Diferencia entre revisiones de «Memorias de acceso secuencial»

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{{Objeto|nombre=Memorias de acceso secuencial|imagen=Portada_FIFO.JPG‎‎|descripcion= Secuencia de datos en memoria FIFO}}
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''' Memorias de acceso secuencial''': memorias a las que no se puede acceder directamente a la célula deseada, sino que para llegar a ella ha de pasarse obligatoriamente por todas las que preceden. En estas memorias si se quiere leer o escribir en una determinada posición es necesario ir pasando una por una todas las posiciones precedentes hasta llegar a la deseada y entonces realizar la operación.
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| nombre = Memorias de acceso secuencial
 
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== Clasificación de memorias semiconductoras ==  
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}}'''Memorias de acceso secuencial.''' Memorias a las que no se puede acceder directamente a la [[célula]] deseada, sino que para llegar a ella ha de pasarse obligatoriamente por todas las que preceden. En estas memorias si se quiere leer o escribir en una determinada posición es necesario ir pasando una por una todas las posiciones precedentes hasta llegar a la deseada y entonces realizar la operación.
 
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== Clasificación general de las memorias semiconductoras ==
 
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== Clasificación de las memorias por la forma de acceso a la información ==
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==Clasificación de las memorias por la forma de acceso a la información ==
=== Memorias de Acceso Aleatorio ===  
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Denominadas usualmente RAM (Ramdon Access Memory), son memorias en las que cualquier información puede leerse o escribirse con el mismo tiempo de acceso, cualquiera que sea la célula de memoria elegida
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*Memorias de acceso aleatorio
 
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*Memoria de acceso secuencial o serie
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=== Memorias de acceso aleatorio ===
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Denominadas usualmente [[RAM]] (Ramdon Access Memory), son memorias en las que cualquier información puede leerse o escribirse con el mismo tiempo de acceso, cualquiera que sea la célula de [[memoria]] elegida.
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=== Memoria de acceso secuencial o serie ===
 
=== Memoria de acceso secuencial o serie ===
 
Para la lectura o escritura de una determinada célula, es preciso leer todas las células que le preceden físicamente 
 
Memoria asociativa.
 
Es una memoria direccionable por su contenido, no por una dirección.
 
 
   
 
   
==== Clasificación de las memorias de acceso secuencial ====  
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Para la lectura o escritura de una determinada célula, es preciso leer todas las células que le preceden físicamente
 
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===== Memorias FIFO (First In - First Out) =====
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*Memoria asociativa: Es una memoria direccionable por su contenido, no por una dirección.
Consiste en un conjunto de registros de desplazamiento en los que el primer dato guardado es el primer dato leído.
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Los datos se van leyendo en     el mismo orden en que se escribieron.
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== Clasificación de las memorias de acceso secuencial ==
Permiten que los datos se     escriban a una velocidad y se lean a otra.
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Actúa como buffer de datos     entre sistemas diferentes:
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=== Memorias FIFO (First In - First Out) ===
  Un sistema escribe datos rápidamente y luego se dedica a otras tareas, mientras que el otro sistema lo va leyendo lentamente.
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Consiste en un conjunto de registros de desplazamiento en los que el primer dato guardado es el primer dato leído. Los datos se van leyendo en el mismo orden en que se escribieron. Permiten que los datos se escriban a una velocidad y se lean a otra.
Arquitecturas principales  
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Actúa como buffer de datos entre sistemas diferentes:
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Un sistema escribe datos rápidamente y luego se dedica a otras tareas, mientras que el otro sistema lo va leyendo lentamente.
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Arquitecturas principales
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Toogle Fall-Through: con desplazamiento de datos.
 
Toogle Fall-Through: con desplazamiento de datos.
 
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Zero Fall-Throug: sin desplazamiento de datos.
 
Zero Fall-Throug: sin desplazamiento de datos.
 
 
   
 
   
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===Memorias LIFO (Last In - First Out)===
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Son dispositivos en los que el último dato almacenado es el primer dato leído. También llamadas memorias pila. Tienen dos operaciones:
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*Push: escritura
 
   
 
   
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*Pop: lectura
 
   
 
   
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Los datos de entrada se van apilando haciendo Push y cuando se hace Pop, se lee el dato que esté en la cima de la [[pila]].
 
