Diferencia entre revisiones de «Transistor sup85n10-10»
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(→Aplicaciones) |
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| Línea 19: | Línea 19: | ||
== Especificaciones == | == Especificaciones == | ||
| − | Altura de producto 9.01mm | + | {| |
| − | Anchura de producto 4. | + | ! Caracteristica |
| − | Categoría | + | ! valor |
| − | Configuración Single | + | |- |
| − | Corriente de drenaje continua máxima 85A | + | |Altura de producto|| 9.01mm|- |
| − | Disipación de potencia máxima | + | |Anchura de producto||4.7 mm|- |
| − | Encapsulado fabricante TO-220AB | + | |Categoría||Mosfet de Potencia|- |
| − | Longitud de producto 10.41mm | + | |Configuración||Single|- |
| − | Modo de canal Mejora | + | |Corriente de drenaje continua máxima||85A|- |
| − | Montaje Pasante | + | |Disipación de potencia máxima||250000 mW|- |
| − | Número de elementos por chip 1 | + | |Encapsulado fabricante ||TO-220AB|- |
| − | Resistencia de fuente de drenaje máxima 0.0105 | + | |Longitud de producto||10.41mm|- |
| − | Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | + | |Modo de canal||Mejora|- |
| − | Temperatura de funcionamiento mínima -55°C | + | |Montaje||Pasante|- |
| − | Tensión de fuente de drenaje máxima 100V | + | |Número de elementos por chip||1|- |
| − | Tensión máxima puerta-fuente ±20V | + | |Resistencia de fuente de drenaje máxima||0.0105|- |
| − | Tiempo de caída típica 130ns | + | |Temperatura de funcionamiento máxima|| 175°C|- |
| − | Tiempo de retardo de apagado típico 55ns | + | |Temperatura de funcionamiento mínima|| -55°C|- |
| − | Tiempo de retardo de encendido típico 12ns | + | |Tensión de fuente de drenaje máxima ||100V|- |
| − | Tiempo de subida típica 90ns | + | |Tensión máxima puerta-fuente|| ±20V|- |
| − | Tipo de canal N | + | |Tiempo de caída típica|| 130ns|- |
| − | Numero de pines 3 | + | |Tiempo de retardo de apagado típico|| 55ns|- |
| + | |Tiempo de retardo de encendido típico|| 12ns|- | ||
| + | |Tiempo de subida típica|| 90ns|- | ||
| + | |Tipo de canal|| N|- | ||
| + | |Numero de pines ||3|- | ||
| + | |} | ||
== Aplicaciones == | == Aplicaciones == | ||
| − | *Inversores | + | *[[Inversores]] |
| − | *Fuentes SMPS | + | *[[Convertidores]] CD/CD |
| − | *Equipos | + | *Fuentes [[SMPS]] |
| − | + | *Equipos Informáticos | |
| − | *Conmutación | + | *[[Conmutación]] |
== Fuente == | == Fuente == | ||
| − | *[http://spanish.alibaba.com/product-gs/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html | + | *[http://spanish.alibaba.com/product-gs/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Circuito integrado]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011 |
| − | Circuito integrado]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011 | + | *[http://spanish.alibaba.com/product-gs-img/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html Imagen]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011. |
| − | *[http://spanish.alibaba.com/product-gs-img/integrated-circuit-sup85n10-10-234374690.html | ||
| − | Imagen]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011. | ||
*[http://es.scribd.com/doc/50331487/114/%C2%BFQue-es-un-MOSFET Publicacion]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011 | *[http://es.scribd.com/doc/50331487/114/%C2%BFQue-es-un-MOSFET Publicacion]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011 | ||
*[http://es.wikipedia.org/wiki/Estructura_MOS Mosfet]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011. | *[http://es.wikipedia.org/wiki/Estructura_MOS Mosfet]. Consultado: Septeimbre 9 de 2011. | ||
[[Category:Electrónica]] | [[Category:Electrónica]] | ||
Revisión del 13:51 9 sep 2011
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Sup85n10-10. Es un circuito integrado, compuesto por siliciodopado.
Partes que lo componen
Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
Especificaciones
| Caracteristica | valor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Altura de producto | - | Anchura de producto | - | Categoría | - | Configuración | - | Corriente de drenaje continua máxima | - | Disipación de potencia máxima | - | Encapsulado fabricante | - | Longitud de producto | - | Modo de canal | - | Montaje | - | Número de elementos por chip | - | Resistencia de fuente de drenaje máxima | - | Temperatura de funcionamiento máxima | - | Temperatura de funcionamiento mínima | - | Tensión de fuente de drenaje máxima | - | Tensión máxima puerta-fuente | - | Tiempo de caída típica | - | Tiempo de retardo de apagado típico | - | Tiempo de retardo de encendido típico | - | Tiempo de subida típica | - | Tipo de canal | - | Numero de pines | - |
Aplicaciones
- Inversores
- Convertidores CD/CD
- Fuentes SMPS
- Equipos Informáticos
- Conmutación
Fuente
- Circuito integrado. Consultado: Septeimbre 9 de 2011
- Imagen. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.
- Publicacion. Consultado: Septeimbre 9 de 2011
- Mosfet. Consultado: Septeimbre 9 de 2011.
