Diferencia entre revisiones de «Transistor 2SD2091»
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| − | Este tipo de componente es fabricado por ROHM Semiconductor. Se fabrican con el encapsulado TO-220FP con una distribución de pines base, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y es de polaridad NPN. Es un transistor Darlington que cuenta con el siguiente circuito equivalente (Ver Figura.II), como se puede apreciar tiene un [[zener]] de 90 [[Volt]] entre la base y el colector, una resistencia R1 de 3.5 kΩ, otra llamada R2 de 300 Ω y el diodo damper entre colector y emisor. Todos estos elementos hacen que este transistor sea altamente resistente a la sobretensión y por su chasis moldeado puede disipar fácilmente el calor. | + | Este tipo de componente es fabricado por la ROHM Semiconductor. Se fabrican con el encapsulado TO-220FP con una distribución de pines base, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y es de polaridad NPN. Es un transistor Darlington que cuenta con el siguiente circuito equivalente (Ver Figura.II), como se puede apreciar tiene un [[zener]] de 90 [[Volt]] entre la base y el colector, una resistencia R1 de 3.5 kΩ, otra llamada R2 de 300 Ω y el diodo damper entre colector y emisor. Todos estos elementos hacen que este transistor sea altamente resistente a la sobretensión y por su chasis moldeado puede disipar fácilmente el calor. |
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Archivo:Dist_Pines_2SD2091.jpg|Figura I. | Archivo:Dist_Pines_2SD2091.jpg|Figura I. | ||
última versión al 11:12 6 ago 2018
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Transistor 2SD2091. Es un transistor Darlington de polaridad NPN y fabricado por la ROHM Semiconductor.
Descripción
Este tipo de componente es fabricado por la ROHM Semiconductor. Se fabrican con el encapsulado TO-220FP con una distribución de pines base, colector y emisor de derecha a izquierda (Ver Figura.I) y es de polaridad NPN. Es un transistor Darlington que cuenta con el siguiente circuito equivalente (Ver Figura.II), como se puede apreciar tiene un zener de 90 Volt entre la base y el colector, una resistencia R1 de 3.5 kΩ, otra llamada R2 de 300 Ω y el diodo damper entre colector y emisor. Todos estos elementos hacen que este transistor sea altamente resistente a la sobretensión y por su chasis moldeado puede disipar fácilmente el calor.
Figura I.
Figura II.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Colector-Emisor (Vce0) | 90V |
| Corriente de Colector (IC) | 2 A |
| Ganancia mínima | 1000 |
| Potencia Total de Disipación ( PD) | 2W |
| Frecuencia de Trabajo (Ft) | 80Mhz |
Aplicaciones
• Para amplificadores de potencia de baja frecuencia.