   
 
   
===== Memorias LIFO (Last In - First Out) =====
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Las hay de dos tipos principalmente:
 
   
 
   
Son dispositivos en los que el último dato almacenado es el primer dato leído. También llamadas memorias pila.
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LIFO basada en [[registros de desplazamiento]].
 
   
 
   
Tienen dos operaciones
 
 
Push: escritura
 
Pop: lectura
 
 
Los datos de entrada se van      apilando haciendo Push y cuando se hace Pop, se lee el dato que esté en la      cima de la pila.
 
Las hay de dos tipos      principalmente:
 
LIFO basada en registros de desplazamiento.
 
 
LIFO basada en RAM + puntero.
 
LIFO basada en RAM + puntero.
[[Image: LIFO.JPG‎ ‎ ‎|thumb|left|367x309px|Secuencia de datos en memoria LIFO]]
 
 
 
 
 
   
 
   
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[[Image: LIFO.jpeg|thumb|ritgh|367x309px|Secuencia de datos en memoria LIFO]]
 
   
 
   
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===Memorias CCD (Charge-Coupled Device, dispositivo de carga acoplada)===
 
   
 
   
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Son dispositivos formados por una gran cantidad de [[condensadores]], [[semiconductores]] denominados canales. La información se introduce en serie por el canal, y se desplaza a lo largo del canal a una velocidad fijada por una señal de reloj. Se utilizan en las cámaras de vídeo digitales.
 
   
 
   
 
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Suelen usarse como memoria de [[vídeo]].
 
 
 
 
 
 
 
   
 
   
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Se acompañan de una RAM que se usa como almacenamiento masivo.
 
   
 
   
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El registro de desplazamiento cíclico permite dos opciones en función de la señal de control REC.
 
   
 
   
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REC=1: desplazamiento hacia la derecha
 
   
 
   
==== Memorias CCD (Charge-Coupled Device, dispositivo de carga acoplada) ====
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REC=0: desplazamiento hacia la izquierda
 
 
Son dispositivos formados por una gran cantidad de condensadores semiconductores denominados canales. La información se introduce en serie por el canal, y se desplaza a lo largo del canal a una velocidad fijada por una señal de reloj. Se utilizan en las cámaras de video digitales.
 
 
   
 
   
Suelen usarse como memoria de vídeo.
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=== Aplicaciones ===
Se acompañan de una RAM que se usa como almacenamiento masivo.
 
El registro de      desplazamiento cíclico permite dos opciones en función de la señal de      control REC.
 
 
 
REC=1: desplazamiento hacia la derecha
 
REC=0: desplazamiento hacia la izquierda
 
 
 
 
   
 
   
== Aplicaciones ==
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Las memorias de acceso secuencial, obviamente no son de aplicación como memorias de datos o de programas de un ordenador ya que en el caso de tener que acceder, por ejemplo, a la palabra o posición de memoria número 256 K y suponiendo que se pudiera pasar de una posición a otra en 100ns, se necesitaría en el caso peor un tiempo de más de 25ms, para obtener la información deseada, esto es inadmisible en un [[ordenador]].  
Las memorias de acceso secuencial , obviamente no son de aplicación como memorias de datos o de programas deun ordenador ya que en el caso de tener que acceder , por ejemplo, a la palabra o posición de memoria número 256 K y suponiendo que se pudiera pasar de una posición a otra en 100ns, se necesitaría en el caso peor un tiempo de más de 25ms, para obtener la información deseada, esto es inadmisible en un ordenador. Sin embargo , en los perifericos de los ordenadores  o en general en terminales de sistemas de transmisión de datos, existen muchas veces necesidadde disponer  de pequeñas  memorias temporales cíclicas que almacenan una información recibida  y tienen por mision presentar esta información periódicamente.  
 
 
   
 
   
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Sin embargo, en los [[periféricos]] de los ordenadores o en general en terminales de sistemas de transmisión de datos, existen muchas veces necesidad de disponer de pequeñas memorias temporales cíclicas que almacenan una [[información]] recibida y tienen por misión presentar esta información periódicamente.
 
