Transistor IRF830
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IRF830. Es un transistor tipo MOSFET construido con tecnología MOS.
Sumario
El transistor IRF830
El transistor IRF830 es del tipo MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS). Es dispositivo de efecto de campo que utiliza un campo eléctrico para crear una canal de conducción. La mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS. El terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula.
Características eléctricas específicas
Estructura del transistor: MOSFET Tipo de control de canal: N-Channel Potencia máxima disipación de flujo constante (Pd) del transistor: 100W tensión de ruptura drenaje-fuente (Uds): 500V Escurra-gate tensión límite (Udg): 500V Umbral de tensión compuerta-fuente (Ugs): 20V La puerta de la corriente máxima del transistor (Id): 4.5A Temperatura máxima (Tj): 150�C Tiempo de subida (Fr): 60/42 Capacidad de flujo (Cd), pf: 800 Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Om: 1.500
Aplicaciones
Las aplicaciones más comunes son:
- Resistencia controlada por tensión.
- Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
- Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
Ventajas de su uso
- Consumo en modo estático muy bajo.
- Tamaño muy inferior al transistor bipolar.
- Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
- Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tiene una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios.
- Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
- La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
- Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.
Fuentes
- Artículo [1] disponible en la Web “http://www.unicrom.com” Consultado: 27 de septiembre de 2011.
