Transistor 2SA1897. Transistor epitaxial de silicio PNP para amplificadores de potencia de baja frecuencia y conmutación de velocidad media.
Especificaciones máximas
- Disipación total del dispositivo (Pc): 6 W.
- Tensión colector-base (Vcb): 30 V.
- Tensión colector-emisor (Vce): 20 V.
- Tensión emisor-base (Veb): 10 V.
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A.
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C.
Características eléctricas
- Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 180 MHz.
- Capacitancia de salida (Cc): 220 pF.
- Ganancia de corriente continua (hfe): 200.
- Empaquetado / Estuche: NEC.
Fuentes
