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Este tipo de componente es fabricado por diferentes productores como son; [[Thoshiba Semiconductor]], [[INCHANGE Semiconductor]] y [[SavantIC  Semiconductor]]. Se fabrican con el encapsulado TO-220A con una distribución de pines base, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y es de polaridad NPN. Estos se destacan por sus características robustas en cuanto a voltaje, corriente y potencia. Su complementario es el [[transistor 2SA473]].
 
Este tipo de componente es fabricado por diferentes productores como son; [[Thoshiba Semiconductor]], [[INCHANGE Semiconductor]] y [[SavantIC  Semiconductor]]. Se fabrican con el encapsulado TO-220A con una distribución de pines base, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y es de polaridad NPN. Estos se destacan por sus características robustas en cuanto a voltaje, corriente y potencia. Su complementario es el [[transistor 2SA473]].
 
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Revisión del 08:23 12 jun 2018

Transistor 2SC1173
Información sobre la plantilla
2sc1173.jpg
Transistor de Potencia NPN

Transistor 2SC1173. Es un transistor de Silicio de alta potencia de tipo NPN.

Descripción

Este tipo de componente es fabricado por diferentes productores como son; Thoshiba Semiconductor, INCHANGE Semiconductor y SavantIC Semiconductor. Se fabrican con el encapsulado TO-220A con una distribución de pines base, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y es de polaridad NPN. Estos se destacan por sus características robustas en cuanto a voltaje, corriente y potencia. Su complementario es el transistor 2SA473.

Figura I.

Principales características

Características Valor
Voltaje Colector-Emisor (Vce0) 30V
Corriente de Colector (IC) 3A
Ganancia mínima 25
Potencia Total de Disipación ( PD) 25W
Frecuencia de Trabajo (Ft) 100MHz

Aplicaciones

• Amplificadores de potencia de baja frecuencia
• Regulador de potencia.

Enlaces Externos

Fuentes