Diferencia entre revisiones de «Transistor MOSFET IRFBC40»
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Este tipo de componente es fabricado por varios fabricantes dentro de los que se encuentran la International Rectifier, STMicroelectronics, Vishay Siliconix entre otros. Diseñados, probados y garantizados para soportar un nivel de energía especificado. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Su encapsulado es TO-220AB, su distribución de pines y simbología se muestra en la figura I y II respectivamente. | Este tipo de componente es fabricado por varios fabricantes dentro de los que se encuentran la International Rectifier, STMicroelectronics, Vishay Siliconix entre otros. Diseñados, probados y garantizados para soportar un nivel de energía especificado. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Su encapsulado es TO-220AB, su distribución de pines y simbología se muestra en la figura I y II respectivamente. | ||
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Revisión del 21:31 9 dic 2018
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MOSFET IRFBC40. Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de Potencia y canal N.
Descripción
Este tipo de componente es fabricado por varios fabricantes dentro de los que se encuentran la International Rectifier, STMicroelectronics, Vishay Siliconix entre otros. Diseñados, probados y garantizados para soportar un nivel de energía especificado. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Su encapsulado es TO-220AB, su distribución de pines y simbología se muestra en la figura I y II respectivamente.
Principales características
| Características | Valor |
|---|---|
| Voltaje Drenador Surtidor (VDSS) | 600V |
| Corriente de Drenador (ID) | 6.2 A |
| Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) | 1.2Ω Máx |
| Potencia Total de Disipación ( PD) | 125W |
Aplicaciones
Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:
- Controladores de motores eléctricos.
- Controladores de Relé
- Fuentes conmutadas
Fuentes
- www.alphacron.de
- MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
