Mosfet IRF840

MOSFET IRF840
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Componente electrónico utilizado en circuitos de conmutación.

MOSFET IRF840.Transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) de alta tensión y potencia, ampliamente utilizado en fuentes conmutadas y otras aplicaciones de la electrónica.

Descripción

Figura I.

Fabricado por la International Rectifier entre otros fabricantes que más adelante se detallarán, es de cana N de tipo enriquecimiento de silicio, diseñado para soportar un determinado nivel de energía en el modo de operación avalancha, alta velocidad de conmutación en el orden de los nanosegundo y alta impedancia de entrada. Lo podemos encontrar con encapsulado TO-220AB y consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta los mismos también pueden encontrarse en otros tipos de encapsulados. En la siguiente figura I. se muestra su distribución de pines y estructura interna.



Principales características

Características Valor
Voltaje Drenador Surtidor (VDDS) 800V
Corriente de Drenador (ID) 5A
Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON)) 0.850Ω
Potencia Total de Disipación ( PD) 120W
Canal N

Fabricantes

Fabricantes Logo
Motorola,Inc
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NXP Semiconductors
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STMicroelectronics
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Samsung semiconductor
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Fairchild Semiconductor
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International Rectifier
International Rectifier.GIF
TRANSYS Electronics Limited
Transys Electronics Limited.GIF
Suntac Electronic Corp.
SUNTAC.GIF
Inchange Semiconductor Company Limited
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Aplicaciones

  • Reguladores conmutados
  • Convertidores de conmutación
  • Controladores de motor
  • Conductores de relevo

Enlace externo

Fuente