Transistor 2SC458

Transistor 2SC458
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Transistor 2SC458. Encapsulado y simbología

2sc458 es un transistor bipolar NPN de silicio (Si) de propósito general fabricado con tecnología epitaxial comunmente usado como amplificador para niveles de señal bajas - medias.

Descripción

Los transistores de unión (BTJ) están compuestos por dos uniones PN, las que dividen el cristal de silicio en tres regiones, base (B), emisor (E) y colector (C), a cada una de estas regiones se le asocia un electrodo para su conexión y en condiciones de funcionamiento circulará por cada uno de ellos una corriente IE, IB, o IC.

Este transistor está construido con técnica epitaxial, donde el colector es una capa N de silicio fuertemente impurificada de baja resistencia, sobre la cual se hace crecer una fina capa de silicio de elevada resistencia que constituirá la base, después se recubre con una capa de óxido de silicio, en la que se hace una ventana por la cual mediante difusión, se obtiene la capa que constituirá el emisor. Los transistores producidos con esta técnica también se denominan transistores mesa.

El nombre de este componente electrónico comienza con 2SC, indicando el 2, que es un transistor, la S que es japonés, y la C, que es tipo NPN diseñado para trabajos en alta frecuencia.

Este componente electrónico presenta encapsulado TO-92 y su par complementario recomendado es el transistor PNP 2SA1031 y 2SA1032.

Valores máximos absolutos

Parámetro Símbolo Valor
Voltaje colector base VCBO 30V
Voltaje colector emisor VCEO 30V
Voltaje emisor base VEBO 5V
Corriente de colector Ic 100 ma
Disipación de potencia Pc 200 mw
Temperatura de unión Tj 150 grados C

Otras características eléctricas a 25 grados C

  • Corriente de corte de colector (ICBO) = 500 na a VCB = 18 V
  • Corriente de corte de emisor IEBO = 500 na a VEB = 2 V
  • Voltaje de saturación Colector emisor VCE(sat) desde 0,1 a 0.3 V
  • Producto ganancia ancho de banda típico fT = 230 a VCE = 12 V, IC = 2 mA
  • Ganancia de corriente directa hFE = 100 – 500 a VCE=12V, IC=2mA


hFE para el 2SC458 (LG) según la última letra

  • B = 100 - 200
  • C = 160 - 320
  • D = 250 - 500

Usos

Principalmente en circuitos amplificadores de audio (AF amplifier) y circuitos de conmutación de baja velocidad. Se puede encontrar en etapas preamplificadoras, tonos, en electrónica para la medicina y para autos.

Enlaces externos

Fuentes