IRFZ10

MOSFET IRFZ10 Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.

MOSFET IRFZ10. Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de rápida conmutación.

Descripción

Este tipo de componente de tercera generación HEXFETs es fabricado por la International Rectifier entre otros, proporciona una mejor combinación de conmutación rápida, robusto, baja resistencia y costo-efectividad. Un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Su encapsulado TO-220 es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía en niveles de alrededor de 50 vatios. La baja conductividad térmica, resistencia y bajo costo del encapsulado TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta.

Principales características

Características	Valor
Voltaje Drenador Surtidor (VDSS)	60V
Corriente de Drenador (ID)	10 A
Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))	0.20Ω Máx
Potencia Total de Disipación ( PD)	43W

Fabricantes

Fabricantes	Logo
International Rectifier
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
Vishay Siliconix

Aplicaciones

Por su rápida conmutación y características antes expuestas es muy usado en:

• Inversores

• Fuentes conmutadas

Enlaces externos

• alltransistors.com

Fuentes

• alldatasheet.com
• MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE