2SJ133

2SJ133
Información sobre la plantilla
M-2SJ133.jpg

2SJ133. Transistores de Energía MOS de efecto de campo

Principales características

  • Número de Parte: 2SJ133
  • Tipo de FET: MOSFET
  • Polaridad de transistor: P

Especificaciones máximas

  • Disipación total del dispositivo (Pd): 20
  • Tensión drenaje-fuente (Uds): 60
  • Tensión compuerta-fuente (Ugs): 20
  • Corriente continua de drenaje (Id): 2
  • Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Características eléctricas

  • Tiempo de elevación (tr): 30
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF: 250
  • Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.7
  • Empaquetado / Estuche: MP3

Fuentes

http://alltransistors.com/pdfview.php?doc=2sj133.pdf&dire=_nec]