Transistor BC640

BC640 Transistor. Conectado a: A otros componentes electrónicos. Fabricantes: Japón, China, Estados Unidos y otros países.

BC640C . Es un transistor bipolar de potencia media, compuesto por Silicio

Composición del transistor

Es un transistor de potencia mediaen un encapsulado A-92; SOT54 plástico paquete. PNP compuesto por silicio, en su composición posee una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.

Características

• Material: Si
• La estructura de transistor: p-n-p
• Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 1W
• Limite el colector DC-base (Ucb): 80V
• Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 80V
• Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V
• Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 1A
• Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C
• Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 50MHz

Usos

• Amplificadores de audio
• Amplificadores de video
• Equipos informáticos

Transistores equivalentes

BC635, BC637 yBC639

Fuentes

• Artículo [1] disponible en la Web “http://www.pcpaudio.com” Consultado: 27 de octubre de 2013.

Fuente de img: http://www.bgmicro.com/trnbc850c.aspx