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'''2sc458''' es un [[transistor]] bipolar NPN de [[silicio]] (Si) de propósito general fabricado con tecnología epitaxial comunmente
usado como amplificador para niveles de señal bajas - medias.

== Descripción ==

Los transistores de unión (BTJ) están compuestos por dos uniones PN, las que dividen el cristal de silicio en tres regiones, base
(B), emisor (E) y colector (C), a cada una de estas regiones se le asocia un electrodo para su conexión y en condiciones de funcionamiento circulará por cada uno de ellos una corriente IE, IB, o IC.

Este transistor está construido con técnica epitaxial, donde el colector es una capa N de silicio fuertemente impurificada de baja resistencia, sobre la cual se hace crecer una fina capa de silicio de elevada resistencia que constituirá la base, después se recubre
con una capa de óxido de silicio, en la que se hace una ventana por la cual mediante difusión, se obtiene la capa que constituirá el emisor. Los transistores producidos con esta técnica también se denominan transistores '''mesa'''.

El nombre de este componente electrónico comienza con '''2SC''', indicando el '''2''', que es un transistor, la '''S''' que es japonés, y la '''C''', que es tipo NPN diseñado para trabajos en alta frecuencia.

Este componente electrónico presenta encapsulado '''TO-92''' y su par complementario recomendado es el transistor PNP 2SA1031 y 2SA1032.

== Valores máximos absolutos ==

{| class="wikitable" border="1"
|-
! Parámetro
! Símbolo
! Valor
|-
|Voltaje colector base
|VCBO
|30V
|-
|Voltaje colector emisor
|VCEO
|30V
|-
|Voltaje emisor base
|VEBO
|5V
|-
|Corriente de colector
|Ic
|100 ma
|-
|Disipación de potencia
|Pc
|200 mw
|-
|Temperatura de unión
|Tj
|150 grados C
|}

== Otras características eléctricas a 25 grados C ==

*Corriente de corte de colector (ICBO) = 500 na a VCB = 18 V
*Corriente de corte de emisor IEBO = 500 na a VEB = 2 V
*Voltaje de saturación Colector emisor VCE(sat) desde 0,1 a 0.3 V
*Producto ganancia ancho de banda típico fT = 230 a VCE = 12 V, IC = 2 mA
*Ganancia de corriente directa hFE = 100 – 500 a VCE=12V, IC=2mA
<br>hFE para el 2SC458 (LG) según la última letra
*B = 100 - 200
*C = 160 - 320
*D = 250 - 500

== Usos ==

Principalmente en circuitos amplificadores de audio (AF amplifier) y [[circuitos]] de conmutación de baja velocidad. Se puede encontrar en etapas preamplificadoras, tonos, en [[electrónica]] para la medicina y para autos.

== Enlaces externos ==

*[http://www.alldatasheet.es/datasheet-pdf/pdf/62941/HITACHI/2SC458.html Hoja de datos en alldatasheet]
*[http://www3.uah.es/vivatacademia/anteriores/n39/docencia.htm fabricación de transistores]
*[http://www.electronica-pt.com/db/componentes.php?ref=2SC458 Transistores equivalentes]

== Fuentes ==

*Ing. Gilberto García Santamaría, Electrónica Básica, Dispositivos electrónicos y sus aplicaciones. Pag 118-120
*[https://www.ecured.cu/Transistor_2SC945 Transistor 2SC945 en Ecured]
*[http://www.monografias.com/trabajos71/transistor-bipolar/transistor-bipolar.shtml Artículo en la Web Monografías.com]

[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

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-|descripcion=  Encapsulado y pines
+|descripcion=  Transistor 2SC458. Encapsulado y simbología
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 *[http://www.alldatasheet.es/datasheet-pdf/pdf/62941/HITACHI/2SC458.html  Hoja de datos en alldatasheet]
-*[http://www3.uah.es/vivatacademia/anteriores/n39/docencia.htm  fabricación de transistores]
+*[http://www3.uah.es/vivatacademia/anteriores/n39/docencia.htm  Fabricación de transistores]
 *[http://www.electronica-pt.com/db/componentes.php?ref=2SC458 Transistores equivalentes]
 == Fuentes ==

Transistor 2SC458 - Historial de revisiones

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