Torres87 en 13:38 26 sep 2014

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{{Ficha Hardware
| nombre = KT361A
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'''Transistor KT361A'''. Transistor bipolar de uso general, de baja potencia, construido a base de silicio.

== Estructura ==

Está formado por tres cristales de silicio, dos de ellos con impurezas aceptoras de electrones, que forman las zonas P y un cristal con impurezas donadoras de electrones, que forma la zona N. El cristal de tipo N está colocado entre los dos cristales del tipo P. De cada uno de los cristales se extienden un electrodo al exterior del encapsulado, los que constituyen la base, el colector y el emisor.

Es un transistor de uso general y de un amplio rango de frecuencia de trabajo.

[[Image: transistor1_kt315A.JPG|thumb|right|Encapsulado]]

== Características ==

Fabricante: Rusia
Polaridad: P-N-P
Corriente máxima de colector: 100 mA
Voltaje colector emisor máximo: 25 Voltios
Voltaje emisor base máximo: 4 Voltios
Frecuencia máxima: 250 MHz
Potencia colector máxima: 150 mW
Ganancia típica de la corriente directa (hfe): 20-90
Transistor complementario KT315

== Usos ==

Transmisores de radio
Radio receptores
Amplificadores de audio
Equipos médicos
Amplificadores de audio

== Fuentes ==
Manual del instrumentista. Editado por el Centro de Automatización Industrial. Cuba.
Transistores y diodos soviéticos. Libros y conferencias. Materia 10. La Habana.
[[Category: Electrónica]][[Category:Componentes electrónicos]]

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 == Estructura ==
-Está formado por tres cristales de silicio, dos de ellos con impurezas aceptoras de electrones, que forman las zonas P y un cristal con impurezas donadoras de electrones, que forma la zona N. El cristal de tipo N está colocado entre los dos cristales del tipo P. De cada uno de los cristales se extienden un electrodo al exterior del encapsulado, los que constituyen la base, el colector y el emisor.
+Está formado por tres cristales de silicio, dos de ellos con impurezas aceptoras de electrones, que forman las zonas P y un [[cristal]] con impurezas donadoras de electrones, que forma la zona N. El cristal de tipo N está colocado entre los dos cristales del tipo P. De cada uno de los cristales se extienden un [[electrodo]] al exterior del encapsulado, los que constituyen la base, el colector y el emisor.
 Es un transistor de uso general y de un amplio rango de frecuencia de trabajo.
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 *Fabricante: Rusia
 *Polaridad: P-N-P
-*Corriente máxima de colector: 100 mA
+*[[Corriente]] máxima de colector: 100 mA
-*Voltaje colector emisor máximo: 25 Voltios
+*[[Voltaje]] colector emisor máximo: 25 [[Voltio]]s
 *Voltaje emisor base máximo: 4 Voltios
 *Frecuencia máxima: 250 MHz
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 == Usos ==
-*Transmisores de radio
+*[[Transmisores de radio]]
-*Radio receptores
+*[[Radio receptores]]
-*Amplificadores de audio
+*[[Amplificadores de audio]]
-*Equipos médicos
+*[[Equipos médicos]]
-*Amplificadores de audio
+*[[Amplificadores de audio]]
 == Fuentes ==

Transistor KT361A - Historial de revisiones

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