Transistor - Historial de revisiones

Iosneisy en 02:53 11 ene 2020

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‎Véase También

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‎Generalidades

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 *[[2N5484]]
 *[[2N7002]]
 == Fuentes  ==

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-== Véase También  ==
+== Véase también  ==
 *[[Electrónica]]
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 *[[BUW84]]
 *[[BUY89]]
 == Fuentes  ==

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 {{Objeto|nombre=Transistor|imagen=Transistores_varios123.jpg‎|descripcion=Componente electrónico en estado sólido basado en la física de los semiconductores}}
-<div align="justify">
 '''El transistor'''. Dispositivo electrónico en estado sólido, cuyo principio de funcionamiento se basa en la [[física]] de los [[Semiconductor|semiconductores]]. Este cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término “transistor” es la contracción en inglés de ''transfer resistor'' (“resistencia de transferencia”). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: [[radio]]s, [[televisor]]es, [[grabadora]]s, [[reproductor]]es de [[audio]] y [[video]], hornos de microondas, lavadoras, [[automóvil]]es, equipos de refrigeración, alarmas, [[reloj]]es de cuarzo, [[Microcomputadora|computadoras]], calculadoras, [[impresoras]], [[lámparas fluorescentes]], equipos de [[rayos X]], [[tomógrafo]]s, [[ecógrafo]]s, reproductores [[mp3]], [[teléfonos móviles]], etc. Este dispositivo semiconductor permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña.

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 *[[BD239]]
 *[[BD242]]
 == Fuentes  ==

@@ Línea 113: / Línea 113: @@
 *[[BC327]]
 *[[BDV64]]
 == Fuentes  ==

@@ Línea 111: / Línea 111: @@
 *[[Diodos]]
 *[[2SC2999]]
 == Fuentes  ==

@@ Línea 106: / Línea 106: @@
 *[[Electrónica]]
-*[[Ley_de_Ohm|Ley
+*[[Ley de Ohm]]
- de Ohm]]
+*[[Leyes (o Lemas) de Kirchhoff]]
 *[[Resistores]]
 *[[Diodos]]
 == Fuentes  ==

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 == Generalidades  ==
-Sus inventores, [[John Bardeen]], [[William Shockley]] y [[Walter Brattain]], lo llamaron así por la propiedad que tiene de cambiar la [[Resistencia Eléctrica|resistencia]] al paso de la [[Corriente eléctrica|corriente eléctrica]] entre el [[emisor]] y el [[receptor]].
+Sus inventores, [[John Bardeen]], [[William Shockley]] y [[Walter Brattain]], lo llamaron así por la propiedad que tiene de cambiar la [[Resistencia eléctrica|resistencia]] al paso de la [[Corriente eléctrica|corriente eléctrica]] entre el [[emisor]] y el [[receptor]].
 El transistor tiene tres partes, como el [[Tríodo|triodo]]. Una que emite [[electrones]] (emisor), otra que los recibe o recolecta (colector) y otra con la que se modula el paso de dichos electrones (base). Una pequeña señal eléctrica aplicada entre la base y el emisor modula la corriente que circula entre emisor y receptor.

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 También llamado de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
 === Transistor bipolar  ===
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 El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
 ==== Configuraciones  ====