   
 
   
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== Fuente ==
 
== Fuente ==
*Microelectronics, Jacob Millman, 1979
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*Electrónica Digital. Julio Díaz Calvo. Editorial Pueblo y Educación, 1989
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* Millman, Jacob. (1979). Microelectronics.
[[Category:Electrónica]]
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* Díaz Calvo, Julio. (1989). Electrónica Digital. Ciudad de La Habana : Editorial Pueblo y Educación.
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[[Category:Periféricos de computadora]]  [[Category: Hardware]]  [[Category: Dispositivos de almacenamiento]]

última versión al 15:04 2 jul 2013

Memorias de acceso secuencial
Información sobre la plantilla
Portada FIFO.JPG
Memorias en la cuales para acceder a un registro en particular se tienen que leer registro por registro desde el inicio hasta alcanzar el registro particular que contiene el dato que se requiere.

Memorias de acceso secuencial. Memorias a las que no se puede acceder directamente a la célula deseada, sino que para llegar a ella ha de pasarse obligatoriamente por todas las que preceden. En estas memorias si se quiere leer o escribir en una determinada posición es necesario ir pasando una por una todas las posiciones precedentes hasta llegar a la deseada y entonces realizar la operación.

Clasificación general de las memorias semiconductoras

Clasificación de las memorias semiconductoras

Clasificación de las memorias por la forma de acceso a la información

  • Memorias de acceso aleatorio
  • Memoria de acceso secuencial o serie

Memorias de acceso aleatorio

Denominadas usualmente RAM (Ramdon Access Memory), son memorias en las que cualquier información puede leerse o escribirse con el mismo tiempo de acceso, cualquiera que sea la célula de memoria elegida.

Memoria de acceso secuencial o serie

Para la lectura o escritura de una determinada célula, es preciso leer todas las células que le preceden físicamente

  • Memoria asociativa: Es una memoria direccionable por su contenido, no por una dirección.

Clasificación de las memorias de acceso secuencial

Memorias FIFO (First In - First Out)

Consiste en un conjunto de registros de desplazamiento en los que el primer dato guardado es el primer dato leído. Los datos se van leyendo en el mismo orden en que se escribieron. Permiten que los datos se escriban a una velocidad y se lean a otra.

Actúa como buffer de datos entre sistemas diferentes:

Un sistema escribe datos rápidamente y luego se dedica a otras tareas, mientras que el otro sistema lo va leyendo lentamente.

Arquitecturas principales

Toogle Fall-Through: con desplazamiento de datos.

Zero Fall-Throug: sin desplazamiento de datos.

Memorias LIFO (Last In - First Out)

Son dispositivos en los que el último dato almacenado es el primer dato leído. También llamadas memorias pila. Tienen dos operaciones:

  • Push: escritura
  • Pop: lectura

Los datos de entrada se van apilando haciendo Push y cuando se hace Pop, se lee el dato que esté en la cima de la pila.

Las hay de dos tipos principalmente:

LIFO basada en registros de desplazamiento.

LIFO basada en RAM + puntero.

Secuencia de datos en memoria LIFO

Memorias CCD (Charge-Coupled Device, dispositivo de carga acoplada)

Son dispositivos formados por una gran cantidad de condensadores, semiconductores denominados canales. La información se introduce en serie por el canal, y se desplaza a lo largo del canal a una velocidad fijada por una señal de reloj. Se utilizan en las cámaras de vídeo digitales.

Suelen usarse como memoria de vídeo.

Se acompañan de una RAM que se usa como almacenamiento masivo.

El registro de desplazamiento cíclico permite dos opciones en función de la señal de control REC.

REC=1: desplazamiento hacia la derecha

REC=0: desplazamiento hacia la izquierda

Aplicaciones

Las memorias de acceso secuencial, obviamente no son de aplicación como memorias de datos o de programas de un ordenador ya que en el caso de tener que acceder, por ejemplo, a la palabra o posición de memoria número 256 K y suponiendo que se pudiera pasar de una posición a otra en 100ns, se necesitaría en el caso peor un tiempo de más de 25ms, para obtener la información deseada, esto es inadmisible en un ordenador.

Sin embargo, en los periféricos de los ordenadores o en general en terminales de sistemas de transmisión de datos, existen muchas veces necesidad de disponer de pequeñas memorias temporales cíclicas que almacenan una información recibida y tienen por misión presentar esta información periódicamente.

Fuente

  • Millman, Jacob. (1979). Microelectronics.
  • Díaz Calvo, Julio. (1989). Electrónica Digital. Ciudad de La Habana : Editorial Pueblo y Educación.