
 [[Category:Ciencias_Aplicadas_y_Tecnologías]][[Category:Electrónica]]

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 |descripcion=Tiristor de última generación
-}}'''Tiristor controlado por MOS (MCT).''' El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del [[MOSFET]] y el [[tiristor]]. Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado y su aplicación fundamental es en la electrónica de potencia.
+}}'''Tiristor controlado por MOS (MCT).''' El MCT es otro dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del [[Transistor MOSFET|MOSFET]] y el [[tiristor]]. Recientemente se puso en disponibilidad en el mercado y su aplicación fundamental es en la electrónica de potencia.
 == Extructura ==
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 El circuito equivalente se muestra en la figura I y el símbolo correspondiente en la II. La estructura NPNP se puede representar por un transistor NPN Q1 y con un transistor Q2. La estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de canal n M2.
 == Principio de funcionamiento ==
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 Supongamos que el MCT está en estado de conducción, y se aplica un voltaje positivo VGA. Se forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan lateralmente electrones de la base n B2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a través del canal n del emisor n+ fuertemente contaminado de Ql (drenaje D2 del MOSFET M2 del canal n+). Este flujo de electrones desvía la corriente de base del transistor PNP Q2 de tal forma que su unión base-emisor se desactiva, y ya no habrá huecos disponibles para recolección por la base p B1 de Q1 (y el colector p C2 de Q2). La eliminación de esta corriente de huecos en la base p B1, hace que se desactive el transistor NPN Q1, y el MCT regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo de compuerta VGA, desvía la corriente que excita la base de Ql, desactivando por lo tanto el MCT.
-El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico de especificación, puede provocar la destrucción del dispositivo. Para valores más altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estándar. Los anchos de pulso de la compuerta no son críticos para dispositivos de corrientes pequeñas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivación debe ser mayor. Además, durante la desactivación, la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del período de encendido/apagado a fin de evitar ambigüedad en el estado.
+El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico de especificación, puede provocar la destrucción del dispositivo. Para valores más altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estándar. Los anchos de pulso de la compuerta no son críticos para dispositivos de corrientes pequeñas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivación debe ser mayor. Además, durante la desactivación, la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo [[inversores]] y [[pulsadores]], se requiere, de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del período de encendido/apagado a fin de evitar ambigüedad en el estado.
 == Características ==